TR201809751T4 - Holografi ortamlarının üretimi için düşük TG değerine sahip boratları içeren fotopolimer formülasyonu. - Google Patents

Holografi ortamlarının üretimi için düşük TG değerine sahip boratları içeren fotopolimer formülasyonu. Download PDF

Info

Publication number
TR201809751T4
TR201809751T4 TR2018/09751T TR201809751T TR201809751T4 TR 201809751 T4 TR201809751 T4 TR 201809751T4 TR 2018/09751 T TR2018/09751 T TR 2018/09751T TR 201809751 T TR201809751 T TR 201809751T TR 201809751 T4 TR201809751 T4 TR 201809751T4
Authority
TR
Turkey
Prior art keywords
residue
alkyl
formula
optionally
denotes
Prior art date
Application number
TR2018/09751T
Other languages
English (en)
Inventor
Berneth Horst
Rölle Thomas
Bruder Friedrich-Karl
Hönel Dennis
Weiser Marc-Stephan
Fäcke Thomas
Hagen Rainer
Walze Günther
Original Assignee
Covestro Deutschland Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Covestro Deutschland Ag filed Critical Covestro Deutschland Ag
Publication of TR201809751T4 publication Critical patent/TR201809751T4/tr

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/001—Phase modulating patterns, e.g. refractive index patterns
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/62—Quaternary ammonium compounds
    • C07C211/63—Quaternary ammonium compounds having quaternised nitrogen atoms bound to acyclic carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D213/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/04—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
    • C07D213/06—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom containing only hydrogen and carbon atoms in addition to the ring nitrogen atom
    • C07D213/16—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom containing only hydrogen and carbon atoms in addition to the ring nitrogen atom containing only one pyridine ring
    • C07D213/20—Quaternary compounds thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D233/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings
    • C07D233/54—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D233/56—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hydrogen atoms or radicals containing only hydrogen and carbon atoms, attached to ring carbon atoms
    • C07D233/58—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hydrogen atoms or radicals containing only hydrogen and carbon atoms, attached to ring carbon atoms with only hydrogen atoms or radicals containing only hydrogen and carbon atoms, attached to ring nitrogen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D295/00—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms
    • C07D295/02—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms containing only hydrogen and carbon atoms in addition to the ring hetero elements
    • C07D295/037—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms containing only hydrogen and carbon atoms in addition to the ring hetero elements with quaternary ring nitrogen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
    • C07F5/02—Boron compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
    • C07F5/02—Boron compounds
    • C07F5/027—Organoboranes and organoborohydrides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/035—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyurethanes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
    • G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
    • G03H1/02—Details of features involved during the holographic process; Replication of holograms without interference recording
    • G03H1/024—Hologram nature or properties
    • G03H1/0248—Volume holograms
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
    • G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
    • G03H1/02—Details of features involved during the holographic process; Replication of holograms without interference recording
    • G03H2001/026—Recording materials or recording processes
    • G03H2001/0264—Organic recording material
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
    • G03H2260/00—Recording materials or recording processes
    • G03H2260/12—Photopolymer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Holo Graphy (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)

Abstract

Buluş, izosiyanatlara karşı reaktif bir bileşen, bir poliizosiyanat bileşeni, bir yazım monomeri ve en az bir renklendirici madde ve özel bir eş-başlatıcı içeren bir fotobaşlatıcı içeren bir fotopolimer formülasyonu ile ilgilidir, eş-başlatıcı formül (Ia) ile gösterilen en az bir maddeyi içermesi ile karakterize edilir. Buluş, ayrıca, özel eş-başlatıcıların üretilmesi için bir yöntemi ve ayrıca, bu yönteme göre elde edilebilen eş-başlatıcıları, ayrıca, özel eş-başlatıcılar kullanılarak bir holografi ortamının üretilmesi için bir yöntem ve ayrıca, buluşa göre fotopolimer formülasyonu kullanılarak elde edilebilen bir holografi ortamını sağlar. Buluş, ayrıca, buluşa göre bir holografi ortamını ve yine özel, eş-başlatıcılar olarak uygun boratları kapsayan bir katmanlı yapı ile ilgilidir.

