TW200300404A - Cerium-based polish and cerium-based polish slurry - Google Patents

Cerium-based polish and cerium-based polish slurry Download PDF

Info

Publication number
TW200300404A
TW200300404A TW91133539A TW91133539A TW200300404A TW 200300404 A TW200300404 A TW 200300404A TW 91133539 A TW91133539 A TW 91133539A TW 91133539 A TW91133539 A TW 91133539A TW 200300404 A TW200300404 A TW 200300404A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
honing
honing material
patent application
scope
material slurry
Prior art date
Application number
TW91133539A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI276607B (en
Inventor
Naoki Bessho
Original Assignee
Showa Denko Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko Kk filed Critical Showa Denko Kk
Publication of TW200300404A publication Critical patent/TW200300404A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI276607B publication Critical patent/TWI276607B/zh

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

200300404 A7 B7 五、發明説明(1 ) 一、 發明之技術領域 本發明係有關玻璃等硏磨用的鈽系硏磨材,詳細的說 ’玻璃製硬碟基板或液晶用玻璃基板,或硬質玻璃等硬度 比較高的玻璃基板之加工硏磨用氧化鈽爲主成分的鈽系硏 磨材。 二、 先行技術 近年來玻璃材料使用於種種用途,大多數必要硏磨表 面。例如光學鏡片用玻璃基板或光學鏡片要求表面精度如 鏡面。特別是,光碟或磁碟用玻璃基板、薄膜電晶體(TFT) 型液晶顯示器或扭轉向列型液晶顯示器等的液晶用玻璃基 、液晶電視用彩色過濾器、LSI光罩用玻璃基板等要求平坦 性或表面粗度小及無缺陷,要求更高精度的表面硏磨。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲滿足此等的薄型化或機械特性,改良玻璃的化學組 成或製法,以硅酸鋁爲主成分的玻璃基板可使用作爲液晶 用或磁碟用。又,磁碟用玻璃基板以硅酸鋰爲主成分的結 晶化玻璃基或石英結晶等的結晶化玻璃基板亦已開發。此 等的玻璃基板之加工性非常的差,向來的硏磨材加工速度 低生產性差。又作爲磁碟用玻璃基板,高精度的表面硏磨 的同時要求高硏磨速度。 可作爲玻璃基板的表面硏磨用硏磨材,因比氧化鐵或 氧化銷、或氧化硅的硏磨速度優數倍的理由,以使用稀土 類氧化物,特別是氧化鈽爲主成分作爲硏磨材。此等硏磨 材,一般硏磨粒以水等的液體分散後使用,向來的氧化鈽 --—------ 5 -___ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 200300404 A7 B7 五、發明説明(2 ) 硏磨材,對上述的硬質的玻璃基板的硏磨速度有遲鈍的問 題點。 請 閲 讀 背 Λ 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 有關氧化鈽系硏磨材的硏磨機構,並未充分闡明’由 對具有氧化鈽的玻璃的化學效果及氧化鈽粒子該物之硬度 起因的機械效果的複合效果進行硏磨加工,確認其現象論 。