JP2000042882A - 半導体ウエハの鏡面加工装置 - Google Patents
半導体ウエハの鏡面加工装置Info
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- JP2000042882A JP2000042882A JP10214169A JP21416998A JP2000042882A JP 2000042882 A JP2000042882 A JP 2000042882A JP 10214169 A JP10214169 A JP 10214169A JP 21416998 A JP21416998 A JP 21416998A JP 2000042882 A JP2000042882 A JP 2000042882A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハの面取り部及び外周面を鏡面加
工する研摩ポイントが１点のため、研摩効率が悪い。 【解決手段】 外周縁の角部が面取りされた半導体ウエ
ハ１０の面取り部１０ａを研摩ドラム８により鏡面加工
する半導体ウエハ１０の鏡面加工装置において、ドラム
回転軸８ａが互に平行し、かつ昇降及び接離移動自在な
一対の研摩ドラム８と、上記各研摩ドラム８を互に接近
する方向へ付勢する付勢手段４と、上記各研摩ドラム８
を回転駆動するドラム駆動源６と、鏡面加工すべき半導
体ウエハ１０を保持するチャック１７及びこのチャック
１７を回転駆動するチャック駆動源１６よりなる少なく
とも１基のチャック駆動手段１５と、半導体ウエハ１０
の面取り部１０ａ及び外周面１０ｂを研摩ドラム８に当
接すべく上記チャック駆動手段１５を傾斜させる角度可
変手段１３と、上記チャック駆動手段１５を研摩ドラム
８方向へ付勢する付勢手段１２とより構成したもので、
同時に複数の研摩ポイントで面取り部１０ａ及び外周面
１０ｂを研摩できるため、研摩効率が向上する。
工する研摩ポイントが１点のため、研摩効率が悪い。 【解決手段】 外周縁の角部が面取りされた半導体ウエ
ハ１０の面取り部１０ａを研摩ドラム８により鏡面加工
する半導体ウエハ１０の鏡面加工装置において、ドラム
回転軸８ａが互に平行し、かつ昇降及び接離移動自在な
一対の研摩ドラム８と、上記各研摩ドラム８を互に接近
する方向へ付勢する付勢手段４と、上記各研摩ドラム８
を回転駆動するドラム駆動源６と、鏡面加工すべき半導
体ウエハ１０を保持するチャック１７及びこのチャック
１７を回転駆動するチャック駆動源１６よりなる少なく
とも１基のチャック駆動手段１５と、半導体ウエハ１０
の面取り部１０ａ及び外周面１０ｂを研摩ドラム８に当
接すべく上記チャック駆動手段１５を傾斜させる角度可
変手段１３と、上記チャック駆動手段１５を研摩ドラム
８方向へ付勢する付勢手段１２とより構成したもので、
同時に複数の研摩ポイントで面取り部１０ａ及び外周面
１０ｂを研摩できるため、研摩効率が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は周縁部を面取り加
工された半導体ウエハを鏡面加工する鏡面加工装置に関
する。
工された半導体ウエハを鏡面加工する鏡面加工装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来集積回路などに使用する半導体ウエ
ハは、シリコン単結晶からなるインゴットを薄くスライ
スすることにより製作されているが、ウエハ周縁部にピ
ッチングが発生するのを防止するため、周縁部を面取り
加工した後、パーティクルの防止と強度アップを図るた
め周縁部を鏡面加工している。
ハは、シリコン単結晶からなるインゴットを薄くスライ
スすることにより製作されているが、ウエハ周縁部にピ
ッチングが発生するのを防止するため、周縁部を面取り
加工した後、パーティクルの防止と強度アップを図るた
め周縁部を鏡面加工している。
【０００３】また最近ではウエハの性能を向上させるた
め、エピウエハが増加しているが、エピウエハの製造工
程上ウエハ周縁部にポリシリコン、酸化膜が生成される
ことがあり、これを完全に除去しておかないと、後工程
の熱処理工程の際、この周縁部のポリシリコン、酸化膜
が異常に成長して不具合の原因となるため、面取り部を
鏡面加工する必要性が増大している。
め、エピウエハが増加しているが、エピウエハの製造工
程上ウエハ周縁部にポリシリコン、酸化膜が生成される
ことがあり、これを完全に除去しておかないと、後工程
の熱処理工程の際、この周縁部のポリシリコン、酸化膜
が異常に成長して不具合の原因となるため、面取り部を
鏡面加工する必要性が増大している。
【０００４】一方半導体ウエハの面取り部を鏡面加工す
る方法としては、例えば特公平７−６１６０１号公報に
記載されたものが公知である。上記公報の鏡面加工方法
は、周縁部を面取り加工された円盤形のウエハをチャッ
クテーブルに保持させる工程、上記ウエハを該ウエハの
軸線の回りに回転させる工程、直線的な移動により接離
自在なるように支持された研摩ドラムとウエハとを鉛直
に吊り下げられたウエイトの付勢力で当接させ、回転す
る研摩ドラムでウエハの周縁部を研摩する工程、上記研
摩ドラムを該研摩ドラムの軸線方向に移動させることに
よりウエハとの当接位置を変える工程を有することを特
徴としたもので、ウエハ周縁部全面を鏡面研摩すること