Description

TARIFNAME HOLOGRAFI ORTAMLARININ ÜRETIMI içiN DÜSÜK TG DEGERINE SAHIP BORATLARI IÇEREN FOTOPOLIMER FORMÜLASYONU Bulus, izosiyanatlara karsi reaktif bir bilesen, bir poliizosiyanat bileseni, bir yazim monomeri ve en az bir renklendirici madde ve özel bir es-baslatici içeren bir fotobaslatici Içeren birfotopolimerformülasyonu ile ilgilidir.
Bulusun diger konulari, özel es-baslaticilarin üretilmesi için bir yöntemdir ve ayrica, bu yönteme göre elde edilebilen es-baslaticilardir, ayrica, özel es-baslaticilar kullanilarak bir holografi ortaminin üretilmesi için bir yöntemdir ve ayrica, bulusa göre fotopolimer formülasyonu kullanilarak elde edilebilen bir holografi ortamidir. Ek olarak, bulus, bulusa göre bir holografi ortamini ve yine özel, es-baslaticilar olarak uygun boratlari kapsayan bir katmanli yapi ile ilgilidir.
Es-baslaticilar olarak alkiI-triaril boratlarin amonyum tuzlari ve ayrica bunlarin sentezi bilinmektedir. Büyük ölçekte de teknik açidan gerçeklestirilebilir olan asagidaki yolla sentezde: l" i 'Aq` Ç ::I i\'_t'.l her zaman formül (A) ile gösterilen alkiltriaril boratlar Bu4N* ile formül (B) ile gösterilen tetraaril boratlarin bir karisimi ortaya çikmaktadir, çünkü hidroborasyonda katalizör olarak tribromoboran gereklidir. Bunun aksine, sentezde ortaya çikan alkiltriaril borat ve tetraaril borat karisiminin holografi ortamlarinda es-baslaticilar olarak kullanilmasi durumunda ise, yetersiz uzun süreli stabilite ve fotokimyasal agartilabilirlik özellikleri saptanabilmektedir. Dolayisiyla, bu tür malzemeler teknik kullanim amaciyla kullanilamaz özelliktedir. Bu karisimin ayrilmasi ise zahmetlidir ve kaçinilmaz olarak önemli ölçüde madde kayiplarina yol açmaktadir.
Bu nedenle, mevcut bulusun görevi, kolay ve uygun maliyetle üretilebilen bir es- baslatici içeren ve ayni zamanda, iyi bir uzun süreli stabiliteye ve fotokimyasal agartilabilirlige sahip holografi ortamlarinin üretilmesi için uygun olan bir fotopolimer bilesiminin saglanmasi idi. Ayrica, uygun es-baslaticilarin üretilmesi için verimli bir yöntem de saglanmalidir.
Bu görev, bulusa göre, izosiyanatlara karsi reaktif bir bilesen, bir poliizosiyanat bileseni, bir yazim monomeri ve en az bir renklendirici madde ve bir es-baslatici içeren bir fotobaslatici içeren bir fotopolimer formülasyonu ile saglanmaktadir, söz konusu es- baslatici es-baslaticinin formül (la) ile gösterilen en az bir madde içermesi ile karakterize edilir, R1, opsiyonel olarak dallanmis bir 014- ila sz-alkil artigini belirtir, R2, opsiyonel olarak dallanmis ve/veya opsiyonel olarak sübstitüe edilmis bir C8- ila C22-alkil attigini, bir siklohekzil veya sikloheptil artigini, bir C7- ila C10- aralkil artigini veya iyonik olmayan bir artik ile sübstitüe edilmis bir fenil artigini belirtir ve R3 ve R4, birbirlerinden bagimsiz olarak, opsiyonel olarak dallanmis ve/veya opsiyonel olarak sübstitüe edilmis bir C1- ila Cs-alkil artigini belirtir veya R1, opsiyonel olarak dallanmis bir C14- ila sz-alkil artigini belirtir, R2, opsiyonel olarak dallanmis ve/veya opsiyonel olarak sübstitüe edilmis bir 03- ila C22-aIkII artigini veya bir C7- ila Cio-aralkil artigini belirtir ve R1, opsiyonel olarak dallanmis bir 014- ila sz-alkil artigini belirtir ve R2, R3 ve R4, N+ ile birlikte bir imidazol veya piridin halkasi olustururlar ki söz konusu halka, C1- ila Ca-alkil, C1- ila Cg-alkoksi. C5- ila C7-sikloalkil, benzil veya fenil içerisinden seçilen en az bir artik ile sübstitüe edilmistir ve burada, R“, opsiyonel olarak sübstitüe edilmis bir 01- ila C22-alkil, C3- ila sz-alkenil, C5- ila C7-sikloalkil veya C7- ila C13-aralkil artigini belirtir ve R22 ila R24, birbirlerinden bagimsiz olarak, opsiyonel olarak halojen, 01- ila 04- alkil, triflorometil, C1- ila C4-alkoksi, triflorometoksi, fenil veya fenoksi içerisinden seçilen en az bir artik ile sübstitüe edilmis Cs- ila Cm-aril artigini belirtir.
Simdi sasirtici bir sekilde, bulusa göre fotopolimer formülasyonlarinin, iyi bir uzun süreli stabiliteye ve fotokimyasal agartilabilirlige sahip olan holografi ortamlarinin üretilmesi için uygun oldugu bulunmustur. Ayrica, yukarida tarif edilen sentezde ortaya çikan alkiltriaril borat ve tetraaril borat karisimi basit bir prosesle dogrudan uygun bir es- baslaticiya dönüstürülebildiginden, bulusa göre kullanilan es-baslaticilar kolay ve uygun maliyetle üretilebilmektedir. Elde edilen es-baslaticilar, üretilen holografi ortamlari yukarida belirtilen dezavantajlari tasimaksizin elde edildikleri gibi kullanilabilirler. Tercihen, es-baslaticilar Tg 50°C olan camsi geçis sicakligina sahiptir.
Belirli uygulamalarda bulusa göre fotopolimer formülasyonlarinda es-baslaticilar olarak da uygun olan bu tür karbon ile sübsitüe edilmis amonyum-triarilalkil boratlarin numarali patent dokümanindan bilinmektedir. Bu tür karbon ile sübsitüe edilmis amonyum-triarilalkil boratlarin holografik uygulamalarda kullanilmasi ise teknigin bilinen durumunda tarif edilmemistir.
Tercihen, bulusa göre fotopolimer formülasyonunda kullanilan es-baslaticilarin camsi geçis sicakligi (Tg) 50°C'dir. Özellikle tercihen, Tg 5-10°C'de, özellikle tercihen, s- °C'de, en özellikle tercihen, s-20°C'de yer alir.
Bu bulus çerçevesinde, camsi geçis sicakligi (Tg) DIN EN 61006, Yöntem A'ya göre dinamik diferansiyel taramali kalorimetri ile belirlenir, burada, Tg degerinin belirlenmesi için indiyum ve kursun ile kalibre edilen bir DSC cihazi kullanilir ve burada, 20 K/dakika'lik sabit bir isitma hizi ile ilk islem için -100°C ila +80°C isitma ve ikinci ve üçüncü islemler için -100°C ila +150°C isitma seklinde birbirini takip eden üç isitma islemi ve sonunda 50 K/dakika sogutma hizinda sogutma islemi gerçeklestirilir ve üçüncü isitma egrisi degerlerin belirlenmesi için kullanilir. Tg, camsi geçis adiminin yüksekliginin yarisindaki sicaklik ile gösterilir.
Bu ölçümlerin tercih edilen uygulamalarinin diger ayrintilari örnekler bölümünde verilen yöntemlerde aktarilmistir.
Tercihen, bulusa göre kullanilan es-baslaticilar formül (la) ile gösterilen en az bir madde içerirler, R1 opsiyonel olarak dallanmis bir C14- ila C22-alkil artigini belirtir, R2 opsiyonel olarak dallanmis bir 03- ila sz-alkil artigini, bir siklohekzil- veya sikloheptil artigini, bir feniI-Ci- ila Cg-alkil artigini veya C1- ila C8- aIkiI, C1- ila Cg-alkoksi, flor, klor, triflorometil, triflorometoksi, 05- ila C7- sikloalkil, benzil, fenil veya fenoksi içerisinden seçilen en az bir artik ile sübstitüe edilmis birfenil artigini belirtir ve R3 ve R4 birbirlerinden bagimsiz olarak, metil, etil, propil, bütil, kloroetil, hidroksietil veya siyanoetil anlamina gelir veya R1 opsiyonel olarak dallanmis bir 014- ila C22-aIkII artigini belirtir, R2 opsiyonel olarak dallanmis bir 03- ila sz-alkil artigini veya bir feniI-Ci- ila Cs-alkil artigini belirtir ve R2, R3 ve R4 Formül R3 ve R4 R3 ve R4 R2, R3 ve R4 Formül (la) opsiyonel olarak dallanmis bir C14- ila sz-alkil artigini belirtir ve N+ atomu ile birlikte bir imidazol veya piridin halkasi olustururlar ki söz konusu halka, 01- ila Cg-alkil, C1- ila Cg-alkoksi. C5- ila Cy-sikloalkil, benzil veya fenil içerisinden seçilen en