但是,桂酸錦爲主成分之玻璃基板或桂酸鋰爲主成分的 的結晶化玻璃,因其耐藥性優硏磨材的化學效果未能充分 發揮。又,因爲此等的玻璃基板(被加工物)爲硬質容易引起 硏磨粒子破碎,對玻璃的機械效果不能充分維持,加工速 度因而下降。 爲能長期維持機械效果,須考慮硏磨材組成物中添加 具有比被硏磨物以上硬度的氧化鋁或鍩等的粉末粒子,氧 化铈粒子的濃度相對的降低,其化學效果變爲不足。又, 高硬度的粉末粒子對玻璃表面(被加工物表面)產生溝痕或傷 痕等的缺陷。 三、發明內容 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明爲解決上述向來技術的問題,本發明的目的爲 提供對硬質、不易得到高硏磨速度的玻璃,可長期維持硏 磨初期的硏磨速度,且,玻璃等的被加工物不產生溝痕、 傷痕等的表面缺陷,硏磨後的表面品質優的鈽系硏磨材的 製造方法及鈽系硏磨材。 本發明者爲解決上述課題,經深入硏究結果,達成本 發明。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 Χ297公釐) -6- 200300404 A7 B7 五、發明説明(3 以下即有關本發明的說明。 (1)以氧化鈽爲主成分的鈽系硏磨材,10量%硏磨材以 水分散時’得到沈降容積密度爲〇·8 g/ml〜1.〇 g/ml的範圍 爲其特徵的鈽系硏磨材。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (2) —次粒子徑爲40 nm 所記載的姉系硏磨材。 (3) 比表面積爲2 m2 /g, (2)項所記載的鈽系硏磨材。 (4) 含換算成氧化物的鈽爲35質量%的(1)〜(3)所記載 的姉系硏磨材。 (5) (1)〜(4)之任一項的鈽系硏磨材,以分散劑分散成 濃度爲5質量%〜30質量%的範圍的鈽系硏磨材淤漿。 (6) 以水作爲分散劑爲特徵的(5)所記載的鈽系硏磨材 派漿。 (7) 以有機溶媒作爲分散劑爲特徵的(5)所記載的鈽系 硏磨材淤漿。 (8) 有機媒係至少含一種由醇類、多價醇類、酮類、 四氫呋喃類所成之群中所選出者爲其特徵的(7)所記載的 鈽系硏磨材派獎。 (9) 鈽系硏磨材淤漿含界面活性劑的(5)〜(8)所記載的 鈽系硏磨材淤漿。 (10) 界面活性劑係至少含一種由陰離子系界面活性劑 及非離子系界面活性劑所成之群中所選出者爲其特徵的(9) 所記載的鈽系硏磨材淤漿。 8 0 nm的範圍爲特徵的(1)項 m2 /g的範圍爲特徵的(1)或 請 閱 讀 背 之 注 意 事 項 再 頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ29?公釐) 200300404 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(4 (11)陰離子系界面活性劑係至少含一種由羧酸鹽、磺 酸鹽、硫酸酯鹽、磷酸酯鹽的低分子的化合物及高分子型 化合物所成之群中所選出者爲其特徵的(10)所記載的鈽系 硏磨材淤漿。 (1 2)非離子系界面活性劑係至少含一種由聚環氧乙烷 烷基酚醚、聚環氧乙烷烷基醚及聚環氧乙烷脂肪酸酯所成 之群中所選出者爲其特徵的(1 0)所記載的鈽系硏磨材淤漿 〇 (1 3)使用(5 )〜(1 2)的任一項記載的鈽系硏磨材淤漿爲 特徵的玻璃基板硏磨方法。 (14)使用(13)所記載的玻璃基板的硏磨方法爲特徵的 玻璃基板製造方法。 本發明的鈽系硏磨材,以氧化鈽爲主成分,10量%硏 磨材以水分散時,得到沈降容積密度爲0.8 g/ml〜1.0 g/ml 的範圍爲其特徵。 本發明的鈽系硏磨材,以氧化鈽爲主成分的硏磨材, 亦可含氧化鈽以外的物質,例如,鑭、銨、鐯或其氧化物 本明的沈降容積密度,係不含分散劑等的添加劑之硏 磨材分散於液體後,靜置該分散液,於液中沈降之硏磨材 的密度,依以下順序測定之。 將10 g硏磨材分散於離子交換水中,放入100 ml之量 筒中,將液面調至100 m卜此分散液充分攪拌後,靜置24 小時後測定粉體層的體積。利用此沈降體積依以下的算式 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 請 先 閱 讀 背 意 事 項 再 填 寫 本 頁 200300404 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __ B7 五、發明説明(5 ) 求取沈降體積密度。 