が可能となるなどの効果を有している。
る方法としては、例えば特公平７−６１６０１号公報に
記載されたものが公知である。上記公報の鏡面加工方法
は、周縁部を面取り加工された円盤形のウエハをチャッ
クテーブルに保持させる工程、上記ウエハを該ウエハの
軸線の回りに回転させる工程、直線的な移動により接離
自在なるように支持された研摩ドラムとウエハとを鉛直
に吊り下げられたウエイトの付勢力で当接させ、回転す
る研摩ドラムでウエハの周縁部を研摩する工程、上記研
摩ドラムを該研摩ドラムの軸線方向に移動させることに
よりウエハとの当接位置を変える工程を有することを特
徴としたもので、ウエハ周縁部全面を鏡面研摩すること
が可能となるなどの効果を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記公報の鏡面
加工方法では、半導体ウエハ１枚に対して、円筒状の研
摩クロスが当接する研摩ポイントは１点であることか
ら、研摩クロスの弾性を利用して半導体ウエハの面取り
部と外周面を鏡面加工する必要があり、このため研摩ク
ロスが半導体ウエハの周縁部全域に均等な面圧で当接し
ないことから、単位時間当りの研摩量が小さくなって生
産性が悪いと共に、特に半導体ウエハの外周面は研摩し
にくいなどの不具合があった。
加工方法では、半導体ウエハ１枚に対して、円筒状の研
摩クロスが当接する研摩ポイントは１点であることか
ら、研摩クロスの弾性を利用して半導体ウエハの面取り
部と外周面を鏡面加工する必要があり、このため研摩ク
ロスが半導体ウエハの周縁部全域に均等な面圧で当接し
ないことから、単位時間当りの研摩量が小さくなって生
産性が悪いと共に、特に半導体ウエハの外周面は研摩し
にくいなどの不具合があった。
【０００６】この発明はかかる従来の不具合を改善する
ためになされたもので、１枚の半導体ウエハに対して研
摩ポイントを複数点にすることにより、ウエハの面取り
部及び外周面を効率よく鏡面加工できるようにした半導
体ウエハの鏡面加工装置を提供して、生産性の向上を図
ることを目的とするものである。
ためになされたもので、１枚の半導体ウエハに対して研
摩ポイントを複数点にすることにより、ウエハの面取り
部及び外周面を効率よく鏡面加工できるようにした半導
体ウエハの鏡面加工装置を提供して、生産性の向上を図
ることを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用効果】上記目的を
達成するため請求項１記載の発明は、外周縁の角部が面
取りされた半導体ウエハの面取り部及び外周面を研摩ド
ラムにより鏡面加工する半導体ウエハの鏡面加工装置に
おいて、ドラム回転軸が互に平行し、かつ昇降及び接離
移動自在な一対の研摩ドラムと、各研摩ドラムを互に接
近する方向へ付勢する付勢手段と、上記各研摩ドラムを
回転駆動するドラム駆動源と、鏡面加工すべき半導体ウ
エハを保持するチャック及びこのチャックを回転駆動す
るチャック駆動源よりなる少なくとも１基のチャック駆
動手段と、半導体ウエハの面取り部及び外周面を各研摩
ドラムに当接すべく上記チャック駆動手段を傾斜させる
角度可変手段と、上記チャック駆動手段を研摩ドラム方
向へ付勢する付勢手段とより構成したものである。
達成するため請求項１記載の発明は、外周縁の角部が面
取りされた半導体ウエハの面取り部及び外周面を研摩ド
ラムにより鏡面加工する半導体ウエハの鏡面加工装置に
おいて、ドラム回転軸が互に平行し、かつ昇降及び接離
移動自在な一対の研摩ドラムと、各研摩ドラムを互に接
近する方向へ付勢する付勢手段と、上記各研摩ドラムを
回転駆動するドラム駆動源と、鏡面加工すべき半導体ウ
エハを保持するチャック及びこのチャックを回転駆動す
るチャック駆動源よりなる少なくとも１基のチャック駆
動手段と、半導体ウエハの面取り部及び外周面を各研摩
ドラムに当接すべく上記チャック駆動手段を傾斜させる
角度可変手段と、上記チャック駆動手段を研摩ドラム方
向へ付勢する付勢手段とより構成したものである。
【０００７】上記構成により、半導体ウエハの面取り部
及び外周面を一対の研摩ドラムにより同時に研摩するこ
とができるため、従来の１枚のウエハに対して研摩ポイ
ントが１つの場合に比べて鏡面加工が効率よく行えるた
め、生産性の大幅な向上が図れる。
及び外周面を一対の研摩ドラムにより同時に研摩するこ
とができるため、従来の１枚のウエハに対して研摩ポイ
ントが１つの場合に比べて鏡面加工が効率よく行えるた
め、生産性の大幅な向上が図れる。
【０００８】また面取り部及び外周面が研摩ドラムの外
周面に均一に当接されるため、単位時間当りの研摩量が
増大し、これによっても研摩効率が上るため、生産性の
向上が図れるようになると共に、面取り部と外周面を別
の研摩ポイントで鏡面加工することができるため、加工
性も向上する。
周面に均一に当接されるため、単位時間当りの研摩量が
増大し、これによっても研摩効率が上るため、生産性の
向上が図れるようになると共に、面取り部と外周面を別
の研摩ポイントで鏡面加工することができるため、加工
性も向上する。
【０００９】さらに角度可変手段により半導体ウエハの
面取り部を適正な角度で研摩ドラムに当接するようチャ
ック駆動手段の角度を可変することにより、半導体ウエ
ハの面取り部を効率よく研摩することができる。
