JP2000042884A - 半導体ウエハの鏡面加工方法及び鏡面加工装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 半導体ウエハの面取り部及び外周面を鏡面加
工する研摩ポイントを複数点とし、研摩効率を向上させ
る。 【解決手段】 ドラム回転軸４ａが互に平行し、かつド
ラム昇降駆動手段６により昇降自在な一対の研摩ドラム
４と、ドラム駆動源５と、鏡面加工すべき半導体ウエハ
１０を保持するチャック１５及びチャック駆動源１４よ
りなる少なくとも１基のチャック駆動手段１３と、半導
体ウエハ１０の面取り部及び外周面の一方を各研摩ドラ
ム４に同時に当接すべくチャック駆動手段を傾斜させる
角度可変手段１と、チャック駆動手段３を、ドラム回転
軸４ａと平行する支軸２０により揺動自在に支承する揺
動手段と、チャック駆動手段１３を、各研摩ドラム４の
中心Ｏ_１を結ぶ中心線Ｏ_１−Ｏ_１と直交する方向へ付勢
する付勢手段８とより構成し、同時に複数の研摩ポイン
トで鏡面加工するができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は周縁部を面取り加
工された半導体ウエハを鏡面加工する鏡面加工方法及び
鏡面加工装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来集積回路などに使用する半導体ウエ
ハ（以下ウエハという）は、シリコン単結晶からなるイ
ンゴットを薄くスライスすることにより製作されている
が、ウエハ周縁部にピッチングが発生するのを防止する
ため、周縁部を面取り加工した後、パーティクルの防止
と強度アップを図るため周縁部を鏡面加工している。

【０００３】また最近ではウエハの性能を向上させるた
め、エピウエハが増加しているが、エピウエハの製造工
程上ウエハ周縁部にポリシリコン、酸化膜が生成される
ことがあり、これを完全に除去しておかないと、後工程
の熱処理工程の際、この周縁部のポリシリコン、酸化膜
が異常に成長して不具合の原因となるため、面取り部や
外周面を鏡面加工する必要性が増大している。

【０００４】一方ウエハの面取り部や外周面を鏡面加工
する方法としては、例えば特公平７−６１６０１号公報
に記載されたものが公知である。上記公報の鏡面加工方
法は、周縁部を面取り加工された円盤形のウエハをチャ
ックテーブルに保持させる工程、上記ウエハを該ウエハ
の軸線の周りに回転させる工程、直線的な移動により接
離自在なるように支持された研摩ドラムとウエハとを鉛
直に吊り下げられたウエイトの付勢力で当接させ、回転
する研摩ドラムでウエハの周縁部を研摩する工程、上記
研摩ドラムを該研摩ドラムの軸線方向に移動させること
によりウエハとの当接位置を変える工程を有することを
特徴としたもので、ウエハ周縁部全面を鏡面研摩するこ
とが可能となるなどの効果を有している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし上記公報の鏡面
加工方法では、ウエハ１枚に対して、円筒状の研摩クロ
スが当接する研摩ポイントは１点であることから、研摩
クロスの弾性を利用してウエハの面取り部と外周面を鏡
面加工する必要があり、このため研摩クロスがウエハの
周縁部全域に均等に当接しないことから、単位時間当り
の研摩量が小さくなって生産性が悪いと共に、特にウエ
ハの外周面は研摩しにくいなどの不具合があった。

【０００６】この発明はかかる従来の不具合を改善する
ためになされたもので、１枚のウエハに対して研摩ポイ
ントを複数点にすることにより、ウエハの面取り部や外
周面を効率よく鏡面加工できるようにした半導体ウエハ
の鏡面加工方法及び鏡面加工装置を提供して、生産性の
向上を図ることを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段及び作用効果】上記目的を
達成するため請求項１記載の発明は、外周縁の角部が面
取りされたウエハの面取り部及び外周面を研摩ドラムに
より鏡面加工する半導体ウエハの鏡面加工方法におい
て、ドラム昇降駆動手段により昇降自在な一対の研摩ド
ラムの各研摩面に、鏡面加工すべき半導体ウエハの面取
り部及び外周面の一方を付勢手段により同時に当接さ
せ、かつ上記研摩ドラムの回転中心と平行する支軸を中
心に半導体ウエハを揺動させることによりイコライズさ
せながら、研摩ドラム及び半導体ウエハを回転させて、
面取り部及び外周面の一方を鏡面加工するようにしたも
のである。