沈降容積密度 (g/ml) = 10 (g) /沈降體積 (ml) 本發明的鈽系硏磨材,其沈降容積密度範圍必要在〇.8 g/ml〜1.〇 g/m卜鈽系硏磨材的沈降容積密度低於〇.8 g/ml 時對加工性低的硬質玻璃之硏磨速度慢不能達成本發明的 目的。又,鈽系硏磨材的沈降容積密度大於1 ·〇 g/ml硏磨 面容易發生括傷等不能成本發明的目的。又,本發明理想 的沈降容積密度爲0.85 g/ml〜0·95 g/ml的範圍時,可得到 更局的硏磨特性。 例如,氟碳鈽礦的淤漿乾燥後,焙燒、粉碎製造本發 明的鈽系硏磨劑時,沈降容積率密度可依焙燒的溫度加以 控制。粒徑約略爲類同時,高焙燒溫度所製造者沈降容積 密度愈高,低焙燒溫度所製造者沈降容積密度愈低。 本發明的鈽系硏磨材,其一次粒子徑爲40 nm〜 80 nm 的範圍,更理想的範圍爲50 nm〜70 nm。 本發明的鈽系硏磨材,其一次粒子徑的測定,由X線 衍射脊峰的半寬度依結晶子徑的計算式(Scherrei*式)進行 。即依下式決定一次粒子徑。 ε = 0.9 λ / /3 ι/2 / cos θ ε = —次粒子徑 λ ·測疋X線波長(A) /5 :衍射線的半寬度 又,本發明的鈽系硏磨材一次粒子徑的決定,出現於 2 (9 = 2 8〜2 8.4度附近,利用氧化铈的X線折射脊峰。 ___ 請 先 閱 背 5 意 事 項 再 寫 本 頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 200300404 A7 B7 五、發明説明(6 ) 本發明的鈽系硏磨材一次粒子徑低於40 nm時機械的 硏磨力弱,難以得到充分的硏磨速度。又本發明的鈽系硏 磨材一次粒子徑大於80 nm時,構成硏磨材的粒子,爲又 大又硬的結晶,硏磨面容易發生括傷。 本發明的鈽硏磨材,其理想的比表面積爲2 m2 /g〜10 m2/g的範圍,更理想爲2 m2 /g〜5 m2/g的範圍。硏磨材的 比表面積低於2 m2 /g時硏磨面容易發生括傷,又,5 m2/g 硏磨材的比表面積大於時硏磨速度降低。又,本發明的鈽 系硏磨材的比表面積的測定,以使用BET法爲理想。 本發明的鈽系硏磨材,以氧化铈爲主成分,此處的氧 化鈽的主成分係含有換算爲鈽氧化物時含35質量%以上, 理想爲含45質量%以上。換算爲铈氧化物時含量低於35質 量%時,難於得到充分的硏磨速度。換算爲鈽氧化物時含量 高於70質量%時,並未發現硏磨力顯著的向上提昇。因此 ,實用的換算爲鈽氧化物含量以35質量%〜70質量%爲理 想。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的鈽系硏磨材,通常以粉末狀操作,作爲硏磨 材使用時,以分散(淤漿)的形態使用爲光學用玻璃基板、光 碟或磁碟用玻璃基板、液晶用玻璃基板等的各種玻璃材料 或玻璃製品的加工硏磨爲理想。 例如以水等分散媒分散時,理想的濃度爲5〜30質量 %的範圍,更理想爲10質量%〜20質量%的範圍內以淤漿 狀態使用爲理想。又,水以外本發明使用的理想分散媒爲 有機溶媒,特別是以水溶性的有機溶媒爲理想。 _______=4XU___ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 200300404 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(7 ) 作爲有機溶媒可列舉如甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、 丁醇等的碳數爲1乃至10的一價醇類。乙二醇、甘油等 的碳數爲3至10的多價醇,丙酮、二甲亞碾(DMSO)、二 甲基甲醯胺(DMF)、四氣咲喃、二D惡院等。其中,特別以使 用醇類、多價醇類、酮類、四氫呋喃爲理想。 對本發明作爲鈽系硏磨材淤漿中的分散劑以添加界面 活性劑爲理想。本發明使用的理想界面活性劑可列舉如陰 離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、非離子系界面 活性劑或兩性界面活性劑,此等可單獨一種或二種以上混 合使用。