面取り部を適正な角度で研摩ドラムに当接するようチャ
ック駆動手段の角度を可変することにより、半導体ウエ
ハの面取り部を効率よく研摩することができる。
【００１０】上記目的を達成するため請求項２記載の発
明は、外周縁の角部が面取りされた半導体ウエハの面取
り部及び外周面を研摩ドラムにより鏡面加工する半導体
ウエハの鏡面加工装置において、ドラム回転軸が互に平
行し、かつ軸間距離が固定された昇降自在な一対の研摩
ドラムと、上記各研摩ドラムを回転駆動するドラム駆動
源と、鏡面加工すべき半導体ウエハを保持するチャック
及びこのチャックを回転駆動するチャック駆動源よりな
る少なくとも１基のチャック駆動手段と、半導体ウエハ
の面取り部及び外周面を研摩ドラムに当接すべく上記チ
ャック駆動手段を傾斜させる角度可変手段と、上記チャ
ック駆動手段を研摩ドラム方向へ付勢する付勢手段とよ
り構成したものである。
明は、外周縁の角部が面取りされた半導体ウエハの面取
り部及び外周面を研摩ドラムにより鏡面加工する半導体
ウエハの鏡面加工装置において、ドラム回転軸が互に平
行し、かつ軸間距離が固定された昇降自在な一対の研摩
ドラムと、上記各研摩ドラムを回転駆動するドラム駆動
源と、鏡面加工すべき半導体ウエハを保持するチャック
及びこのチャックを回転駆動するチャック駆動源よりな
る少なくとも１基のチャック駆動手段と、半導体ウエハ
の面取り部及び外周面を研摩ドラムに当接すべく上記チ
ャック駆動手段を傾斜させる角度可変手段と、上記チャ
ック駆動手段を研摩ドラム方向へ付勢する付勢手段とよ
り構成したものである。
【００１１】上記構成により、半導体ウエハの面取り部
及び外周面を一対の研摩ドラムにより同時に研摩するこ
とができるため、従来の１枚のウエハに対して研摩ポイ
ントが１つの場合に比べて鏡面加工が効率よく行えるた
め、生産性の大幅な向上が図れる。
及び外周面を一対の研摩ドラムにより同時に研摩するこ
とができるため、従来の１枚のウエハに対して研摩ポイ
ントが１つの場合に比べて鏡面加工が効率よく行えるた
め、生産性の大幅な向上が図れる。
【００１２】また面取り部及び外周面が研摩ドラムの外
周面に均一に当接されるため、単位時間当りの研摩量が
増大し、これによっても研摩効率が上るため、生産性の
向上が図れるようになると共に、面取り部と外周面を別
の研摩ポイントで鏡面加工することができるため、加工
性も向上する。
周面に均一に当接されるため、単位時間当りの研摩量が
増大し、これによっても研摩効率が上るため、生産性の
向上が図れるようになると共に、面取り部と外周面を別
の研摩ポイントで鏡面加工することができるため、加工
性も向上する。
【００１３】さらに角度可変手段により半導体ウエハの
面取り部を適正な角度で各研摩ドラムに当接するようチ
ャック駆動手段の角度を可変することにより、半導体ウ
エハの面取り部を効率よく研摩することができる。
面取り部を適正な角度で各研摩ドラムに当接するようチ
ャック駆動手段の角度を可変することにより、半導体ウ
エハの面取り部を効率よく研摩することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】この発明の第１の実施の形態を図
１ないし図４に示す図面を参照して詳述する。図１は鏡
面加工装置の平面図、図２は同正面図、図３は同側面
図、図４はチャック駆動手段の詳細図である。
１ないし図４に示す図面を参照して詳述する。図１は鏡
面加工装置の平面図、図２は同正面図、図３は同側面
図、図４はチャック駆動手段の詳細図である。
【００１５】これら図において１は装置本体で、２基の
研摩ドラム駆動手段２と、これら研摩ドラム駆動手段２
を挟んで対向するように設置された２基のウエハ駆動手
段３よりなる。上記各研摩ドラム駆動手段２は、基台１
ａ上に水平に布設されたガイドレール１ｂ上を接離方向
に移動自在に支承されたほぼＬ字形の水平移動台２ａを
それぞれ有している。
研摩ドラム駆動手段２と、これら研摩ドラム駆動手段２
を挟んで対向するように設置された２基のウエハ駆動手
段３よりなる。上記各研摩ドラム駆動手段２は、基台１
ａ上に水平に布設されたガイドレール１ｂ上を接離方向
に移動自在に支承されたほぼＬ字形の水平移動台２ａを
それぞれ有している。
【００１６】上記各水平移動台２ａは、図３に示すよう
に付勢手段４により互に接近する方向へ付勢されてい
る。上記付勢手段４は、一端が水平移動台２ａに結着さ
れ、他端に重錘Ｗが結着された索条４ａと、この索条４
ａの中間部が迂回された複数のプーリ４ｂよりなり、重
錘Ｗの自重により付勢力Ｗ２で水平移動台４ａを互に接
近する方向へ付勢していると共に、各水平移動台２ａと
基台１ａの間には、水平移動台２ａを付勢方向と逆の方
向へ退避させる退避シリンダ４ｃが設けられる。
に付勢手段４により互に接近する方向へ付勢されてい
る。上記付勢手段４は、一端が水平移動台２ａに結着さ
れ、他端に重錘Ｗが結着された索条４ａと、この索条４
ａの中間部が迂回された複数のプーリ４ｂよりなり、重
錘Ｗの自重により付勢力Ｗ２で水平移動台４ａを互に接
近する方向へ付勢していると共に、各水平移動台２ａと
基台１ａの間には、水平移動台２ａを付勢方向と逆の方
向へ退避させる退避シリンダ４ｃが設けられる。
【００１７】そして上記各水平移動台２ａに垂直に布設
されたガイドレール２ｂに、垂直移動台２ｃが昇降動自