az bir artik ile sübstitüe edilmistir. ile gösterilen maddeler özellikle tercih edilir, tetradesil, hekzadesil, oktadesil, eikosil veya dokosil anlamina gelir, oktil, 2-etilhekzil, nonil, desil, dodesil, tetradesil, hekzadesil, oktadesil, eikosil, dokosil, siklohekzil, sikloheptil, benzil, 2-feniletil, 2- veya 3- fenilpropil veya C4- ila Cg-alkil, C4- ila Cs-alkoksi, triflorometil, triflorometoksi, 05- ila C7-sikloalkil, benzil, fenil veya fenoksi içerisinden seçilen ve 3-, 4- ve/veya 5-pozisy0nunda bulunan en az bir artik ile sübstitüe edilmis fenil artigini belirtir ve birbirlerinden bagimsiz olarak, metil veya etil anlamina gelir veya tetradesil, hekzadesil, oktadesil, eikosil veya dokosil anlamina gelir, oktil, 2-etilhekzil, nonil, desil, dodesil, tetradesil. hekzadesil, oktadesil, eikosil, dokosil, benzil, 2-feniletil, 2- veya 3-fenilpropil anlamina gelir ve birlikte bir -(CH2)4-, -(CH2)5- veya -(CH2)2-O-(CH2)2 köprüsü olustururlar tetradesil, hekzadesil, oktadesil, eikosil veya dokosil anlamina gelir ve N+ atomu ile birlikte bir imidazol veya piridin halkasi olustururlar ki söz konusu halka metil, etil, 1- veya 2-pr0pil, 1- veya 2-bütil. 1.1,- dimetiletil, 1-pentil, 1-hekzil, 1-0ktil, metoksi, etoksi, 1- veya 2- propoksi, 1- veya 2-büt0ksi, 1,1,-dimetiletoksi, 1-pent0ksi, 1-hekzil0ksi, siklopentil, siklohekzil, benzil veya fenil içerisinden seçilen en az bir artik ile sübstitüe edilmistir. ile gösterilen maddeler en özellikle tercih edilir, R1 hekzadesil veya oktadesil anlamina gelir, R2 oktil, 2-etilhekzil, desil, dodesil, tetradesil, hekzadesil, oktadesil, benzil, 3-fenilpr0pil veya 1- veya 2-bütil, 1,1-dimetiletil. 1-pentil, 1-hekzil, 1- oktil, 1- veya 2-büt0ksi, 1,1-dimetilet0ksi, 1-pentoksi. 1-hekzoksi, 1- oktoksi, triflorometil, triflorometoksi, siklohekzil, benzil, fenil veya fenoksi içerisinden seçilen ve 3-, 4- ve/veya 5-pozisyonunda bulunan en az bir artik ile sübstitüe edilmis fenil artigi anlamina gelir ve R3 ve R4 birbirlerinden bagimsiz olarak, metil anlamina gelir veya R1 hekzadesil veya oktadesil anlamina gelir, R2 oktil, 2-etilhekzil, desil, dodesil, tetradesil, hekzadesil, oktadesil, benzil veya 3-fenilpr0pil anlamina gelir ve R1 hekzadesil veya oktadesil anlamina gelir ve R2, R3 ve R4 N+ atomu ile birlikte bir imidazol halkasi olusturur ki söz konusu halkanin ikinci N atomu 1- veya 2-bütil, 1-pentil, 1-hekzil, 1-oktil, siklopentil, siklohekzil, benzil veya fenil ile sübstitüe edilmistir veya bir piridin halkasi olusturur ki söz konusu halka 1- veya 2-bütil, 1,1,- dimetiletil, 1-pentil, 1-hekzil, 1- veya 2-bütoksi, 1,1,-dimetiletoksi, 1- pentoksi, 1-hekziloksi, siklopentil, siklohekzil, benzil veya fenil içerisinden seçilen en az artik ile sübstitüe edilmistir.
Tercihen, bulusa göre fotopolimer formülasyonunda, formül (la) ile gösterilen ve R22 ila R24 artiklari ayni olan en az bir maddeyi içeren es-baslaticilar kullanilir. Ayrica, tercihen, R22 ila R24 artiklarindaki sübstitüentler 3-, 4- ve/veya 5-pozisyonunda, özellikle tercihen, 3- veya 4-pozisy0nunda veya 3,4-pozisyonunda bulunur.
Ayrica, formül (la) ile gösterilen en az bir maddeyi içeren es-baslaticilar tercih edilir, R21 opsiyonel olarak dallanmis ve opsiyonel olarak flor, klor, metoksi, etoksi veya siyano ile sübstitüe edilmis C2- ila C15-alkiI-, C3- ila C12-alkenil- veya C7- ila Cio-aralkil artigi, siklopentil veya siklohekzil anlamina gelir ve R22 ila R24 birbirlerinden bagimsiz olarak, flor, klor, C1- ila C4-alkil, triflorometil, C1- ila C4-alkoksi, triflorometoksi, fenil veya fenoksi içerisinden seçilen en az bir artik ile sübstitüe edilmis 06- ila 010- aril artigi anlamina gelir.
Formül (la) ile gösterilen en az bir maddeyi içeren es-baslaticilar en özellikle tercih edilir, burada, dodesil, 1-tetradesil, 1-hekzadesil, 1-oktadesil, alil, 2-büten-1-il, benzil, 2- feniletil, 2- veya 3-fenilpropil, siklopentil veya siklohekzil anlamina gelir R22 ila R24 birbirlerinden bagimsiz olarak, opsiyonel olarak flor, klor, metil, tert.-bütil, triflorometil, metoksi veya triflorometoksi içerisinden seçilen ve 3- ve/veya 4-pozisyonunda bulunan en az bir artik ile sübstitüe edilmis fenil artigi anlamina gelir.
Formül (la) ile gösterilen en az bir maddeyi içeren es-baslaticilar en çok özellikle tercih edilir, burada, tetradesil, 1-hekzadesil, 1-oktadesil, alil, 3-fenilpropil, siklopentil veya siklohekzil anlamina gelir ve metilfenil anlamina gelir ve R22 ila R24 aynidir.
Ayrica, formül (la) ile gösterilen en az bir maddeyi içeren es-baslaticilar tercih edilir, R21 1-bütil, 1-hekzil, 1-oktil, 1-dodesil veya 3-fenilpropil anlamina gelir, anlamina gelir ve R22 ila R24 aynidir.
Bulusun tercih edilen bir uygulamasinda, bulusa göre fotopolimer formülasyonlarinda kullanilan es-baslaticilar ayrica formül (Ib) ile gösterilen en az bir madde içerirler. burada, R1 ila R4 istem 1'deki gibi tanimlanmistirve R22 ila R25, birbirlerinden bagimsiz olarak, opsiyonel olarak halojen, C1- ila C4-alkil, triflorometil, 01- ila C4-alkoksi, triflorometoksi, fenil veya fenoksi içerisinden seçilen en az bir artik ile sübstitüe edilmis Ce- ila Cio-aril artigini belirtir.
Bulusa göre kullanilan es-baslaticilar, formüller (la) ve (Ib) ile gösterilen maddeleri, 99,9:0,1 araliginda yer alan bir mol oraninda içerirler.
Tercih edilen bir uygulamada, es-baslatici, formül (la) ile gösterilen maddeden veya formüller (la) ve (Ib) ile gösterilen maddelerin bir karisimindan olusur.
Formül (Ib) ile gösterilen maddelerin R1 ile R4 ve R22 ila R24 artiklari için de, yine, yukarida formül (la) ile gösterilen maddeler için listelenen tercih edilen uygulamalar geçerlidir. Formül (Ib)'deki R25 için de, yine, yukarida formül (la) ile gösterilen maddelerle ilgili olarak R2?, R23 veya R24 için listelenen tercih edilen uygulamalar geçerlidir.
Bulus diger bir tercih edilen uygulamasinda, es-baslatici, ayrica, formül (II) ile gösterilen tuzlar da içerir, R4 ” (m An', 2 ila 8, tercihen 3 ila 6, özellikle tercihen 3,5 ile 5 araliginda yer alan bir ACIogP degerine sahip bir anyon anlamina gelir ve R1 ila R4, yukarida formül (la) ile gösterilen maddeler için verilen anlamlara sahiptir.
Formül (II) ile gösterilen tuzlarin R1 ila R4 artiklari için de, yine, yukarida formül (la) ile gösterilen maddelerle ilgili olarak R1 ila R4 artiklari için listelenen tercih edilen uygulamalar geçerlidir.
Sasirtici bir sekilde, bilhassa 2 ila 8, tercihen 3 ila 6, özellikle tercihen 3,5 ila 5 araliginda yer alan bir ACIogP degerine sahip An_ anyonlarinin uygun oldugu bulunmustur.
ACIogP degeri, J. Comput. Aid. Mol. Des. 2005, 19, 453; Virtual Computational Chemistry Laboratory, http://www.vcclab.org içerisinde belirtilen sekilde hesaplanir.
Dolayisiyla, bulusa göre kullanilan es-baslaticilar, formül An' ile gösterilen anyonlara sahip boratlarin ve tuzlarin, bulusa göre amonyum katyonlariyla karisimlarini içerebilirler veya bu karisimlardan olusabilirler. Bulusun tercih edilen bir uygulamasinda, es-baslatici, formüller (la), (Ib) ve (II) ile gösterilen maddelerin veya formüller (la) ve (ll) ile gösterilen maddelerin bir karisimini içerir, ayrica tercihen, es- baslatici, formüller (la), (Ib) ve (II) ile gösterilen maddelerin veya formüller (la) ve (II) ile gösterilen maddelerin bir karisimindan olusur.
