TW200304229A - Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor - Google Patents

Description

200304229 玖、發明說明： 【發明所屬^技術領域】 本I明係有關於液晶顯示器及其薄膜電晶體陣列面板。 【先前技術】 典型的液晶顯示器（LCD)包含一供置有一共用電極及一 办色濾光片陣列之上部面板、一供置有複數個薄膜電晶體 (TFTs)及複數個電極之底部面板，以及一介置於彼等其間 的液晶層。像素電極及該共用電極會被提供以電壓，而其 間=电會產生電場。電場變異十生會改變該液晶層内之 液晶分子的指肖’從而改變通過該液晶層的透光性。因此 ’藉由調整像素電極與共用電極之間的電壓差，該[CD即 可顯示出所欲影像像。 於LCD具有一項視角狹窄的主要缺) 、， _ 1 ‘文狀點，現匕發展出j 項技術以增加視角。在這此枯 …冬 月隹4二技術中，以在像素電極及相| 於。者之共用電極上提供切截 ^ ^ ^ ^ ^ — 次奴射，併連同按該等面本 俾垂直對背液晶分子最具發展性。 - 予可藉產生邊紋場域以㈣液晶分子的傾斜方向，在们 .極及共用電極兩者上提供切截而獲寬廣視角。 在像素電極及共用電極兩者 ^ - a . , 考上耠供投射會扭曲電場以朝 正履日日刀子的傾斜方向。 在此，也可ϋ由在底部面板 以及在上部面板上之 之像素-極處供置切截 ffl ，、用电極上供置投射的方式，來緙 域。 、斜方向俾構成複數個局域的邊紋 84179 200304229 在這些用以-擴大視負 优月的技術令，供置切截 題，意即會需1.額外的 戰曰屋生—些問 ，會要請求加以覆芸值陡L η 〃用包極 、 ^ 復皿俾防止ϋ彩色濾光片内之 的液晶材料污染，以及因靠近 ^ 向錯（d1SCilnat1〇n)等問題。 J獻里 仏置杈射也會產生問題， 製造方法會為繁瑣，因為 '- _ P Ά €要求領外的投射構成處理步 驟’或疋處理步驟的修飾作業。此外，會因投涉及切截而 降低了孔徑比例。 仅"及切截而 【發明内容】. 兹提供一種薄膜電晶體陣列面板，其中包含：一絶緣基 ，；複數條控制線，彼等係供置於該基板上並含有第一2 第二控制線；複數條資料線，彼等係供置於該基板上並含 有第-及第二資料線；一像素電極，經供置於該基板上並 具有一切截，一場域控制電極’經供置於該基板上並重疊 於該切截；一第-切換元件，以回應於-來自該第—控2 線之第一控制信號，從該第—資料線施加-第-信號給該 像素電極；以及-第二切換元件，用以控制一待施加於該 場域控制電極的第二信號。 最好’ β等第-及第二切換元件會是在不同時刻為作用 中’而該第-切換元件在該第二切換元件之後方為作用中 為宜。而以在啟動該第-切換元件後，隨即令該第一切換 元件為作用中可屬更佳。 可從各資料線其一供應該第二信號，且該第二切換元件 會回應於來自該第二控制線的第二控制信號，將該第二信 84179 200304229 號施加於該場域控制電極。 或從鄰近於該第一資料 該第二信號广是從該第一資料線 線之第二資料線其一所提供。 該場域控制電極最好是重疊於該像素電極。 該場域控制電極，以及該等控制線或該等資料線其 會含有大致相同的薄層。 該薄膜電蟲體陣列進—步包含—絕緣層，介置於該場域 控制電極與該像素電極間，且具有—與該切戴重疊的渠槽。 最好，該薄膜電晶體陣列面板進一步包含—位於該資料 線之下的半導體層為佳。 么么徒供一種根據本發 一 一六〜q、饮晶顯示器，此 '包含：：第一面板’含有複數條控制線，此第-面板包 含第一及第二控制線；複數條資料線，其中包含第一及第 二資料線；一像素電極，此者呈有一 /、頁 切截，一場域控制電 極，與該切截相重疊；一第一切換 卜 秧兀件，電子連接於該第 一控制線、第一資料線及該像素電彳 承包桠，以及一絕緣層，介 置於該場域控制電極與該像素電極 面板並含有一共用電極；以及 第二面板間。 J且具有一與該切截 重疊的渠槽；-第二面板’此第二面板相對置放於該第— 液晶層，介置於該第一 根據本發明之一具體實施例， 而

Vdce<Vpx 1 + 對於負Vp，其中v £d' '— — ε'd 對於正vp， DCE為場域控制電極相對 84179 ZUUJU4229 於该共用電極M + Λ 電壓，P為像素電極相對於該共用電極的 d，分別為二 晶層的介電係數及厚度，而ε，及 為°Λ纟巴緣層的介電係數及厚度。 根據本發明> M a _ ^ — CLC 、Sd ’