在に支承されている。上記垂直移動台２ｃには、水平方
向にナット支持部２ｄが突設されていて、このナット支
持部２ｄの先端に取付けられたボールナット２ｅに、ボ
ールねじ２ｆが螺合されている。上記ボールねじ２ｆ
は、水平移動台２ａに垂直に支承されていて、下端側に
接続された電動機よりなるドラム昇降駆動手段５により
このボールねじ２ｆを正逆回転させることにより、ガイ
ドレール２ｂに沿って垂直移動台２ｃが昇降できるよう
になっている。
されたガイドレール２ｂに、垂直移動台２ｃが昇降動自
在に支承されている。上記垂直移動台２ｃには、水平方
向にナット支持部２ｄが突設されていて、このナット支
持部２ｄの先端に取付けられたボールナット２ｅに、ボ
ールねじ２ｆが螺合されている。上記ボールねじ２ｆ
は、水平移動台２ａに垂直に支承されていて、下端側に
接続された電動機よりなるドラム昇降駆動手段５により
このボールねじ２ｆを正逆回転させることにより、ガイ
ドレール２ｂに沿って垂直移動台２ｃが昇降できるよう
になっている。
【００１８】また各垂直移動台２ｃには、電動機よりな
る２基のドラム駆動源６が回転軸６ａを上向きにして取
付けられており、これら回転軸６ａに互に平行するよう
に支承されたドラム回転軸８ａが接続されている。上記
ドラム回転軸８ａの上端は、垂直移動台２ｃに取付けら
れたドラム収容室２ｇ内に突出されていて、上端部にド
ラム収容室２ｇ内に収容された研摩ドラム８が着脱自在
に取付けられている。上記研摩ドラム８は、円筒状をな
すドラム本体８ｂの外周面に研摩クロス８ｃが巻付けら
れていて、この研摩クロス８ｃの複数の研摩ポイント
Ａ，Ｂで、後述するウエハ１０のそれぞれの面取り部１
０ａと外周面１０ｂとを同時に鏡面加工するようになっ
ている。
る２基のドラム駆動源６が回転軸６ａを上向きにして取
付けられており、これら回転軸６ａに互に平行するよう
に支承されたドラム回転軸８ａが接続されている。上記
ドラム回転軸８ａの上端は、垂直移動台２ｃに取付けら
れたドラム収容室２ｇ内に突出されていて、上端部にド
ラム収容室２ｇ内に収容された研摩ドラム８が着脱自在
に取付けられている。上記研摩ドラム８は、円筒状をな
すドラム本体８ｂの外周面に研摩クロス８ｃが巻付けら
れていて、この研摩クロス８ｃの複数の研摩ポイント
Ａ，Ｂで、後述するウエハ１０のそれぞれの面取り部１
０ａと外周面１０ｂとを同時に鏡面加工するようになっ
ている。
【００１９】一方上記各ウエハ駆動手段３は、基台１ａ
上に設置された筐体１ｃの上部に布設されたガイドレー
ル１ｄに支承されて、接離方向へ移動自在なスライドテ
ーブル３ａを有しており、これらスライドテーブル３ａ
は付勢手段１２により接近する方向へ付勢されている。
上記付勢手段１２は、一端がスライドテーブル３ａに結
着され、他端に重錘Ｗ′が結着された索条１２ａと、こ
の索条１２ａの中間部が迂回されたプーリ１２ｂよりな
り、重錘Ｗの自重により付勢力Ｗ１でスライドテーブル
３ａを互に接近する方向へ付勢していると共に、筐体１
ｃとスライドテーブル３ａの間には、スライドテーブル
３ａを付勢方向と逆の方向へ退避させる退避シリンダ１
２ｃが設けられている。
上に設置された筐体１ｃの上部に布設されたガイドレー
ル１ｄに支承されて、接離方向へ移動自在なスライドテ
ーブル３ａを有しており、これらスライドテーブル３ａ
は付勢手段１２により接近する方向へ付勢されている。
上記付勢手段１２は、一端がスライドテーブル３ａに結
着され、他端に重錘Ｗ′が結着された索条１２ａと、こ
の索条１２ａの中間部が迂回されたプーリ１２ｂよりな
り、重錘Ｗの自重により付勢力Ｗ１でスライドテーブル
３ａを互に接近する方向へ付勢していると共に、筐体１
ｃとスライドテーブル３ａの間には、スライドテーブル
３ａを付勢方向と逆の方向へ退避させる退避シリンダ１
２ｃが設けられている。
【００２０】また上記スライドテーブル３ａ上には、支
持部材３ｂが設置されていて、この支持部材３ｂの上部
に、角度可変手段１３により水平軸１４を中心に任意な
角度傾斜自在なチャック駆動手段１５が設けられてい
る。上記水平軸１４は、研摩ドラム８の中心Ｏ１と、後
述するチャック１７の中心Ｏ２を通る中心線Ｏ１−Ｏ２
に対して直角となるように設置されていて、この水平軸
１４にチャック駆動手段１５を構成する揺動部材１５ａ
が揺動自在に支承されていると共に、上記角度可変手段
１３は、図２に示すように一端側が上記水平軸１４に枢
支されたリンク１３ａを有している。
持部材３ｂが設置されていて、この支持部材３ｂの上部
に、角度可変手段１３により水平軸１４を中心に任意な
角度傾斜自在なチャック駆動手段１５が設けられてい
る。上記水平軸１４は、研摩ドラム８の中心Ｏ１と、後
述するチャック１７の中心Ｏ２を通る中心線Ｏ１−Ｏ２
に対して直角となるように設置されていて、この水平軸
１４にチャック駆動手段１５を構成する揺動部材１５ａ
が揺動自在に支承されていると共に、上記角度可変手段
１３は、図２に示すように一端側が上記水平軸１４に枢
支されたリンク１３ａを有している。
【００２１】上記リンク１３ａの他端側には空圧シリン
ダよりなるアクチュエータ１３ｂの基端部が枢着され、
アクチュエータ１３ｂの先端部は上記揺動部材１５ａに
枢着されていて、アクチュエータ１３ｂを伸縮すること
により、水平軸１４を中心にチャック駆動手段１５を図