【０００８】上記方法により、ウエハの面取り部または
外周面を各研摩ドラムの研摩ポイントに同時に当接させ
て鏡面加工を行なうことができるため、従来の１点の研
摩ポイントで研摩するものに比べて研摩効率が倍増し、
これによって生産性の向上が図れるようになる。

【０００９】またウエハを揺動させて、研摩ドラムの研
摩面に均一に当接するようイコライズさせるようにした
ことから、ウエハの面取り部や外周面を均一かつ効率よ
く鏡面加工することができる。

【００１０】上記目的を達成するため請求項２記載の発
明は、外周縁の角部が面取りされた半導体ウエハの面取
り部及び外周面を研摩ドラムにより鏡面加工する半導体
ウエハの鏡面加工方法において、ドラム昇降駆動手段に
より昇降自在な一対の研摩ドラムの各研摩面に、鏡面加
工すべき半導体ウエハの面取り部及び外周面の一方を付
勢手段により同時に当接させ、かつ上記付勢手段の付勢
方向と直交する方向へ半導体ウエハをスライドさせるこ
とによりイコライズさせながら、研摩ドラム及び半導体
ウエハを回転させて、面取り部及び外周面を鏡面加工す
るようにしたものである。

【００１１】上記方法により、ウエハの面取り部または
外周面を各研摩ドラムの研摩ポイントに同時に当接させ
て、２点の研摩ポイントで鏡面加工を行なうことができ
るため、従来の１点の研摩ポイントで研摩するものに比
べて研摩効率が向上し、これによって、生産性の大幅な
向上が図れるようになる。

【００１２】またウエハをスライドさせて、研摩ドラム
の研摩面に均一に当接するようイコライズさせるように
したことから、ウエハの面取り部や外周面を均一かつ効
率よく鏡面加工することができる。

【００１３】上記目的を達成するため請求項３記載の発
明は、半導体ウエハの面取り部及び外周面の一方を鏡面
加工した後、半導体ウエハの角度を変えて他方を鏡面加
工するようにしたものである。

【００１４】上記方法により、ウエハの面取り部及び外
周面の一方を鏡面加工したら、続けて他方を鏡面加工す
ることができることから、作業能率が向上すると共に、
ウエハを把み替えずに面取り部と外周面を連続して鏡面
加工することができるため、加工精度も向上する。

【００１５】上記目的を達成するため請求項４記載の発
明は、外周縁の角部が面取りされた半導体ウエハの面取
り部及び外周面を研摩ドラムにより鏡面加工する半導体
ウエハの鏡面加工装置において、ドラム回転軸が互に平
行し、かつドラム昇降駆動手段により昇降自在な一対の
研摩ドラムと、上記各研摩ドラムを回転駆動するドラム
駆動源と、鏡面加工すべき半導体ウエハを保持するチャ
ック及びこのチャックを回転駆動するチャック駆動源よ
りなる少なくとも１基のチャック駆動手段と、ウエハの
面取り部及び外周面の一方を各研摩ドラムに同時に当接
すべく上記チャック駆動手段を傾斜させる角度可変手段
と、上記チャック駆動手段を、上記ドラム回転軸と平行
する支軸により揺動自在に支承する揺動支持手段と、上
記チャック駆動手段を、上記各研摩ドラムの中心を結ぶ
中心線と直交する方向へ付勢する付勢手段とより構成し
たものである。

【００１６】上記構成により、ウエハの面取り部または
外周面を、各研摩ドラムの研摩ポイントに同時に当接さ
せて、２点の研摩ポイントで鏡面加工を行うことができ
るため、従来の１点の研摩ポイントで研摩するものに比
べて研摩効率が向上し、これによって生産性の大幅な向
上が図れるようになる。

【００１７】またウエハを揺動させて、ウエハが各研摩
ドラムへ均一に当接するようにイコライズさせたことか
ら、ウエハの面取り部や外周面を均一に鏡面加工するこ
とができると共に、支軸により揺動手段が構成できるた
め、装置の構造が簡素化でき、これによって安価に提供
することができる。

