TW200402776A - Silicon wafer for epitaxial growth, epitaxial wafer, and its manufacturing method - Google Patents
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 196
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 196
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 194
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 39
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 166
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 100
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 97
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 228
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 5
- 238000005247 gettering Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 230000009643 growth defect Effects 0.000 description 8
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 238000012258 culturing Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B15/20—Controlling or regulating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/20—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Description
200402776 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於,捕獲有害的重金屬雜質的除氣( gettering )能力優異,存在於磊晶層中的結晶缺陷很少, 結晶性優異的磊晶晶圓,及製造此的磊晶成長用矽晶圓, 以及製造該等的方法。 【先前技術】 磊晶矽晶圓因具有優異的特性,從早期則被廣泛使用 來製造個別半導體或雙極1C等。同時,關於MOS、LSI 也是因爲軟體錯誤或閉鎖(latch up )特性優異,而被廣 泛使用在微處理器單元或快閃記憶裝置。而且,爲了減輕 製造矽單晶時導入的所謂成長(growing )缺陷造成的 DRAM的可靠性不良’嘉晶晶圓的需求一直在擴大。如果 ,在這種使用在半導體裝置的磊晶晶圓存在有重金屬雜質 ,便會成爲半導體裝置的特性不良的原因。尤其是,最尖 端裝置所需要得乾淨度,被認爲是重金屬雜質的濃度在 1 X 1 O9 atoms/ cm2以下,因此必須儘可能減少存在於磊晶 晶圓內的重金屬雜質。 減少這種重金屬雜質的技術之一,有除氣(gettering )技術。近年來這種除氣技術愈來愈受重視。除氣技術的 非常有效的方法之一是,在矽晶圓形成氧析出物(BMD : Bulk Micro Defect),將重金屬雜質捕捉在其失真場的所 謂內在除氣(Intrinsic Gettering)的方法。然而,一般在 (2) (2)200402776 磊晶晶圓,因爲要在矽晶圓上堆積磊晶層,需要進行高溫 的熱處理,因此,在培育結晶時的熱環境已有某種程度的 成長的氧析出核,會因爲此磊晶製程的高溫熱處理而被消 滅掉,因而存在有很難形成BMD的問題。 因此,爲了解決這種問題,日本特開2000-443 89號 公報建議,形成磊晶層的基板使用摻雜氮的矽單晶。這是 因爲摻雜氮後,可以在矽單晶中形成起因於氮的氧析出核 (不均一核),此氧析出核在形成磊晶層時不會被消滅, 因此可以製造具有很高的除氣能力的磊晶晶圓。 另一方面,磊晶晶圓已被認知會在磊晶層上產生積層 缺陷(SF : Stacking Fault )。若在形成於磊晶層的SF上 製造裝置,便會發生電流的漏洩,成爲不良的原因。已知 ,如果在基板有異物,便會以此異物爲起點,在堆疊磊晶 層的過程形成SF。因此,形成磊晶層時,通常是要嚴格 管理,防止顆粒等異物存在於基板上。 然而,如日本特開2001 - 151596號公報所淸楚揭示 ’在磊晶層發生SF的原因不只是顆粒等異物,也會以培 育矽單晶時形成的晶圓表面附近所存在的成長缺陷爲起點 形成SF。而且是,摻雜氮的磊晶層時,其機率較未摻雜 氮的磊晶層高很多。此特開2 0 0 1 - 1 5 1 5 9 6號公報爲了防 止產發生SF ’建議使用表層不存在有成長缺陷的晶圓作 爲基板。具體上是建議使用,從培育結晶時嚴密控制結晶 成長速度等特殊製造條件,使其不會發生成長缺陷而製成 的單晶切出的晶圓,或在晶圓施加退火處理,使晶圓表層 (3) (3)200402776 的缺陷消滅的晶圓,作爲磊晶成長用基板。 然而,這種方法是要使用特殊的結晶製造方法,或進 行需要特別的裝置與運轉成本的退火處理,製作晶圓表層 無結晶缺陷的晶圓,因此,成爲製造磊晶晶圓時生產性大 幅度降低或的成本顯著增加的原因。 【發明內容】 本發明是有鑑於上述問題點而完成,其主要目的在提 供,具有很高的除氣能力,且能很容易以高生產性且低成 本製造,磊晶層上極少有會對裝置特性造成不良影響的 SF,品質很局的嘉晶晶圓。 