４の実線位置より仮想線で示す鏡面加工位置まで傾斜で
きるようになっている。上記チャック駆動手段１５は、
上記揺動部材１５ａの底部に取付けられた電動機よりな
るチャック駆動源１６を有していて、このチャック駆動
源１６は揺動部材１５ａに互に平行するよう垂直に支承
された回転軸１５ｂの下端にギヤ１５ｃを介して接続さ
れている。上記回転軸１５ｂの上端には、鏡面加工する
ウエハ１０を保持するチャック１７が取付けられている
と共に、上記角度可変手段１３及びチャック駆動手段１
５は、揺動部材１５ａに取付けられたケース１５ｄ内に
収容されている。
ダよりなるアクチュエータ１３ｂの基端部が枢着され、
アクチュエータ１３ｂの先端部は上記揺動部材１５ａに
枢着されていて、アクチュエータ１３ｂを伸縮すること
により、水平軸１４を中心にチャック駆動手段１５を図
４の実線位置より仮想線で示す鏡面加工位置まで傾斜で
きるようになっている。上記チャック駆動手段１５は、
上記揺動部材１５ａの底部に取付けられた電動機よりな
るチャック駆動源１６を有していて、このチャック駆動
源１６は揺動部材１５ａに互に平行するよう垂直に支承
された回転軸１５ｂの下端にギヤ１５ｃを介して接続さ
れている。上記回転軸１５ｂの上端には、鏡面加工する
ウエハ１０を保持するチャック１７が取付けられている
と共に、上記角度可変手段１３及びチャック駆動手段１
５は、揺動部材１５ａに取付けられたケース１５ｄ内に
収容されている。
【００２２】次に上記構成された鏡面加工装置の作用を
説明する。鏡面加工するウエハ１０は、予め外周縁の角
部が所定の角度α０で面取り角度されており、この発明
の第１の実施の形態になる鏡面加工装置では、この面取
り部１０ａと外周面１０ｂをそれぞれ別の研摩ドラム８
により同時に鏡面加工する。ウエハ１０の鏡面加工に当
っては、まずチャック１７が水平となる位置にチャック
駆動手段１５を停止させ、この状態でウエハ１０をチャ
ック１７の上面に吸着保持させる。
説明する。鏡面加工するウエハ１０は、予め外周縁の角
部が所定の角度α０で面取り角度されており、この発明
の第１の実施の形態になる鏡面加工装置では、この面取
り部１０ａと外周面１０ｂをそれぞれ別の研摩ドラム８
により同時に鏡面加工する。ウエハ１０の鏡面加工に当
っては、まずチャック１７が水平となる位置にチャック
駆動手段１５を停止させ、この状態でウエハ１０をチャ
ック１７の上面に吸着保持させる。
【００２３】次にこの状態でウエハ１０の面取り角度α
０に応じて角度可変手段１３により水平軸１４を中心に
チャック駆動手段１５を角度α傾斜させる。そして研摩
ドラム駆動手段２のドラム駆動源６により２個の研摩ド
ラム８を同時に同方向へ回転させ、またチャック駆動手
段１５のチャック駆動源１６により２個のチャック１７
を同時に同方向へ回転させながら、退避シリンダ１２ｃ
を収縮して、各チャック１７を研摩ドラム８方向へ移動
させ、チャック１７に保持されたウエハ１０の面取り部
１０ａを図１に示すように一方の研摩ドラム８の外周面
（研摩ポイントＡ）へ、そして外周面１０ｂを他方の研
摩ドラム８の外周面（研摩ポイントＢ）へ付勢力Ｗ１と
Ｗ２とで当接させ、またこの状態でドラム駆動手段２側
の退避シリンダ４ｃも収縮して、各研摩ドラム８を付勢
力Ｗ２とＷ２とで互に接近する方向へ移動させる。
０に応じて角度可変手段１３により水平軸１４を中心に
チャック駆動手段１５を角度α傾斜させる。そして研摩
ドラム駆動手段２のドラム駆動源６により２個の研摩ド
ラム８を同時に同方向へ回転させ、またチャック駆動手
段１５のチャック駆動源１６により２個のチャック１７
を同時に同方向へ回転させながら、退避シリンダ１２ｃ
を収縮して、各チャック１７を研摩ドラム８方向へ移動
させ、チャック１７に保持されたウエハ１０の面取り部
１０ａを図１に示すように一方の研摩ドラム８の外周面
（研摩ポイントＡ）へ、そして外周面１０ｂを他方の研
摩ドラム８の外周面（研摩ポイントＢ）へ付勢力Ｗ１と
Ｗ２とで当接させ、またこの状態でドラム駆動手段２側
の退避シリンダ４ｃも収縮して、各研摩ドラム８を付勢
力Ｗ２とＷ２とで互に接近する方向へ移動させる。
【００２４】これによって各チャック１７に保持された
ウエハ１０の面取り部１０ａ及び外周面１０ｂは、図１
に示すように各研摩ドラム８の外周面に同時に当接され
るため、２点の研摩ポイントＡ，Ｂで鏡面加工が開始さ
れると共に、各研摩ポイントＡ，Ｂ点での付勢力ＷＡ，
ＷＢは次のようになる。
ウエハ１０の面取り部１０ａ及び外周面１０ｂは、図１
に示すように各研摩ドラム８の外周面に同時に当接され
るため、２点の研摩ポイントＡ，Ｂで鏡面加工が開始さ
れると共に、各研摩ポイントＡ，Ｂ点での付勢力ＷＡ，
ＷＢは次のようになる。
【００２５】Ｗ１：ウエハ駆動手段の重錘による付勢力 Ｗ２：研摩ドラム駆動手段の重錘による付勢力 ＷＡ：付勢力Ｗ１，Ｗ２による研摩ポイントＡ点での付
勢力 ＷＢ：付勢力Ｗ１，Ｗ２による研摩ポイントＢ点での付
勢力 Ｗ１＝ＷＡｃｏｓθＡ＋ＷＡｃｏｓθＢ …（１） Ｗ２＝ＷＡｓｉｎθＡ＋ＷＢｓｉｎθＢ …（２） これにより ＷＡ＝（Ｗ１ｓｉｎθＢ−Ｗ２ｃｏｓθＢ）／ｓｉｎ（θＡ−θＢ） …（３） ＷＢ＝（Ｗ１ｓｉｎθＡ＋Ｗ２ｃｏｓθＡ）／ｓｉｎ（θＡ＋θＢ） …（４）
勢力 ＷＢ：付勢力Ｗ１，Ｗ２による研摩ポイントＢ点での付