【００１８】上記目的を達成するため請求項５記載の発
明は、外周縁の角部が面取りされた半導体ウエハの面取
り部及び外周面を研摩ドラムにより鏡面加工する半導体
ウエハの鏡面加工装置において、ドラム回転軸が互に平
行し、かつドラム昇降駆動手段により昇降自在な一対の
研摩ドラムと、上記各研摩ドラムを回転駆動するドラム
駆動源と、鏡面加工すべき半導体ウエハを保持するチャ
ック及びこのチャックを回転駆動するチャック駆動源よ
りなる少なくとも１基のチャック駆動手段と、半導体ウ
エハの面取り部及び外周面の一方を各研摩ドラムに同時
に当接すべく上記チャック駆動手段を傾斜させる角度可
変手段と、上記チャック駆動手段を、上記各研摩ドラム
の中心を結ぶ中心線と平行する方向及び直交する方向へ
スライド自在に支承するスライド支持手段と、上記チャ
ック駆動手段を、上記各研摩ドラムの中心を結ぶ中心線
と直交する方向へ付勢する付勢手段とより構成したもの
である。

【００１９】上記構成により、ウエハの面取り部または
外周面を、各研摩ドラムの研摩ポイントに同時に当接さ
せて、２点の研摩ポイントで鏡面加工を行うことができ
るため、従来の１点の研摩ポイントで研摩するものに比
べて研摩効率が向上し、これによって生産性の大幅な向
上が図れるようになる。

【００２０】またウエハをスライドさせて、ウエハが各
研摩ドラムへ均一に当接するようにイコライズさせたこ
とから、ウエハの面取り部や該周面を均一に鏡面加工す
ることができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】この発明の第１の実施の形態を図
１ないし図４に示す図面を参照して詳述する。図１は鏡
面加工装置の平面図、図２は同正面図、図３は同側面
図、図４はチャック駆動手段の詳細図である。

【００２２】これら図において１は装置本体で、研摩ド
ラム駆動手段２と、この研摩ドラム駆動手段２を挟んで
対向するように設置された２基のウエハ駆動手段３より
なる。上記研摩ドラム駆動手段２は基台１ａに垂直方向
に付設されたガイドレール１ｂに昇降部材２ａが昇降自
在に支承されていて、この昇降部材２ａに、一対の研摩
ドラム４の回転軸４ａが垂直方向に支承されている。

【００２３】上記各研摩ドラム４は、円筒状に形成され
たドラム本体４ｂの外周面に研摩クロス４ｃが巻付けら
れていると共に、上記研摩ドラム４の回転軸４ａは互い
に間隔を存して平行するよう上記昇降部材２ａに回転自
在に支承されており、一方の回転軸４ａの下端には昇降
部材２ａに取付けられた電動機よりなるドラム駆動源５
に接続されている。

【００２４】上記各研摩ドラム４の回転軸４ａは、ギヤ
などの連動手段（図示せず）により互いに連動されてい
て、ドラム駆動源５により各研摩ドラム４が同速度で回
転されるようになっていると共に、上記各研摩ドラム４
はドラム昇降駆動手段６により昇降（オシレート）され
るようになっている。上記ドラム昇降駆動手段６は図２
に示すように、基台１ａ側に取付けられた電動機よりな
る昇降駆動源７により回転されるボールねじ６ａと、こ
のボールねじ６ａに螺合されたボールナット６ｂよりな
り、ボールナット６ｂは昇降部材２ａ側に取付けられて
いて、昇降駆動源７によりボールねじ６ａを正逆回転す
ることにより、各研摩ドラム４を上下方向へオシレート
できるようになっている。

【００２５】一方上記ウエハ駆動手段３は、基台１ａ上
に付設されたガイドレール１ｃに支承されて、接離方向
へ移動自在なスライドテーブル３ａを有しており、これ
らスライドテーブル３ａは付勢手段８により研摩ドラム
４側へ接近する方向へ付勢されている。上記付勢手段８
は、一端がスライドテーブル３ａに結着され、他端に重
錘Ｗが結着された索条８ａと、この索条８ａの中間部が
迂回されたプーリ８ｂよりなり、重錘Ｗの自重により付
勢力Ｗ_１でスライドテーブル３ａを研摩ドラム４側へ接
近する方向へ付勢していると共に、基台１ａとスライド
テーブル３ａの間には、スライドテーブル３ａを付勢方
向と逆の方向へ退避させる退避シリンダ８ｃが設けられ
ている。