Es-baslatici, formül (ll) ile gösterilen tuzlari es-baslaticinin toplam kütlesine göre tercihen agirlikça %0,01 ile 10 araliginda, özellikle tercihen agirlikça %0.05 ila 7 araliginda ve en özellikle tercihen agirlikça %1 ila 5 araliginda yer alan bir oranda Uygun An' anyonlari asagidaki gibidir: Anyon ACIogP Anyon ACIogP ON 3,67 0 4,85 Bulusun diger bir tercih edilen uygulamasinda, An' anyoriunun molar kütlesinin M 2150 g/mol ve özellikle tercihen, 2250 g/mol olmasi öngörülmüstür.
Formül An' ile gösterilen anyon, tercihen en az bir fosfor veya kükürt atomu, tercihen en az bir kükürt atomu ve özellikle tercihen bir 803 grubunda bulunan bir kükürt atomu içerebilir.
Benzer sekilde, tercihen, An' anyonu en az bir düz veya dallanmis alifatik artik, tercihen bir düz veya dallanmis alifatik Ca ila 018 artigi içerebilir. Anyonun birden fazla düz veya dallanmis alifatik artik içermesi durumunda, bunlar toplamda 8 ila 36, tercihen 8 ila 24 C atomuna sahiptir. Bu alifatik artik, flor, metoksi veya etoksi gibi sübstitüentler tasiyabilir.
Bunun sonucunda, en özellikle tercih edilen formül Ari` ile gösterilen anyonlarin molar kütlesi 2250 g/mol'dür ve bir 803' grubu ve ayrica en az 8 C atomuna sahip en az bir alkil grubu içerirler ve 3 ila 6 araliginda, tercihen 3,5 ila 5 araliginda yer alan bir ACIogP degerine sahiptirler.
Formül An' ile gösterilen bulusa göre anyonlar, ACIogP degerleri 2 ila 8 araliginda yer aldigi sürece, bilhassa asagidaki maddeleri de içerirler: Cs- ila Czs-alkan sülfonat, tercihen 013- ila 025-alkan sülfonat, Ce- ila C18- perfloroalkan sülfonat, tercihen Ca- ila Cis-perfloroalkan sülfonat, C9- ila 025- alkanoat, C9- ila Czs-alkenoat, Cg- ila Czs-alkil sülfat, tercihen 013- ila Czs-alkil perfloroalkil sülfat, tercihen C4- ila C18-perfloroalkil sülfat, en az 4 etilen oksit esdegerine ve/veya 4 propilen oksit esdegerine dayanan polieter sülfatlar, bis- sülfosüksinat, en az 8 flor atomuyla sübstitüe edilmis bIS-Cz- ila Cio-alkil- sülfosüksinat, Cg- ila C25-alkiI-sülfoasetat, Cs- ila Czs-alkil grubundan en az bir artik, perfloro-Ce- ila C12-alkil ve/veya 08- ila Cia-alkoksikarbonil ile sübstitüe edilmis benzen sülfonat, alifatik C1- ila Cg-alkollerin veya gliserinin sülfonlanmis veya sülfatlanmis, opsiyonel olarak en az tekli doymamis Cg- ila Czs-yag asidi esterleri, bis-(sülfo-Cz- ila Ca-alkil)-C3- ila C12-alkan dikarboksilik asit esterleri, bis-(sülfo-Cz- ila Ce-alkil)-itakonaik asit esterleri, (SÜIfO-C2- ila Cs-alkil)-Ce- ila C1s-alkan karboksilik asit esterleri, (sülfo-Cz- ila Cs-alkil)-akrilik veya metakrilik asit esterleri, burada, çok degerlikli anyonlarda, An“ bu anyonlarin bir esdegeri anlamina gelir ve burada, alkan ve alkil gruplari dallanmis olabilir ve/veya halojen, siyano, metoksi, etoksi, metoksikarbonil veya etoksikarbonil ile sübstitüe edilmis olabilir. Özellikle tercih edilenler sunlardir: sec-C11- ila Cis-alkan sülfonat, 013- ila Czs-alkil sülfat, dallanmis C3- ila Czs-alkil sülfat, opsiyonel olarak dallanmis bis-Ce- ila Cz5-8IKII sülfosüksinat, bis- siklopentil veya -siklohekzil sülfosüksinat, sec- veya tert.-Cs- ila Cgs-alkil benzen sülfonat, alifatik C1- ila Cs-alkollerin veya gliserinin sülfonlanmis veya sülfatlanmis, opsiyonel olarak en az tekli doymamis 08- ila Czs-yag asidi esterleri, bis-(sülfo-Cz- ila Ce-alkil)-C3- ila C12-alkan dikarboksilik asit esterleri, (sülfo-Cz- ila Cs-alkiI)-Ce- ila C1g-alkan karboksilik asit esterleri.
En özellikle tercih edilenler sunlardir: bis-(1-hekzil)-sülfosüksinat, bis-(1-0ktil)- sülfosüksinat, bis-(2-etilhekziI)-süIfosüksinat, bissiklohekzilsülfosüksinat, 4-n- dodesilbenzen sülfonat, 4-s-d0desilbenzen sülfonat, 4-dallanmis-dodesilbenzen sülfonat, dodesil sülfat, tetradesil sülfat, hekzadesil sülfat, oktadesil sülfat.
Diger bir uygulamadaki fotopolimer formülasyonlari, es-baslaticinin ayrica formül (llla) ile gösterilen ve opsiyonel olarak formül (Illb) ile gösterilen maddeler içermesi ile karakterize edilir, 14/ RZV/ R2` R13 R23 R11/NxR12 35,8` 22 14/ R / R R11 ila R”, birbirlerinden bagimsiz olarak, C1- ila C4-alkil anlamina gelir ve R21 ile R24, yukarida formül (la) için belirtilen anlama sahiptir ve R25, yukarida formül (Ib) için belirtilen anlama sahiptir.
Burada, R21 ile R25 için, yukarida R21 ila R25 için formüller (la) ve (Ib) ile ilgili olarak belirtilen tercih edilen uygulamalar geçerlidir.
Bulusa göre kullanilan es-baslaticilar, formüller (llla) ve (Illb) ile gösterilen maddeleri, 99,9:0,1 araliginda yer alan bir mol oraninda içerirler.
Burada, es-baslatici, (Illa) ve (Illb) maddelerini tercihen, (la) ve (lb) maddelerininki ile ayni molar oranda içerir.
Bulusun tercih edilen bir uygulamasinda, es-baslatici, formüller (la), (lb), (Illa) ve (Illb) ile gösterilen veya (la) ve (llla) ile gösterilen maddelerin bir karisimindan, özellikle tercihen (la) ve (llla) maddelerinin bir karisimindan olusur.
(Illa) ve opsiyonel olarak (Illb) maddelerinin, (la) ve opsiyonel olarak (lb) maddelerinin toplamina molar orani, tercihen s15:85, özellikle tercihen S10:90, en özellikle tercihen 55:95 ve tercihen 52:98'dir. Ancak tercihen, (Illa) ve opsiyonel olarak (Illb) maddelerinin, (la) ve opsiyonel olarak (lb) maddelerinin toplamina molar orani, Bulusa göre kullanilan es-baslatici, ayrica, formüller (la), (Ib), (Illa) ve (Illb) ile gösterilen maddelerin, formül (Il) ile gösterilen tuzlarla bir karisimini içerebilir veya bu tür bir karisimdan olusabilir. Bulusa göre kullanilan es-baslatici, ayrica, formül (la) ve (Illa) ile gösterilen maddelerin, formül (Il) ile gösterilen tuzlarla bir karisimini içerebilir veya bu tür bir karisimdan olusabilir. Bu karisimlar da, formül (Il) ile gösterilen tuzlari, es-baslaticinin toplam kütlesine göre tercihen agirlikça %0,01 ila 10, özellikle tercihen agirlikça %0,05 ila 7 ve en özellikle tercihen agirlikça %1 ila 5 oraninda içerir.
Fotopolimer formülasyonu Fotopolimer tabakasinin üretilmesi için uygun fotopolimer formülasyonlari teknikte tabakasinin üretilmesi için fotopolimer formülasyonu, bir poliizosiyanat a) bilesenini, izosiyanatlara karsi reaktif bir b) bilesenini, bir yazim monomerini ve bir fotobaslaticiyi içeren bir fotopolimer formülasyonudur.
Poliizosiyanat a) bileseni, en az iki NCO grubuna sahip en az bir organik bilesik içerir.
Bu organik bilesikler, bilhassa, monomerik di- ve triizosiyanatlar, poliizosiyanatlar ve/veya NCQ-fonksiyonel prepolimerler olabilir. Poliizosiyanat a) bileseni, monomerik di- ve triizosiyanatlarin, poliizosiyanatlarin ve/veya NCQ-fonksiyonel prepolimerlerin karisimlarini içerebilir veya bu tür karisimlardan olusabilir.
Monomerik di- ve triizosiyanatlar olarak, teknikte uzman kisi tarafindan iyi bilinen bilesiklerin tümü veya onlarin karisimlari kullanilabilir. Bu bilesikler aromatik, aralifatik, alifatik veya sikloalifatik yapilara sahip olabilir. Küçük miktralarda, monomerik di- ve triizosiyanatlar monoizosiyanatlar, yani, bir NCO grubuna sahip organik bilesikler de olabilir.