勢力 Ｗ１＝ＷＡｃｏｓθＡ＋ＷＡｃｏｓθＢ …（１） Ｗ２＝ＷＡｓｉｎθＡ＋ＷＢｓｉｎθＢ …（２） これにより ＷＡ＝（Ｗ１ｓｉｎθＢ−Ｗ２ｃｏｓθＢ）／ｓｉｎ（θＡ−θＢ） …（３） ＷＢ＝（Ｗ１ｓｉｎθＡ＋Ｗ２ｃｏｓθＡ）／ｓｉｎ（θＡ＋θＢ） …（４）
【００２６】すなわち、ウエハ１０の面取り部１０ａ及
び外周面１０ｂは、付勢力ＷＡ，ＷＢで２個の研摩ドラ
ム８に同時に圧接されて鏡面加工が行われるため、従来
の面取り部１０ａと外周面１０ｂを別工程で研摩するも
のに比べて研摩効率が大幅に向上する。
び外周面１０ｂは、付勢力ＷＡ，ＷＢで２個の研摩ドラ
ム８に同時に圧接されて鏡面加工が行われるため、従来
の面取り部１０ａと外周面１０ｂを別工程で研摩するも
のに比べて研摩効率が大幅に向上する。
【００２７】なお上記第１の実施の形態では、付勢手段
４，１２により研摩ドラム駆動手段２及びウエハ駆動手
段３を互に接近する方向へ付勢したが、図５ないし図８
に示す第２の実施の形態のように、研摩ドラム駆動手段
２は付勢せず、ウエハ駆動手段３を互に直交する２方向
へ付勢するようにしてもよい。
４，１２により研摩ドラム駆動手段２及びウエハ駆動手
段３を互に接近する方向へ付勢したが、図５ないし図８
に示す第２の実施の形態のように、研摩ドラム駆動手段
２は付勢せず、ウエハ駆動手段３を互に直交する２方向
へ付勢するようにしてもよい。
【００２８】次に第２の実施の形態を説明する。なお上
記第１の実施の形態と同一部分は同一符号を付してその
説明は省略する。これは第３の実施の形態以下について
も同様である。図５ないし図８に示す第２の実施の形態
では、図７に示すようにドラム昇降駆動手段５により昇
降自在な垂直移動台２ｃに、軸間距離Ｌ１が固定されて
研摩ドラム８の回転軸８ａが互に平行するよう支承され
ており、各回転軸８ａ間はギヤなどの連動手段２ｈによ
り連動されている。そして一方の研摩ドラム８の回転軸
８ａに接続された１基のドラム駆動源６により同時に同
方向へ回転されるようになっている。
記第１の実施の形態と同一部分は同一符号を付してその
説明は省略する。これは第３の実施の形態以下について
も同様である。図５ないし図８に示す第２の実施の形態
では、図７に示すようにドラム昇降駆動手段５により昇
降自在な垂直移動台２ｃに、軸間距離Ｌ１が固定されて
研摩ドラム８の回転軸８ａが互に平行するよう支承され
ており、各回転軸８ａ間はギヤなどの連動手段２ｈによ
り連動されている。そして一方の研摩ドラム８の回転軸
８ａに接続された１基のドラム駆動源６により同時に同
方向へ回転されるようになっている。
【００２９】またウエハ駆動手段３は、付勢手段１２に
より互に接近する方向に付勢されたスライドテーブル３
ａ上に、付勢方向と直交する方向にガイドレール３ｃが
布設されていて、これらガイドレール３ｃに支持部材３
ｂが移動自在に支承されている。そしてこの支持部材３
ｂが付勢手段４により上記付勢手段１２の付勢方向と直
交する方向に付勢力Ｗ２で付勢されている。
より互に接近する方向に付勢されたスライドテーブル３
ａ上に、付勢方向と直交する方向にガイドレール３ｃが
布設されていて、これらガイドレール３ｃに支持部材３
ｂが移動自在に支承されている。そしてこの支持部材３
ｂが付勢手段４により上記付勢手段１２の付勢方向と直
交する方向に付勢力Ｗ２で付勢されている。
【００３０】また付勢手段４は一端が支持部材３ｂに結
着され、他端側に重錘Ｗが結着された索条４ａと、この
索条４ａの中間部が迂回されたプーリ４ｂとよりなり、
スライドテーブル３ａと支持部材３ｂの間には、支持部
材３ｂを付勢方向と逆の方向へ退避させる退避シリンダ
４ｃが設けられている。
着され、他端側に重錘Ｗが結着された索条４ａと、この
索条４ａの中間部が迂回されたプーリ４ｂとよりなり、
スライドテーブル３ａと支持部材３ｂの間には、支持部
材３ｂを付勢方向と逆の方向へ退避させる退避シリンダ
４ｃが設けられている。
【００３１】次に上記構成された第２の実施の形態にな
る鏡面加工装置の作用を説明する。ウエハ１０の鏡面加
工に当っては、まずチャック１７が水平となる位置にチ
ャック駆動手段１５を停止させ、この状態でウエハ１０
をチャック１７の上面に吸着保持させる。
る鏡面加工装置の作用を説明する。ウエハ１０の鏡面加
工に当っては、まずチャック１７が水平となる位置にチ
ャック駆動手段１５を停止させ、この状態でウエハ１０
をチャック１７の上面に吸着保持させる。
【００３２】次にこの状態でウエハ１０の面取り角度α
０に応じて角度可変手段１３により水平軸１４を中心に
チャック駆動手段１５を角度α傾斜させる。そして研摩
ドラム駆動手段２のドラム駆動源６により２個の研摩ド
ラム８を同時に同方向へ回転させ、またチャック駆動手
段１５のチャック駆動源１６により２個のチャック１７
を同時に同方向へ回転させながら、退避シリンダ１２ｃ
を収縮して、付勢手段１２により各チャック１７を研摩
ドラム８方向へ移動させ、ウエハ１０の面取り部１０ａ
を付勢手段１２の付勢力Ｗ１，Ｗ２とで研摩ドラム８の
外周面に当接させると同時に、付勢手段４の付勢力Ｗ２
で上記付勢力Ｗ１と直交する方向へ付勢する。
０に応じて角度可変手段１３により水平軸１４を中心に
チャック駆動手段１５を角度α傾斜させる。そして研摩
ドラム駆動手段２のドラム駆動源６により２個の研摩ド