【００２６】また上記スライドテーブル３ａには、各研
摩ドラム４の中心Ｏ_１を結ぶ中心線Ｏ_１−Ｏ_１と直交
し、かつ後述する各チャック１５の中心Ｏ_２を結ぶ中心
線Ｏ_２−Ｏ_２上に垂直に設置された支軸２０に一端側が
枢支された揺動テーブル３ｂを有していて、この揺動テ
ーブル３ｂの揺動端側底面には、揺動テーブル３ｂを下
方より支持するスライダ３ｃが設けられており、このス
ライダ３ｃは、支軸２０を中心とする円弧状のガイドレ
ール１ｄ上をスライドするようになっている。そして上
記揺動テーブル３ｂ上に設置された支持部材３ｅの上部
に、角度可変手段１１により水平軸１２を中心に、任意
な角度傾斜自在なチャック駆動手段１３が設けられてい
る。

【００２７】上記水平軸１２は、各研摩ドラム４の中心
Ｏ_１を通る中心線Ｏ_１−Ｏ_１と平行するよう水平に設置
されていて、この水平軸１２にチャック駆動手段１３を
構成する揺動部材１３ａが揺動自在に支承されていると
共に、上記角度可変手段１１は、図４に示すように一端
側が上記水平軸１２に枢支されたリンク１１ａを有して
いる。

【００２８】上記リンク１１ａの他端側には空圧シリン
ダよりなるアクチュエータ１１ｂの基端部が枢着され、
アクチュエータ１１ｂの先端部は上記揺動部材１３ａに
枢着されていて、アクチュエータ１１ｂを伸縮すること
により、水平軸１２を中心にチャック駆動手段１３を図
４の実線位置より仮想線で示す面取り部１０ａの鏡面加
工位置まで傾斜できるようになっている。上記チャック
駆動手段１３は、上記揺動部材１３ａの底部に取付けら
れた電動機よりなるチャック駆動源１４を有していて、
このチャック駆動源１４は揺動部材１３ａに互に平行す
るよう垂直に支承された回転軸１３ｂの下端にギヤ１３
ｃを介して接続されている。上記回転軸１３ｂの上端に
は、鏡面加工するウエハ１０を保持するチャック１５が
取付けられていると共に、上記角度可変手段１１及びチ
ャック駆動手段１３は、揺動部材１３ａに取付けられた
ケース１３ｄ内に収容されている。

【００２９】次に上記構成された鏡面加工装置を使用し
てウエハ１０の面取り部１０ａ及び外周面１０ｂを鏡面
加工する方法を説明する。鏡面加工するウエハ１０は、
予め外周縁の角部が所定の角度で面取り加工されてお
り、この発明の第１の実施の形態になる鏡面加工方法で
は、この面取り部１０ａと外周面１０ｂをそれぞれ別工
程で研摩ドラム４により鏡面加工する。面取り部１０ａ
の鏡面加工に当っては、まずチャック１５が水平となる
位置にチャック駆動手段１３を停止させ、この状態でウ
エハ１０をチャック１５の上面に吸着保持させる。

【００３０】次にこの状態でウエハ１０の面取り角度に
応じて角度可変手段１１により水平軸１２を中心にチャ
ック駆動手段１３を角度θ傾斜させる。そして研摩ドラ
ム駆動手段２のドラム駆動源５により２個の研摩ドラム
４を同時に同方向へ回転させ、またチャック駆動手段１
３のチャック駆動源１４により２個のチャック１５を同
時に回転させながら、付勢手段８の退避シリンダ８ｃを
収縮することにより、各チャック１５を研摩ドラム４方
向へ移動させて、チャック１５に保持されたウエハ１０
の面取り部１０ａを図１に示すように各研摩ドラム４の
外周面へ付勢力Ｗ_１で当接させる。

【００３１】これによって各チャック１５に保持された
ウエハ１０の面取り部１０ａは、図１に示すように各研
摩ドラム４の外周面に同時に当接されるため、２点の研
摩ポイントＡ，Ａで同時に鏡面加工が開始されると共
に、鏡面加工中は、支軸２０を中心に揺動テーブル３ｂ
が揺動して、面取り部１０ａが各研摩ドラム４の研摩面
に均等に当接するようイコライズされる。

【００３２】またこのとき、付勢手段８による付勢力を
Ｗ_１、付勢力Ｗ_１による研摩ポイントＡ，Ａでの付勢力
をＷＡとすると、 Ｗ_１＝２・ＷＡ・ｃｏｓθＡ ＷＡ＝Ｗ_１／（２・ｃｏｓθＡ） となる。

