TH36707A - แบบแผนการสัมผัสโลหะโดยการใช้การปลูกซิลิคอนแบบเลือก - Google Patents

Abstract

DC60 (16/07/41) วิธีการสำหรับสร้างส่วนสัมผัสในอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำถูกจัดให้มีขึ้น วิธีการดังกล่าวเกี่ยวข้องกับ การสร้างชั้นฉนวนไป บนบริเวณแอกทีฟที่จะรับการสัมผัส การสร้างรู หรือช่องเปิด ในชั้นฉนวนเพื่อเผย เปลือยบริเวณแอกทีฟ และการสร้างชั้น อะลูมิเนียมบนชั้นฉนวน แหล่งกำเนิดของวัสดุสารกึ่งตัวนำที่ ไม่เป็นผลึก หรือวัสดุที่เป็นผลึกที่ถูกทำให้เสียหายแล้วจะ ถูกจัดวางให้สัมผัสกับชั้นอะลูมิเนียมใน ลักษณะซึ่งวัสดุสาร กึ่งตัวนำที่ไม่เป็นผลึก หรือวัสดุที่เป็นผลึกที่ถูกทำให้ เสียหายแล้วจะถูกละลายในชั้น อะลูมิเนียม และเกาะเคลือบใหม่ บนพื้นผิวของวัสดุสารกึ่งตัวนำที่จะรับการสัมผัส วัสดุสารกึ่งตัวนำจะ ถูกเกาะเคลือบโดยการขยาย ตัวแผ่ออกในสถานะแข็ง และจะนำพาอะตอมของอะลูมิ เนียมไปด้วย ทำให้ สารกึ่งตัวนำที่เหลือเป็นวัสดุชนิด p ที่ ถูกโดปอย่างแรง วิธีการสำหรับสร้างส่วนสัมผัสในอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำถูกจัดให้มีขึ้น วิธีการดังกล่าวเกี่ยวข้องกับการสร้างชั้นฉนวนไป บนบริเวณแอกทีฟที่จะรับการสัมผัส การสร้างรู หรือช่องเปิด ในชั้นฉนวนเพื่อเผยเปลือยบริเวณแอกทีฟ และการสร้างชั้น อะลูมิเนียมบนชั้นฉนวน แหล่งกำเนิดของวัสดุสารกึ่งตัวนำที่ ไม่เป็นผลึก หรือวัสดุที่เป็นผลึกที่ถูกทำให้เสียหายแล้วจะ ถูกจัดวางให้สัมผัสกับชั้นอะลูมิเนียมในลักษณะซึ่งวัสดุสาร กึ่งตัวนำที่ไม่เป็นผลึก หรือวัสดุที่เป็นผลึกที่ถูกทำให้ เสียหายแล้วจะถูกละลายในชั้นอะลูมิเนียม และเกาะเคลือบใหม่ บนพื้นผิวของวัสดุสารกึ่งตัวนำจะถูกเกาะเคลือบโดยการขยาย ตัวแผ่ออกในสถานะแข็ง และจะนำพาอะตอมของอะลูมิ เนียมไปด้วย ทำให้สารกึ่งตัวนำที่เหลือเป็นวัสดุชนิด p ที่ ถูกโดปอย่างแรง

Claims (1)

1.

1. การสร้างชั้นอะลูมิเนียมบางไปบนสารกึ่งตัวนำเคลือบไดอิ เล็กทริก ที่จะรับการสัมผัส โดยที่อย่างน้อยที่สุดมีอาณา บริเวณน้อย ๆ ของสารกึ่งตัวนำเผยเปลือยต่ออะลูมิเนียมผ่าน ช่องว่าง หรือรู หรือช่องเปิดในชั้นไดอิเล็กทริก; 2) การเกาะเคลือบสารกึแท็ก :