ラム８を同時に同方向へ回転させ、またチャック駆動手
段１５のチャック駆動源１６により２個のチャック１７
を同時に同方向へ回転させながら、退避シリンダ１２ｃ
を収縮して、付勢手段１２により各チャック１７を研摩
ドラム８方向へ移動させ、ウエハ１０の面取り部１０ａ
を付勢手段１２の付勢力Ｗ１，Ｗ２とで研摩ドラム８の
外周面に当接させると同時に、付勢手段４の付勢力Ｗ２
で上記付勢力Ｗ１と直交する方向へ付勢する。
【００３３】これによって各チャック１７に保持された
ウエハ１０の面取り部１０ａ及び外周面１０ｂは、図５
に示すように各研摩ドラム８に同時に当接されるため、
２点の研摩ポイントＡ，Ｂで鏡面加工が開始される。
ウエハ１０の面取り部１０ａ及び外周面１０ｂは、図５
に示すように各研摩ドラム８に同時に当接されるため、
２点の研摩ポイントＡ，Ｂで鏡面加工が開始される。
【００３４】なおこのときの研摩ポイントＡ，Ｂ点での
付勢力ＷＡ，ＷＢは上記第１の実施の形態と同様なので
説明は省略する。
付勢力ＷＡ，ＷＢは上記第１の実施の形態と同様なので
説明は省略する。
【００３５】一方上記実施の形態では何れも一対の研摩
ドラム８に、２枚のウエハ１０を同時に当接させて、面
取り部１０ａ及び外周面１０ｂを鏡面加工したが、一対
の研摩ドラム８に対し１枚のウエハ１０を当接させて、
面取り部１０ａ及び外周面１０ｂを鏡面加工するように
してもよい。
ドラム８に、２枚のウエハ１０を同時に当接させて、面
取り部１０ａ及び外周面１０ｂを鏡面加工したが、一対
の研摩ドラム８に対し１枚のウエハ１０を当接させて、
面取り部１０ａ及び外周面１０ｂを鏡面加工するように
してもよい。
【００３６】図９は第１の実施の形態で説明した２基の
ウエハ駆動手段３の一方を省略した第３の実施の形態を
示し、図１０は第２の実施の形態で説明したウエハ駆動
手段３の一方を省略した第４の実施の形態を示すもの
で、何れの実施の形態も省略した部分以外は、該当する
実施の形態と同様なのでその説明は省略する。
ウエハ駆動手段３の一方を省略した第３の実施の形態を
示し、図１０は第２の実施の形態で説明したウエハ駆動
手段３の一方を省略した第４の実施の形態を示すもの
で、何れの実施の形態も省略した部分以外は、該当する
実施の形態と同様なのでその説明は省略する。
【図１】この発明の第１の実施の形態になる半導体ウエ
ハの鏡面加工装置を示す平面図である。
ハの鏡面加工装置を示す平面図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態になる半導体ウエ
ハの鏡面加工装置を示す正面図である。
ハの鏡面加工装置を示す正面図である。
【図３】この発明の第１の実施の形態になる半導体ウエ
ハの鏡面加工装置を示す研摩ドラム駆動手段の側面図で
ある。
ハの鏡面加工装置を示す研摩ドラム駆動手段の側面図で
ある。
【図４】この発明の第１の実施の形態になる半導体ウエ
ハの鏡面加工装置のチャック駆動手段の詳細図である。
ハの鏡面加工装置のチャック駆動手段の詳細図である。
【図５】この発明の第２の実施の形態になる半導体ウエ
ハの鏡面加工装置を示す平面図である。
ハの鏡面加工装置を示す平面図である。
【図６】この発明の第２の実施の形態になる半導体ウエ
ハの鏡面加工装置を示す正面図である。
ハの鏡面加工装置を示す正面図である。
【図７】図６のＸ方向からの矢視図である。
【図８】図５のＹ方向からの矢視図である。
【図９】この発明の第３の実施の形態になる半導体ウエ
ハの鏡面加工装置を示す平面図である。
ハの鏡面加工装置を示す平面図である。
【図１０】この発明の第４の実施の形態になる半導体ウ
エハの鏡面加工装置を示す平面図である。
エハの鏡面加工装置を示す平面図である。
４…付勢手段 ６…ドラム駆動源 ８…研摩ドラム ８ａ…ドラム回転軸 １０…半導体ウエハ １０ａ…面取り部 １０ｂ…外周面 １２…付勢手段 １３…角度可変手段 １５…チャック駆動手段 １６…チャック駆動源 １７…チャック。
Claims (2)
- 【請求項１】 外周縁の角部が面取りされた半導体ウエ
ハ（１０）の面取り部（１０ａ）及び外周面（１０ｂ）
を研摩ドラム（８）により鏡面加工する半導体ウエハの
鏡面加工装置において、ドラム回転軸（８ａ）が互に平
行し、かつ昇降及び接離移動自在な一対の研摩ドラム
（８）と、上記各研摩ドラム（８）を互に接近する方向
へ付勢する付勢手段（４）と、上記各研摩ドラム（８）
を回転駆動するドラム駆動源（６）と、鏡面加工すべき
半導体ウエハ（１０）を保持するチャック（１７）及び
このチャック（１７）を回転駆動するチャック駆動源
（１６）よりなる少なくとも１基のチャック駆動手段
（１５）と、半導体ウエハ（１０）の面取り部（１０
ａ）及び外周面（１０ｂ）を各研摩ドラム（８）に当接
すべく上記チャック駆動手段（１５）を傾斜させる角度
可変手段（１３）と、上記チャック駆動手段（１５）を
研摩ドラム（８）方向へ付勢する付勢手段（１２）とを
具備したことを特徴とする半導体ウエハの鏡面加工装
置。 - 【請求項２】 外周縁の角部が面取りされた半導体ウエ
ハ（１０）の面取り部（１０ａ）及び外周面（１０ｂ）
を研摩ドラム（８）により鏡面加工する半導体ウエハの
鏡面加工装置において、ドラム回転軸（８ａ）が互に平
行し、かつ軸間距離Ｌ１が固定された昇降自在な一対の
研摩ドラム（８）と、上記各研摩ドラム（８）を回転駆