Uygun monomerik di- ve triizosiyanatlarin örnekleri içerisinde sunlar bulunur: 1,4-bütan diizosiyanat, 1,5-pentan diizosiyanat, 1,6-hekzan diizosiyanat (hekzametilen diizosiyanat, HDI), 2,2,4-trimetilhekzametilen diizosiyanat ve/veya 2,4,4- trimetilhekzametilen diizosiyanat (TMDl), izoforon diizosiyanat (IPDI), 1,8-diizo- siyanato-4-(izosiyanatometiI)-oktan, bis-(4,4'-izosiyanatosiklohekzil)metan ve/veya bis- (2',4-izosiyanatosiklohekzil)metan ve/veya onlarin istenen izomer içerigine sahip karisimlari, 1,4-siklohekzan diizosiyanat, izomerik bis-(izosiyanatometil)siklohekzanlar, diizosiyanat, Hs-TDI), 1,4-fenilen diizosiyanat, 2,4- ve/veya 2,6-tolüilen diizosiyanat ve/veya analog 1,4-izomerleri veya yukarida belirtilen bilesiklerin istenen karisimlari.
Uygun poliizosiyanatlar, ayni zamanda, yukarida belirtilen di- veya triizosiyanatlardan elde edilebilen üretan, üre, karbodiimit, asilüre, amit, izosiyanürat, allofanat, biüret, oksadiazintrion, üretdion ve/veya iminooksadiazindion yapilarina sahip olan bilesiklerdir. Özellikle tercihen, poliizosiyanatlar, oligomerize edilmis alifatik ve/veya sikloalifatik di- veya triizosiyanatlardir, burada bilhassa yukaridaki alifatik ve/veya sikloalifatik di- veya triizosiyanatlar kullanilabilir.
Izosiyanürat, üretdion ve/veya iminooksadiazindion yapilarina sahip poliizosiyanatlar ve ayrica HDI esasli biüretler veya bunlarin karisimlari en özellikle tercih edilir.
Uygun prepolimerler, üretan ve/veya üre gruplarina ve ayrica, opsiyonel olarak NCO gruplarinin modifiye edilmesiyle olusan, yukarida belirtilenler gibi diger yapilara sahip olabilirler. Bu tür prepolimerler, ömegin, yukarida belirtilen monomerik di- ve triizosiyanatlarin ve/veya poliizosiyanatlarin a1) izosiyanatlara karsi reaktif bilesikler b1) ile reaksiyona sokulmasi yoluyla elde edilebilir. izosiyanatlara karsi reaktif bilesikler b1) olarak alkoller, amino veya merkapto bilesikleri, tercihen alkoller kullanilabilir. Burada, bilhassa, polioller söz konusudur. En özellikle tercihen, izosiyanatlara karsi reaktif bilesik b1) olarak poliester-, polieter-, polikarbonat-, poli(met)akrilat- ve/veya poliüretan-polioller kullanilabilir.
Poliester-polioller olarak, örnegin, bilinen sekilde alifatik, sikloalifatik veya aromatik di- veya polikarboksilik asitlerin veya onlarin anhidritlerinin, OH-fonksiyonelligi 22 olan çok degerlikli alkoller ile reaksiyona sokulmasi yoluyla elde edilebilen düz poliester-dioller veya dallanmis poliester-polioller uygundur. Uygun di- veya polikarboksilik asitlerin örnekleri sunlardir: çok degerlikli karboksilik asitler, örnegin süksinik, adipik, süberik, sebasik, dekandikarboksilik, ftalik, tereftalik, izoftalik, tetrahidroftalik veya trimelkitik asitler ve ayrica ftalik, trimellitik veya süksinik asit anhidritler gibi asit anhidritler veya bunlarin kendi aralarindaki istege bagli karisimlari. Poliester-polioller ayni zamanda bezir yagi gibi dogal hammadde esasli da olabilirler. Ayrica, poliester-polioller, bütirolakton, s-kaprolakton ve/veya metil-s-kaprolakton gibi laktonlarin veya Iakton karisimlarinin, OH-fonksiyonelligi 22 olan çok degerlikli alkoller gibi hidroksi-fonksiyonel bilesikler üzerinde, örnegin asagida belirtilen sekilde biriktirilmesiyle elde edilebilir.
Uygun alkollerin örnekleri tüm çok degerlikli alkoller, örnegin C2 - Ciz-dioller, izomerik siklohekzandioller, gliserin veya bunlarin kendi aralarindaki istege bagli karisimlaridir.
Uygun polikarbonat-poliollere, bilinen sekilde organik karbonatlar veya fosgen dioller veya diol karisimlari ile reaksiyona sokularak ulasilabilir.
Uygun organik karbonatlar dimetil-, dietil- ve difenilkarbonattir.
Uygun dioller veya karisimlar, poliester segmentler çerçevesinde belirtilmis olan, OH- fonksiyonelligi 22 olan çok degerlikli alkolleri, tercihen bütandioI-1,4'ü, hekzandioI-1,6'yi ve/veya 3-metilpentandiolü kapsar. Poliester-polioller de polikarbonat-poliollere dönüstürülebilir.
Uygun polieter-polioller, siklik eterlerin OH- veya NH-fonksiyonel baslangiç molekülleri üzerindeki opsiyonel olarak blok yapili poliadisyon ürünleridir.
Uygun siklik eterler, örnegin, stiren oksitler, etilen oksit, propilen oksit, tetrahidrofuran, bütilen oksit, epiklorhidrin ve ayrica bunlarin istenen karisimlaridir.
Baslangiç olarak, poliester-polioller çerçevesinde belirtilmis olan, OH-fonksiyonelligi 22 olan alkoller ve ayrica, primer veya sekonder aminler ve aminoalkoller kullanilabilir.
Tercih edilen polieter-polioller, yukarida belirtilen sekilde yalnizca propilen oksit esasli olanlardir veya propilen oksitin diger 1-alkilenoksitler ile istatistiksel veya blok kopolimerleridir. Propilen oksit homopolimerleri ve ayrica, oksietilen, Oksipropilen ve/veya oksibütilen birimlerine sahip istatistiksel veya blok kopolimerleri özellikle tercih edilir, burada, Oksipropilen birimlerinin orani tüm oksietilen, Oksipropilen ve oksibütilen birimlerinin toplam miktarina göre en az agirlikça %20'dir, tercihen en az agirlikça izomerleri kapsar.
Bunun yaninda, poliol bileseninin b1) polifonksiyonel, izosiyanatlara karsi reaktif bilesikler seklindeki bilesenleri olarak, düsük molekül agirlikli, yani, molekül agirliklari 5500 g/mol olan, kisa Zincirli, yani, 2 ila 20 karbon atomu içeren alifatik, aralifatik veya sikloalifatik di-, tri- veya polifonksiyonel alkoller de uygundur.
Bunlar, örnegin, yukarida belirtilen bilesikleri tamamlayici olarak neopentilglikol, 2-etil- 2-bütilpropandiol, trimetilpentandiol, konum izomeri dietiloktandioller, siklohekzandiol, bisfenol A, 2,2-bis(4-hidroksi-siklohekzil)-propan veya 2,2-dimetiI-3-hidroksipropiyonik asit, 2,2-dimetil-3-hidroksipropil-ester olabilir. Uygun triollerin örnekleri trimetiloletan, trimetilolpropan veya gliserindir. Uygun yüksek fonksiyonel alkoller di-(trimetilolpropan), pentaeritritol, dipentaeritritol veya sorbitoldür.
Poliol bilesenin bir difonksiyonel polieter-, poliester veya bir polieter-poliester-blok- kopoliester veya primer OH-fonksiyonlarina sahip bir polieter-poliester-blok-kopolimer olmasi özellikle tercih edilir.
Ayrica, izosiyanatlara karsi reaktif bilesikler b1) olarak aminler de kullanilabilir. Uygun aminlerin örnekleri, etilendiamin, propilendiamin, diaminosiklohekzan, 4,4'- disiklohekzilmetandiamin, izoforondiamin (IPDA), difonksiyonel poliaminler, örnegin Jeffamine®, amin ile sonlandirilmis polimerler, bilhassa sayi ortalamali molar kütleleri 510000 g/Mol olanlardir. Yukarida belirtilen aminlerin karisimlari da kullanilabilir.
Ayrica, izosiyanatlara karsi reaktif bilesikler b1) olarak aminoalkoller de kullanilabilir.
Uygun aminoalkollerin örnekleri, izomerik aminoetanoller, izomerik aminopropanoller, izomerik aminobütanoller ve izomerik aminohekzanollerdir veya onlarin istege bagli karisimlaridir.
Yukarida belirtilen, izosiyanatlara karsi reaktif bilesiklerin b1) tümü birbirleriyle istenen sekilde karistirilaibilir.
Ayrica, izosiyanatlara karsi reaktif bilesiklerin b1) sayi ortalamali molar kütlesinin 2200 55000 g/Mol olmasi da tercih edilir. Poliollerin OH-fonksiyonelligi tercihen 1.5 ila 6.0 araligindadir, özellikle tercihen 1.8 ila 4.0 araligindadir.
Poliizosiyanat a) bileseninin prepolimerleri, bilhassa. serbest monomerik di- ve triizosiyanatlar olarak agirlikça

