JP4899445B2 - エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ - Google Patents
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Description
しかしながら、これらの方法による形状測定は、装置の原理的、構造的な制約により、ウエーハの外縁から3mmよりも外側の外周形状を正確に測定することができない。従って、エピタキシャル層の膜厚均一性に関する議論は主に外縁から5mmよりも内側の部分に集中し、ウエーハの外縁(エッジ)に近い最外周付近における膜厚均一性については着目されてこなかった。
例えば、図7に示したようにウエーハの周辺部における表面変位量の2階微分の分布を算出し、表面変位量の2階微分が負の値になる位置(ロールオフ開始点)から、ウエーハの中心から149mm、すなわち外縁より1mm内側の位置までの表面変位量(図8のA)をロールオフとして評価する。この場合、ロールオフ開始点の高さを0とし、外縁1mm内側までダレた形状であれば、その変位量(ロールオフ)は−の値となり、逆に跳ね上げた形状であれば+の値となる。そしてロールオフの絶対値が小さいほど最外周付近でも平坦度が高いと評価することができる。
しかし、このような方法では、エピタキシャル成長後の縮径面取りや溶断によって発塵やワレが生じるおそれがあるほか、エピタキシャル成長後、ウエーハを縮径あるいは溶断する分、ウエーハが小さくなり、実質的に生産性や歩留りが著しく低下してしまうという問題がある。
上記のようにエピタキシャル層の成長速度等を制御することによりエピタキシャル成長後におけるロールオフを制御することができるので、もとのシリコンウエーハと同じか、より小さいロールオフを有するエピタキシャルウエーハを製造することができる。
ロールオフを上記のような範囲における表面変位量として制御すれば、エピタキシャル層の外周形状をより確実に制御することができ、所望のロールオフを有するエピタキシャルウエーハを製造することができる。
本発明によれば、特に近年要求される300mm以上の大直径のもので有効であり、外周付近でも膜厚均一性に優れたエピタキシャル層を形成することができるため、エピタキシャル成長後、縮径面取り等を施す必要もない。従って、直径が300mm以上のシリコンウエーハを用いてエピタキシャル層を成長させれば、大直径であって、ロールオフの値も小さいエピタキシャルウエーハを製造することができ、デバイス歩留りの向上にもつながる。
前記したように本発明の方法によれば、シリコンウエーハの周辺部に形成されるエピタキシャル層の厚さを制御することができ、ロールオフが小さいエピタキシャルウエーハを製造することができる。従って、このような方法により製造されたエピタキシャルウエーハは、最外周付近でも平坦度が高く、デバイス歩留りを向上させることができるものとなる。
エピタキシャル成長後のロールオフが、もとのシリコンウエーハのロールオフと同じか又は小さいエピタキシャルウエーハであれば、周辺までエピタキシャル層の膜厚均一性が良いか、エピタキシャルウエーハの周辺まで平坦度が高いものであるので、デバイス歩留りを確実に向上させることができるものとなる。
ロールオフを上記範囲における表面変位量として制御したエピタキシャルウエーハであれば、最外周付近でも確実に平坦度が極めて高いものとなる。
本発明では、特に近年要求される300mm以上の大直径のもので有効であり、エピタキシャル成長後、縮径加工等を行なう必要がないため、300mm以上の大直径であって、ロールオフが小さいエピタキシャルウエーハを提供することができる。
本発明者らは、シリコンウエーハを用いてエピタキシャルウエーハを製造する場合において、エピタキシャル成長条件とエピタキシャル層の外周形状について調査及び研究を重ねた。その結果、エピタキシャル層の成長速度及び成長温度と、エピタキシャル層の最外周形状との間に良好な相関関係があることを見出し、これらの成長条件(成長速度及び/又は成長温度)を制御することにより、エピタキシャル層の最外周付近の形状、特に所望の厚さに制御することができることを見出し、本発明を完成させた。
使用するエピタキシャル成長装置は、成長速度及び成長温度を任意に制御することができれば特に限定されないが、図2に示したような枚葉式のエピタキシャル成長装置1を好適に使用することができる。この装置1は、反応炉2の上下に加熱用ランプ3,4、回転可能なサセプタ5等を備えている。エピタキシャル成長の際には、サセプタ5上にシリコンウエーハ6を載置し、SiHCl3等の原料ガスをH2をキャリアガスとして炉内に導入し、上下の加熱用ランプ3,4によってシリコンウエーハ6を所定の温度に加熱することでウエーハ上に膜厚均一性に優れたエピタキシャル層を形成することができる。