【００３３】以上はウエハ１０の面取り部１０ａの鏡面
加工であるが、次にウエハ１０の外周面１０ｂを鏡面加
工する方法を説明する。外周面１０ｂの鏡面加工に当っ
ては、まずチャック１５が水平となる位置にチャック駆
動手段１３を停止させ、この状態でウエハ１０をチャッ
ク１５の上面に吸着保持させる。

【００３４】次にこの状態で研摩ドラム駆動手段２のド
ラム駆動源５により２個の研摩ドラム４を同時に同方向
へ回転させ、またチャック駆動手段１３のチャック駆動
源１４により２個のチャック１５を同時に同方向へ回転
させながら、付勢手段８の退避シリンダ８ｃを収縮する
ことにより、各チャック１５を研摩ドラム４方向へ移動
させて、チャック１５に保持されたウエハ１０の外周面
１０ｂを各研摩ドラム４の外周面へ付勢力Ｗ_１で当接さ
せる。

【００３５】これによって各チャック１５に保持された
ウエハ１０の外周面１０ｂは、各研摩ドラム４の外周面
に同時に当接されるため、２点の研摩ポイントＡ，Ａで
同時に鏡面加工が開始されると共に、鏡面加工中は、支
軸２０を中心に揺動テーブル３ｂが揺動して、外周面１
０ｂが各研摩ドラム４の研摩面に均等に当接するようイ
コライズされる。

【００３６】なおこのときの研摩ポイントＡ，Ａでの付
勢力ＷＡは、面取り部１０ａを鏡面加工するときと同様
である。

【００３７】以上のようにしてウエハ１０の面取り部１
０ａと外周面１０ｂを鏡面加工するもので、第１工程で
ウエハ１０の面取り部１０ａを鏡面加工したら、チャッ
ク１５を水平位置に戻して第２工程で外周面１０ｂを鏡
面加工してもよく、逆に第１工程で外周面１０ｂを、そ
して第２工程で面取り部１０ａを鏡面加工するようにし
てもよい。

【００３８】またウエハ１０の面取り部１０ａは両面に
あることから、一方の面取り部１０ａの鏡面加工が完了
したら、ウエハ１０を反転して他方の面取り部１０ａを
鏡面加工することになるが、外周面１０ｂの鏡面加工
は、面取り部１０ａの鏡面加工の前でも、一方の面取り
部１０ａと他方の面取り部１０ａの鏡面加工の間でも、
両面の面取り部１０ａの鏡面加工が終った後に行うよう
にしてもよい。

【００３９】一方図５ないし図７は付勢手段８の付勢方
向と直交する方向にウエハ１０をスライドさせて、イコ
ライズするようにした第２の実施の形態を示すもので、
次にこの第２の実施の形態になる鏡面加工装置について
説明する。なお上記実施の形態１と同一部分は同一符号
を付してその説明は省略する。

【００４０】付勢手段８により研摩ドラム８方向に付勢
されたスライドテーブル３ａ上には、スライドテーブル
３ａのスライド方向と直交する方向に一対のガイドレー
ル３ｆが布設されていて、これらガイドレール３ｆにサ
ブスライド３ｇがスライドレール３ｆに沿って移動自在
に支承されている。そしてこのサブスライド３ｇ上に上
記第１の実施の形態と同様なチャック駆動手段１３が支
持部材３ｅを介して設置されている。

【００４１】次に上記第２の実施の形態になる鏡面加工
装置を使用してウエハ１０の面取り部１０ａ及び外周面
１０ｂを鏡面加工する方法を説明する。面取り部１０ａ
を鏡面加工に当っては、まずチャック１５が水平となる
位置にチャック駆動手段１３を停止させ、この状態でウ
エハ１０をチャック１５の上面に吸着保持させる。

【００４２】次にこの状態でウエハ１０の面取り角度に
応じて角度可変手段１１により水平軸１２を中心にチャ
ック駆動手段１３を角度θ傾斜させる。そして研摩ドラ
ム駆動手段２のドラム駆動源５により２個の研摩ドラム
４を同時に同方向へ回転させ、またチャック駆動手段１
３のチャック駆動源１４により２個のチャック１５を同
時に回転させながら、付勢手段８の退避シリンダ８ｃを
収縮することにより、各チャック１５を研摩ドラム４方
向へ移動させて、チャック１５に保持されたウエハ１０
の面取り部１０ａを図５に示すように各研摩ドラム４の
外周面へ付勢力Ｗ_１で当接させる。

【００４３】これによって各チャック１５に保持された
ウエハ１０の面取り部１０ａは、各研摩ドラム４の外周
面に同時に当接されるため、２点の研摩ポイントＡ，Ａ
で同時に鏡面加工が開始されると共に、鏡面加工中は、
ウエハ１０の付勢方向と直交する方向にサブスライド３
ｇがスライドして、面取り部１０ａが各研摩ドラム４の
研摩面に均等に当接するようにイコライズされる。

【００４４】以上のようにして面取り部１０ａの鏡面加
工が終了したら、次に外周面１０ｂの鏡面加工を行う。
外周面１０ｂの鏡面加工に当っては、まずチャック１５
が水平となる位置にチャック駆動手段１３を停止させ、
この状態でウエハ１０をチャック１５の上面に吸着保持
させる。

【００４５】次にこの状態で研摩ドラム駆動手段２のド
ラム駆動源５により２個の研摩ドラム４を同時に同方向
へ回転させ、またチャック駆動手段１３のチャック駆動
源１４により２個のチャック１５を同時に同方向へ回転
させながら、付勢手段８の退避シリンダ８ｃを収縮する
ことにより、各チャック１５を研摩ドラム４方向へ移動
させて、チャック１５に保持されたウエハ１０の外周面
１０ｂを各研摩ドラム４の外周面へ付勢力Ｗ_１で当接さ
せる。

【００４６】これによって各チャック１５に保持された
ウエハ１０の外周面１０ｂは、各研摩ドラム４の外周面
に同時に当接されるため、２点の研摩ポイントＡ，Ａで
同時に鏡面加工が開始されると共に、鏡面加工中は、サ
ブスライド３ｇがスライドテーブル３ｂと直交する方向
へスライドして、外周面１０ｂが各研摩ドラム４の研摩
面に均一に当接するようイコライズされる。

【００４７】以上のようにしてウエハ１０の面取り部１
０ａと外周面を鏡面加工するもので、第１工程でウエハ
１０の面取り部１０ａを鏡面加工したら、チャック１５
を水平位置に戻して第２工程で外周面１０ｂを鏡面加工
してもよく、逆に第１工程で外周面１０ｂをそして第２
工程で面取り部１０ａを鏡面加工してもよいことは上記
実施の形態１と同様である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施の形態になる半導体ウエ
ハの鏡面加工装置を示す平面図である。

【図２】この発明の第１の実施の形態になる半導体ウエ
ハの鏡面加工装置を示す正面図である。

【図３】この発明の第１の実施の形態になる半導体ウエ
ハの鏡面加工装置を示す研摩ドラム駆動手段の側面図で
ある。

【図４】この発明の第１の実施の形態になる半導体ウエ
ハの鏡面加工装置のチャック駆動手段の詳細図である。

【図５】この発明の第２の実施の形態になる半導体ウエ
ハの鏡面加工装置を示す平面図である。

【図６】この発明の第２の実施の形態になる半導体ウエ
ハの鏡面加工装置を示す正面図である。

【図７】図６のＸ方向からの矢視図である。

【符号の説明】

４…研摩ドラム ４ａ…ドラム回転軸 ５…ドラム駆動源 ６…ドラム昇降駆動手段 ８…付勢手段 １０…半導体ウエハ １０ａ…面取り部 １０ｂ…外周面 １１…角度可変手段 １３…チャック駆動手段 １５…チャック ２０…支軸 Ｏ_１…研摩ドラムの中心