LC 之另一具體貫施例〜β，其中。 為该像素電極與該共用電極間 與該場域控制電極間的電容，……⑽為该像素電極 係數及厚户 刀別為该液晶層的介電 制:液晶顧示..器最好是進-步包含-第二切換元件二 制待予施於該場域控制電極的信號。 取好’肖等第一及第二切換元件會是在不 I而該第-切換元件在該第二切換元件之後方為作用中 為：：而以在啟動該第一切換元件後，隨即令該第一切換 兀件為作用中可屬更佳。 車:仏方式為’該第二切換元件係連接到該第二控制線” 各資料線之一及該場域控制電極。 較佳方式為，對該像素電極及該場域控制電極供應以具 有相對於供以進行第二切換元件及第―切換元件啟動作業 序列之共用電極電壓為目同極性的電極。 兹提供一種根據本發明另一具體實施例之液晶顯示器， 此者包含：一第一面板，含有複數條控制線，此第一面板 包含第一及第二控制線；複數條資料線，其中包含第一及 第二資料線；一像素電極，此者具有一切截；一場域控制 電極，與該切截相重疊；一第一切換元件，以回應於一來 84179 -9 - 200304229 自該第一控制線之第一控制信號，從該第一資料線施加一 第一信號給該^像素電極；及一第二切換元件，用以控制一 待施加於該場域控制電極的第二信號；一第二面板，此第 一面板相對置放於該第一面板並含有一共用電極；以及一 液晶層，介置於該第一及第二面板間，其中，在一序列的 第切換元件及第二切換元件啟動作業裡，該第二切換元 件會在該第一切換元件之前為作用中，而該第一及第二信 號會具有相對於該啟動作業序列之共用電極的電壓為相同 極性。 最好，在啟動該第一切換元件後，隨即令該第一切換元 件為作用中更佳。 【實施方式】 現將苓照於各隨附圖式以詳細說明本發明，其中各圖繪 列有本發明較佳具體實施例。然確可按不同形式以實作本 發明，^不應㈣為受限於本文所設載之各具體實施例。 在各圖式裡，為便說明確將各薄層厚度及範圍略予誇大 。全文内相仿編號參指於類似元件。在此，當指稱一元件 像疋薄層、範圍或基板，係位於另一元件之”上”時， 應瞭解可直接地位於另—元件上，或者是出現有其他的間 置7^件。相對地，當指稱一元件係，，直接地位於另一元件之 上日^，則不會出現有其他的間置元件。 現將參照後附圖式 LCDs 〇 以詳細說明根據本發明具體實施例之 圖1A及1B係根據本發明具體實 加例之L C D平面略圖 而 84179 -10- 200304229 圖2係一根據本發明一具體實施例之lcd截面略圖。 一根據本發1月具體實施例之LCD含有一底部面板1〇〇、一 面朝該底部面板100之上部面板200，以及一液晶層3，此層 係介置於該底部面板1 00與該上部面板2〇〇間，並含有複數 個按垂直於該面板1 〇 〇及2 0 0表面所對齊之液晶分子。 在該底部面板1 〇〇的底部絕緣基板1 1 〇上供置有複數個閘 器線1 2 1及複數個資料線1 7 1。該等閘器線1 2 1及資料線1 7 1 係經一絕緣器1 40而彼此絕緣且相互交叉。而該等閘器線 1 2 1及資料線丨7 1彼等各一之組對可定義一像素。 於該底部絕緣基板11 〇上，供置有一經絕緣器1 8 〇而彼此 絕緣之像素電極（PE) 190及方向控制電極（DCE) 178組對。 該DCE 1 78包含大致與該資料線1 7丨相同的薄層，然此者亦 可含有大致與該閘器線1 2 1相同的薄層。該pe 1 90具有一切 截191，這會與該DCE 178重疊。該PE 190透過一 PE TFT T! 連接到一閘器線1 2 1及資料線1 7 1組對，而DCE 1 78則是透過 一 DCE TFT T2連接到另一閘器線ι21及資料線171組對。連 接到該DCE TFT 丁2的閘器線121會在連接到該pe TFT Ti的 閘态線12 1之前’即如圖1 a所示。或另者，將一對pe TFT T! 及DCE TFT 丁2連接到相同的資料線17ι，即如圖1B所示。 該PE TFT L會回應於一來自該閘器線121的電壓，將電壓 從相關資料線1 7 1傳送到該pe 1 90，而該DCE TFT 丁2會回應 於一來自前一閘器線的電壓，將電壓從相關資料線1 7丨傳送 到該 DCE 178。 一儲存電極133亦供置於該底部基板11〇上，並含有大致 84179 -11 - 200304229 與閘器線121相同的薄層。該儲存電極133係經該絕緣器i4〇 及180而與該獨器線121、資料線171、像素電極及該 1 7 8相互絕緣，並和該像素電極19〇相重疊。 置於該上部面板200的上部絕緣基板2丨〇上供置有一共用 私極270，並供應以一共用電壓Vc〇m，此電壓也會提供給 該儲存電極1 3 3。 圖2所示之液晶顯示器各種導體可構成複數個電容器 。該像素電極190及該共用電極27〇可構成一液晶電容器〔a ，而該儲存電.極丨33及該像素電極19〇可構成一液晶電容器 Cst，以強化該液晶電容器Clc的電荷儲存容量。該方向控 制電極178連同該像素電極19()構成—⑽電容器，連 同該共用電極270構成-電容器Cld，而連同該儲存電極133 構成一電容器cDC}。 該像素電極190及該共用電極270在介置其間的液晶層3 内產生一電場。該液晶層3内的液晶分子按照此電場而改變 其指向以更改穿經該LCD的透光性。該電場在靠近該切截 處"曲以構成—邊紋場域，而這可決定當施加該電場 時各液晶分子的傾斜方向。該DCEU8及該像素電極19〇也 會產生一電場以控制液晶分子的斜傾方向。 現將參照圖3A到3C以詳細說明如圖心⑺们所示之 ⑽運作内容’圖中分別地按箭頭與虛線以顯示電場及等 電位線二者。即如前述，液晶分子會垂直地對齊於該面板 1〇〇及200，並傾向於與該電場為正交對齊。 在各圖中’ Vp係一跨於該液晶電容器&的電塵，亦即施 84179 -12 - 200304229 加於該像素電極190的電壓減去該共用電極Vc〇m，而Vdc£ 為施加於該ME 178的電壓減去該共用電極v—。為便說 明，茲假定該共用電極270係經接地，亦即Vc〇m=〇。然後 ，Vp會被視為是施加於該像素電極19〇的電壓，而會被 視為是施加於該DCE 178的電壓。此外，該液晶層3的介電 係數及厚度係分別標如ε及4，而該絕緣層18〇的介電係數 及厚度係分別標如ε ’及d，。此外，施加於該像素電極丨9〇 的電壓Vp會具有一正值。 即如圖3A所示，當無DCE時，在該液晶層3内靠近該柯 190之邊緣192和193以及靠近該切截191處的電場，會因該 PE 1 90和5亥切截1 9 1之邊緣的幾何性而被扭曲。詳細地說， 靠近該PE 190之邊緣^2*^3以及靠近該切截191處的電 場，會從該PE 190向外朝向該共用電極27〇。考量到在該pE 190左邊緣192與該切截191左邊緣191間之範圍内的PE 19〇 液晶分子，此處稱為一範域。靠近該切截i 9丨左邊緣與該pE 190邊緣192的液晶分子會互為相對傾斜，而該範域内的液 曰曰分子傾斜方向’則是會從該切截1 9丨左邊緣到該左邊緣 192而改變。同樣地，該切截ι91右邊緣與該pE ι9〇右邊緣 193之間的範域内液晶分子傾斜方向，會從該切截^右邊 緣到該PE 190右邊緣193而逐漸改變。 於该DCE 178的電壓VDCE高於施於該pe 190的電壓 VP—預設值時，該液晶層3内靠近該切截191邊緣處的電場 屬直線方式’且垂直於該面板1〇〇及2〇〇，即如圖3b所示。 對於具負值的電壓VP，該DCE電壓VDCE會比該像素電壓v 84179 -13 - 200304229 低該預設值〜。_ 當施於該ME 178的電壓VDCE比起施於該PE 190的電壓 VP高出大於上述預設值之數值時，液晶層3内靠近該pE 19〇 各邊緣1 92或1 93及該切截1 9 1之對應邊緣處的電場，會是類 似於如圖3c所示者。詳細地說，靠近左邊緣1Q2及靠近該切 截1 9 1之左邊緣的電場，會從該pE } 9〇向左朝於該共用電極 270。類似地，靠近右邊緣193及靠近該切截191之右邊緣的 電場，會從該PE 190向右朝於該共用電極27〇。從而，靠近 該切截19!邊緣以及該PE 19〇對應邊緣192或193的液晶分 子會大致朝向相同方向傾#，而纟各範立或内的液晶分子傾 斜方向會屬均勻。對於具負值的電壓VP，該DCE電壓VdC£ 應該比該像素電壓％低一個高於該預設值的數值。 根據本發明之一具體實施例，當 \ Ο (Λ 晶層3内靠近該切截191的電場會屬直線方式，且垂直於言 面板⑽m即如圖3B^。當對於正像素電 1 + “，以及當對於負像素電壓Vp

^ DCE X 1 + sd 1 Vd 可獲範域内的液晶分子均 3勺傾斜方向，即如圖3C所示 不過’讓對於正像素電壓V—，La <匕xfl + D εά sd' ε'ά 而對於負 素電壓Vi _ 的電壓VnCE，會給定如圖3八内 不的類似條件，而彳古甘 ^ °、’不f產獲液晶分子均勻傾斜方尚 在此係藉假設該共用電 、、口 荷源而獲得上述結論。 為表面 84179 -14- 200304229 該像素電極VP及該DCE電7 ^ 包& VDCE可如下式給定：

^ P = ^ LC Xd ~ X J (1) (2) ε ;以及 V DCE 斗 p + Epxd’=Vp + d， ε' σΑ 其中Elc係该液晶層3内的雷摄 ρ於 幻包％ ’ ΕΡ係该絕緣層1 8〇内的電場 ’ σ〇及σ分別為該共用電極 # — ' ^ 2/0與该像素電極190上的表面電 荷密度，而Α為該像素電極lQf) ^ 往1 90的面積或該共用電極270的相 對應面積。 兩二液日日層3内的私％扭曲係因該像素電極丨9〇的額外表面 菏斤k成從而，畜在该像素電極190上並無淨表面電荷 時即可防止電場扭曲。亦即，該像素電極刚的表面電荷密 度σ等於σ 〇時。由於從等式（1)， d 故等式（2)