爲了達成上述目的,依據本發明時,可以提供一種磊 晶成長用矽晶圓,是將藉由柴克勞斯基法(Czochralski method - CZ法)摻雜氮,在至少晶圓中心成爲會發生空 隙型缺陷的 V領域的領域內培育的矽單晶加以切削,而 製作成的矽晶圓,其出現在晶圓表面的上述空隙型缺陷中 ,開口部尺寸是20 nm以下的缺陷數目是0.02個/ cm2以 下,爲其特徵的磊晶成長用矽晶圓。 如此,如果是切削藉由Cz法摻雜氮,在至少晶圓中 心成爲會發生空隙型缺陷的V領域的領域內培育的矽單 晶,而製作成的矽晶圓,出現在晶圓表面的上述空隙型缺 陷中,開口部尺寸是20 nm以下的缺陷數目是0.02個/ cm2以下的磊晶成長用矽晶圓,則可以成爲能夠製造,具 有很高的除氣能力,且磊晶成長時,SF的發生受到抑制 -6 - (4) (4)200402776 的磊晶晶圓的磊晶成長用矽晶圓。 這時,上述V領域存在於晶圓面內的80 %以上的領 域較佳。 發生空隙型缺陷的v領域佔有晶圓面內的更廣大領 域較好,如此,由於V領域存在於晶圓面內的8 0 %以上 的領域,因此可以使其成爲,出現在晶圓表面的開□部尺 寸是20 nm以下的空隙型缺陷的數目,大致上確實全面在 0.02個/ cm2以下的矽晶圓。 而,摻雜在上述矽單晶的氮的濃度爲,1 x 1013〜1 x 1014/ cm3 較佳。 如此,摻雜在矽單晶的氮的濃度爲,1 x 10 13/cm3 以上時,此後以高溫進行磊晶成長,在晶圓的大部分’氧 析出核不會被消滅,因此,可以成爲能夠獲得具有很高除 氣能力的磊晶晶圓的磊晶成長用矽晶圓。同時,如果摻雜 在矽單晶的氮的濃度爲,1 X 1014/ cm3以下時,培育矽 單晶時,單晶化也不會受到妨礙,因此,可以成爲高品質 的磊晶成長用矽晶圓。 而,依據本發明時,可以提供,在上述本發明的磊晶 成長用矽晶圓的表面形成有磊晶層,爲其特徵的磊晶晶圓 ,這時,可以使發生在上述磊晶層表面的積層缺陷(SF) 的數目在0.02個/ cm2以下。 如果是這種本發明的磊晶晶圓,便可以使其成爲具有 很高除氣能力,且發生在上述磊晶層表面的SF極少,尤 其是DF的數目在〇.〇2個/ cm2以下的高品質的磊晶晶圓 (5) (5)200402776 胃時’依據本發明時可以提供一種磊晶成長用矽晶圓 的製造方法’是藉由Cz法摻雜氮,培育成矽單晶,這時 ’培育矽單晶時的結晶成長速度爲F ( m m / m i η ),成長 界面附近的溫度坡度爲G(K/mm)時,使F/G(mm2 /min· k)爲0.30以上,且使1150〜1 050°C的通過時間 (min)爲4〇 min以上,在至少晶圓中心成爲會發生空隙 型缺陷的V領域的領域內培育的矽單晶後,切削該培育 成的矽單晶,製造磊晶成長用矽晶圓,爲其特徵的磊晶成 長用矽晶圓的製造方法。 如此,藉由Cz法摻雜氮,培育成矽單晶,這時的在 培育矽單晶時的結晶成長速度F溫度坡度G的比F/ G爲 0.30以上,且1150〜1050 °C的通過時間爲40 min以上, 在至少晶圓中心成爲會發生空隙型缺陷的V領域的領域 內培育成矽單晶後,切削該培育成的矽單晶,製造磊晶晶 圓,藉此,可以不需要特別的處理,便能夠很容易製造: 摻雜有氮,出現在晶圓表面的空隙型缺陷中,開口部尺寸 是20 nm以下的缺陷的數目在0.02個/ cm2以下的矽晶成 長用矽晶圓,能夠以優異的生產性,且以低成本製造’能 夠製成具有很高的除氣能力,且磊晶成長時’ S F的發生 受到抑制的磊晶晶圓的磊晶成長用矽晶圓。 這時,在培育上述矽單晶時,使上述F/ 〇爲0·3 5以 上較佳。 如此,在培育上述矽單晶時,使上述F/ G爲0·3 5以 -8- (6) (6)200402776 上,便能夠以高濃度將過剩的空孔(Vacancy )導入矽單 晶內’很容易使空隙型缺陷變大,因此,可以使出現在矽 晶圓表面的開口部尺寸在2 0 nm以下的缺陷的數目確實在 0.02個/cm2以下,可以製造品質更佳的磊晶成長用矽晶 圓。 這時’上述V領域存在於晶圓面內的8 0 %以上的領 域較佳。 如此’培育矽單晶,使V領域存在於晶圓面內的80 %以上的領域,便能夠以高濃度將過剩的空間導入矽單晶 內,很容易使空隙型缺陷變大,因此,可以使出現在矽晶 圓表面的開口部尺寸在2 0 nm以下的缺陷的數目,大致上 在晶圓的全面上確實在0.02個/ cm2以下, 而且,摻雜在上述矽單晶的氮的濃度爲,1 X 1 〇 13〜 1 X 1014/cm3 較佳。 如此,由於使摻雜在上述矽單晶的氮的濃度爲,1 X 1 0 13以上,可以製成,能在矽單晶中確實形成氧析出核, 以高溫進行磊晶成長,氧析出核也不會被消滅的磊晶成長 用矽晶圓。同時,使摻雜的氮的濃度爲,1 X 10“/ cm3 以下,便不會妨礙到培育矽單晶時的單晶化。 而,依據本發明時,可以在藉由本發明的磊晶成長用 矽晶圓的製造方法製造的磊晶成長用矽晶圓的表面,形成 磊晶層,藉此製造磊晶晶圓。 藉由本發明的嘉晶成長用砂晶圓的製造方法製造的嘉 晶成長用矽晶圓係如上述,摻雜有氮,其出現在晶圓表面 -9- (7) (7)200402776 的空隙型缺陷中,開口部尺寸是2 0 nm以下的缺陷的數目 在0.02個/ cm2以下,因此在此磊晶成長用矽晶圓的表面 ’形成磊晶層’便能夠以優異的生產性,且以低成本製造 ,具有很高的除氣能力,在磊—晶層的S F非常少的高品質 的磊晶晶圓。 而且’依據本發明時,可以提供,在矽晶圓的表面形 成磊晶層,以製造磊晶晶圓的方法,上述矽晶圓是使用, 將藉由c Z法摻雜氮,在至少晶圓中心成爲會發生空隙型 缺陷的V領域的領域內培育的矽單晶加以切削,而製成 ,其出現在晶圓表面的上述空隙型缺陷中,開口部尺寸是 2 0 nm以下的缺陷數目是0.02個/ cm2以下的矽晶圓,而 在該矽晶圓的表面形成磊晶層,藉此製造磊晶晶圓,爲其 特徵。 使用如上述的矽晶圓,在其表面形成磊晶層,便能夠 以高生產性,且以低成本製造,具有很高的除氣能力,在 磊晶層的SF非常少的高品質的磊晶晶圓。 如以上所說明,依據本發明時,能夠以高生產性,且 以低成本製造,具有很高的除氣能力,在磊晶層的S F非 常少的局品質的嘉晶晶圓。 