Claims (1)

    ISTEMLER Izosiyanatlara karsi reaktif bir bilesen. bir poliizosiyanat bileseni. bir yazim monomeri ve en az bir renklendirici madde ve bir es-baslatici içeren bir fotobaslatici içeren bir fotopolimer formülasyonu olup, özelligi, es-baslaticinin formül (la) ile gösterilen en az bir madde içermesi ile karakterize edilmesidir, R1, opsiyonel olarak dallanmis bir 014- ila sz-alkil artigini belirtir, R2, opsiyonel olarak dallanmis ve/veya opsiyonel olarak sübstitüe edilmis bir 03- ila sz-alkil artigini, bir siklohekzil veya sikloheptil artigini, bir C7- ila 010- aralkil artigini veya iyonik olmayan bir artik ile sübstitüe edilmis bir fenil artigini belirtir ve R3 ve R4, birbirlerinden bagimsiz olarak, opsiyonel olarak dallanmis ve/veya opsiyonel olarak sübstitüe edilmis bir 01- ila C5-alkil artigini belirtir veya R1, opsiyonel olarak dallanmis bir C14- ila sz-alkil artigini belirtir, R2, opsiyonel olarak dallanmis ve/veya opsiyonel olarak sübstitüe edilmis bir Cg- ila sz-alkil artigini veya bir C7- ila Cio-araIkil artigini belirtir ve R1, opsiyonel olarak dallanmis bir C14- ila sz-alkil artigini belirtir, R2, R3 ve R4, N* ile birlikte bir imidazol veya piridin halkasi olustururlar ki söz konusu halka, C1- ila Ca-alkil, C1- ila Ca-alkoksi, C5- ila C7-sikloalkil, benzil veya fenil içerisinden seçilen en az bir artik ile sübstitüe edilmistir ve burada, R21, opsiyonel olarak sübstitüe edilmis bir 01- ila sz-alkil, C3- ila sz-alkenil, C5- ila C7-sikloalkil veya C7- ila Cis-aralkil artigini belirtir ve R22 ila R24, birbirlerinden bagimsiz olarak, opsiyonel olarak halojen, C1- ila C4- alkil, triflorometil, 01- ila C4-alk0ksi, triflorometoksi, fenil veya fenoksi içerisinden seçilen en az bir artik ile sübstitüe edilmis 05- ila Cio-aril artigini belirtir. . Istem 1'e göre fotopolimer formülasyonu olup, özelligi, es-baslaticinin camsi geçis sicakliginin (Tg), 50°C olmasi ile karakterize edilmesidir. . Istem 1'e veya 2'ye göre fotopolimer formülasyonu olup, özelligi, es-baslaticinin ayrica, formül (Ib) ile gösterilen en az bir maddeyi içermesi ile karakterize edilmesidir, R1? `RL R2=// `R2 (11)) burada, R1 ila R4 istem 1'deki gibi tanimlanmistir ve R22 ila R25, birbirlerinden bagimsiz olarak, opsiyonel olarak halojen, C1- ila 04- aIkiI, triflorometil, 01- ila C4-alk0ksi, triflorometoksi, fenil veya fenoksi içerisinden seçilen en az bir artik ile sübstitüe edilmis 05- ila Cio-aril artigini belirtir. . istem 3'e göre fotopolimer formülasyonu olup, özelligi, es-baslaticinin, formüller oraninda içermesi ile karakterize edilmesidir. . Istemler 1 ila 4'ten herhangi birine göre fotopolimer formülasyonu olup, özelligi, es-baslaticinin ayrica, formül (II) ile gösterilen en az bir tuzu içermesi ile karakterize edilmesidir, R (11) An', 3 - 6 araliginda yer alan bir ACIogP degerine sahip bir anyon anlamina gelir ve R1 ila R4, istem 1'de verilen anlama sahiptir. . istem 5'e göre fotopolimer formülasyonu olup, özelligi, es-baslaticinin, formül (Il) ile gösterilen tuzlari es-baslaticinin toplam kütlesine göre agirlikça %0,01 ila 10 araliginda, tercihen agirlikça %0,05 ila 7 araliginda ve özellikle tercihen agirlikça %1 ila 5 araliginda yer alan bir oranda içermesi ile karakterize edilmesidir. Istemler 1 ila 6'dan herhangi birine göre fotopolimer formülasyonu olup, özelligi, es-baslaticinin ayrica formül (IIIa) ile gösterilen ve opsiyonel olarak formül (Illb) ile gösterilen maddeler içermesi ile karakterize edilmesidir, 11 \ 12 › B` RR14// R Rzgý R22 13 'iu R1'/N`R12 25/8: 2 R1/ R 24/ R R11 ila R”, birbirlerinden bagimsiz olarak, 01- ila C4-alkil anlamina gelir ve R21 ila R24, istem 1'de verilen anlama sahiptir ve R25, istem 3'te verilen anlama sahiptir. Istem 7'ye göre fotopolimer formülasyonu olup, özelligi, es-baslaticinin, (IIIa) ve (Illb) maddelerini (la) ve (Ib) maddelerininki ile ayni molar oranda içermesi ile karakterize edilmesidir. Istem 7'ye veya 8`e göre fotopolimer formülasyonu olup, özelligi, (Illa) ve opsiyonel olarak (Illb) maddelerinin, (la) ve opsiyonel olarak (Ib) maddelerinin toplamina molar oraninin s15z85 olmasi ile karakterize edilmesidir. Istemler 1 ila 9'dan herhangi birine göre fotopolimer formülasyonu kullanilarak üretilen bir holografi ortamidir. Bir holografi ortaminin üretilmesi için yöntem olup, özelligi asagidakileri gerçeklestirmesidir: (I) istemler 1 ila 9'dan herhangi birine göre bir fotopolimer formülasyonunun, tüm bilesenlerin karistirilmasi suretiyle hazirlanir, (II) fotopolimer formülasyonu, bir isleme sicakliginda holografi ortami için istenen forma getirilir ve (III) istenen formda, isleme sicakliginin üzerinde kalan bir kürlestirme sicakliginda üretan olusumuyla kürlestirilir. Bir tasiyici substrati, onun üzerine uygulanan istem 10'a göre bir holografi ortamini ve opsiyonel olarak holografi ortaminin tasiyici substrata dönük yüzüne uygulanan bir kaplama tabakasini kapsayan katmanli yapidir. Formül (la) ile gösterilen maddelerin ve formül (Il) ile gösterilen tuzlarin bir karisimini içeren, opsiyonel olarak ayni zamanda formül (lb) ile gösterilen ve/veya formül (Illa) ile gösterilen ve opsiyonel olarak formül (Illb) ile gösterilen maddeleri içerebilen es-baslaticilarin üretilmesi için yöntem olup, Réî/ R Rzgý `R22 1 ` 2 B R1 // `R2 R4 An' 11/ \ 12 B` n R1 ila R4, istem 1'de belirtilen anlama sahiptir, R11 ila R”, istem 7'de belirtilen anlama sahiptir, R21 ila R24, istem 1'de belirtilen anlama sahiptir, R25, istem 3'te belirtilen anlama sahiptir ve An', istem 5'te belirtilen anlama sahiptir, özelligi, formül (Illa) ile gösterilen boratlarin veya formüller (llla) ve (Illb) ile gösterilen boratlarin formül (VI) ile gösterilen bir amonyum tuzu ile bir karisiminin R1 ila R4, istem 1'de belirtilen anlama sahiptir ve X', bir anyon, tercihen bir halojenür iyonu anlamina gelir, formül (VII) ile gösterilen bir tuzun varliginda M2 bir katyon, tercihen bir alkali iyonu veya bir amonyum iyonu anlamina gelir An', istem 5'te belirtilen anlama sahiptir, su ve bir esterden olusan iki fazli bir karisimda reaksiyona sokulmasi ile karakterize edilmesidir. istem 13'e göre es-baslaticilarin üretilmesi için yöntem olup, özelligi, formül (VII) ile gösterilen tuzlarin, formül (la) ile gösterilen maddelere veya formüller (la) ve (Ib) ile gösterilen maddelerin toplamina göre 0,5 ila 10 ila 100 araliginda, tercihen 1 ila 5 ila 100 araliginda yer alan bir mol oraninda kullanilmasi ile karakterize edilmesidir. Istem 13'e veya 14'e göre es-baslaticilarin üretilmesi için yöntem olup, özelligi, formül (II) ile gösterilen tuzlarin, formüller (la), (Ib) ile gösterilen maddelerin ve oraninda kullanilmasi ile karakterize edilmesidir. Istemler 13 ila 15'ten herhangi birine göre yöntem ile üretilebilen es- baslaticilardir. Formül (VIII) ile gösterilen boratlardir R31//N\R32 RM//B`R42 R“, opsiyonel olarak dallanmis bir 014- ila C22-alkil artigini belirtir, R”, bir C7- ila Cio-araIkil artigi anlamina gelir, R33 ve R“, birbirlerinden bagimsiz olarak, opsiyonel olarak dallanmis ve/veya opsiyonel olarak sübstitüe edilmis bir C1- ila Cs-alkil artigini belirtir, aralkil artigini belirtir ve R42 ile R“, birbirlerinden bagimsiz olarak, halojen, 01- ila C4-alkil, triflorometil, C1- ila C4-alkoksi, triflorometoksi, fenil veya fenoksi içerisinden seçilen en az bir artik ile sübstitüe edilmis bir 05- ila C1o-aril artigini belirtir veya burada, R3”, opsiyonel olarak dallanmis bir 014- ila sz-alkil artigini belirtir, R32, opsiyonel olarak dallanmis bir Cs- ila 022-alkil artigini veya bir C7- ila Cm- aralkil artigini belirtir, olustururlar, aralkil artigini belirtir ve R42 ile R44, birbirlerinden bagimsiz olarak, halojen, 01- ila C4-alkil, triflorometil, C1- ila C4-alkoksi, triflorometoksi, fenil veya fenoksi içerisinden seçilen en az bir artik ile sübstitüe edilmis bir 06- ila C1o-aril artigini belirtir veya burada, R“, opsiyonel olarak dallanmis bir 014- ila C22-alkil artigini belirtir, R32, opsiyonel olarak dallanmis C3- ila Cg-alkil artigi, opsiyonel olarak dallanmis C3- ila Ca-alkoksi artigi, triflorometil, triflorometoksi, siklopentil, siklohekzil, sikloheptil, fenil veya fenoksi grubundan bir ila üç artik ile sübstitüe edilmis fenil artigi anlamina gelir, R33 ve R“, birbirlerinden bagimsiz olarak, opsiyonel olarak dallanmis ve/veya opsiyonel olarak sübstitüe edilmis bir C1- ila Cs-alkil aitigini belirtir, aralkil artigini belirtir ve R42 ila R“, birbirlerinden bagimsiz olarak, halojen, C1- ila C4-alkil, triflorometil, 01- ila C4-alkoksi, triflorometoksi, fenil veya fenoksi içerisinden seçilen en az bir artik ile sübstitüe edilmis bir 06- ila Cio-aril artigini belirtir veya burada, R“, opsiyonel olarak dallanmis bir C14- ila sz-alkil artigini belirtir ve R32, R33 ve R34, N+ atomu ile birlikte bir imidazol veya piridin halkasi olustururlar ki söz konusu halka, C1- ila Cg-alkil, 01- ila Cg-alkoksi, C5- ila C7-sikloalkil, benzil veya fenil içerisinden seçilen en az bir artik ile sübstitüe edilmistir, aralkil artigini belirtir ve R42 ila R44, birbirlerinden bagimsiz olarak, halojen, 01- ila C4-alkil, triflorometil,
  1. 01- ila C4-alkoksi, triflorometoksi, fenil veya fenoksi içerisinden seçilen en az bir artik ile sübstitüe edilmis bir C5- ila C1o-aril artigini belirtir. 18. Istem 17'ye göre boratlar olup, özelligi, R42 ila R44'ün, bir 4-halofenil artigi veya bir 4-alkiI-3-haloaril artigi anlamina gelmesi ile karakterize edilmesidir. ile birlikte bir imidazol veya piridin halkasi olusturmasi ile karakterize edilmesidir, söz konusu halka asagidaki formüllerden birine karsilik gelir, burada R31, opsiyonel olarak dallanmis bir 014- ila sz-alkil artigini belirtir ve R51 ve R53, birbirlerinden bagimsiz olarak, opsiyonel olarak dallanmis bir C3- ila Cg-alkil artigi, siklopentil, siklohekzil, sikloheptil veya fenil anlamina gelir ve R5”, ek olarak, opsiyonel olarak dallanmis bir 03- ila Cg-alkoksi artigi veya fenoksi ve R53, ek olarak, fenil veya benzil anlamina gelir. R52 bir C1- ila C4-alkil artigi anlamina gelir, R54, hidrojen, bir C1- ila C4-alkil artigi veya fenil anlamina gelir.
TR2018/09751T 2013-10-17 2014-10-13 Holografi ortamlarının üretimi için düşük TG değerine sahip boratları içeren fotopolimer formülasyonu. TR201809751T4 (tr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP13189138 2013-10-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TR201809751T4 true TR201809751T4 (tr) 2018-07-23