DCU + 亨d’H去Vp卜盖 (3) 因此，本案申請人得出結論，即施於該DCE i π的電壓 VDCE S冋於鈀於该像素電極丨9〇的正電壓一預定值，以 獲得液晶分子均句傾斜方向。相反地，施於該DCE 178的電 壓vDCE會低於施於該像素電極19〇的負電壓Vp一預定值。 此外，本案申請人亦已發現，如圖丨八及ib所示之内 ’當早先於PETFTW啟動DCETFTT2，且電壓ν〇⑶的極 性與DCE電壓Vp者相同時，電會大於dce電壓^， 後文中將參照圖4進一步說明。 圖4係如圖1 A及2所示之LCD電路略圖。在圖4裡，圖2 84179 -15- 200304229 内的電容器cLD及cDG會被忽略不計.，這是因為c⑶及c⑽的 電容極微’ JT共用電壓Vc〇m為零。 在施用閘器啟動電壓於一先前閘器線Gm之前，該PE TFT L及該DCE TFT 丁2會為關閉狀態。當施加閘器啟動電塵於 該先前閘器線Gm時，就會對於該DCE i 78施加一正資料電 壓。然後，該PE 190的電壓Vp會根據連接於該共用電極27〇 與該DCE i 78間之電容器Cdce、Clc& Cst間的電壓分布而改 變，而具有一低於該DCE 178之電壓Vdce的數值。之後， 將該DCETFT. T2關閉以令DCE 178浮動。該DCE 178浮動會 使得跨於該DCE電容器CDCE上的電壓為一常數。從而，無 論該PE 190的電壓如何變化，該浮動dce 178的電壓Vdce 將會總是大於該PE190的電壓Vp。例如，假使當像素TFTTi 啟動時該PE 19〇的電壓Vp增加，該DCE電壓Vdc^#會隨著 該PE電壓VP增加而提高，藉此維持跨於該DCE電容器Cdce 上的電壓。 類似地，熙淪该PE 190的電壓如何變化，該DCE 178的電 壓VDCE將會總是低於該PE 190的電壓Vp。 本案申請人亦已發現可按如下條件而獲穩定範域，即 或者 clc 〉ai 丨 2C DCt: + C 丨 c 6、1 d , (5) 在此，Vj-i為當啟動先剞閘器線時所待施予的資料電壓， 84179 -16- 200304229 亦即待施於該D C E 1 7 8的資料電壓。 假δ又相較於Tjdce及CLC，電容CLd與CDG，以及該等TFT T! 和I的各閘器與吸極間之寄生電容Cgd皆為可忽略時，即可 獲得此項結果。 該像素電極190的電壓Vp與該DCE 178的電壓Vdce可如 下式給定：

C gd

Clc +CLD + 2C (q；D4-Cgd)2 ^V〇n'V〇ff)-Vj/and ⑹

Cdce +Cm +Cgd

V〇cf e V + ——? LC ⑺ 在此，ν』為待施予該像素電極丨9〇的資料電壓。 藉以該等式7來代換該Vdc£，則為要獲得穩定範域 V〇CE >Vp ed' 1 +—— ν έά j 之 (正） εά * v e'd j 1 + (負）關係可變為

C

LC c

i.C ^^(vP+VH)<Vp+||Vp (負) (8) 從等式8的兩端減去vp，可得到 (正），或 (9)