【實施方式】 茲說明本發明的實施形態,但本發明並不限定如此。 以往,爲了提高磊晶晶圓的除氣能力,在作爲磊晶成 長用基板的矽晶圓摻雜氮。然而,如果在如此摻雜氮的矽 -10- (8) (8)200402776 晶圓上形成磊晶層時,會在此磊晶層上產生高密度的SF ,製造裝置時成爲出現不良的原因。 因此,本發明人等便爲了要製造,在磊晶成長用矽晶 圓摻雜氮,仍可以降低在磊晶層上產生S F的磊晶晶圓, 而重複進行實驗及檢討的結果發現,使用出現在晶圓表面 的空隙型缺陷中,開口部尺寸是20 nm以下的缺陷數目是 0.02個/ cm2以下的矽晶圓,作爲磊晶成長用的基板非常 有效,經由淸查有關製造矽晶圓的各項條件,而完成本發 明。本發明人首先嘗試查明,在什麼情況下會以成長( growing )缺陷爲起點,在磊晶晶圓上產生SF。其方法是 ,摻雜氮以培育矽單晶時,慢慢改變結晶成長速度,使成 長缺陷的大小產生變化以培育矽單晶,製成成長缺陷大小 不相同的種種砂晶圓。 在此,簡單說明成長缺陷。一般都知道,藉由CZ法 培育矽單晶時,結晶成長時已經產生缺陷,叫做成長缺陷 。此成長缺陷包括有Interstitial型(格子間型)的缺陷 及Vacancy型(空孔型)的缺陷(所謂空隙型缺陷)。 此等缺陷的產生已知是,依藉由Cz法拉上矽單晶時 的結晶成長速度F(mm/min),與成長界面附近的拉上 軸方向的溫度坡度G ( K/ mm )間的關係F/ G而定,F / G大時,例如第8圖所示,成爲Vacancy優勢(V領域 ),反之,F/G 小時’成爲 Interstitial Silicon 優勢( I領域)。 而且已被確認,在此V領域與I領域間,存在有原子 -11 - (9) 200402776 無超過或不足的中間領域(Neutral領域:N領 時在V領域與I領域的境界附近會因熱氧化,而 的成長軸垂直的截面內環狀產生叫做 OSF ( Induced Stacking Fault :氧化感應積層缺陷)的丨 如果使用像這種在各領域製作的矽晶圓中的 域製作的矽晶圓作爲磊晶成長用基板,則如 2000 - 2 1 9598號公報所揭示,會發生在磊晶層 多突起狀的缺陷等弊害。因此,從防止這種缺陷 生產性等的理由,最好是使用在V領域製作的 爲磊晶成長用基板。因此,本發明是對藉由CZ 單結晶時,以至少晶圓中心成爲會發生空隙型 領域的領域內培育者,進行以下的實驗。 爲了調查空隙型缺陷與發生在磊晶晶圓上的 係,如上述使結晶成長速度慢慢變化,藉此使空 的尺寸變化,以培育矽單晶,而製作矽晶圓。 亦即,固定結晶成長界面附近的溫度坡度 變結晶成長速度F,則可以使F/ G變化。這時 在V領域使F/ G變化’可以使矽的結晶化後導 的空孔的濃度變化,例如,在V領域內使F / G 可以使導入矽單晶的過剩的空孔的濃度變大。空 是過剩的空孔經過其後的熱履歷而凝集而形成, 的熱履歷相同,則過剩的空孔愈多,亦即F/ G 隙型缺陷的大小會愈大。 於是,利用此性質’藉由C z法摻雜氮,慢 域),同 在跟結晶 Oxidation 缺陷。 ,在I領 曰本特開 上產生很 ,並提高 矽晶圓作 法培育矽 缺陷的V SF的關 隙型缺陷 G時,改 ,由於是 入的過剩 變大,便 隙型缺陷 如果其後 愈大,空 慢改變結 -12- (10) (10)200402776 晶成長速度,控制F / G,而培育成使空隙型缺陷的大小 不同的矽單晶。在從此結晶切出的各矽晶圓形成磊晶層後 ,測量出現在此磊晶層上的SF的數目,進行評價。其結 果,愈是從F / G小的矽晶圓,亦即從空隙型缺陷的尺寸 較小的政晶圓製作的磊晶晶圓,產生在磊晶層上的S F的 數目大幅度增加。 從這一點可以知道,起因於空隙型缺陷而產生於磊晶 層上的S F,是以尺寸較小的空隙型缺陷爲起點而產生。 因此,進行使用透過型電子顯微鏡(TEM )的觀察或計算 機模擬 DEFGEN. X ( T. Sinno and R. A. Brown, Journal of Electrochemical Society,Vol. 146,pp 23 00 ( 1 999 )) 等,調查使磊晶層上產生空隙型缺陷的尺寸。其結果,查 明是起因於出現在晶圓表面的空隙型缺陷中,開口部尺寸 是20 nm以下的缺陷而產生SF。 再者,在模擬上,在晶圓中集中兩個空孔,或集中更 多空孔者爲數不少。這種多數空孔集中者的尺寸有時會達 數nm,但是不認爲會在磊晶層上形成這種集中數個程度 的空孔。因此,上述的出現在晶圓表面的空隙型缺陷中, 開口部尺寸是20 nm以下的缺陷,應該是指被辨認爲是空 隙型缺陷的尺寸以上,內部有內壁氧化膜(膜)者。例如 ’第1 〇圖所示,是指產生於摻雜氮的矽晶圓的棒狀、板 狀的缺陷中,出現在晶圓表面部分的開口部尺寸是20 nm 以下者。 從以上的結果,在令空隙型缺陷成長,晶圓表面幾乎 -13- (11) 200402776 完全不存在有開口部尺寸是20 nm以下的空隙型缺 晶圓形成磊晶層,便可以製作磊晶層上未產生SF 晶圓。然而,實際上缺陷的大小是有分布,同時在 ,決不會出現晶圓表面的開口部尺寸是20 nm以下 型缺陷的數目成爲零的可能,不管如何,總會在矽 存在有幾個開口部尺寸是2 0 nm以下的空隙型缺陷 因此,實際上是,出現在晶圓表面的空隙型缺 開口部尺寸是20 nm以下的缺陷數目是0.02個/ c] 便可以。這種空隙型缺陷的數目是從實際而現實的 圓的品質位準加以規定。例如,從不摻雜氮的矽晶 的磊晶晶圓,至少會在晶圓內產生幾個S F。然而 數個程度的SF,尤其是在產生有〇.〇2個/cm2以 的S F的磊晶晶圓上製作裝置,也不會起因於S ρ, 的製成率極端降低,如果是這種程度的S F,現今 製造過程幾乎可以不必顧慮。 亦即,只要是,藉由Cz法摻雜氮,在至少晶 成爲會發生空隙型缺陷的V領域的領域內培育矽 切削此矽晶圓製作成的矽晶圓,而出現在晶圓表面 型缺陷中開口部尺寸是2 0 nm以下的缺陷數目是 / cm2以下的磊晶成長用矽晶圓,便是能夠製造, 除氣能力,且磊晶層的S F很少的高品質的磊晶晶 晶成長用矽晶圓。 