TW200401708A - Thin film layered product, thin film battery, capacitor and method and apparatus for manufacturing the thin film layered product - Google Patents

Description

200401708 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於薄膜積層體與使用其之薄膜電池及電容 器。又，本發明亦關於薄膜積層體之製造方法及製造裝置 【先前技術】 處於資訊通訊時代，電池所能發揮的作用日益擴大， 多數的機器須依賴高性能電池而運作。其中，鐘離子充電 電池，呼應於行動電話等之器材之日新月異的進步，其快 速的技術革新受到殷切期望。 再者，由於機器與人的距離變得極為接近之結果，對 於電池之安全性的要求亦不能忽視。於日本專利實開平5_ 43465號公報中曾揭示出安全性提高之鋰離子充電電池。 現今，儘管大半的電子裝置多已曰 ^ ^ ^ 节』π i夕〇阳片化，已可在印刷 電路基板上進行表面组裝於雷％士 ^ ^ 於冤池方面之晶片化卻進展遲 緩’而造成機器設計上的限告丨丨。又认 1又，於可攜式機器中，尤

其疋以卡片狀機器用途為中心夕Η壯+ ^5* A 、馬T心之片狀充電電池之要求亦曰 盈增兩中。然而，上述實開平 貝叫丁谠公報中所揭示之 鐘充電電池，係將正極、分陲κ、 刀1^片 負極依序疊合捲繞而成 的構造物浸潰於電解液中而媸# 構成’為所謂之液型充電電池 。此液型充電電池’由於其構造的關係、，其小型化、薄型 化有其界限。 固體電解質開始登 作為滿足此等技術性要求之手段 200401708 場。藉由使用固體電解質，原本不可沾 卜J月匕達到的要求之電池 設計，在理論上也漸成可能。這時，兔 了 马了確保電池容量， 採用積層構造是有利的。因而，於利用 〜用固體電解質之充電 電池的開發方面，薄膜積層技術是不可或缺的。、 另一方面，有關電子電路用電容器，也隨著機器的高 頻化、低電壓彳匕，而要求著較小的串聯等效f阻與串聯等 效電感。其結果’料用以實現此要求的手段，薄膜積層 電容器的重要性益形增加。 於上述之外，於各種被動元件、顯示元件等之中，薄 膜積層技術亦為重要。而且，尤其要求在性能、品質、成 本等可同時達到高水準。 儘管對這樣的薄膜積層技術存在著極高的期待，現狀 上’尚未能充分滿足這樣的期待。 T由之-在於，薄膜層間的連接可靠性尚無法充分確 保，是其問題。薄膜層間的連接不良，例如，於充電電池 ，會導致電池容量的降低，於電容器，則會導致靜電容量 的降低。 理由之二在於，為了防止在使用環境下其特性之經時 變化而在外表面形成保護層等之場合，該保護層的附著強 度太弱，疋其問題。其結果，會導致無法確保長期使用之 可靠性。 【發明内容】 本發明， 以解決薄膜積層體中之—^述現有的問題為目 200401708 的。亦即’本發明以提供層間的連接可靠性得以提高之薄 膜^層體為目的。又，本發明，亦以提供在側面形成其他 層日才之形成性與該層的附著強度優異之薄膜積層體為目的 。又，本發明，亦以藉由使用這樣的薄膜積層體來提供高 。口負且安定的薄膜電池及電容器為目的。又，本發明，亦 以提供適用於製造上述薄膜積層體的薄膜積層體之製造方 法及製造裝置為目的。 I月為了達成上述目的，係作成為下述之構成： “本發明之薄膜積層體，係將至少由第1 一者〜、特破在於’該第i薄膜層及第2薄膜層中之至少 積係由τ層往上層而遞減。藉此，可提供層 之連接可罪性得以提高之薄膜積層體。 於上述薄膜積層體中’沿著積層方向之 致為梯形狀為佳。Μ此，报士机,, /狀乂大 , 形成於側面之其他的層的弗忐Μ： 與附著強度可得以提高。 的形成性 其次，本發明之薄膜電池，係 極活性物質層、固體電解曹展盘。 果電體層、正 假私解貝層與負極活性物 積層單位反覆進行至少2次以切層而構成的 於，該集電體層、正極活性物質 〜、特被在 活性物質層中之至少一種 電解質層及負極 。猎此，可提供層間之連接可 上層遞減 的薄膜電池。 传以提尚，且品質安定 又，本發明之電容器， μ、1 ^由介電層與電極層所 200401708 構叙積層單位反覆進行至少、2次以上積層而構成者；发 特徵在於，該介電層及電極層中 " ,^ a y ^方的積層面積係 “主上層❿遞減。藉此，可提供層㈤之連 以提高，且品質安定的電容器。 罪性仵 其次，本發明之薄膜積層體之製造方法，其特徵在於 以第1薄膜層（圖案化成既定形狀）之積層步驟、與第 2 4膜層（圖案化成既定形狀）之積層步驟當作—單位，藉 ^在支持體上反覆進行該步驟單位來製造薄膜積層體，該 薄膜積層體係將至少由帛丨薄膜層與第2薄臈層所構成： ㈣單位反覆進行至少2次以上積層而構成者；係使該第 1缚膜層及第2薄膜層中之至少—方的積層面積隨著積層 次數之增加而遞減。 ^又，本發明之薄膜積層體之製造裝置，其特徵在於， 係具備··旋轉之支持體，面向該支持體之用以在該支持體 的表面沈積第1薄膜層材料的第丨薄膜層形成裝置，面向 忒支持體之用以在該支持體的表面沈積第2薄膜層材料的 第2溥膜層形成裝置，以及面向該支持體之用以使第1薄 膜層及第2薄膜層圖案化成既定形狀的圖案化裝置；該圖 案化I置係以使該第1薄膜層及第2薄膜層中的至少一方 之形成面積，隨著該支持體的旋轉數之增加而遞減的方式 ’進行第1薄膜層及第2薄膜層中之至少一方的圖案化。 使用上述之本發明之薄膜積層體之製造方法及製造裝 置’可提供層間之連接可靠性得以提高之薄膜積層體。 200401708 【實施方式】 本’X明者等4作圖7所示般之利用固體電解質 積層體構造的充電電池，就其問題點進行檢討。、 圖7為顯示作為檢討對象之薄膜電池的概略構成之严 度方向的截面圖。