2C-^-(W)<i^Vp (負)。 +l-lc id F 由於Vp&VM具有相同極性，因此不等式9會變成 84179 -17- 200304229 _C[ g ~ - ^d1 '或 (10) - .ά 1 6d丨 ^pr"- > · 2_dce_ + 2 ^'d C[x： 從而，可藉由調整電容Cdce/Clc比、介電係數£ / ε，比以 及距離d7d比，來獲得穩定範域。 其次’兹參照圖5 A及5 B以詳細說明一根據本發明具體實 施例之LCD。 圖5 A係一根據本發明具體實施例之Lcd佈置圖，而圖5B 係一如圖5A所示之LCD而沿直線該VB-VB’的截面圖。 一根據本發明具體實施例之LCD包含一底部面板1〇〇、一 面朝該底部面板1〇〇之上部面板2〇〇，以及一液晶層3，此層 係介置於該底部面板1〇〇與該上部面板200間，並含有複數 個按垂直於該面板100及200表面所對齊之液晶分子。 在该底部絕緣基板11 〇上構成有複數條閘器線丨2丨及複數 個儲存電極131。該等閘器線121大致按旅跨方向所延伸， 並大致互為平行，且各閘器線含有複數個延展組對，這些 可構成第一及第二閘器電極12乜及12仆。該等儲存電極m 大致平行於該等閘器線121所延伸’且各儲存電極i3i含有 枝幹/、複數個構成梯狀物之第一到第四分支⑴“ 33d集 組。該第Uma從該枝幹按橫向方向延伸，而第二分 支133b含有—連接到該枝幹的橫向局部及-連接到該橫向 局部末端的旅跨局部。該M — 口茨弟二及罘四分支133c及133d按旅 跨方向延伸，並連接該第一 ^ ^ 刀支133 a與該第二分支133b。 該等閘器線1 2 1及儲在兩扰】。彳人g 省存电極1 3 1 f攻好是由鋁、鉻或彼等 84179 -18- 200304229 合金、翻或組合金所製成。該等閘器線1 2丨及儲存電極1 3工 會最好是包含=一由具極佳物理及化學特徵之鉻或鉬合金所 組成的薄層，以及另一由具低電阻性之鋁或銀合金所組成 的薄層。此外，該等閘器線i 2 i的平側邊係經尖錐化，而該 等平側邊相對於水平表面傾角的範圍為3〇_8〇度。 在該閘器線121及該儲存電極m上構成一閘器絕緣層 140° 在該閘器絕緣層140上構成有複數個半導體條帶ι51及複 數個半$體隔島丨58，這些最好是由氫化非晶系矽質（s-Si) 所組成。各個半導體條帶丨5丨按橫向方向延伸，並位在屬於 該儲存電極131之鄰接分支集組133a-133d的第一分支133a 兵第一刀支133b間。各半導體條帶151包含複數個置放於靠 近。亥閘器黾極124a及124b的擴充物154，這些會構成TFT通 這。該等半導體隔島1 58位於靠近該第二分支13儿與該儲存 電極131的第三及第四分支133()和^以交又處。 在半$體條ητ丨5 1上，構成有複數個電阻接觸條帶1 $ 1集 組及複數個電阻接觸隔島l65a&165b組對，最好是由石夕化 物或IL化s - S i並重度掺以n型不純物所組成。在該等半導體 隔島158上亦構成有複數個電阻接觸隔島（未以圖示）。 半導體條帶及隔島1 5 1和1 58以及電阻接觸條帶與隔島 161、““及^”的側邊皆經尖錐化，且其傾角的範圍為 30-80 度。 在電阻接觸條帶16卜電阻接觸隔島165a&165b以及該閘 蒸絕緣層140上，構成有複數個資料線171集組及複數個第 84179 -19- 200304229 一及第二吸極_電極175a&175b組對。資料線171大致沿該等 半導體條帶151與電阻接觸條帶161而朝橫向方向延伸，並 乂叉於閘為線1 2 1及儲存電極13 1。各條資料線1 7 1包含複數 個構成第一及第二來源電極173&及173b，且延伸到該等半 導體條帶151之擴充物154上的擴充物組對集組。這些第一 及第二來源電極173a及173b會分別地相對於該等閘器電極 124a及124b，位於第一及第二吸極電極175&及17讣的相反 位置處。吸極電極175&及175b從該擴充物154延伸到該儲存 電極13 1的枝幹處。該等半導體條帶丨5丨的擴充物1 54完全覆 盍閘為線12 1及資料線丨7丨的交叉處，以確保彼等間的絕緣 性，且該等半導體條帶丨5丨在靠近資料線丨7丨和儲存電極工3工 的交叉處會變得較寬，以具有大於資料線寬度的寬度，藉 以確保彼等間的絕緣性，而同時大部分的半導體條帶1 5工 會比資料線1 7 1為窄。 在半導體隔島158上的閘器絕緣層14〇及電阻接觸隔島上 構成有複數個DCE 178。各個DCE 178包含複數個位於各個 由儲存電極131環繞之區域間的又形片段。這些χ形片段會 經互連l78a及17Sb，靠近該半導體隔島158而串列連接，且 這些X形片段的最上部分是連接到第二吸極電極175b。連接 口 X开y片·k的互連178a及178b會與該儲存電極131的分支 133c及133d、半導體隔島丨58及其上的電阻接觸隔島相互交 叉，以確保互連^心及^补與分支133c&133d之間的絕緣 貧料線17卜吸極電極175a及175b以及DCEs 178會最好是 84179 -20- 200304229 由鋁、鉻或彼專合金、鉬或鉬合金所製成。該等資料線17ι 、吸極電極l?5a及l75b以及DCEs 178會最好是包含一由具 極佳物理及化學特徵之鉻或鉬合金·所組成的薄層，以及另 由具低電阻性之鋁或銀合金所組成的薄層。此外，資料 線171、吸極電極17化及175b以及DCEs 178的平側邊係經尖 錐化，且平側邊相對於水平表面傾角的範圍為度。 笔阻接觸條帶及隔島1 61、1 6 5 a及1 6 5 b只有在半導體條帶 和隔島151和158以及資料線pi、吸極電極175&和175b與 DCEs 178間才.會被介置，藉此減少其間的接觸電阻性，且 會將部分的半導體條帶和隔島151和158從資料線171、吸極 電極175a和175b與DCEs 178曝出。 第一閘器電極124a、第一來源電極173&及第一吸極電極 175a，連同一部份位於該第一來源電極n3a與該第一吸極 電極175a之間的半導體條帶151，可構成一 TFT以控制一待 施於該像素電極190的電壓，而第二閘器電極12仆、第二來 源電極173b及第二吸極電極17讣，連同二部份位於該第二 來源電極173b與該第二吸極電極175b之間的半導體條帶 1 5 1，可構成一 τρτ以控制二待施於該j 78的電壓。 於資料線17卜吸極電極175&和175b&DCEs n8以及半導 體條帶和隔島151和158之曝出局部上構成有一被動層18〇 ’此者最好是由氮化矽或有機絕緣物所製成。 該被動層1 80供置有複數個曝出該第一吸極電極丨7“之 接觸孔洞183，和複數個曝出資料線171終端局部的接觸孔 洞182。閘器絕緣層140及被動層18〇供置有複數個曝出閘器 84179 -21 - 200304229 線121終端馬部的接觸孔洞181。在此供置接觸孔洞181及 1 82以電子連摟幹一外部裝置，並可具不同形狀，像是多邊 形或圓形。接觸孔洞181或182的面積會最好是大於等於〇.5 宅米χΐ5微米，且不大於2毫米X 60微米。 在该被動層180上供置有複數個像素電極190與複數個接 觸輔助物9 1及92。這些像素電極1 90與接觸輔助物91及92 會最好是由氧化銦辞（ΙΖΟ)或氧化銦錫（ΐτο)所製成。 各個像素電極19 0係透過接觸孔洞1 8 3連接到該第一吸極 Μ*極1 75a’並县有複數個X狀切截1 9 1與複數個線性切截1 % 。又狀切截191會與DCE 178的X狀局部相互重疊以曝出大部 分的DCE 178,而同時線性切截192是與儲存電極131的第三 及第四分支133c及133d相重疊。各個像素電極19〇會dce 178與相重疊，而此者係經由一 TFT，靠近切截191，而連 接到先韵閘器線12 1及一先前資料線1 7 1，以構成一 DCE電 容器CDCE，而像素電極19〇也會與儲存電極m相重疊以構 成一儲存電容器CST。 接觸輔助物9 1及92會透過接觸孔洞1 8丨及1 82而連接至閘 為線1 2 1及資料線1 7 1的曝出終端局部。該等接觸輔助物9 i 及92係屬選擇性質，但最好具之為宜，以分別地保護閘器 線1 2 1及資料線1 7 1的各曝出局部，並以補強TFT陣列面板 與對其之驅動ICs的黏著性。 在此’除供置有該等接觸輔助物9 1及92的區域外，會在 該上部面板1 00的整個表面上鍍置一對齊層丨工。 根據本發明另一具體實施例，供置有複數個金屬隔島（未 84179 -22- 200304229 以圖示），此'等最好是由與閘器線121或資料線171相同的全 屬所製成，且令_近於閘器線121及/或資料線ΐ7ι終端局部處 。攻些金屬隔島可透過複數個供置於被動層】8〇及/或閘器 絕緣層M0的接觸孔洞（未以圖示），而連到該等接觸辅助物 91 及 92。 根據本發明另一具體實施例，會略除該儲存電極13丨，而 該像素電極1'90會與閘器線121重疊以構成儲存電容器Cst。 根據本發明另一具體實施例，該DCE 17δ會含有與閘器線 1 2 1大致相同的薄層。 其次，將詳細說明上部面板2 1 〇。 於上部基板210上構成有一用以防阻光線溢漏的暗黑矩 陣220，以及複數個經交替排置之红、綠及藍光濾光鏡23〇 ’該基板最好是由像是玻璃之透明絕緣材料所製成。於該 暗黑矩陣220及該等濾光鏡230上構成一共用電極270，此者 取好是由像是ΙΤΟ或ΙΖΟ之透明導體材料所製成，而於該共 用電極270上鍍置一對齊層21。 该液晶層3具有負介電的各向異性及同向性對齊方式，在 此含納於該液晶層3内的複數個液晶分子會被對齊，使得彼 等主要軸線會大致垂直於底部及上部面板1〇〇及2〇〇而並無 電場。 對齊並組裝該底部面板1〇〇及該上部面板2〇〇的方式，係 為令該像素電極1 90可與彩色濾光鏡23 0及閘器線121相重 疊’而資料線171及TFT會被該暗黑矩陣220所覆蓋。按此 方式’可獲得複數個被切截191及192所分割的範域，而這 84179 -23- 200304229 是藉由DCEs~178所穩定化。 兹參照圖6含到9B以及圖5 A和5B，以描述一種如圖5 a根 據本發明一具體實施例所示之LCD的TFT陣列面板製程方 法。

圖6A、7A、8A及9八係一如圖5A及5B所示之LCD的TFT 陣列面板佈置圖，依序地說明其根據本發明一具體實施例 之製程方法，、而圖6B、7B、8B及9B則係一如圖6A、7A、 8 A及9A所示之TFT陣列面板截面圖，彼等係分別地沿直線 VIB-VIB，、VIIB_VIIB，、VIIIB_viiib，及 ΙχΒ_Ιχβ，所截切者。 首先，即如圖6A與6B所示，一金屬層經濺鍍於一基板1〇 上，並經光蝕刻以構成複數個閘器線13 i與複數個儲存電極 131 ° 接著，利用化學氣相沉積技術，依序地沉積出一具15〇〇_ 5〇〇〇埃（A)厚度的閘為絕緣層140、一具500-20〇〇埃厚度的 氫化a-Si層以及一具300-600埃厚度的摻質氫化^以層。在 沉積出三個薄層之後，利用一光阻樣式將上兩個薄層，亦 即該摻質a_Si層及該a-Si層，予以光影蝕刻，以構成出複數 個摻質a-Si條帶164和複數個半導體條帶及隔島151及158 ，即如圖7A及7B。在此步驟裡，也會於該等半導體隔島158 上構成出複數個摻質a- S i隔島（未以圖示）。 即如圖8A及8B所示，濺鍍出一具15〇〇_3〇〇〇埃厚度的金屬 層並予以光影蝕刻，俾構成複數個資料線171、複數個吸極 ^極175a與175b以及複數個DCEs 178。然後，將部分的摻 質a-Si條帶164移除，這些是不被資料線171及吸極電極 84179 -24- 200304229

” 1^75b所後盍者，以自此切隔出複數個電阻接觸條帶“I 及複數個電料觸隔島！65认i65b，並曝出資料線⑺與吸 極電極175a與175b之間的半導體條帶151局部。在此，也會 將該半導體隔島178上的摻質a_Si隔島局部移除，這些是不 被DCEs 178所覆蓋者。 」後藉由鍍置-具低介電常數與良好極化特徵之有機 絕緣材料’或藉由像是具小於等於4〇介電常數之si〇F或 Si〇C等的低介電絕緣材料㈣處理，構成出—被動層⑽ 。之後’利用一光阻樣式，將該被動層18〇及該閘器絕緣層 140予以光影蝕刻，構成出複數個接觸孔洞“I、和丨83 ，即如圖9A及9B所示。 即如圖6A及6B所示，沉積出一具1500-500埃厚度之IT0 或ΙΖ0層ϋ利用一光阻樣式予以光影蝕刻，構成出複數個 像素電極190及複數個接觸輔助物91及92，且最終將一對齊 層U鍍置於該基板11()上。 現蒼妝圖1 οΑ及1 0Β以詳細說明一根據本發明另一具體 實施例之LCD的丁F丁陣列面板。 圖1 0A係一根據本發明另一具體實施例之tf丁陣列面板 佈置圖，而圖10B係一如圖1〇A所示之TFT陣列面板沿直線 XB-XB’的截面圖。 會在一絕緣基板11〇上構成複數個閘器線121及複數個儲 存電極131。各條閑器線包含複數個擴充物組對，可構成第 及第一閘态電極124a及124b。各儲存電極13 1包含一枝幹 與複數個構成梯狀物之第一到第四分支133a_133d集組。該 84179 -25- 200304229 第一分支133-a包含一連接到該枝幹的橫向局部，以及一連 接到該橫向居部末端的旅跨局部，第二分支13讣從該枝幹 按橫向方向延伸。而該第三及第四分支133(：及133(1按旅跨 方向延伸，並連接該第一分支133a與該第二分支133b。 在5亥閘裔線12 1及该儲存電極丨3丨上構成一閘器絕緣層 140 ° 在該閘器絕緣層140上構成有複數個半導體條帶} 5丨及複 數個半導體隔島158，這些最好是田氫化非晶系矽質（^81) 所組成。各半導體條帶1 5 1包含複數個三個分支丨54a、丨5朴 及158集組。各集組内的分支154&和15仆係置放於靠近個別 的該閘器電極124a及124b以構成TFT通道，而該分支158連 接到分支154b，並含有三個X型局部。該分支i58的各個χ 型局部位於一由儲存電極13丨所劃限之區域内，並且該分支 158的互連是位於靠近該第二分支133]3與該儲存電極13ι的 第三及第四分支133c和133d交叉處。 在半導體條帶1 5 1上，構成有複數個電阻接觸條帶1 6丨集 組及複數個電阻接觸隔島165a及165b組對，最好是由矽化 物或氫化a-Si並重度摻以n型不純物所組成。該電阻接觸隔 島1 65a位於靠近半導體條帶1 5丨的分支丨54a，而該電阻接觸 隔島165b位於半導體條帶ι51的分支15朴及158上。位於半 導體條帶151分支158上的電阻接觸隔島165b局部是由編號 1 6 8所表示。 在該電阻接觸條帶161以及電阻接觸隔島165a和165b上 ’構成有複數個資料線丨7 1集組、複數個第一及第二吸極電 84179 -26- 200304229 極1 75a與1 75b組對以及複數個連接到該第二吸極電極丨了％ 之DCE 1 78。各條資料線1 7 1包含複數個構成第一及第二來 源電極1 73a及1 73b，且延伸到該等半導體條帶【5丨之擴充物 1 5 4上的擴充物組對集組。 資料線171具有大致與電阻接觸條帶161相同的平面形狀 ，第一吸極電極175a具有大致與電阻接觸隔島165a相同的 平面形狀，而第二吸極電極175b&DCE 178具有大致與電阻 接觸隔島165b及168相同的平面形狀。而除位於資料線i7i 與吸極電極175a及175b間之通道部分以外，該半導體條帶 151具有大致資料線17卜吸極電極175&與n5b以及 相同的平面形狀。 從而，各個DCE 178分別地包含複數個χ形片段，複數個 位於該等X形片段上的互連，以及半導體條帶Μ丨之分支1 的互連。 第一閘器電極124a、第一來源電極173&及第一吸極電極 175a，連同一部份位於該第一來源電極173&與該第一吸極 電極175a之間的電阻接觸條帶161的第一分支㈠物，可構成 一TFT以控制一待施於該像素電極19〇的電壓，而第二閘器 電極124b、第二來源電極17补及第二吸極電極^外，連= 二部份位於該第二來源電極173b與該第二吸極電極丨了讣之 間的電阻接觸條帶161的第一分支15仆，可構成一 tft以控 制待施於該DCE 178的電壓。 工 被動層1 80取好是由氮化矽或有機絕緣物所製成，構成於 資料線17卜吸極電極175&及1751)及1^以178，以及半導體 84179 -27- 200304229 條帶1 5 1的曝-出局部上。 該被動層Γ80供置有複數個曝出該第一吸極電極〗7化之 接觸孔洞183，和複數個曝出資料線171終端局部的接觸孔 洞182。W器絕緣層14〇及被動層18〇供置有複數個曝出閘器 線1 2 1終端局部的接觸孔洞丨8 1。 在該被動層1 80上供置有複數個像素電極} 9〇與複數個接 觸輔助物9Γ及92。 各個像素電極1 90係透過接觸孔洞} 83連接到該第一吸極 電極175a，並·具有複數個X狀切截191與複數個線性切截192 狀切截191會與DCE 178的x狀局部相互重疊以曝出大部

为的DCE 1 78 ’而同時線性切截1 92是與儲存電極1 3 1的第三 及第四分支133c及133d相重疊。各個像素電極19〇會DCE 1 78與相重疊’而此者係經由一 TFT，靠近切截丨9 1，而連 接到先前閘器線121及一先前資料線丨π，以構成一 dCE電 容 is Cdce， 而像素電極190也會與儲存電極131相重疊以構 成'^儲存電容IsCst。 接觸輔助物9 1及92會透過接觸孔洞1 §丨及1 82而連接至閘 器線1 2 1及資料線1 7 1的曝出終端局部。 在此，除供置有該等接觸輔助物9 1及92的區域外，會在 該上部面板1 00的整個表面上鍍置一對齊層11。 現將參照圖11A到14B以及圖10A和10B，以描述一種如圖 10A及10B之TFT陣列面板製程方法。 圖11A、13A及14A係如圖10A及10B所示之TFT陣列面板 佈置圖，依序地說明其根據本發明一具體實施例之製程方 84179 -28- 200304229 • ； • ϊ 法。圖ΠΒ〜13Β及14Β係分別如圖11Α、13Α及14Α所示< TFT陣列面把截面圖，而圖12係一於圖UB及圖13Β間之製 程方法步驟裡的TFT陣列面板截面圖。 首先’即如圖11 A及11B所示，沉積鋁、銀及其合金並進 行光影蝕刻，以構成複數個閘器線121及複數個儲存電極 131 〇 即如圖12所示，利用CVD與濺鍍處理，循序地沉積出一 氮化矽層丨糾、一心8丨層150、一摻質a_si層16〇及一金屬層 170，此金屬.層最好是由鋁、銀或彼等合金所製成，其上並 —局4圖不為具有零厚度，而曝出底下的導體層17〇。可按 照後續處理步驟的處理條件’來調整該等光阻薄膜PR1及 叹2的厚度比’而最好是該第二局部的厚度會小於等於該第 局邛之厚度的一半為宜，例如小於等於4〇〇〇埃者。 鍍置以一具厚度卜2微米之光阻薄膜。之後，按如圖12方式 ，經一光罩（未以圖示）令該光阻薄膜曝出於光線並發展之 、。該光阻薄膜具有位置相關厚度，且例如包含具有依序遞 減厚度之第一到第三局部。纟圖12裡，該第一及第二局部 標示以咖及贈，而帛三局部並未另加編號，此係因該第 y藉夕種技術而獲知該光阻薄膜的位置相關厚度，例如 了稭由在该曝出遮罩上供置半透明區域以及透明區域和模 :區域。或另者，各半透明區域可具有一切痕樣式、一晶 :=、具中介性透光或中介性厚度的薄膜。當採用切痕 時’切痕寬度或各切痕間的距離最好是會小於一用於 光影輔乍業之光線曝出器的解析度。另一範例是利用可 84179 -29- 200304229 重流式光阻-。亦即，一旦藉利用僅具 之正常曝光遮罩而構成出：或及模糊區域 後，就會受於重流處理以所製成的光阻樣式 構成出各薄層局部。” α °° 須光阻’藉此 當利用適當處理侔# 士 β 处里侪件日守，該光阻薄膜PR1及PR2 度可供選擇性地餘刻底下的各薄層1 : a ==獲得複數個資料線171、複數個

及1 75b及稷數個DCEs 1 78，4：，批V 161、165a及· 165b，以η * ^ i阻接觸條帶及隔島 以及设數個半導體條帶151。 如下即一用以構成如圖 一 序列： 口 13Α&13Β所不之結構的示範性 導體層170、摻質a_si ⑴移除在該光阻薄膜第三局部下纟 層160及a-Si層15〇各局部； (2) 移除該光阻薄臈第二局部PR2; (3) 移除在該光阻薄膜 - 、弟一局部PR2下的導體層17〇、摻質 a_Sl層160各局部；以及 、 (4) 移除該光阻薄膜第一局部PR1。 另一示範性序列如下： (1)私除在该光阻薄腺笛 ，寻膜弟二局部下的導體層170; ⑺移除該光阻薄膜第二局部pR2; (3) 移除在該光阻薄膜一 寻联弟二局部下的摻質a_Si層16〇及a_s 層1 5 0各局部； (4) 移除在該光阻簿臌笛一 守勝弟二局部PR2下的導體層n〇各局部： ⑺移除該光阻薄膜第—局部pRi;以及 84179 '30. 200304229 (6)移除备該光阻薄膜第二局部pR2下的摻質層Μ。。 移除该光祖薄膜的第二局部pR_會造成該光阻薄膜的 第一局部PR1厚度減少，但這並不會移除掉保護底下各薄層 不致被移除或蝕刻的第一局部pR1，這是因為該第二局部 PR2的厚度會小於該第一局部PR1。 #藉廷疋適當的蝕刻條件，可同時地移除在該光阻薄膜的 第二局部底下的光阻薄膜第二局部pR2以及摻質a_si層⑽ ? a Si層1 50的各局部。同樣地，可同時地移除掉該光阻薄 膜第一局部Ρ·Κ1與該光阻薄膜第二局部PR2底下的摻質a_Si 層160。例如，利用SF6及HC1氣體混合物或SF6及〇2氣體混 口物光阻薄膜及^以層15〇 (或是摻質層副）的蝕除厚 度會近似相同。 如有，可猎由灰化處理將存留在該導體層17〇表面上的光 阻殘餘物移除。 用以於第-範例步驟（3)與第二範例步驟（4)中姓刻捧質 ^層160之蝕刻氣體的範例為％及HC1氣體混合物或是 cf4及〇2氣體混合物。利用cF4及〇2氣體混合物可獲得該半 導體層150各蝕刻局部的均勻厚度。