其次說明製造這種磊晶成長用矽晶圓的方法。 如上述,爲了要製造,出現在晶圓表面的空隙 陷的矽 的嘉晶 模擬時 的空隙 晶圓上 〇 陷中, ?以下 嘉晶晶 圓製作 ,這種 下程度 使裝置 的裝置 圓中心 單晶, 的空隙 >•02 個 具有高 圓的磊 型缺陷 -14- (12) (12)200402776 中,開口部尺寸是20 nm以下的缺陷數目是0·02個/ cm2 以下的磊晶成長用矽晶圓,必須適當控制,藉由Cz法摻 雜氮,培育成矽單晶時,培育矽單晶時的結晶成長速度 F ( mm/ min ),與固液界面附近的拉上軸方向的溫度坡 度 G(K/mm)的關係 F/GCmrr^/min· k)。 在此,第9圖表示,本發明所使用的藉由Cz法的矽 單晶培育裝置的一個例子。此矽單晶培育裝置在主處理室 1內設置:塡充有矽融液4的石英坩鍋5 ;保護坩鍋5的 黑鉛坩鍋6 ;圍繞該坩鍋5、6狀配置的加熱器7 ;及隔熱 材8,在該主處理室1的上部連接有用以收容培育成的單 晶3,並取出用的拉上室2。 要使用這種單晶培育裝置培育矽單晶3時,是在石英 坩鍋5內的矽融液4浸泡種晶後,經過榨種令其轉動同時 小心拉上’使其成長成棒狀的單晶3。另一方面’i甘鍋5 、6是可以在結晶成長軸方向昇降,因此令坩鍋上昇以補 償結晶成長中因結晶化而減少的融液的液面下降分,藉此 ,將融液表面的高度保持一定。同時,在主處理室1內部 ,從設在拉上室2上部的氣體導入口 1 0導入氬氣等的惰 性氣體,通過拉上中的單晶3與氣體整流筒1 1之間,通 過隔熱構件1 2下部與融液面之間,從氣體流出口 9排出 o t 如此培育矽單晶時,如上述導入單晶的空孔濃度因F / G値而定,因此,控制F/ G是控制形成在矽單晶的空 隙型缺陷的大小的很重要的要素之一。亦即,如F/ G小 -15- (13) (13)200402776 ,導入單晶的過剩的空孔濃度也變小,結果是空隙型缺陷 的尺寸變小。因此,要培育加大空隙型缺陷的尺寸,減少 尺寸小的空隙型缺陷的矽單晶,培育矽單晶時使F/ G的 値稍大很重要。 因此,爲了要求出,製造出現在晶圓表面的空隙型缺 陷中,開口部尺寸是20 nm以下的缺陷數目是0.02個/ cm2以下的矽晶圓的F/ G,令F/ G作不同的變化以培育 矽單晶,觀察所獲得的各晶圓的表面,以實驗方式求出適 當的F/ G値。其結果獲悉,使F/ G値爲0.30以上,便 能夠以充分大的濃度將過剩的空孔導入矽單晶內。 這時,此F/G的値是愈大愈能夠以高濃度將過剩的 空孔導入矽單晶內,但因通常要使直徑200 mm以上的單 晶安全成長,結晶成長速度F的上限是3 mm/ min,而矽 單晶的可結晶化的溫度坡度G的最小値是0.3 K/ mm程 度,F/G最大也不要超過10.00較好。 又如上述,雖然使F / G値爲0.3 0以上,便能夠以充 分大的濃度將過剩的空孔導入矽單晶內,但如果過剩的空 孔集中以形成空隙型缺陷的時間太短,空隙型缺陷的尺寸 會變小。因此,在培育矽單晶時,令被認爲對空隙型缺陷 的尺寸有很大影響的1150〜105CTC的溫度領域的通過時 間在某値以上是很重要。因此,從這一次的實驗結果或模 擬結果求出1 1 5 0〜1 〇 5 0 °c的溫度領域的適宜的通過時間 的結果獲悉,適當的時間是40 min。 再者,Π50〜1 05 0 °C的通過時間是,以結晶成長速 -16- (14) (14)200402776 度除依單晶培育裝置的爐內構造而定的1 1 5 〇〜1 〇 5 0 °C的 溫度幅度的値。而’此1 1 5 0〜1 0 5 0 °C的通過時間是只要 降低結晶成長速度F ’便可以無限制延長’在可能的範圍 內較長時對形成大尺寸的空隙型缺陷較有利。但是’如果 考慮矽單晶的生產性,或在滿足上述F/ G値在0 · 3 0以上 的條件的結晶成長速度範圍內,1 150〜1 05 0 °C的通過時 間的上限自然受到限制。具體言之,在能夠確保目前在產 業上成立的某種程度的生產性的下限的結晶成長速度是 0.1 mm/min,而在單晶培育裝置的1150〜1050 °C的溫度 幅度,最大幅度是200 mm前後,1 150〜1 0 5 0 °C的通過時 間以2 0 0 0 m i η較佳。 亦即,製造磊晶成長用矽晶圓的方法,如果是採用, 藉由Cz法摻雜氮,以培育成矽單晶,這時,在培育矽單 晶時的結晶成長速度是F,成長界面附近的溫度坡度是G 時,F/ G在0.30以上,且1 150〜1 050°C的通過時間爲 40 min以上,在至少晶圓中心成爲會發生空隙型缺陷的v 領域的領域內培育成矽單晶後,切削該培育成的矽單晶, 以製造磊晶成長用矽晶圓的磊晶成長用矽晶圓的製造方法 ’便可以不需要高溫的退火等特別的處理,能夠很容易製 成:摻雜有氮,出現在晶圓表面的空隙型缺陷中,開口部 尺寸是20 nm以下的缺陷的數目在〇.〇2個/ cm2以下的矽 晶成長用矽晶圓。 這時,若在培育矽單晶時使F/ G爲0.35以上,便能 夠以高濃度將過剩的空孔導入矽單晶,可以很容易使空隙
-17- (15) 200402776 型缺陷的尺寸加大。因此,可以確實使出現 空隙型缺陷中,開口部尺寸是2 0 nm以下的 0· 02個/ cm2以下,能夠製造品質更良好的 晶圓。 同時’藉由CZ法培育矽單晶時,最好 成’發生空隙型缺陷的V領域佔有晶圓面 域,特別是,V領域存在於晶圓面內的 8 〇 。因爲如此培育矽單晶,因此可以很容易將 面導入矽單晶’藉此可以獲得,出現在晶圓 尺寸是20 nm以下的空隙型缺陷的數目在大 在0.02個/ cm2以下的矽晶圓。 而且’藉由Cz法摻雜氮,培育成矽單 矽單晶的氮的濃度爲,:[X 1013/ cm3以上 使摻雜在矽單晶的氮的濃度爲,1 X 1 0 13 / 可以在矽單晶中確實析出氧析出核,而所形 在高溫進行磊晶成長時也不會被消滅,因此 夠製作具有很高除氣能力的磊晶晶圓的磊晶 。另一方面,如果摻雜在矽單晶的氮的濃度 / cm3時,培育矽單晶時,單晶化可能受到 會招致生產性的降低,因此,圓晶的氮濃度 cm3以下較佳。 如上述製作磊晶成長用矽晶圓後,可以 用矽晶圓的表面,形成磊晶層,藉此製造磊 亦即,可以使用,藉由CZ法摻雜氮, 在晶圓表面的 缺陷的數目在 嘉晶成長用5夕 將矽單晶培育 內的更廣大領 %以上的領域 過剩的空孔全 表面的開口部 体上整面確實 晶時’慘雜在 較佳。如此, cm3以上時, 成的氧析出核 可以製成,能 成長用矽晶圓 超過1 X 1 014 妨礙,有可能 以 1 X 1〇14/ 在此嘉晶成長 晶晶圓。 在至少晶圓中 -18- (16) 200402776 心成爲會發生空隙型缺陷的V領域的領域內培育的 晶,而切削此矽單晶所製成,出現在晶圓表面的上述 型缺陷中,開口部尺寸是20 nm以下的缺陷數目是 個/ cm2以下的矽晶圓,而在該矽晶圓的表面形成磊 ,藉此製造磊晶晶圓。 如此製造磊晶晶圓,便能夠以高生產性,且以低 製造,具有很高的除氣能力,且在磊晶層很少有對裝 性有不良影響的S F,特別是在磊晶層上發生的S F的 是0.02個/ cm2以下的高品質的磊晶晶圓。 再者,在矽晶圓的表面形成磊晶層的方法不特別 ,可以使用平常使用的方法形成磊晶層。 茲表示實施例及比較例,具體說明本發明如下, 發明並非限定如此。 (實施例1 ) 首先,在直徑800 mm的石英i甘鍋加入320 kg的 料,以MCZ法施加中心磁場強度4000G的橫磁場, 將平均結晶成長速度F設定爲0.68 mm/min,使其 V領域培育矽單晶,而培育成直徑3 00 mm,體軀部 度120 cm的摻雜氮的矽單晶。這時,以2 X 1013〜 9χ1 013/ cm3的濃度範圍在矽單晶摻雜氮。 檢查這一次培育結晶所用的HZ ( Hot Zone )的 坡度G的結晶徑方向的分布結果,獲得如第3圖所 分布。同時,結晶徑方向的F/ G的分布是如第1圖 矽單 空隙 0.02 晶層 成本 置特 數目 限定 但本 矽原 同時 能在 的長 溫度 示的 所示 -19- (17) (17)200402776 ,中心部的F / G的値是〇 · 3 0,而在徑方向的8 0 %以上( 100 % )爲〇·30,而成爲 V領域。而且,測量1 150〜 1 05 0 °C的通過時間結果,如第2圖所示是76分。 從如此製成的矽單晶切出晶圓,施加拋光、去角、硏 磨,製成磊晶成長用矽晶圓。在此磊晶成長用矽晶圓以 1 1 3 0 °C形成 4 μιη的磊晶層。然後,以顆粒計數器 Surfscan SP1 ( KLA - Tencor公司製)進行磊晶層表面的 顆粒計數(尺寸:〇·〇9 μηι以上)。其結果,觀察到14 個/ 300 ηιηαφ晶圓(0.02個/ cm2 )的顆粒。再使用多雷 射共焦檢查系統 M3 5 0 ( MAGICS : LASER TECH.公司製 )觀察嘉晶層的表面的結果,確認8個/ 300 πιιηφ晶圓( 0.01 1個/ cm2 )是SF。其結果,雖摻雜有氮,但是SF非 常少,是高品質的磊晶晶圓。 (實施例2 ) 其次準備,具有,雖然溫度坡度G的結晶徑方向分 布的均一性較差,但具有可以使結晶成長速度F較高速, 結果可以使F / G較實施例1大的HZ的單晶培育裝置。 在此直徑800 mm的石英坩鍋加入3 20 kg的矽原料,以 MCZ法施加中心磁場強度3 5 00G的橫磁場,同時將平均 結晶成長速度F設定爲1·1〇 mm/ min,使其能在V領域 培育矽單晶,而培育成直徑3 00 mm,體軀部的長度12〇 c m的摻雜氮的矽單晶。這時,以2 X 1 0 13〜9 X 1 〇 13 / cm3的濃度範圍在矽單晶摻雜氮。 -20- (18) (18)200402776 而,這時的結晶徑方向的F / G的分布是如第1圖所 示,中心部的F/ G的値是0.41,而在徑方向的80 %以上 爲0 · 3 5以上,成爲V領域。而且,測量1 1 5 0〜1 0 5 0 °C的 通過時間結果,如第2圖所示是4 7分。 從如此製作成的矽單晶,與實施例1同樣製作磊晶成 長用矽晶圓後,以1 130°C形成4 μιη的磊晶層。然後,與 實施例1同樣,以顆粒計數器SP 1進行磊晶層表面的顆粒 計數。其結果,如第4圖所示,觀察到3個/ 3 00 mmφ晶 圓(0.004個/ cm2 )的顆粒。再使用MAGICS進行觀察 的結果,確認 2個/ 300 πιιηφ晶圓( 0.003個/ cm2)是 SF。SF比實施例1更少,獲得更高品質的磊晶晶圓。 (比較例1〜3 ) 使用跟實施例1相同的HZ,在直徑8 00 mm的石英 坩鍋加入3 20 kg的矽原料,以MCZ法施加中心磁場強度 4000G的橫磁場,同時令結晶成長速度F從0·7 mm/ min 慢慢降低到0.3 mm/ min,而培育成直徑3 00 mm,體軀 部的長度120 cm的摻雜氮的矽單晶。這時是,以2 χΙΟ13 〜9 X 1013 / cm 3的濃度範圍在矽單晶摻雜氮。 從製作的矽單晶切出樣本晶圓,調查單晶中的〇SF 的產生位置。OSF的產生位置的調查是以1 150°C進行1〇〇 min的濕氧化後,使用由氟酸、硝酸、醋酸、水所成的有 選擇性的混酸液進行選擇蝕刻,在集光燈下及顯微鏡下觀 察樣本晶圓。其結果,在相當於成長速度0.40 mm/min -21 - (19) (19)200402776 的位置,在晶圓面內的整面產生有OSF。 因此,從以上述方式製成的矽單晶的相當於結晶成長 速度 0.40 mm/min(比較例 1) 、〇.45mm/min (比較 例2 ) 、〇 · 6 0 m m / m i η (比較例3 )的部分,與實施例1 同樣製作磊晶成長用矽晶圓。這時,求出切出晶圓的矽單 晶的各位置的F/ G的結果,是第5圖所示之値。各晶圓 的中心的F / G分別是〇 · 1 8、0.2 0、0 · 2 7。此等値並不是 可以滿足本發明的條件的値。在用ΤΕΜ觀察存在於比較 例1的磊晶成長用矽晶圓表面的缺陷結果,在晶圓表面之 開口部尺寸在20 nm以下的缺陷很容易找到,確認存在非 常多的缺陷。 