そして、図3で求めたロールオフ開始点からウエーハの外縁より1mm内側の位置までの表面変位量をロールオフとし、図3及び図4から、エピタキシャル成長前後におけるロールオフ量(Roll−Off Amount:ROA)の差(ΔROA)を求めることができる。表1は各成長条件とΔROAとの関係をまとめたものである。
一方、図6によれば、成長温度を一定とすれば、成長速度が高いほどΔROAが小さくなり、周辺でのエピタキシャル層の厚さが薄くなる。また、成長速度が同じ場合、成長温度が高いほどΔROAが高くなり、エピタキシャル成長後の最外周付近でのエピタキシャル層の厚さが厚い形状となることがわかる。
(実施例)
直径300mmのシリコンウエーハを用意し、平坦度・ナノトポグラフィー測定装置としてダイナサーチ(レイテックス社製)を用いてウエーハ周辺部における表面の高さ変位量を測定し、ロールオフ量とした。
このウエーハにエピタキシャル成長を行ったときに周辺部のダレ形状を補うため、図5及び図6に示される相関関係に基づき、成長温度を1130℃、成長速度を2.5μm/minに設定してエピタキシャル成長を行った。そして、製造したエピタキシャルウエーハに対し、エピタキシャル成長前のシリコンウエーハと同様に表面変位量を測定した。
図11に見られるように、変位量を動径距離で2階微分することによって、半径に対する加速度的な変位量変化が現れている。表面変位量の2階微分が負の値になる位置、すなわちロールオフの開始点は、エピタキシャル成長前のシリコンウエーハでは中心から145mm、エピタキシャル成長後のエピタキシャルウエーハでは中心から145.5mmである。このことから、エピタキシャル成長によってロールオフの開始位置がウエーハの外周側にシフトしたことが分かる。また、このときのロールオフ開始点からウエーハの外縁から1mm内側までのロールオフ量は、エピタキシャル成長前で356nmであり、エピタキシャル成長後に322nmとなり、エピタキシャル層を積むことによってウエーハの外周ダレ形状が補完されていることが分かった。
また、シリコンウエーハの大きさも300mmのものに限定されず、ウエーハの大きさは要求に応じて適宜選択すれば良い。
Claims (5)
- シリコンウエーハ上に原料ガスを供給してエピタキシャル層を気相成長させることによりエピタキシャルウエーハを製造する方法において、エピタキシャル層の成長速度及び/又は成長温度と、該エピタキシャル層の成長前後における前記シリコンウエーハ又はエピタキシャルウエーハの表面変位量の2階微分が負の値になる位置から該シリコンウエーハ又はエピタキシャルウエーハの外縁より1mm内側の位置までの表面変位量であるロールオフの差との相関関係を予め求め、該相関関係に基づき、製品となるシリコンウエーハ上に成長させるエピタキシャル層の成長速度及び/又は成長温度を制御することにより、該エピタキシャル層の成長後におけるロールオフを制御することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。
- 前記エピタキシャル層を成長させた後のエピタキシャルウエーハのロールオフが、前記エピタキシャル層を成長させる前のシリコンウエーハのロールオフと同じか又は小さくなるように前記エピタキシャル層の周辺部の厚さを制御することを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウエーハの製造方法。
- 前記シリコンウエーハとして、直径が300mm以上のシリコンウエーハを用いることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のエピタキシャルウエーハの製造方法。
- シリコンウエーハ上にエピタキシャル層を気相成長させたエピタキシャルウエーハであって、前記エピタキシャル層を成長させた後のエピタキシャルウエーハのロールオフが、前記エピタキシャル層を成長させる前のシリコンウエーハのロールオフよりも小さいものであり、前記ロールオフが、前記シリコンウエーハ又はエピタキシャルウエーハの表面変位量の2階微分が負の値になる位置から該シリコンウエーハ又はエピタキシャルウエーハの外縁より1mm内側の位置までの表面変位量であることを特徴とするエピタキシャルウエーハ。
- 前記エピタキシャルウエーハが、300mm以上の直径を有するものであることを特徴とする請求項4に記載のエピタキシャルウエーハ。
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