Dvtlt ^ j長出Μ。C: 〇或“Η 〇: F、藉氮化石夕 祖U ，或藉鍍置-像是丙烯酸基礎式材料之有機絕緣 材枓，以構成被動層180。當構成一 a_Si:c:〇層時，會將 ' (SiH)4〇4(CH3)4 ' Si(C2H5〇)4f , =基礎來源者、像是Ν2〇或㈣氧化物，以及氣⑷) 女虱相方式加以混合，俾流送以供沉積處理。對 84179 •31 - 200304229 • ^層日守，會藉流送含有siH4、SiF4等與〇2額外氣體 氣體混合物以進行沉積處理。可加輸入⑽ “原P如圖10A及10B所示，該被動層18〇連同閘器絕 緣層140會被光影飿刻’以構成複數個接觸孔洞181、182 及 1 8 3 〇 、最終，可沉積一IT0層或一IZ〇層並予以供影蝕刻，以構 成複數個像素電極丨9〇及構成複數個接觸孔洞9丨及％。 對於ιτο層，-像是（NH〇3/(NH4)2Ce(NQ3)6/H2〇)的絡質 蝕d背]可用來作為蝕刻齊丨，此者並不會透過接觸孔洞⑻ 、182及183侵蝕閘器線121、資料線171及吸極電極及 1 75b的曝出部分。該IZ〇層最好是按從室溫到2⑻％之溫度 範圍所/儿積，以將位於接觸處之接觸電阻最小化。一 IZO 層之目；^物較佳範例包含〖“Ο3及。Zn〇的内容最好是 在15 atm%到20 atm%的範圍内。 同時’最好是在沉積該IT0層或IZ〇層之前，先利用氮氣 以進行預熱處理，俾防止透過接觸孔洞181、182及183，而 於閘器線121、資料線171及吸極電極175a&175b的曝出部 分構成氧化金屬。 現將參照圖15A及15B以詳細說明一根據本發明另一具 體實施例之LCD。 圖15A係一根據本發明另一具體實施例之lcd佈置圖，而 圖15B係一如圖15A所示之LCD沿直線XVB-XVB’的截面圖。 一根據本發明此項具體實施例之LCD亦包含一底部面板 1〇〇、一面朝該底部面板1〇〇之上部面板2〇〇，以及一液晶層 84179 -32- 200304229 3，此層係介置於該底部面板1〇〇與該上部面板2〇〇間，並含 有袓數個按垂直於該面板1〇〇及2〇〇表面所對齊之液晶分子。 在一絕緣基板11〇上構成有複數個閘器線121及複數個儲 存電極1 3 1，此係大致沿旅跨方向所延伸。 各閘器線含有複數個擴充物組對，構成第一及第二閘器 電極124a及124b。 各儲存電極13 1含有一枝幹與複數個構成梯狀物之第一 到第四分支133a-133d集組，此等構成一階梯外型。該第一 分支133a從該枝幹按橫向方向朝上及朝下延伸。第二分支 3 3 b g有連接到5亥枝幹並按橫向方向朝上及朝下延伸的 主要局部，以及兩個連接到該主要局部兩終端並大致按旅 跨方向延伸的次要局部。兩組對的第三及第四分支133c及 133d分別地從該第一分支133a及該第二分支。扑而按旅跨 方向延伸並朝向彼此。 在省閘為線121及該儲存電極131上構成一閘器絕緣層14〇。 在該閘器絕緣層140上構成有複數個半導體條帶151及複 數個半V脰隔島158，這些最好是由a-Si所組成。各個半導 體條帶15 1按橫向方向延伸，並位在屬於該儲存電極Η〗之 鄰接分支集組133a_133d的第一分支133a與第二分支13儿 間。各半導體條帶151包含複數個置放於靠近該閘器電極 124a及124b的擴充物154，這些會構成TFT通道。半導體隔 島158位於儲存電極13 1的枝幹上。 在半導體條帶151上，構成有複數個電阻接觸條帶16丨集 、、且及心數個電阻接觸隔島165a&165b組對，這些最好是由 84179 -33- 200304229 矽化物或氫化s-Si並重度摻以11型不純物所組成。在該等半 導體隔島158〇1亦構成有複數個電阻接觸隔島168。 在私阻接觸條帶16卜電阻接觸隔島165&及165b以及該閘 器絕緣層140上，構成有複數個資料線171集組及複數個第 一及弟一吸極電極175a及175b組對。 各條資料線171包含複數個構成第一及第二來源電極 173a及173b，且延伸到該等半導體條帶151之擴充物154上 的擴充物組對集組，這些來源電極係分別地相對於閘器電 極124a及124b而位於第一及第二吸極電極175&及n5b的相 反位置處。 在閘裔絕緣層1 40及電阻接觸隔島i 68上構成有複數個 DCEs 178。各個DCE 178包含複數個位於各個由儲存電極 131環繞之區域間的交叉處。這些DCE 178交叉處連接於儲 存電極131之第三及第四分支間的溝槽，且各χ形片段其一 者會連接到第二吸極電極175b。DCE會與儲存電極13丨的枝 幹，以及其上的半導體隔島158與電阻接觸隔島168相互交 叉’俾確保DCE 178與儲存電極131之間的絕緣性。 電阻接觸條帶及隔島161、165&及16扑與168只有在半導 體條帶和隔島151和158以及資料線171、吸極電極175&和 175b與DCEs 178間才會被介置，藉此減少其間的接觸電阻 性，且如此會將部分的半導體條帶和隔島151和158從資料 線171、吸極電極175&和175b與dcEs 178曝出。 第一閘器電極124a、第一來源電極173a及第一吸極電極 175a ’連同一部份位於該第一來源電極173a與該第一吸極 84179 -34 - 200304229 電極175a之、間的半導體條帶161，可構成一 tft以控制一待 施於該像素電極190的電壓，而第二閘器電極12仆、第二來 源電極173b及第二吸極電極17讣，連同二部份位於該第二 來源電極173b與該第二吸極電極175b之間的半導體條帶 161，可構成一TFT以控制一待施於該〇(：£ 178的電壓。 於資料線17卜吸極電極175&和175b&DC：Es 178以及半導 體條帶和隔島151和158之曝出局部上構成有一被動層18〇 ’此者最好是由氮化矽或有機絕緣物所製成。 。亥被動層1 8 0供置有複數個曝出該第一吸極電極1 7 5 a之 接觸孔洞183，和複數個曝出資料線m終端局部的接觸孔 洞182。閘器絕緣層14〇及被動層18〇供置有複數個曝出閘器 線121終端局部的接觸孔洞18卜該被動層180具有複數個溝 槽185，可曝出DCEs 178，有助於藉影響液晶分子的傾斜方 向來構成穩定範域。 在β被動層1 8 0上供置有複數個像素電極1 9 〇與複數個接 觸輔助物9 1及9 2。 各個像素電極190係透過接觸孔洞183連接到該第一吸極 電極175a’並具有複數個交叉狀切截ι91與複數個線性切截 192。交叉狀切截191會與DCE 178的交叉處相互重疊以曝出 該被動層180的溝槽185，而同時線性切截192是與儲存電極 131相重疊。各個像素電極ι9〇會dce 178與相重疊，而此者 係經由一 TFT而連接到先前閘器線12 1及一先前資料線1 7 ! ’以構成一 DCE電容器CDCE，而像素電極190也會與儲存電 極13 1相重疊以構成一儲存電容器cST。 84179 -35- 200304229 而除供置'有該等接觸輔助物9 1及92的區域外，會在該上 部面板1 00的-整個表面上鍍置一對齊層U。 現將詳細說明該上部基板2 1 0。 於上部基板210上構成有一暗黑矩陣22〇、複數個經交替 排置之紅、綠及藍光濾光鏡230及一共用電極270。可在該 共用電極270上方或下方供至一覆蓋鍍層（未以圖示），並於 該共用電極'270上鍍置一對齊層21。 該液晶層3具有正介電的各向異性及同向性對齊方式，在 此含納於該液晶層3内的複數個液晶分子會被對齊，使得彼 等主要軸線會大致平行於底部及上部面板100及200而並無 笔场這些液晶分子從該底部面板1 〇 〇到該上部面板2 〇 〇會 最好具有扭曲結構。 本發明較佳具體實施例雖如前詳述，然應了解對於熟諳 本項技藝人士明屬顯見之本發明基本概念變化及/或修飾 ’確仍歸屬如後申請專利範圍所定義之本發明精神及範圍 内。 【圖式簡單說明】 按於其較佳具體實施例詳細說明並參照於隨附圖式，本 發明上述及其他優點可為顯而易見，其中·· 圖1A及1B係一根據本發明各具體實施例之LCDs平面略 圖。 圖2係一根據本發明一具體實施例之[CD截面略圖。 圖3 A至3C顯示出一根據本發明一具體實施例之lcd的電 場及等電位線。 84179 -36- 200304229 圖4係如圖_ 1A及2所繪之LCD電路略圖。 圖5 A係一裉據本發明一具體實施例之佈置圖。 圖5B係一如圖5A所示之LCD沿直線VB-VB1的截面圖。 圖6A、7A、8A及9A係一如圖5A及5B所示之LCD的TFT 陣列面板佈置圖，依序地說明其根據本發明一具體實施例 之製程方法。 圖6B、7B、8B及9B係一如圖6A、7A、8A及9A所示之LCD 的TFT陣列面板截面圖，彼等係分別沿直線VIB-VIB’、 VIIB-VIIB，、. VIIIB-VIIIB’及 IXB-IXB’所截切者。 圖1 0A係一根據本發明另一具體實施例之TFT陣列面板 佈置圖。 圖Γ0Β係一如圖10A所示之TFT陣列面板沿直線XB-XB’ 的截面圖。 圖11A、13A及14A係如圖10A及10B所示之TFT陣列面板 佈置圖，依序地說明其根據本發明一具體實施例之製程方 法。 圖11B、13B及14B係分別如圖11A、13A及14A所示之TFT 陣列面板截面圖。 圖12係一於圖11B及圖13B間之製程方法步驟裡的TFT陣 列面板截面圖。 圖15A係一根據本發明另一具體實施例之LCD佈置圖。以 及 圖15B係一如圖15A所示之LCD沿直線XVB-XVB’的截面 圖0 84179 -37- 200304229 【圖式代表符號說明】 3 液1晶層 11 對齊層 91 接觸輔助物 92 接觸輔助物 100 底部面板 110 底部絕緣基板 121 閘器線 124a 第一閘器電極 124b 第二閘器電極 131 儲存電極 133a 分支 133b 分支 133c 分支 133d 分支 133 儲存電極 140 絕緣器 151 半導體條帶 154 擴充物 154a 分支 154b 分支 154c 分支 158 半導體隔島 160 摻雜s - S i層 84179 -38 200304229 161 164 165a 165b 168 171 173a 173b 175a 175b 178 178a 178b 180 181 182 183 190 191 192 193 200 210 270 ~電阻接觸條帶 換"雜a - S i條帶 電阻接觸隔島 電阻接觸隔島 電阻接觸隔島165b局部 資料線 第一來源電極 第二來源電極 第一吸極電極 第二吸極電極 方向控制電極（DCE) 互連 互連 絕緣器 接觸孔洞 接觸孔洞 接觸孔洞 像素電極（PE) 切截 邊緣 邊緣 上部面板 上部絕緣基板 共用電極 84179 -39-