然後,以1 1 3 0 °C在此磊晶成長用矽晶圓形成4 μιη的 磊晶層後,以顆粒計數器SP 1進行磊晶層表面的顆粒計數 。其結果,如第6圖所示,雖然隨著結晶成長速度的加快 顆粒數目有減少,但任一晶圓均可觀察到多數顆粒,第6 圖所示的比較例1的磊晶晶圓因爲顆粒太多,超出顆粒計 數器的容量,致無法測量到外周部。而比較例2及3的晶 圓則分別觀察到17384個/ 300 ηιηιφ晶圓(24.6個/ cm2 )、33個/ 300 晶圓(〇·〇47個/ cm2)的顆粒。再使 用MAGICS進行觀察的結果,比率例3的晶圓觀察到18 個/ 300 ιηιηφ晶圓( 0.025個/cm2)的Sf,較之低速成 長的開口部的尺寸爲2 0 nm以下者爲高密度的比較例1, 雖然SF激減,卻是品質較未摻雜氮者低的磊晶晶圓。 又以晶圓中心部的F/ G的値作爲橫軸,在第7圖描 -22- (20) (20)200402776 繪上述實施例1、2及比較例1〜3所製作的磊晶晶圓所 觀察到的顆粒及SF的個數。從此第7圖也可以看出,使 F/G値爲0.30以上,便可以獲得產生在磊晶層上的SF 的數目在〇·〇2個/ cm2以下的高品質的磊晶晶圓。 再者,本發明並非限定如上述實施形態。上述實施形 態只是例示,與本發明申請專利範圍所記載的技術思想具 有實質上同一架構,可發揮同樣的作用效果者,不論何者 均包含在本發明的技術範圍內。 例如,上述實施例是舉出施加磁場培育直徑3 00 mm 的矽單晶時爲例子進行說明,但本發明並不限定如此,矽 單晶可以是具有直徑200 mm或350mm,或更大的直徑者 ’同時’培育矽單晶時不施加磁場者也可以應用本發明。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示實施例1及實施例2的F/ G在結晶徑 方向的分布圖。 第2圖是表示實施例1及實施例2的各溫度領域的通 過時間的圖。 第3圖是表示實施例1及比較例1〜3所使用的HZ 的成長介面附近之溫度坡度G ( K/ mm )在結晶徑方向 的分布圖。 第4圖是表示實施例2的磊晶晶圓,在Sp〗觀察磊晶 層上的顆粒的結果的圖。 第5圖是表示在比較例1〜3的F/G的面內分布的 (21) 200402776 圖。 弟6圖是表不比較例1〜3的嘉晶晶_,在π〗觀寂 磊晶層上的顆粒的結果的圖。 第7圖是描繪實施例1、2及比較例1〜3的嘉晶晶 圓的顆粒(LPD : Light Point Defect)及的數目的曲 線圖。 第8圖是表示培育單晶矽結晶時導入的結晶缺陷與f / G的關係的圖。 第9圖是本發明所使用的單晶培育裝置的槪要圖。 第1 〇圖是觀察摻雜氮的矽晶圓的截面的結果的放大 圖。 〔圖號說明〕 1 :主處理室 2 :拉上室
3 :單晶 4 :矽融液 5 :石英坩鍋 6 :黑鉛坩鍋 7 :加熱器 8 :隔熱材 9 :氣體流出口 1〇 :氣體導入口 11 :氣體整流筒 -24- (22)200402776 1 2 :隔熱構件
-25-
Claims (1)
- (1) 200402776 拾、申請專利範圍 1 · 一種磊晶成長用矽晶圓,其特徵爲 法 (Czochralski method — 柴克勞斯基法 至少晶圓中心成爲會發生空隙型缺陷的V 培育的矽單晶加以切削,而製作成的矽晶圓 圓表面的上述空隙型缺陷中,開口部尺寸是 缺陷數目是0.02個/ cm2以下。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之磊晶 ,其中,上述V領域存在於晶圓面內的8 0 〇 3 ·如申請專利範圍第1項所述之磊晶 ’其中,摻雜在上述矽單晶的氮的濃度爲, ίο1 V cm3。 4·如申請專利範圍第2項所述之磊晶 ’其中’摻雜在上述矽單晶的氮的濃度爲, 101 V cm3。 5 · 一種磊晶晶圓,其特徵爲,申請專手 至第4項中任一項所述的磊晶成長用矽晶圓 晶晶層。 6 ·如申請專利範圍第5項所述之磊晶 上述嘉晶層上發生的積層缺陷(S F )的數目 cm2以下。 7 · —種磊晶成長用矽晶圓的製造方法 ’藉由C Z法摻雜氮,培育成矽單晶,這時 是將藉由CZ )摻雜氮,在 令貝域的領域內 ,其出現在晶 20 nm以下的 成長用矽晶圓 %以上的領域 成長用砂晶圓 1 X 1013 〜1 X 成長用矽晶圓 1 X 1013 〜1 X 1J範圍第1項 的表面形成有 晶圓,其中, 是 0 · 02個/ ’其特徵在於 的培育矽單晶 -26- (2) (2)200402776 時的結晶成長速度爲F (mm/min),成長界面附近的 溫度坡度爲G (K/mm)時,使F/G (mm2/min· k )爲0.30以上,且使1150〜1050 的通過時間(min) 爲4 0 m i η以上,在至少晶圓中心成爲會發生空隙型缺陷 的V領域的領域內培育矽單晶後,切削該培育成的矽單 晶’製造嘉晶成長用砂晶圓。 8 ·如申請專利範圍第7項所述之磊晶成長用矽晶圓 的製造方法,其中,培育上述矽單晶時,使上述F/ G爲 0.3 5以上。 9·如申請專利範圍第7項所述之磊晶成長用矽晶圓 的製造方法,其中,上述V領域存在於晶圓面內的8 0 % 以上的領域。 1 〇·如申請專利範圍第8項所述之磊晶成長用矽晶圓 的製造方法,其中,上述V領域存在於晶圓面內的8 0 % 以上的領域。 1 1 ·如申請專利範圍第7項至第1 〇項中任一項所述 之磊晶成長用矽晶圓的製造方法,其中,摻雜在上述矽單 晶的氮的濃度爲,1 X 1013〜1 X 10i4 / cm3。 12. —種磊晶晶圓的製造方法,其特徵爲,在藉由申 請專利範圍第7項至第1 0項中任一項所述的方法製造的 嘉曰Η成長用砂晶圓的表面’形成嘉晶層,藉此製造嘉晶晶 圓。 13. —種磊晶晶圓的製造方法,其特徵爲,在藉由申 請專利範圍第1 1項所述的方法製造的磊晶成長用矽晶圓 -27- 200402776 (3) 的表面,形成磊晶層,藉此製造磊晶晶圓。 14. 一種磊晶晶圓的製造方法,是在矽晶圓的表面形 成磊晶層,以製造磊晶晶圓的方法,其特徵在於,上述矽 晶圓是使用,將藉由CZ法摻雜氮,在至少晶圓中心成爲 會發生空隙型缺陷的V領域的領域內培育的矽單晶加以 切削,而製成,其出現在晶圓表面的上述空隙型缺陷中, 開口部尺寸是20 nm以下的缺陷數目是0.02個/ cm2以下 的矽晶圓,而在該矽晶圓的表面形成磊晶層,藉此製造磊 晶晶圓。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002204703A JP4196602B2 (ja) | 2002-07-12 | 2002-07-12 | エピタキシャル成長用シリコンウエーハ及びエピタキシャルウエーハ並びにその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200402776A true TW200402776A (en) | 2004-02-16 |
TWI304604B TWI304604B (zh) | 2008-12-21 |
Family
ID=30112731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092119052A TW200402776A (en) | 2002-07-12 | 2003-07-11 | Silicon wafer for epitaxial growth, epitaxial wafer, and its manufacturing method |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7204881B2 (zh) |
EP (1) | EP1536044B1 (zh) |
JP (1) | JP4196602B2 (zh) |
KR (1) | KR101001981B1 (zh) |
CN (1) | CN1312327C (zh) |
TW (1) | TW200402776A (zh) |
WO (1) | WO2004007815A1 (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7129123B2 (en) * | 2002-08-27 | 2006-10-31 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | SOI wafer and a method for producing an SOI wafer |
JP2006315869A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Sumco Corp | 窒素ドープシリコン単結晶の製造方法 |
JP4899445B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2012-03-21 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ |
JP5876044B2 (ja) * | 2010-07-03 | 2016-03-02 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | 低濃度ドープドレインを有する化学的感応性センサ |
US8721786B2 (en) | 2010-09-08 | 2014-05-13 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Czochralski crystal growth process furnace that maintains constant melt line orientation and method of operation |
JP6260100B2 (ja) * | 2013-04-03 | 2018-01-17 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
KR101472349B1 (ko) * | 2013-05-21 | 2014-12-12 | 주식회사 엘지실트론 | 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 및 웨이퍼 |
JP6015634B2 (ja) * | 2013-11-22 | 2016-10-26 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
US9425063B2 (en) * | 2014-06-19 | 2016-08-23 | Infineon Technologies Ag | Method of reducing an impurity concentration in a semiconductor body, method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device |
KR102370157B1 (ko) * | 2017-08-31 | 2022-03-03 | 가부시키가이샤 사무코 | 서셉터, 에피택셜 성장 장치, 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 그리고 에피택셜 실리콘 웨이퍼 |
CN113862778A (zh) * | 2021-09-30 | 2021-12-31 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 坩埚组件、拉晶炉及拉制单晶硅棒的方法 |