其中,本發明以陰離子系界面活性劑或非離子系 界面活性劑爲理想。 陰離子系界面活性劑可由公知的羧酸鹽(皂、N-醯基氨 基酸鹽、烷基醚羧酸鹽、醯基縮氨酸等)、磺酸鹽(烴磺酸鹽 (亦含烷基苯磺酸鹽)及烷萘基磺酸鹽、磺化琥珀酸鹽、α _ 烯烴磺酸鹽、Ν -醯基磺酸鹽等)、硫酸酯鹽硫酸化油、烷基 硫酸鹽、烷基醚硫酸鹽、烷基芳基醚硫酸鹽、烷基醯胺硫 酸鹽)、磷酸酯鹽(烷基磷酸鹽、烷基醚磷酸鹽、烷基芳基醚 磷酸鹽)中所選,含低分子的化合物或高分子的化合物。此 處的鹽係至少由鋰鹽、鈉鹽、鉀鹽、_鹽、鉋鹽中選擇一 種。 例如,皂爲碳數C 1 2〜C 1 8脂肪酸鹽,一般的脂肪酸基 可列舉如月桂酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸等,Ν_醯基 氨基酸鹽爲碳數爲C12〜C18的Ν-醯基-Ν-甲基甘氨酸鹽或 Ν-醯基谷氨酸鹽等,烷基醚羧酸鹽可列舉如碳數爲^6〜 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 Χ 297公釐) 41 200300404 A7 B7 五、發明説明(8 ) 請 先 閲 讀 背 fir 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 C18的化合物。磺酸鹽可列舉如上述碳數爲C6〜C18的化 合物例如烴磺酸鹽,月桂基磺酸、二辛基琥珀磺酸、苯磺 酸、十二烷基苯磺酸、肉豆蔻酸、KELLYL苯磺酸、硬脂基 酸等,硫酸酯鹽可列舉如碳數爲C6〜C 1 8的上述化合物月 桂基硫酸、二辛基琥珀基硫酸、肉豆蔻基硫酸、硬脂基硫 酸、等的烷基硫酸鹽,磷酸酯鹽可列舉如碳數爲C6〜C 1 8 的上述化合物。又,非離子系界面活性劑可列舉如聚環氧 乙烷酚醚、聚環氧乙烷烷醚、聚環氧乙烷脂肪酸醚等。更 且除上述離子系界面活性劑或非離子系界面活性劑以外可 使用的公知氟系界面活性劑。 高分子型界面活性劑,可舉例如特殊聚羧酸型化合物( 曰本花王(株)製,商品名:POISE 530)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的鈽系硏磨材淤漿,除了上述界面活性劑以外 ,爲了防止淤漿的沈降或提高安定性,必要可添加六偏磷 酸鹽等的磷酸鹽、曱基纖維、羧基甲基纖維素等的纖維素 酯類、聚乙烯醇等的水溶性高分子等的添加劑。此類添加 劑的添加量,一般對硏磨材以0.05〜20質量%範圍內爲理 想,特別理想爲0.1〜10質量%的範圍。 使用本發明的鈽系硏磨材或鈽系硏磨材淤漿所硏磨的 玻璃基板等,不產生溝痕、傷等的表面缺陷,可得到品質 優良的硏磨表面的同時,可得到充分的硏磨速度。又長時 間的硏磨亦可維持硏磨速度的效果。 四、實施方式 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 42·:·· 200300404 A7 B7 五、發明説明(9 ) 以下以實施例具體的說明本發明,本發明不僅限定於 此實施例。 (實施例1) 使用美國Moricove公司製Bastnesite #4010作爲原料, 該原料1 k g與1公升水同時於濕式球磨機粉碎,成爲含 平均粒徑(D5 0)爲1.8// m粉體的淤漿。 美國Moricove公司製Bastnesite #4010的組成如以下所 0 氧化鈽 35質量% 氧化鑭 24質量% 氧化銨 8質量% 氧化鐯 6質量% 總稀土類氧化物 68〜73質量% 灼熱減量 20質量% 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將此淤漿乾燥,使用電爐於1000°C焙燒2小時後,經 放冷、粉碎、分級的操作,製造成鈽系硏磨材。製造的鈽 系硏磨材中的鈽換算爲氧化物爲45質量%。 又,平均粒徑係使用Kolda Multicizer(日本Kolda(株) 製),30// m孔徑風洞測定,相當於體積分佈累積値50%爲 其粒徑。 其次,所得的鈽系硏磨材分散調成濃度1 〇質量%的硏 磨材淤漿。使用此硏磨材淤漿,硏磨薄膜晶體(TFT)用無鹼 玻璃,進行硏磨狀態評價。硏磨條件如下所示。 -^------. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X:297公釐) 200300404 A7 B7 五、發明説明(1〇 ) (硏磨條件) 硏磨機 加工物 加工片數 硏磨墊 下定盤回轉數 淤漿供給量 加工壓力 硏磨時間 :四向型兩面硏磨機 :5cm四方,無鹼玻璃,面 積 25 cm2 :3片/回,實施2回 :發泡聚氨基甲酸乙酯墊 :90 rpm :60 ml/分鐘 :156 g/ cm2 :30分鐘 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,6片的TFT面板用無鹼玻璃,每片以測微計測定4 點硏磨前後的厚度,以4點X 6片的平均測定値求出硏磨 速度(//m/分鐘)。又,使用20萬lux的鹵素燈爲光源,以 目視觀察玻璃表面,求出硏磨面的傷痕數。又,玻璃表面 的中心線平均粗度以Rank Taylor Hopson公司製Tally step 測定。 又,鈽系硏磨材10 g以純水分散,投入量筒,將液面 調至100 ml,充分攪拌後靜置24小時,測定粉體層的沈降 體積,求出沈降容積密度。 所得的結果與硏磨材的平均粒徑(D50)、BET法比表面 積、硏磨速度、沈降容積密度一同如1所示。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 44- 200300404 A7 _ B7 五、發明説明(11 ) (實施例2) 實施例1,除原料的濕式粉碎後的平均粒子徑爲1.6 // m以外,與實施例1同樣得到鈽系硏磨材。 與實施例1同樣,使用所得的鈽系硏磨材進行硏磨, 評價其硏磨狀態。其結果如表1所示。 (比較例1) 實施例1,除電爐的焙燒.溫度改爲80(TC以外,與實施 例1同樣得到鈽系硏磨材。 與實施例1同樣,使用所得的鈽系硏磨材進行硏磨, 評價其硏磨狀態。其結果如表1所示。 (比較例2) 實施例1,除電爐的焙燒溫度改爲1 200°C以外,與實 施例1同樣得到鈽系硏磨材。 與實施例1同樣,使用所得的鈽系硏磨材進行硏磨, 評價其硏磨狀態。其結果如表1所示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由表1可了解,實施例1及2,硏磨速度快,且被硏磨 物的無鹼玻璃表面沒發生傷痕,可得到硏磨面的品質良好 之鈽系硏磨材。 一方面,比較例1,沈降容積密度較低,故硏磨速度低 〇 比較例2則沈降容積密度過大,硏磨速度的提昇效果 降低。又,硏磨面發生傷痕,硏磨面的表面粗度,硏磨面 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 200300404 A7 五、發明説明(12 ) 的品質不良。 又,本發明的鈽系硏磨材淤漿,硏磨效果具長時間持 糸買的效果。 表1 硏磨材物性 平均粒徑 沈降容積密度 一次粒子徑 比表面積 (β m) (g/ml) (nm) (m2/g) 實施例1 1.86 0.87 60 2.8 實施例2 1.55 0.91 70 2.3 比較例1 1.78 0.75 30 5.5 比較例2 2.19 1.05 110 1.6 硏磨特性置中 使用開始30分後 使用開始240分後 硏磨速度 括傷 表面粗 硏磨 括傷 表面粗 (μιη/分) (條/面) 度Ra 速度 (條/面) 度Ra (A) (μηι/分) (A) 實施例1 2.35 0.17 12 2.28 0.08 11 實施例2 2.29 0.08 10 2.06 0.17 9 比較例1 1.99 0.08 9 1.18 0.08 8 比較例2 1.69 1.50 15 0.94 1.08 13 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 產業上之可利用性 _____-4& 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 200300404 A7 ___ B7 五、發明説明(13 ) 如以上的說明,使用本發明的姉系硏磨材,硏磨速度 快速,且經硏磨的研磨物,其硏磨面的傷痕少,表面粗度 的 率 效 高 可 間 時 長 續 持 可 度 速 磨 硏 又 〇 好 良 質 品 。 , 磨 小硏 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐)