Family

ID=49356353

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TR2018/09751T TR201809751T4 (tr) 2013-10-17 2014-10-13 Holografi ortamlarının üretimi için düşük TG değerine sahip boratları içeren fotopolimer formülasyonu.

Country Status (10)

Country Link
US (1) US10001703B2 (tr)
EP (1) EP3058423B1 (tr)
JP (1) JP6446446B2 (tr)
KR (1) KR102315409B1 (tr)
CN (1) CN105814487B (tr)
ES (1) ES2679543T3 (tr)
PL (1) PL3058423T3 (tr)
TR (1) TR201809751T4 (tr)
TW (1) TW201527865A (tr)
WO (1) WO2015055576A1 (tr)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016539023A (ja) * 2013-10-30 2016-12-15 コベストロ、ドイチュラント、アクチエンゲゼルシャフトＣｏｖｅｓｔｒｏ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ Ａｇ 基板及びフォトポリマー膜を含む複合体
TWI698326B (zh) 2015-01-14 2020-07-11 德商科思創德意志股份有限公司 以全相光學元件製備光學鑄件之方法及光學鑄件
CN110177797B (zh) 2016-11-09 2022-09-23 科思创德国股份有限公司 制备三芳基有机硼酸盐的方法
KR102489807B1 (ko) 2016-11-09 2023-01-18 코베스트로 도이칠란트 아게 트리아릴 유기보레이트의 제조 방법
TWI746688B (zh) * 2016-11-09 2021-11-21 德商科思創德意志股份有限公司 製造三芳基有機硼酸鹽之方法
WO2018105537A1 (ja) * 2016-12-08 2018-06-14 株式会社日本触媒 光ルイス酸発生剤
KR102239212B1 (ko) 2018-12-14 2021-04-12 주식회사 엘지화학 포토폴리머 조성물
US11718580B2 (en) 2019-05-08 2023-08-08 Meta Platforms Technologies, Llc Fluorene derivatized monomers and polymers for volume Bragg gratings
US11780819B2 (en) 2019-11-27 2023-10-10 Meta Platforms Technologies, Llc Aromatic substituted alkane-core monomers and polymers thereof for volume Bragg gratings
US11879024B1 (en) 2020-07-14 2024-01-23 Meta Platforms Technologies, Llc Soft mold formulations for surface relief grating fabrication with imprinting lithography
CN115280204B (zh) * 2020-09-14 2023-11-10 株式会社Lg化学 全息光学元件及用于制造其的方法
CN118742958A (zh) 2022-02-21 2024-10-01 科思创德国股份有限公司 三芳基烷基硼酸盐作为nir光聚合物组合物中的共引发剂
WO2023156484A1 (de) 2022-02-21 2023-08-24 Covestro Deutschland Ag Photopolymerzusammensetzungen für thermostabile photopolymere im sichtbaren spektralbereich
WO2023156482A1 (de) 2022-02-21 2023-08-24 Covestro Deutschland Ag Thermostabile photopolymere im sichtbaren spektralbereich und photopolymer-zusammensetzungen damit
CN115322186A (zh) * 2022-08-17 2022-11-11 南京工业大学 一种光动力抑菌剂及其制备方法和应用
WO2024052256A1 (de) 2022-09-07 2024-03-14 Covestro Deutschland Ag Spezielle benzopyryliumsalze als farbstoffe für photopolymerzusammensetzungen