JP7384264B1 (ja) | 2022-11-10 | 2023-11-21 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャル成長用シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3552278B2 (ja) * | 1994-06-30 | 2004-08-11 | 三菱住友シリコン株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
JP3989122B2 (ja) | 1998-08-07 | 2007-10-10 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | シリコン半導体基板の製造方法 |
JP3626364B2 (ja) | 1998-05-22 | 2005-03-09 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハ |
JP3601340B2 (ja) | 1999-02-01 | 2004-12-15 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルシリコンウエーハおよびその製造方法並びにエピタキシャルシリコンウエーハ用基板 |
JP4224966B2 (ja) | 1999-10-15 | 2009-02-18 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウエーハの製造方法、エピタキシャルウエーハの製造方法、シリコン単結晶ウエーハの評価方法 |
JP3994602B2 (ja) * | 1999-11-12 | 2007-10-24 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法並びにsoiウエーハ |
JP3601383B2 (ja) | 1999-11-25 | 2004-12-15 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャル成長用シリコンウエーハ及びエピタキシャルウエーハ並びにその製造方法 |
JP4510997B2 (ja) * | 2000-01-18 | 2010-07-28 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | シリコン半導体基板およびその製造方法 |
JP3565205B2 (ja) * | 2000-01-25 | 2004-09-15 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハおよびシリコン単結晶の製造条件を決定する方法ならびにシリコンウエーハの製造方法 |
JP2001278692A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハおよびシリコン単結晶の製造方法 |
JP4718668B2 (ja) * | 2000-06-26 | 2011-07-06 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP4055340B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2008-03-05 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
-
2002
- 2002-07-12 JP JP2002204703A patent/JP4196602B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-07-08 US US10/520,099 patent/US7204881B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-08 WO PCT/JP2003/008671 patent/WO2004007815A1/ja active Application Filing
- 2003-07-08 KR KR1020057000560A patent/KR101001981B1/ko active IP Right Grant
- 2003-07-08 EP EP03764138A patent/EP1536044B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-08 CN CNB038165902A patent/CN1312327C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-11 TW TW092119052A patent/TW200402776A/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1312327C (zh) | 2007-04-25 |
EP1536044A4 (en) | 2009-05-13 |
EP1536044A1 (en) | 2005-06-01 |
CN1668786A (zh) | 2005-09-14 |
US7204881B2 (en) | 2007-04-17 |
KR20050019845A (ko) | 2005-03-03 |
JP2004043256A (ja) | 2004-02-12 |
KR101001981B1 (ko) | 2010-12-16 |
JP4196602B2 (ja) | 2008-12-17 |
WO2004007815A1 (ja) | 2004-01-22 |
EP1536044B1 (en) | 2013-02-27 |
TWI304604B (zh) | 2008-12-21 |
US20050211158A1 (en) | 2005-09-29 |
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