如圖示船 子 〇1Λ ΰ 丁叙，薄膜電池900於最下方具有 積層早位91〇a，此積層單你Q1 Λ 積層早位9l〇a由下方起依序 集電體層911a、正極活性物皙 有正極 Ω1, A &物貝層912a、固體電解質厗 負極活性物質層914a、負極集電體層915a、負極： 性物質層9Mb、固體電解質層咖、正極活性物質層 ㈣。缚膜電池900,係由與這樣的積層單位9同二 積層單位進行複數讀相構成者 门々 的整體形狀為例如大致長方體形狀。義的賴電池9〇。 此處，對積層位置不同而具有相同的作用之 變附於層的符號的附加字「 b、 曰僅改 A ^ ··」來表示Μ列如，下 極集電體層911a與正極集電體層91卟，雖每所 同作用’惟，由於積層位置不同，故附以：上具有相 ^別。另一方面，於下述的說明中， 卞+ ^ ^ , 、久有必要特別就積 曰伹置加以區別的場合，則不附上添加士 6 、 卞策表示。你| 4-· 於提到「正極集電體層911」之時，係社 " 入加从 糸^日不論積層位置之 全部的正極集電體層。 直之 為現定的形狀。再者 9U，係於薄膜電池 同樣地，負極集電 如圖示般，各層係經圖案化形成 ’屬於各積層單位的正極集電體層 900的一方的側面互相形成電氣連接 12 200401708 體:接915而Γ薄膜電池900的另一方的側面互相形成電 藉由分別將正極集電體層9U與負極集電 =用91。5當作引出電極’可使薄膜電;也％。作為充電電池 而：依據本發明者等的實驗，於這樣的薄膜電池 刀別須互相形成電氣連接之正極集電體層9"彼 間及負極集電體層915彼此間的連接並不理想。因此會 致電池容量的降低 又，薄膜電池_的側面（圖7中之與紙面的上下方向 平行的面)於機械性、化學性上是脆弱的，於該側面應設置 適當的保護層為佳。然巾，即使於側面欲形成保護層等之 薄膜，欲在側面強固地形成均一的薄膜有其困難。 以外的其他的薄膜積層 上述的問題，於薄膜電池9〇〇 體中，也可能發生同樣的情形。 本發明者等，欲解決薄膜積層體所具有的上述問題而 深入檢討之結果，終於完成本發明。 亦即，於反覆進行複數種類的薄膜層之積層的情形， 使其中之至少一種的薄膜層的積層面積自下層往上層遞減 。藉此，可提高層間之連接可靠性。 以下，就本發明一邊參照圖式詳細地加以說明。 (實施形態1) 圖1為顯示本發明之實施形態丨之薄膜積層體的概略 構成之截面圖。圖1的薄膜積層體係作為薄膜電池而使用 13 200401708 如圖示般，本實施形態的薄膜積層體ι〇〇，於最下 具有積層單位11〇a，此積層單位110a由下方起依：具： 正極集電體層llla、正極活性物f層112a、固體電解質 H3a、負極活性物質層114a、負極集電體層"5a、負極曰 性物質層114b、固體電解質層n3b、 、 ^ 备 、 正極活性物質声 ㈣。薄膜積層體100’係由與這樣的積層單位"如心 同的構成之積層單位11 Ob、1 1 〇c、 ^ ^ ^ uc…進仃積層所構成。各 層的俯視形狀（對各層自積層方向（圖丨的紙面之上下方命 來看時的形狀）皆大致為矩形。 ~ 此處，對積層位置不同而具有相同的作用之層，僅改 變附於層的符號的附加字「a、b、…」來表示。例如，正 極集電體層11 la與正極集電體層Ulb，雖實質上具有相 同作用，，准’由於積層位置不同’故附以不同的附：字： 區別。另-方面，於下述的說明巾’於沒有必要特別就積 層位置加以區別的場合，則不附上添加字來表示。例如， 於提到「正極集電體層⑴」之時，係指不論積層位置之 全部的正極集電體層。 各層之平面形狀係經圖案化形成為既定的矩形。再者 ，各正極集電體層m，係於薄膜積層體1〇〇的一方的側 面互相形成電氣連接。同樣地，各負極集電㈣"5,則 於薄膜積層體1〇〇的另一方的側面互相形成電氣連接。而 且，藉Φ分別將正極集電體I⑴與負極集電體層ιΐ5當 作引出電極，可使薄膜積層冑⑽作為充電電池來作用。 用以構成本實施形態的薄膜積層體1〇〇之具有相同作 14 200401708 用的層中，至少一層之積層面積（沿該層的積層方向之投影 面積）係自下層往上層遞減。亦即，以正極集電體層ma 來看，相較於屬於積層單位ll〇a之正極集電體層ma的 積層面積，屬於其上方的積層單位11〇b之正極胃集電體層 111b的積層面積k小，屬於其更上方的積層單位ii〇c之 正極集電體層nic的積層面積則更小。於負極集電體層 11 5亦同。 又’就固體電解質層113來看’相較於最下方的固體 電解質層U3a ’其上方的固體電解質層113b的形成面積 較小，其更上方的固體電解質層心的形成面積則更小。、 於正極活性物質層112基負極活性物質層"4亦同。 ‘如此般各層的積層面積由下層往上層遞減之結果，於 薄膜積層^ 100的側面形成為大致為階梯狀的段差… 巨視觀之，沿薄膜積層體】， ^ 日篮100的積層方向之截面形狀大致 為梯形狀。 藉由這樣的構成，可發揮下述般的效果。 ^在薄膜積層Μ 1 〇〇的側面互相形成電氣連接之 正極集電體層111及負極隼雷 一 集電體層115的連接可靠性可提 南。例如，相較於固體電解暂 蚀^ 〇 殷玉解貝層113b的積層面積，藉由 使積層於其上之固體電解質 / 电胖貝層U3c的積層面積形成較小， 在正極集電體層 ^ £ , 、 ，固體電解質層113c之未積 層的&域的面積會擴大。亦 ⑴b從固體電解以U3e^於圖1 i正極集電體層 ,,_ θ 的鳊部之突出寬度Will會增 大。由农正極集電體層u 知在该犬出寬度W1I 1内與正 15 200401708 極集電體層iiib進行電氣連接’故藉由突出寬度win的 增大，正極集電體層111b與正極集電體層111(：可確實地 形成電氣連接。如此作法，於上下方向積層之複數的正極 集電體層π 1間的電氣連接的可靠性得以提高。有關負極 集電體層115亦同。 