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5313239B2 (tr) * 1973-10-26 1978-05-09
US4033905A (en) * 1975-11-05 1977-07-05 Rca Corporation Method for increasing the conductivity of electrically resistive organic materials
EP0223587B1 (en) 1985-11-20 1991-02-13 The Mead Corporation Photosensitive materials containing ionic dye compounds as initiators
US5153100A (en) * 1990-08-27 1992-10-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Borate coinitiators for photopolymerizable compositions
JPH0967406A (ja) * 1995-09-04 1997-03-11 Toppan Printing Co Ltd 光重合性組成物
TW467933B (en) 1995-11-24 2001-12-11 Ciba Sc Holding Ag Photopolymerizable compositions comprising borate photoinitiators from monoboranes and the use thereof
AU717137B2 (en) * 1995-11-24 2000-03-16 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Borate coinitiators for photopolymerization
MY132867A (en) 1995-11-24 2007-10-31 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc Acid-stable borates for photopolymerization
TW466256B (en) * 1995-11-24 2001-12-01 Ciba Sc Holding Ag Borate photoinitiator compounds and compositions comprising the same
JPH09241614A (ja) * 1996-03-04 1997-09-16 Toyo Ink Mfg Co Ltd 感エネルギー線酸発生剤、感エネルギー線酸発生剤組成物、硬化性組成物およびその硬化物
US6165686A (en) * 1997-05-22 2000-12-26 Showa Denko K.K. Photocurable composition and color reversion preventing method
US6218076B1 (en) * 1997-08-26 2001-04-17 Showa Denko K.K. Stabilizer for organic borate salts and photosensitive composition containing the same
JP4005258B2 (ja) * 1999-03-15 2007-11-07 富士フイルム株式会社 光重合性組成物、感光感熱記録材料及び画像記録方法
JP2003114520A (ja) * 2001-10-05 2003-04-18 Fuji Photo Film Co Ltd 光重合性組成物及びそれを用いた記録材料
JP2003322968A (ja) * 2002-05-01 2003-11-14 Fuji Photo Film Co Ltd 光重合性組成物及びそれを用いた記録材料
JP2003321476A (ja) * 2002-05-01 2003-11-11 Fuji Photo Film Co Ltd 有機ボレート塩の製造方法
US7678507B2 (en) * 2006-01-18 2010-03-16 Inphase Technologies, Inc. Latent holographic media and method
TW200830050A (en) * 2006-09-21 2008-07-16 Fujifilm Corp Resist composition and pattern-forming method using the same
WO2008125199A1 (en) * 2007-04-11 2008-10-23 Bayer Materialscience Ag Aromatic urethane acrylates having a high refractive index
IL200997A0 (en) 2008-10-01 2010-06-30 Bayer Materialscience Ag Special polyether-based polyurethane formulations for the production of holographic media
EP2218743A1 (de) * 2009-02-12 2010-08-18 Bayer MaterialScience AG Prepolymerbasierte Polyurethanformulierungen zur Herstellung holographischer Filme
ES2535950T3 (es) * 2009-11-03 2015-05-19 Bayer Intellectual Property Gmbh Uretanos como aditivos en una formulación de fotopolímeros
ES2453267T3 (es) 2009-11-03 2014-04-07 Bayer Intellectual Property Gmbh Procedimiento de fabricación de una película holográfica
EP2497083B1 (de) 2009-11-03 2013-12-25 Bayer Intellectual Property GmbH Photopolymer-formulierung mit verschiedenen schreibcomonomeren
EP2450893A1 (de) * 2010-11-08 2012-05-09 Bayer MaterialScience AG Photopolymer-Formulierung zur Herstellung holographischer Medien mit hoch vernetzten Matrixpolymeren
WO2013053792A1 (de) * 2011-10-12 2013-04-18 Bayer Intellectual Property Gmbh Kettenübertragungsreagenzien in polyurethan-basierten photopolymer-formulierungen
EP2613318B1 (de) * 2012-01-05 2014-07-30 Bayer Intellectual Property GmbH Schichtaufbau mit einer Schutzschicht und einer belichteten Photopolymerschicht

Also Published As

Publication number Publication date
CN105814487B (zh) 2019-11-08
JP2016537452A (ja) 2016-12-01
KR102315409B1 (ko) 2021-10-21
US10001703B2 (en) 2018-06-19
ES2679543T3 (es) 2018-08-28
TW201527865A (zh) 2015-07-16
PL3058423T3 (pl) 2018-09-28
EP3058423A1 (de) 2016-08-24
CN105814487A (zh) 2016-07-27
KR20160072158A (ko) 2016-06-22
JP6446446B2 (ja) 2018-12-26
WO2015055576A1 (de) 2015-04-23
EP3058423B1 (de) 2018-04-18
US20160252808A1 (en) 2016-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TR201809751T4 (tr) Holografi ortamlarının üretimi için düşük TG değerine sahip boratları içeren fotopolimer formülasyonu.
Panchireddy et al. Catechol containing polyhydroxyurethanes as high-performance coatings and adhesives
KR101015722B1 (ko) 단층막 및 이것으로 이루어지는 친수성 재료
KR102670025B1 (ko) 조성물
ES2681484T3 (es) Agente de revestimiento con monoalofanatos a base de alcoxisilanalquilisocianatos
CN105339408B (zh) 多异氰酸酯组合物以及其的制造方法、封端多异氰酸酯组合物以及其的制造方法、树脂组合物、固化性树脂组合物、以及固化物
CN103080269B (zh) 光致变色组合物
RU2670960C2 (ru) Состав, образующий изолирующий слой, и его применение
RU2015102163A (ru) Композиции для нанесения покрытия, содержащие изоцианат-функциональный преполимер, полученный из трициклодекан полиола, способы их применения и соответствующие субстраты с нанесенным покрытием
DE502006002528D1 (de) Niedrigviskose alkoxysilangruppenaufweisende prepolymere, ein verfahren zu ihrer herstellung sowie ihre verwendung
CN103608369A (zh) 包含大分子单体的聚合物
CN105008483B (zh) 太阳电池保护片及太阳电池模块
RU2690366C2 (ru) Образующая изолирующий слой композиция и ее применение
JP2012529541A5 (tr)
CN101827902A (zh) 紫外光固化光致变色组合物和由其制成的产品
JP2007211040A (ja) 一液型湿気硬化性組成物、シーリング材組成物及び接着剤組成物
JP2011528732A5 (tr)
CN110461898A (zh) 使用热潜伏性锡催化剂的双重固化法
JP2009073882A (ja) 湿気硬化型組成物及び湿気硬化型シーリング材
ES2652324T3 (es) Formamidas modificadas con silanos
WO2019183315A1 (en) Polyol acid neutralization for low temperature uretdione curing
JP2018538250A (ja) アルコキシシランアルキルイソシアネートをベースとするモノアロファネート
JP7367153B2 (ja) 断熱積層体
ES2438572T3 (es) Poliuretano termoplástico con formación disminuida de depósito
KR101427389B1 (ko) 나노복합체 접착제 조성물 및 그 제조방법