Claims (1)

1. 200304229 拾 1. 2. 3. 4. 5. 、申請專利範圍： 種薄膜戈晶體陣列面板，其中包含： 一絕緣基板； 不旻數條控制線，彼等係供置於該基板上並含有第一及 第二控制線； 设數條資料線，彼等係供置於該基板上並含有第—及 第二資料、線； 一像素電極，經供置於該基板上並具有一切截； 一場域控制電極，經供置於該基板上並重疊於該切截； 一第一切換元件，回應於一來自該第一控制線之第一 控制仏旎，而彳之該第一資料線施加一第一信號給該像素 電極；以及 μ 第一切換兀件，用以控制一待施加於該場域控制電 極的第二信號。 :申明專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中該 第一及第二切換元件係在不同時刻為作用中。 如申請專利範圍第2項之薄膜電晶體陣列面板，其中該 第二切換元件會在該第一切換元件之前為作用中。 :申請專利範圍第3項之薄膜電晶體陣列面板，其中該 第-切換元件會在啟動該第一切換元件後立即作用。 如申請專利範圍第3項之薄膜電晶體陣列面板，其中可 從各資料線其〆供應㈣二信號，且該第二切換元件會 回應於來自該第二控制線的第二控制信號，將該第二信 號施加於該場域控制電極。 84179 200304229 6. ^申請專利範圍第5項之薄膜電晶體陣列面板，其 —信號Γ是從該第一資料線。 J申請專利範圍第5項之薄膜電晶體陣列面板，其 :-信號是從該第二資料線所提供，而此第二資料線:: ^於該第一資料線。 、、、W 8. 9. 10. 11. 12. 13. t申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中兮 %域控制電極最好是重疊於該像素電@。 X ^申曰請專利範圍第i項之薄膜電晶體陣列面板，其中該 ，昜或k制屯極及控制線含有大致相同的薄層。 如申清專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中 等場域控制電極及資料線含有大致相同的薄層Γ ~ 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中、 一步包含-絕緣層，介置於該場域控制電極與該像= 極間，且具有一與該切截重疊的渠槽。 “ :申請專利範圍第i項之薄膜電晶體陣列面板，其中進 步包含一位於該資料線之下的半導體層。 一種液晶顯示器，此者包含： ^ 一面板，含有複數條控制線，此第一面板包含第 -及第二控制線；複數條資料線，其令包含第一及第二 資料線；-像素電極，其具有一切截；一場域控制電： 與該切截相重疊；一第一切換元件，電連接於該第—控 制線、第-資料線及該像素電極；以及_絕緣層，介置 於該場域控制電極與該像素電極間； 第 面板’此第二面板相對置放於該第一面板並含 84179 200304229 有一共-用電極；以及 面板間； V eyd J 用於正Vp，而x (Λ εά'λ 1 +—— ^ s'd J \ _ / 一液患層，介置於該第一及第二 ^ DCE ^ 其中， 用於負Vp，其中Vdce為場域控 π颅m知 剌电位相對於該共用電極 的包£，Vp為像素黾極相對 丘 、' 发用電極的電壓，ε及 d分別為該液晶層的介電係數及戽声 汉片庋而ε ’及d，分別為 該絕緣層的介電係數及厚度。 14•如申請專利範圍第13項之液晶顯示器，纟中進_步包含 -第二切換元件’以控制待予施於該場域控制電極= 號。 15•如申請專利範圍第14項之液晶顯示器，其中該等第一及 第二切換元件會是在不同時刻為作用中。 16·如申請專利範圍第15項之液晶顯示器，其中該第二切換 元件會在該第一切換元件之前為作用中。 17·如申請專利範圍第1 6項之液晶顯示器，其中該第一切換 元件會在啟動該第一切換元件即屬作用中。 18·如申請專利範圍第1 6項之液晶顯示器，其中該第二切換 元件會連接到該第二控制線、各資料線其一及該場域控 制電極。 19· 一種根據本發明一具體實施例之液晶顯示器，此者包 含·· 一第一面板，含有複數條控制線，此第一面板包含第 一及第二控制線；複數條資料線，其中包含第一及第二 84179 200304229 資料線；' 一德春 ▲ 象素琶極，此者具有一切截；一場域控制電 ° 笱截相重疊；一第一切換元件，電連接於該第 一控制線、筮 次丨丨& 八 上 弟一貢料線及該像素電極；以及一絕緣層， 介置於該場域控制電極與該像素電極間，且具有一盘該 切截重疊的渠槽； Λ 第面板，此第二面板相對置放於該第一面板並含 有一共用' 電極；以及 一液晶層，介置於該第一及第二面板間； sd' Vd LC c 其中，2C_ +C > 在此該CLC為該像素電極與 各亥共用電極間的雷交，p ^ . ^為錢素電極與該場域控制 -極間的笔谷，…分別為該液晶層的介電係數及厚 度，而广及十分別為該絕緣層的介電係數及厚度。 20. ^申請專利範圍第19項之液晶顯示器，其中進一步包含 π虎第#換70件’以控制待予施於該場域控制電極的信 21·如申請專利範圍第2〇項之液曰 抑 ^ 從日日頟不态，其中該等第一及 第二切換元件會是在不同時刻為作用中。 22. 如申請專利範圍第2丨項 一从人 ，夜日日顯不為，其中該第二切換 兀件g在該第一切換元件之前為作用中。 23. 如申請專利範圍第π項 饮日日顯不态，其中該第一切 兀件會在啟動該第-切換元件後立即作用中。 、 24_如申請專利範圍第22項之液 一 從日日顯不态，其中該第二切換 元件會連接到該第二控制線、各資 合貝枓綠其一及該場域控 84179 -4- 200304229 制電極 ^申月專利範圍第24項之液晶顯示器，其中會對該像素 电和 X昜域控制電極供應以具有相對於供以進行第 一切換tl件&第_切換元件啟動㈣序列之共用電極 電壓為相同極性的電壓。 26. —種液晶顯示器，其中包含： 一=一面板，含有複數條控制線，此第一面板包含第 一及第二控制線；複數條資料線，其甲包含第一及第二 資料線；像素電極，此者具有__切截；—場域控制電 極^»亥切截相重疊；一第一切換元件，以回應於一來 自5亥第-控制線之第一控制信號，從該第一資料線施加 一第一信號給該像素電極；及—第二㈣μ，用以控 制一待施加於該場域控制電極的第二信號； 一第二面板，此第二面板相對置放於該第一面板並含 有一共用電極；以及 -液晶I，介置於該第一及第二面板間， 其中，在-序列的第-切換元件及第二切換元件之啟 動該第二切換元件會在該第一切換元件之前作用，而 該第一及第二信號會具有相對於該啟動作業序列之共 用電極的電壓為相同極性。 27.如申請專利範圍第26項之液晶顯示器，其中該第一切換 兀件後會在啟動第一切換元件後立即作用。 84179