動するドラム駆動源（６）と、鏡面加工すべき半導体ウ
エハ（１０）を保持するチャック（１７）及びこのチャ
ック（１７）を回転駆動するチャック駆動源（１６）よ
りなる少なくとも１基のチャック駆動手段（１５）と、
半導体ウエハ（１０）の面取り部（１０ａ）及び外周面
（１０ｂ）を各研摩ドラム（８）に当接すべく上記チャ
ック駆動手段（１５）を傾斜させる角度可変手段（１
３）と、上記チャック駆動手段（１５）を研摩ドラム
（８）方向へ付勢する付勢手段（１２）とを具備したこ
とを特徴とする半導体ウエハの鏡面加工装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10214169A JP2000042882A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 半導体ウエハの鏡面加工装置 |
| KR1019990031015A KR20000012064A (ko) | 1998-07-29 | 1999-07-29 | 반도체 웨이퍼의 경면가공장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10214169A JP2000042882A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 半導体ウエハの鏡面加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000042882A true JP2000042882A (ja) | 2000-02-15 |
Family
ID=16651388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10214169A Pending JP2000042882A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 半導体ウエハの鏡面加工装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000042882A (ja) |
| KR (1) | KR20000012064A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001082353A1 (fr) * | 2000-04-24 | 2001-11-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Dispositif et procede de polissage du chanfrein peripherique d'une tranche de silicium |
| KR100429739B1 (ko) * | 2001-05-02 | 2004-05-03 | 스피드팜 가부시키가이샤 | 디바이스 웨이퍼의 외주 연마장치 및 연마방법 |
| CN113990749A (zh) * | 2021-11-06 | 2022-01-28 | 深圳市科讯创展实业有限公司 | 一种用于处理数据转接器usb芯片的抛研装置 |
| CN117506689A (zh) * | 2023-12-29 | 2024-02-06 | 苏州博宏源机械制造有限公司 | 一种硅片晶圆边缘抛光装置及方法 |
-
1998
- 1998-07-29 JP JP10214169A patent/JP2000042882A/ja active Pending
-
1999
- 1999-07-29 KR KR1019990031015A patent/KR20000012064A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001082353A1 (fr) * | 2000-04-24 | 2001-11-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Dispositif et procede de polissage du chanfrein peripherique d'une tranche de silicium |
| KR100429739B1 (ko) * | 2001-05-02 | 2004-05-03 | 스피드팜 가부시키가이샤 | 디바이스 웨이퍼의 외주 연마장치 및 연마방법 |
| CN113990749A (zh) * | 2021-11-06 | 2022-01-28 | 深圳市科讯创展实业有限公司 | 一种用于处理数据转接器usb芯片的抛研装置 |
| CN117506689A (zh) * | 2023-12-29 | 2024-02-06 | 苏州博宏源机械制造有限公司 | 一种硅片晶圆边缘抛光装置及方法 |
| CN117506689B (zh) * | 2023-12-29 | 2024-03-22 | 苏州博宏源机械制造有限公司 | 一种硅片晶圆边缘抛光装置及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000012064A (ko) | 2000-02-25 |
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