Claims (1)

  1. 200300404 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍\ ~" 1. 一種鈽系硏磨材料,其特徵爲以氧化鈽爲主成分的 姉系硏磨材’以水分散10量%硏磨材時,得到沈降容積密 度爲0.8 g/ml〜1.0 g/mi的範圍。 2·如申請專利範圍第1項之鈽系硏磨材料,其中一次 粒子徑爲40 nm〜80 nm的範圍。 3·如申請專利範圍第1項之鈽系硏磨材料,其中比表 面積爲2 m2 /g〜5 m2 /g的範圍。 4.如申請專利範圍第1項之鈽系硏磨材料,其中鈽以 氧化物換算時爲含有3 5質量%。 ~ 5· —種鈽系硏磨材料淤漿,其特徵爲將申請專利範圍 第1〜4項中任一項之鈽系硏磨材料以分散劑分散成濃度5 質量%〜30質量%的範圍者。 6·如申請專利範圍第5項之鈽系硏磨材料淤漿,其中 以水作爲分散劑。 7. 如申請專利範圍第5項之鈽系硏磨材料淤漿,其中 以有機溶媒作爲分散劑。 8. 如申請專利範圍第7項之鈽系硏磨材料淤漿,其中 有機溶媒係含至少一種選自由醇類、多元醇類、酮類、四 氫呋喃類所成之群。 9. 如申請專利範圍第5項之鈽系硏磨材料淤漿,其中 鈽系硏磨材料淤漿中含界面活性劑。 1 〇.如申請專利範圍第9項之鈽系硏磨材料淤漿’其 中界面活性劑係至少一種選自陰離子系界面活性劑及井_ 子系界面活性劑所成之群。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)”18- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -_ -、 aess 丨 、\呑 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200300404 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 2 11·如申請專利範圍第10項之鈽系硏磨材料淤漿,其 中陰離子系界面活性劑係至少一種選自羧酸鹽、磺酸鹽、 硫酸酯鹽、磷酸酯鹽的低分子的化合物及高分子型化合物 所成之群。 12·如申請專利範圍第1〇項之鈽系硏磨材料淤漿,其 中非離子系界面活性劑係至少一種選自聚環氧乙烷烷基酚 醚、聚環氧乙烷烷基醚及聚環氧乙烷脂肪酸酯所成之群。 1 3. —種玻璃基板的硏磨方法,其特徵爲使用如申請 專利範圍第5項至第12項中任一項之鈽系硏磨材料淤漿 〇 14. 一種玻璃基的製造方法,其特徵爲使用如申請專 利範圍第13項之鈽系硏磨材料淤漿。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-19- 200300404 (一) 、本案指定代表圖爲z Μ j \ \\ (二) 、本代表圖之元件代表符號簡單說明: Μ J V ΝΝ 本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式:
TW91133539A 2001-11-16 2002-11-15 Cerium-based polish and cerium-based polish slurry TWI276607B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001350968 2001-11-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200300404A true TW200300404A (en) 2003-06-01
TWI276607B TWI276607B (en) 2007-03-21