其二’於側面形成保護層等之時的保護層形成性與附 著強度得以提高。圖2為顯示在圖！所示的薄膜積層體的 側面形成保護層120的例子之截面圖。保護層12〇，可在 形成薄膜積㈣HH)後，將其上面遮蔽之狀態下，藉由蒸 鑛等來形成。本實施形態之薄膜積層冑i⑼，由於巨觀上 來看，具有著傾斜的側面，故由圖2的紙面土方賦予的蒸 錢材料容易附著於側面上。且，由 由於该側面具有階梯狀的 &差，表面積增大，故與保護層12〇的附著面積亦增大。 精由此等’可提高保護層的形成性與附著強度。 此處，保護層12〇,以針對薄膜積層體^〇的侧面之 機械性保護與耐濕性的提高 劣士、+ 门寺之目的來形成為佳。作為形 成方法’可採用塗佈、浸潰、 、 、濺參辇# 、主荨之濕式製程，或蒸鏟 Μ ^ 1〇〇 ^ 因水刀之钕入導致薄膜積 層版100的内部之劣化而設置 透渴性低^ # e + /、濩θ的琢3，在側面形成 处/"、、低的層是有效的。 > ±M Μ ^ ^ 為咬樣的保護層，可用由金屬 膜盥舛心1 , 寺所構成的涛膜，或用此等薄 胰與树脂缚膜所組合成的 寸哥 層的情$ 认 σ膜。於使用複合膜作為保護 曰的丨月形’於下層薄膜形 力，在形出甘 取r在忒下層溥膜内所發生之應 /成其上層的薄膜形成 风t侍以緩和，故最終所得到 16 200401708 的保護層的剝離與龜裂等之機械性缺陷可得以防止。又， 於複合膜中，即使存在有針孔，由於該針孔路徑較長，故 可提南对濕性。 本實施形態中之積層單位110b、11〇c、·的積層數並 無特別限制，以作成為3以上，而以1〇以上為佳，尤以 3〇以上為特佳，則可提供小型且高容量的薄膜電池，是較 佳者。 (實施形態2) 茲就實施形態1中所說明之薄膜積層體1〇〇之製造方 法加以說明。 圖3為顯示薄膜積層體100之製造裝置的概略構成之 截面圖。圖3中，201為朝2〇la的方向旋轉之圓筒形狀的 圓筒輥（支持體）’ 27〇a、270b為圖案化材料賦予裝置（圖案 化裝置）’ 205為圖案化材料除去裝置。又，21〇為集電體 層形成裝置，220為正極活性物質層形成裝置，23〇為固 體電解質層形成裝置，240為負極活性物質層形成裝置， 此等係在經由間隔壁209所隔開的空間内面向著圓筒輥 2〇1的外周面而配置著。於集電體層形成裝置21〇、正極 活性物質層形成裝置220、固體電解質層形成裝置23〇、 負極活性物質層形成裝置240與圓筒輥2〇1的外周面之間 ’分別配置有可開閉的開閉器2 12、222、232、242。 以上的裝置係配置於經減壓至既定的壓力之真空槽（未 圖示）内。 集電體層形成裝置210為用以形成正極及負極的集電 200401708 體層⑴、115的裝置，正極 用以梆Λ n化 卿貝增形成裝置220為 用乂形成正極活性物質層112的 ^ Μ 230 Λ ffl r; ^ a. 、 體電解質層形成 展置230為用以形成固體電解質们 物質層形成裝置24〇炎#置，負極活性 置。各穿置為… 形成負極活性物質層114的裝 置各衣置為例如周知的蒸鑛裝置，用， 材料蒸發。此時，蕻ά < 吏各層形成用的 r 猎由设置於各裝晉 開閉器212、222、Μ, ，、51涛輪201之間的 輥…—:特;::選擇性地開放’可在圓筒 料二=:二T27°a、27°b，《使圖案化材 叫考在圓琦輥2〇1的 。於藉由集電體層形成 、、疋區域的裝置 置220、固體電解'^ ' Μ Μ物質層形成裝 成裝置240來形& @ 負極活性物質層形 荖在m 乂成薄前’藉由使油劑以既定的形狀附 者在圓筒輥201的外3 μ ^ 疋旧沿狀附 之薄膜的开 q , 止附著有油劑的區域上 此方牛Ρ形成圖案化成任意形狀的薄膜。 匕方法稱為油劑圖案化法。 、 圖案化材料賦予裝置27〇a虚 27〇b的基本構成 』案化材料賦予裝置 材料賦”置二t 及圖4B為顯示圖案化 圓筒輥201側來看再攻圖4A為自 看的刖視圖，圖4B為圖4Al λ d 之截面圖。圖4A中此 勹α 4A的4A-4B線 的移動方^中，前頭表示圓筒輥加的外周面 :案化材料賦予裝置·， 狀恶的圖案化材料277之貯槽274 :存液體 ”用以射存經氣化的 18 200401708 圖案化材料之空腔273。貯槽274與空腔273係以連通管 路275連接。於面向圓筒輥201側之對向面272上形 ^ 胺273相連接的複數（於圖4A及圖4B為5個）的微細 孔271。複數的微細孔271，係與圓筒輥2〇1的外周面的 移動方向20 1 b呈大致平行地隔著既定的距離作等間隔的 配置。®案化材料賦予裝置270a、270b係經加熱成圖^化 材料（油劑）277 I氣化溫度以上，貯槽274㈣圖案化材 料277經氣化而移動往空腔27”，自微細孔⑺向圓筒 輥2(Π #外周面放出。經放出的圖案化材料在圓筒輥如 的外周面上液化’形成圖案化材料的液膜。藉由對貯样 274内的圖案化材料的量與其溫度進行管理，可使曰 孔⑺放出的圖案化材料的經時放出量維持一定。、、-田 於圖3所示之製造裝置，係使—對的圖案 =27—分別沿著與圓筒較2。丨的旋轉轴方向(： 8南棍2〇1的外周面的移動方向加b呈大致直角方向); 带：:ΓΪι口私動。並使藉由圖案化材料賦予裝置270a而 帶鮮由=01的外周面上之複數條的圖案化材料的條 圖案化材料職予裝置270b而形成在圓筒輥201 的外周面上之複數條的圖案化材料的條帶彼此相交又。 圖5精由一對的圖案化 筒妒？ni Μ从m 打珮于衣置270a、270b在圓 同毹201的外周面上形成之 之展開圖。箭頭表示圓料的條狀圖案的-例 ^ 0 27〇 . ^ 涛奏b 201的外周面的移動方 问貝綠278a表示經由圖安儿U " 圓筒—外周面上的===化予;置-形成於 杀的圖案化材料之條帶，虛線 19 200401708 278b則表示經由圖案仆 201的外周面卜沾、枓賦予裝置270b形成於圓筒輥 面上的5條的圖幸^^ 係使-對的圖案化材料賦予妒置2 〇、；、f #圖不^ ’ -270b^，mK^^ 動致千仃地以既定速度同步進行往復移 動’而可在圓筒輥201的外月而w “ -6. ^ 〕外周面上形成圖案化材料的格子 =的:尤其’若使圖案化材料賦予裝〜 冑速度作成為與外周面的移動速度大致相同，則 、、工由各圖案化材料賦予磬 、 動方 "置、27013所形成的條帶與移 動方向201b所成的角度 、秒 罄, 又了作成為大致45度。其結果，條 。&人條帶⑽可作成大致正交之格子狀的賦予圖案 :後’藉由集電體層形成穿d 21〇、正極活性物質芦 形成褒置220、固，雪姑斯口 、曰 …/ 口體電解質層形成裝置230、負極活性物 2 )成裝置240中之任一者來形成薄膜，則由於經賦予 圖案化材料的部分不合开彡+後 θ /成溥膜，故可形成多數個圖案化 成格子狀之矩形狀的薄膜。 壯再者，若以使圓筒親201於旋轉1圈後之形成的格子 T案的形成位置、與前一次的格子狀圖案的形成位置成 :、勺致的方式’來使圓筒觀201的旋轉與圖案化材料 h予裝置27〇a、属的往復移動同步進行，藉此可在相同 位置上逐次積層上矩形狀的薄膜。 由微細孔271所放出的圖案化材料的蒸汽在具有指向 性下擴散開來。因而’如圖4B所示之微細孔271盘圖案 化材料的被附著面（於圖4B中為圓筒輥2〇1的外周面）間的 20 200401708 距離G若增大，則形成在被附著面上 的寬度亦會拎大。冑化材科的條帶 曰 目而，例如於以既定距離G1如圖5所 後又圖案化材料附著成為格子狀之後，再形成薄膜 後，以較距離⑺大的距離G2，在盥前 …、 的附著位置之大的如’ ®案化材料 之後，再…胺 使圖案化材料附著成為格子狀 y 。猎由這樣的作法，可使第2次所形成 狀的薄膜之形成面積作成為較第1次所形成的矩形 狀的/專膜之形成面積小。 圖案化材料除去裝s 2〇5,用以將薄膜形成後 ^冋幸比201的表面上之剩餘的圖案化材料去除。圖案化 材枓之去除方法並無特別限制，可依 材 :=:如，可藉由使用光照射或電熱器之:熱： 行。n離子照射、電子照射而分解去除等來施 一其次，就使用圖3所示之裝置之實施形態i中所示之 缚膜積層冑100的製造方法加以詳細地說明。 層所:10—0’於圖1的紙面中係由下層起依序積 :㈣如前述般’同一層的積層面積(例如，正極 ” ^⑴)的積層面積，係由下層往上層遞減。為了實 現此’在對每—層進行積層之時的圖案化材料賦予裝置 27〇a、270b的微細孔271與圖案化材料的被附著面的距離 ，必須隨著積層次數的增加而遞增。 又，如前述般，以集電體層形成褒置210形成正極及 '。的木电體1 1 1、i 15 ’以正極活性物質層形成裝置 21 200401708 ㈣形成正極活性物質層112，以固體電解質 230形成固體電解質層⑴，以負極活性物心开:成敦置 240形成負極活性物質層114。 貝日形成裝置 、⑽、230、⑽依序積層正極集電體層=成裝置21〇 物質層112、固體電解質層113、負極 正極活性 極集電體層115、負極活性物 貝層114、負 似貝層1 14、固體雷結拼 、正極活性物質層112。為了實現此，圓二層⑴ 一旋轉時，必須進行打開對應於用以形成 母進行 裝置的開閉器、並關閉其他的開閉器的操作。、曰的層之 欲使用圖3的裝置來製造薄膜積層 ;對，距離6與4個開閉器212、222、232、242 “ 才、各層的積層時進行嚴密的管理。 以記:處的積表層時的距…開F㈣開閉狀態 特 」表不。此處，「Gmnj係指用以形成 / ® t㈣㈣予時的圖4B中所示之微細孔π 开=化材料的被附著面之間的距離。又，「Sm」係指於 ,特疋層之時所唯一打開的開閉器。此處，「…為 1〜4的正齡 於正^、 ’係對應於集電體層形成裝置210，2係對應 層= :質層形成裝置220 ’3係對應於固體電解f 。又/「3G’ 4係對應於負極活性物質層形成裝置240 數。Ώ」為對應於作為對象的層之裝置的合計使用次 1的薄膜 100:上述記號「Gmn*Smj來表示圖 10°之形成條件，則成為如下： 22 200401708 最初&形成正極集電體層Ilia。由於正極集電體層 "la係用集電體層形成裝置21〇所形成，故w。又，由 ::正極集電體層11。係用集電體層形成裝置21〇所形成的 弟 1層，故n=l。同品 , ’有關形成正極集電體層Π 1 a時的 距離G之條件表示為「 隹Φ麯既 11」。又，此時，只打開對應於 本電體層形成裝置21〇 開閉裔2，其他的開閉器則必 員㈣’故有關開閉器之條件係表示為「si」。因而，於 極集電體層1113時的形成條件為「G11*S1」。 :著，形成正極活性物質· ll2a。由於正極活性物質 又由於正極活性物質層112a孫围工此 裝置⑽所形成之第極活性物質層形成 活性物質層u2a㈣距離二而，ρ有關形成正極 士 〇 , 1余件表不為厂G2 1」〇又， …打開對應於正極活性物質層形成裝置220 益222,其他的__必須_ 之開閉 係表示為「％。因而，於形成正極^=器之條件 的形成條件為「G21*S2j。 Η勿貝層U2a時 以下，可由同樣的作法來表示 *Sm」。 各層的形成條件「Gmn li〇a之各層的形成 用以構成圖1的最下層的積層單位 條件，依形成順序表示則成為如下： ⑴正極集電體層111a : G11*S1 (2) 正極活性物質層112a ·· G21* S2 (3) 固體電解質層1 13a ·· G31 * S3 23 200401708 ⑷負極活性物質層114a : G41氺S4 (5)負極集電體層U5a ·· G12* S1 ⑹負極活性物質層114b : G42氺S4 (7) 固體電解質層113b ·· G32氺s3 (8) 正極活性物質層112b ·· G22 * S2

I*真重起見再加以說明，由於負極集電體層11化 ^集電體層形成裳置210所形成，故㈣。又，由於負極 木電體層115a係用集電體層形成裝置21()所形成之第2層 ’故n=2。因❿，有關形成負極集電體層ιΐ5&時的距離： 之條件表示為「Gl2」。又，此時，只打開對應於集電體 層形成裝4 210之開閉器212 ’其他的開閉器則必須關閉 ’故有關開閉器之條件係表示為「S1」。因而，於形成負 極集電體層ll5a時的形成條件為「G12*slj。 然後’進行次—個積層單位n〇b之積層。用以構成積 曰單位11 Ob之各層的形成條件，依形成順序表示則成如 下： Λ (9)正極集電體層111b: G13*S1 (1〇)正極活性物質層112c: G23*S2 (11) 固體電解質層113c: G33氺S3 (12) 負極活性物質層j ·· g43氺S4 (13) 負極集電體層115b: G14*S1 (14) 負極活性物質層j 14〇 : g44氺S4 (15) 固體電解質層113c: G34* S3 (16) 正極活性物質層112c: g24*S2 24 200401708 其後之次一積層單位1 1 0c以後的各層之形成條件亦、u 同樣地表現。此處，欲製造實施形態1中所示之薄膜積展 體100，以須滿足下述的（式1)〜（式4)的關係為佳。惟，'曰 使不能滿足（式2)部分，仍可製造圖1般的薄膜積層體工⑽ (式 1) G11<G12<G13<··· (式 2) G21<G22<G23<··. (式 3) G31<G32<G33<···

(式 4) G41<G42<G43<··· 、如此地，用集電體層形成裝置210、固體電解質層形 成裝置230及負極活性物質層形成裝置24〇(以更進—步使 2極活性物質層形成裝置22〇為佳）分別形成各層之二所 設定的㈣G，隨著使用該裝置形成層的次數之增加而遞 S其結果’經圖案化之薄膜的各別的形成面冑，會隨著 積層次數的增加而遞減。

於本實施形態中，用圖 輥201連續地旋轉，圓筒輥 須變更距離G與4個開閉器 狀態。 3所示之裝置，於一邊使圓筒 201每旋轉1次，與其同步地 212 、 222 、 232 、 242 的開閉 %固同祝i的外周面上之分 格子狀的區域内，形成容叙 數個如圖1所示般的四角錐 狀的薄膜積層體1〇〇。 又’於圖3的货罢士 ^ 、中，雖係採用經由使距離σ逐 曰大來使圖案化材# ^ ^ τ卄的條带的寬度逐漸地增大的方法 25 200401708 ’本發明並非限定於此。例如，亦可藉由 溫度逐漸地增高以使該條帶的寬度逐漸地增大的 圖案化材料的溫度若增高則自微細孔271放出的圖里= 料的蒸汽的放出量會增大之故。 〃材 又，亦可不須經由對圖案化材料進行加熱 用壓電元件來使圖案化材料的液滴放出之的 度變更。者此场合’亦能使圖案化材料的條帶寬 又，亦可取代油劑圖案化法而採用雷射留 margin)法，係於、望贈# Λ、从 邊（aser ，、、溥Μ形成後，在該薄膜上以雷 將薄膜實施格子框狀除去。藉由使雷射光的掃描條：：： _ 2(Η的旋轉同步作適#的變更，可使待 ^ 的寬度逐漸地增加。 （格子框 (實施形態3) 的槪L6A/顯示本發明之實施形態3之薄膜積層體扇 的概略構成之截面圖·m — 戳曲圈，圖0B為顯不使用薄膜積層體3〇〇 的電容器的概略構成之截面圖。 如圖6Α所示般，本實施形態的薄膜積㈣3〇〇為自 下方起依序積層積層單m〇a、310b、3l〇c、31〇d、 所構成。各積層單位具有由下方起依序為第^介電層叫 、第1電極層312、第2介電層313、第2電極層二。由 各層的平面形狀丨由圓< 狀（由圖0A的紙面之上下方向來看時的形狀 ，任一者皆為大致矩形。 各層的平面形狀係以作成為既定的矩形之方式進行圖 26 200401708 ^而形成。而且，第1電極層312與第2電極層314传 :才料所構成’第丨電極層312係露出於薄膜積層體 〇的-方的側面’第2電極層314則露出於與其相對向 二—方的側面。又介電層川與第2介電層313 :=材料所構成，第i、第2電極層312、314,於自 潯《積層體300的側面往内側縮入的部分互相連接著。 第1電極層312及第2電極層314的積層面積（沿該層 :積層方向之投影面積)’係由下層往上層遞減。亦即，就 弟1電極層312來看，相較於屬於積層單位3i〇a之第^電 極層3U的面積，屬於積層於其上之積層單位3⑽之第】 ，極層312的積層面積較小，屬於積層於其更上方之積層 = 1〇C之第1電極層312的積層面積則更小。有關第； 電極層3 14亦同。 又’第1介電層311及第2介雷芦 致為怪定。 電層3"的積層面積大 由於猎由上述的構成，可確保第i介電層3"與第2 电層313的接觸區域的面積，故可提高層間之連接可靠 性，而可提供層間剝離與耐濕性良好的薄膜積層體。 如圖6B所不般’於薄膜積層體遍之露出著第1電 極们12㈣面處，以與第1電極層3】2作成電氣連接的 方式形成第1外部雪搞q 9 Λ 冤極320a，又，於露出著第2電極層 3H的側面處’以與第2電極層…作成電氣連接的方式 形成第2外部電極纖。其結果，可形成以第卜第二介 電層311、313作為介電層之電容器。 27 200401708 第1、第2電極層312、314，係由例如 所構成，其厚度為0.04//m的程声 站寺的金屬 又。又，第1、筮9人 層3 1 1、3 13，係由STQ、BTO等之锋时 電 <溽Μ、鋁氣化从 :物、鈦氧化物等所構成’其厚度為〇2 戶石夕氧 層單位的重複次數為例如100次。 #展。積 這樣的薄膜積層體300,可用鱼 圖“刚裝置之相同的裝置製造。=二中說明之 置210、22G、23G、24〇中之任 乂賴形成裳 言作為用以形点笛 2電極層312、314之電極層形成襄置，以其餘二第 為用以形成第1、第2介電層311、313 之一作 ’而停止其他的二者。α電極層形 成：形成裝置 薄膜，以介電層形成裝置例如在— 蒸鑛 =電子束蒸鍍（反應蒸鍍）。任一層，皆藉由使 = =予裝置施、·所先行賦予之圖案化材料的格= 圖水進打圖案化成多數的矩形。惟，於對第丨、 層312、314進行圖宰化之日卑，夕百乂击 電極 订間化之日…頁使上述微細孔271與圖 -化材料的被附著面的距離G隨著圓筒輥2〇 :增加而遞增。其結果’可在園筒輕201的外馬面= 夕？的如® 6A所示般之具有積層面積由下層往上層遞減 ^弟1、第2電極層312、314的大致為長方體形狀的薄膜 積層體300。 ' 第卜第2外部電極320a、遍，可藉由金 來形成。 又，於上述例子中，第丨介電層311及第2介電層 28 200401708 313的積層面積係作成為恆定者，惟，如實施形態1的薄 膜積層體⑽般地’亦可作成為由下層往上層積層面積逐 漸遞減之大致為四角錐梯形狀的薄 、…的積層數並無特別限制’以作成為3以上，而以1〇以 上為佳，尤以3〇以上為特佳，則可提供小型且高容量的 薄膜電池，是較佳者。 [實施例] (實施例1〜4，比較例1〜4) 於本實施例1中，用圖3所示之裝置來製造圖i所干 之薄膜積層體100。 ’、 於直徑500麵的圓筒狀的圓筒親2〇1的外周面上捲繞 厚度30# m的㈣鋼[在此不錄㈣的外表面事先 系脫模劑進行喷霧塗佈。於一邊使此圓㈣2()1以每〜 馳的圓周速度旋轉，於不錄鋼落上形成薄膜積層/1(Γ〇 0 各層係作成為：正極及負極的集電體層"i、"5為严 度〇心m的鎳薄膜，正極活性物質層ιΐ2為厚度^ :二 Li-Co-Ο薄膜，固體電解質層113為厚度一的Μ。 N薄膜，負極活性物質層114為厚度一心薄膜正 極及負極的集電體層⑴、115與正極活性物質層山 :由電子束蒸鍍法形成，固體電解質1 ιΐ3與負極活性物 質層114則經由電阻加熱蒸鍍法形成。 於各薄膜層的形成之前，須經由圖案化材料職予裝置 29 200401708 270a、2幾賦予油劑成袼子狀。作為油劑，係用氟系油劑 (商口口名 2卜林」（奥吉蒙特公司製))。將此油劑在密閉 之貝丁槽274内加熱，其蒸汽則自開口徑100/zm的微細孔 271放出。 以設置於圓筒輕201之旋轉控制編碍器（r〇tary encoder)檢測圓_ 2〇1的旋轉位置，依據此檢測之信號 來控制開閉器212、222、232、242的開閉及微細孔Π 與圖案化材料的被附著面的距離G，依序形成所要的圖案 之薄膜:圖案化材料賦予裝置27Qa、2鳩的移動方向係作 士為與圓筒輥201的旋轉軸方向平行，其移動速度係作成 為與圓筒車昆2〇1的圓周速度為大致相同。以兩個圖案化材 枓賦予裝置270a、270b所形成的油劑的條帶狀的賦予軌跡 互相大致為正交’而可形成格子狀的圖案。此時，須依於 =的薄膜之種類而變更…。並使用以形成同一種類 士 的距離G ’隨著該薄膜的積層次數之增加而擴 南使油，之條帶的寬度漸次增加。用以形成同一種類的 θ之條f寬度之i次的增加量(其係與矩形狀的薄膜的一 田長度的減J s 一致。以下’稱此為「油劑遮 置」）係作成為20^m。 旯 精由上述的作法’以最下層的一邊為2〇酿，使多數 圓=有I:個積層單位的電池用薄膜積層體1〇°形成在 :从@不錢鋼羯上。使多數個具有大致為四角錐梯 :缚膜積層體1〇〇以互相正交的方向排列。 Ί將上述不銹鋼箔自圓筒輥201取下，經由緩緩 200401708 地4將不錄鋼箱彎曲，可將實施例1的薄膜積層體1 00自不 銹鋼箔分離開來。 藉由上述作法得到實施例1的薄膜積層體100。 於實施例2〜4中，係在上述實施例1的薄膜積層體的 側面形成保護層。 使用形成有多數個條帶狀開口（其間距係對應於排列在 不錄鋼vi上形成之多數個之與實施例1相同的排列於不銹 鋼消上形成之多數個之薄膜積層體的排列間距者）之遮罩， 一邊將薄膜積層體的上面遮蔽之下，只在側面的傾斜面形 成保5蔓層。最初，藉由使條帶狀的開口與薄膜積層體的排 列方向的一方一致而配置，在薄膜積層體的對向之一對的 側面上形成保護層’然後，使遮罩旋轉90度，在薄膜積 層體的另外的一對的側面上形成保護層。 作為保護層’於實施例2係在真空中成膜作成厚度2 V m的丙烯酸酯樹脂的蒸鍍層，於實施例3係在真空中成 膜作成厚度0·3 /z m的鋁的蒸鍍層，於實施例4係在真空 中成膜作成厚度的SiQ的錢艘層。 貝施例2中之丙稀酸醋樹脂的蒸錢層，係使丙稀酸單 體在170°C下使其加熱蒸發而附著於薄膜積層體1〇〇的側 面之後，以3kV的電子線照射使其硬化而形成。 貝施例3之铭的蒸鐘層，係藉由一邊以1 〇kV的電子 束使铭加熱蒸發，一邊將20〇sccm的氧氣導入該蒸汽中之 反應蒸鍍法而形成。 貫施例4之SiO的濺鐘層，係對si〇的輕材，進行 31 200401708 了防止成膜内的 13.56MHZ的高頻濺鍍而形成。此時，為 氧的短缺而導入50sccm的氧氣。 於保護層形成後，以與實施例1 冋樣的作法，使實施 例2〜4的薄膜積層體自不銹鋼箔分離開來。 如此，得到實施例2〜4的附有保,風 ^ L 3 1示邊層的薄膜積層體。 於上述中，除了將油劑遮蔽寬度變 ιν . 尺里作成為0 // m 以外，以與實施例丨〜4同樣的作法， — 刀別侍到比較例1〜4 的缚膜積層體。比較例i的薄膜積層冑，如圖7所示般大 致為長方體形狀。 又 對上述實施例卜4及比較例的薄膜積層體進行「 振動試驗」。「振動試驗」的内容如下： 3將任意選擇的1GG個薄膜積層體置人内容積為〇〇〇ι m3的密閉立方體容㈣’對該容器’於水平面内，施予 9〇秒鐘之振動數60Hz、振幅30mm的正弦波振動。然後 ’將薄膜積層豸1〇〇自容器取出’求出薄膜積層體1〇〇的 正極與負極間發生短路的比例（短路不良率）。 將實施例1〜4、比較例丨〜4的振動試驗的結果彙整於 表1。 保護層 短路不良率(％) 實施例1 (無） 4 實施例2 丙烯酸酯樹脂 1 +實施例3 鋁 2 實施例4 ~Si〇 ’ 2 比較例1 (無） 10 比較例2 丙婦酸醋樹脂 ' 4 比較例3 鋁 7 比較例4 ~sio 6 ~~~ 32 200401708 (及比較例1與比較 ’短路不良率得以改 由實施例1與實施例2〜4之比較 例2〜4之比較可知：藉由形成保護層 善0 未形成保護層的實施例丨的短路不良率，得以改盖為 與形成有保護層之比較例2〜4之同等或以上。 並且，若於實施例1的薄膜積層體形成保護層，則短 路不良率得到更進一步的改善。 、

又，上述的實施例1〜4、比較例卜4的薄膜積層體， 係自广秀鋼箱所剝離而得到者，，准，將得自不錄鋼箱切斷 :得之下層附著有不銹鋼箔的狀態下的薄膜積層體，使其 等同2地進行振動試驗。其結果，短路不良率的數值雖^ 同疋性上係顯示與表1同樣的結果，得以確認。 (實施例5〜8) μ與上述實施例1同樣的作法’在圓筒輥2(H上的不錄 鋼箱上形成多數個薄膜積層冑然後，在薄膜積層體 ⑽的上面黏貼聚醯亞胺膠帶作為遮蔽物，在側

護層。 …作為保護層，於實施例6中係以與實施例2同樣的作 法形成厚度的丙烯酸酯樹脂的蒸鍍層。於實施例7 :係形成由與實施例6同樣的丙烯酸酯樹脂的蒸鍍層， 與於其上再形成與實施例3同樣的厚度〇.3//m的鋁的篡 1所成之複合層。於實施例8 + ’係反覆進行1〇次之 、 ]7中所形成之丙炸酸S旨樹脂與紹所構成的複合層 33 200401708 於保護層形成後，將遮蔽用的聚醯亞胺膠帶剝離。藉 字不、秀鋼4切斷’使於下面附著有不銹鋼箔的薄膜積居 體分離開來。 、9 又，作為實施合Η，除了未形成任何的保護層以外， 係^與實施例6〜8同樣的作法得到於下面附著有不錄鋼簿 的薄膜積層體。 用上述實施例5〜8的薄膜積層體的上面，與和其對向 的附者有不錢鋼落之下^^八 — a 面刀別作成電極作成充電電池，進 行可罪性（耐濕性）評價續；給 T 土 /上 、β ” J 了罪性（耐濕性）評價試驗 係如下述。將充電電池奋 四 电充電充飽後，在60〇C、90o/oRH的 壞境氣氛下，測定jt放f〗 — 八双置1 68小時後的容量保持率。 :—例5 8的可菲性評價試驗的結果囊整如。

如表2所示般，容量 表2 —-——^_ 順序上昇。亦即，可得知純貫補5、6、7、8的 ^ t ^ ^ ΛΑ ^ ^ ^水性係依此順序提高，作為 兄兒电W 5罪性得以提高。 將用以構成保護層之薄膜 其理由可作下4 2方面考量、。1成愈多層其而4濕性愈高， 免地發生之針孔等的物理缺陷:、：由：薄㈣成時不可避 會相互錯開而成為不連續，：八成為夕層’其位置 ’殘存於薄膜的應力，I二不易透過之故。其二 ，、上再形成薄膜時的加熱可 34 200401708 被緩和，而使起因於應力之龜裂與層剝離等之機械性缺陷 不易發生之故。 又，於上述實施例6〜8中，作為保護層之丙烯酸酯樹 脂用環氧樹脂取代，同樣地作成充電電池，進行可靠性評 價試驗，得到同樣的結果。 又’亦可用_、銅、鈦、鈕、鈷、金、銀、鉑等的金 屬薄膜來代替用以構成上述的保護層之紹的蒸鍍膜。

又，作為保護層’亦可不使用丙烯酸酯樹脂等之樹脂 膜，而使用金屬或半金屬的氧化物薄膜。 再者’亦可只用由金屬或半金屬的氧化物或氮化物所 構成的絕緣膜來構成保護層。 以上所說明之任一實施 明的技術内容解說明白，並 具體例，在本發明的精神與 當然可進行各種變更而實施 形1、，其用思僅是用來將本發 不表示本發明係僅限定於此等 申請專利範圍所記载的範圍内 ，而應對本發明作廣義的解釋 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 明之實施形態1之薄膜積層體的概略 圖1為顯示本發 構成之截面圖。 圖2為顯示在圖】 μ S 1的缚膜積層體的側面开彡Λ 例子之截面圖。 ^成保護層的 圖3為顯示圖1 # 的缚膜積層體之製造桊詈沾 衣w展置的一例之概 35 /Uo 略構成之-例的截面圖。 圖4A及圖4R炎％ - 化材料職予#〜τ圖3的製造m所使用之圖案 見的前視圖：H :概略構成之圖’ ® 4A為自圓筒輥側和 圖5為/由圖4A的他4B線的截面圖。 周面上心9對的圖案化材料賦予裝置在圓筒輥的外 /之圖案化材料的條狀圖案的_例之展開圖。 略構1' 、為’員不本發明之實施形態3之薄膜積層體的糊

^ '之戴面圖；圖6Β為顯示用圖0Α之薄膜積層體的電 谷盗之概略構成之截面圖。

_圖7為顯示於進行作成本發明之檢討之使用薄膜積層 體的充電電池之一例的截面圖。 (二 )元件代表符號 100 薄 膜 積層體 110a 、110b 、110c 積 層 單位 111、 111a、 111b、 111c 正 極 集電體 層 112、 112a、 112b、 112c 正 極 活性物 質層 113、 113a、 113b、 113c 固 體 電解質 層 114、 114a、 114b、 114c 負 極 活性物 質層 115、 115a、 115b、 115c 負 極 集電體 層 120 保 護 層 201 圓 筒輥 205 圖 案 化材料除去裝置 209 間 隔 壁 210 集 電 體層形 成裝置 36 200401708 220 230 240 212 、 222 、 232 、 242 270a 、 270b 271 272 273 274 275 277 278a 、 278b 300 310a 、 310b 、 310c 、 310d 311 312 313 314 320a 320b 正極活性物質層形成裝置 固體電解質層形成裝置 負極活性物質層形成裝置 開閉器 圖案化材料賦予裝置 微細孔 對向面 空腔 貯槽 連通管路 圖案化材料 圖案化材料的條帶圖案 薄膜積層體 積層單位 第1介電層 第1電極層 第2介電層 第2電極層 第1外部電極 第2外部電極

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Claims (1)

1. 200401708 拾、申請專利範圍·· 1 ·一種薄膜積層體，係將至少由第丨薄膜層與第2薄 膜層所構成之積層單位反覆進行至少2次以上積層而構成 者；其特徵在於： 該第！薄膜層及第2薄膜層中之至少—方的積層面積 係由下層往上層遞減。 2.如申請專利範圍帛丨項之薄膜積㈣，其沿著積層 方向之截面形狀為大致梯形。

   3 ·如申4專利範圍第丨項之薄膜積層體，其中，該各 積層單位之第i薄膜層彼此及/或第2薄膜層彼此係互相形 成電氣連接。 4·如申請專利範圍第1 積層單位的第1薄膜層及第 引出電極，係形成在積層方 部分。 項之薄膜積層體，其中，與各 2薄膜層分別形成電氣連接之 向的兩端面除外的面之至少一 =申請專利細丨項之薄膜積層體，其在積層方 向之兩知面除外的面之至少_部分具備保護層。 ”二！！：專！細1項之薄膜積層體，其中，該第 h官久弟2溥膜層的平面形狀皆為大致矩形。 7·一種薄膜電;也，係將至少由集電體層、正極 貝層、固體電解質層與負極 反覆進行至少2次以上㈣而心Λ層所構成的積層早位 該集電體層、正極活;生物質成/;其特徵在於: 活性物質層中之至少一者；二：電解質層及負極 償層面積為由下層往上層遞減 38 200401708 ^種電容器，係將至少由介電層與電極層所構成之 積層單位反覆進行至少2次以上# > 於： 人以上積層而構成者；其特徵在 該介電層及電極層中之至少一 往上層遞減。 方的積層面積係由下層 9. 一種薄膜積層體之製造方法，其特徵在於，係以第 =膜層（圖案化成既定形狀）之積層步驟、與第 圖案化成既定形狀)之積層步 、曰( 田,F 早位，藉由在Φ胜躲 上反覆進行該步驟單位來製 支持體 , 干议木Ixe潯Μ積層體，該薄膜 係將至少由第1薄膜> i Μ 曰- 寻胰潛與# 2 _膜層所構 覆進行至少2次以上積層而構成者； ㈣早位反 且使該第1薄膜層及第2薄膜 面積隨著積層次數之增加而遞減。9 > -方的積層 10. 如申請專利範圍第9項之_ 其中，在分別進行兮篦〗1g & 曰版又Ik方法， 、、/延仃以1潯膜層材料及第2薄膜 沈積前，係在既定區域i _ 、θ 及第2薄膜層圖宰化成=劑，藉此使㈣1薄膜層 θ 口系化成為既定形狀。 11·如申請專利範圍第1〇 ，豆中，於今第]一 、之潯膜積層體之製造方法 ” Τ d弟1溥膜層材 積及於該該第2薄❹積㈣衫之油劑的面 之中的至少-方二料之沈積前所賦予之油劑的面積 糸1^者積層次數之增加而遞增。 •如申明專利範圍第1〇 ’其中，該油劑之賦予，俜用…版積層體之製造方法 係用具備有與該支持體呈對向排 39 200401708 列的微細孔之至少一對的噴嘴來進行· 並在使該支持體朝單方向移動的狀態，將各喷嘴以與 支持體的移動方向呈大致正交的方向進行往復移動，藉 使各喷嘴之微細孔在支持體上所描繪出之軌跡形成互：交 叉0 13·如中請專利範圍帛12項之薄膜積層體之製造方法 二中，使該油劑的被附著面與該微細孔的 居 次數之增加而遞增，以對該第！薄膜層及第2薄膜芦= 至少一方進行圖案化用的油劑之賦予。 、曰 广種薄臈積層體之製造裝置，其特徵在於，係具備 可旋轉之支持體， 面向該支持體之用以在該主二上 層材料的第！薄膜層形成裝置持體的表面沈積第1薄膜 2以持體之心在該支持體的表面 層材枓的第2薄膜層形成裝置，以及 屬膑 面向該支持體之用以將第丨 化成既定形狀的圖案化裝置；^層及弟2缚臈層圖案 少置，係進行第1薄膜層及第2薄膜層中至 -方之』S’而使該第1薄膜層及第2薄膜層中至少 申广隨㈣支持體的旋轉數之增加而遞減。 ，其中，該圖Ί利Γ圍第14項之薄膜積層體之製造裝置 q 57案化裝置係油劑賦予裝置，J: 4 j 4 β 旋轉方向上係配置成m Ρ 其在该支持體的 成比W 1溥膜層形成裝置及第2薄膜 ZUU^tUI /uo 層形成裝置為上游。 16·如申請專利範圍第15 ，其中，哕油卞丨U 貝之缚膜積層體之製造裝置 4油劑賦予裝置， 嘴一對以上， 尔八有微細孔所排列而成的喷 嘴之料έ ?丨i : κ成對的喷嘴分別移動，以使成對的各喷 細孔在該支持體上所描繪的軌跡呈互相交叉。 申1專利範圍第16項之薄膜積層體之製造裝置 "中4 了對該第1薄膜層及第2薄膜層中的至少-方 進行圖案化而職予油劑時，胃油刻的被附著面與該微細孔 的間隔係與該支持體的熒轉數同一增。

   拾壹、圖式： 如次頁

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