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外周縁の角部が面取りされた半導体ウエ
   ハ（１０）の面取り部（１０ａ）及び外周面（１０ｂ）
   を研摩ドラム（４）により鏡面加工する半導体ウエハの
   鏡面加工方法において、ドラム昇降駆動手段（６）によ
   り昇降自在な一対の研摩ドラム（４）の各研摩面に、鏡
   面加工すべき半導体ウエハ（１０）の面取り部（１０
   ａ）及び外周面（１０ｂ）の一方を付勢手段（８）によ
   り同時に当接させ、かつ上記研摩ドラム（４）の回転中
   心と平行する支軸（２０）を中心に半導体ウエハ（１
   ０）を揺動させることによりイコライズさせながら、研
   摩ドラム（４）及び半導体ウエハ（１０）を回転させ
   て、面取り部（１０ａ）及び外周面（１０ｂ）の一方を
   鏡面加工することを特徴とする半導体ウエハの鏡面加工
   方法。
2. 【請求項２】 外周縁の角部が面取りされた半導体ウエ
   ハ（１０）の面取り部（１０ａ）及び外周面（１０ｂ）
   を研摩ドラム（４）により鏡面加工する半導体ウエハの
   鏡面加工方法において、ドラム昇降駆動手段（６）によ
   り昇降自在な一対の研摩ドラム（４）の各研摩面に、鏡
   面加工すべき半導体ウエハ（１０）の面取り部（１０
   ａ）及び外周面（１０ｂ）の一方を付勢手段（８）によ
   り同時に当接させ、かつ上記付勢手段（８）の付勢方向
   と直交する方向へ半導体ウエハ（１０）をスライドさせ
   ることによりイコライズさせながら、研摩ドラム（４）
   及び半導体ウエハ（１０）を回転させて、面取り部（１
   ０ａ）及び外周面（１０ｂ）を鏡面加工することを特徴
   とする半導体ウエハの鏡面加工方法。
3. 【請求項３】 半導体ウエハ（１０）の面取り部（１０
   ａ）及び外周面（１０ｂ）の一方を鏡面加工した後、半
   導体ウエハ（１０）の角度を変えて他方を鏡面加工する
   ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体ウエハ
   の鏡面加工方法。
4. 【請求項４】 外周縁の角部が面取りされた半導体ウエ
   ハ（１０）の面取り部（１０ａ）及び外周面（１０ｂ）
   を研摩ドラム（４）により鏡面加工する半導体ウエハ
   （１０）の鏡面加工装置において、ドラム回転軸（４
   ａ）が互に平行し、かつドラム昇降駆動手段（６）によ
   り昇降自在な一対の研摩ドラム（４）と、上記各研摩ド
   ラム（４）を回転駆動するドラム駆動源（５）と、鏡面
   加工すべき半導体ウエハ（１０）を保持するチャック
   （１５）及びこのチャック（１５）を回転駆動するチャ
   ック駆動源（１４）よりなる少なくとも１基のチャック
   駆動手段（１３）と、半導体ウエハ（１０）の面取り部
   （１０ａ）及び外周面（１０ｂ）の一方を各研摩ドラム
   （４）に同時に当接すべく上記チャック駆動手段（１
   ３）を傾斜させる角度可変手段（１１）と、上記チャッ
   ク駆動手段（１３）を、上記ドラム回転軸（４ａ）と平
   行する支軸（２０）により揺動自在に支承する揺動支持
   手段と、上記チャック駆動手段（１３）を、上記各研摩
   ドラム（４）の中心Ｏ_１を結ぶ中心線Ｏ_１−Ｏ_１と直交
   する方向へ付勢する付勢手段（８）とを具備したことを
   特徴とする半導体ウエハの鏡面加工装置。
5. 【請求項５】 外周縁の角部が面取りされた半導体ウエ
   ハ（１０）の面取り部（１０ａ）及び外周面（１０ｂ）
   を研摩ドラム（４）により鏡面加工する半導体ウエハの
   鏡面加工装置において、ドラム回転軸（４ａ）が互に平
   行し、かつドラム昇降駆動手段（６）により昇降自在な
   一対の研摩ドラム（４）と、上記各研摩ドラム（４）を
   回転駆動するドラム駆動源（５）と、鏡面加工すべき半
   導体ウエハ（１０）を保持するチャック（１５）及びこ
   のチャック（１５）を回転駆動するチャック駆動源（１
   ４）よりなる少なくとも１基のチャック駆動手段（１
   ３）と、半導体ウエハ（１０）の面取り部（１０ａ）及
   び外周面（１０ｂ）の一方を各研摩ドラム（４）に同時
   に当接すべく上記チャック駆動手段（１３）を傾斜させ
   る角度可変手段（１１）と、上記チャック駆動手段（１
   ３）を、上記各研摩ドラム（４）の中心Ｏ_１を結ぶ中心
   線Ｏ_１−Ｏ_１と平行する方向及び直交する方向へスライ
   ド自在に支承するスライド支持手段と、上記チャック駆
   動手段（１３）を、上記各研摩ドラム（４）の中心Ｏ_１
   を結ぶ中心線Ｏ_１−Ｏ_１と直交する方向へ付勢する付勢
   手段（８）とを具備したことを特徴とする半導体ウエハ
   の鏡面加工装置。