Family

ID=34308251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW91133539A TWI276607B (en) 2001-11-16 2002-11-15 Cerium-based polish and cerium-based polish slurry

Country Status (5)

Country Link
CN (1) CN1289626C (zh)
AT (1) ATE495229T1 (zh)
DE (1) DE60238935D1 (zh)
MY (1) MY136167A (zh)
TW (1) TWI276607B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101648360B (zh) * 2008-08-15 2011-05-18 广东科达机电股份有限公司 一种陶瓷砖抛光方法
JPWO2013065491A1 (ja) * 2011-11-01 2015-04-02 旭硝子株式会社 ガラス基板の製造方法
CN106479374A (zh) * 2016-10-28 2017-03-08 扬州翠佛堂珠宝有限公司 一种碧玉抛光液
CN110639693A (zh) * 2019-10-22 2020-01-03 中国恩菲工程技术有限公司 氟碳铈矿纯矿物提取的系统和方法

Also Published As

Publication number Publication date
ATE495229T1 (de) 2011-01-15
TWI276607B (en) 2007-03-21
MY136167A (en) 2008-08-29
CN1520449A (zh) 2004-08-11
DE60238935D1 (de) 2011-02-24
CN1289626C (zh) 2006-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108239484B (zh) 一种蓝宝石抛光用氧化铝抛光液及其制备方法
CN103240665B (zh) 合成石英玻璃衬底的制造
JP2001329250A (ja) 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法
KR20040062417A (ko) 세륨계 연마재 및 그 제조 방법
KR20000006122A (ko) 폴리싱조성물
US7037352B2 (en) Polishing particle and method for producing polishing particle
US7090821B2 (en) Metal oxide powder for high precision polishing and method of preparation thereof
US20050287931A1 (en) Polishing slurry and polished substrate
TW201313849A (zh) 研磨材及研磨用組成物
JP2001192647A (ja) 酸化セリウム含有研磨用組成物及び研磨方法
JP4885352B2 (ja) 研磨材スラリー及び研磨微粉
TW200300404A (en) Cerium-based polish and cerium-based polish slurry
JP2014024960A (ja) 研磨用組成物、酸化物材料の研磨方法及び酸化物材料基板の製造方法
JP4807905B2 (ja) 研磨材スラリー及び研磨微粉
EP1444308A1 (en) Cerium−based polish and cerium−based polish slurry
JP2003213250A (ja) セリウム系研磨材、セリウム系研磨材スラリー、ガラス基板の研磨方法及びガラス基板の製造方法
TWI292780B (zh)
JP2004162062A (ja) 研磨材スラリー、研磨方法、基板および基板の製造方法
TWI285674B (en) Cerium-based abrasive and production process thereof
JP2000345143A (ja) ガラス研磨用研磨材組成物およびそれを用いた研磨方法
JPH11209745A (ja) ガラス研磨用研磨材組成物およびその研磨方法
JPWO2005123864A1 (ja) 流動性研磨材ペースト及びその製造方法、用途
JP2014024154A (ja) ポリッシング用研磨材、研磨用組成物、それを用いた硬脆材料の研磨方法、及びそれを用いた硬脆材料基板の製造方法
KR100697304B1 (ko) 판상카올린-세리아 복합연마재 및 그 제조방법
JP2001031952A (ja) ガラス研磨用研磨材組成物

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent