TH20159C3

TH20159C3 - วิธีของการเตรียมชุดอิเลคโทรนิคโดยการบ่มสารยึดติดและสิ่งที่หุ้มห่อร่วมกัน

Info

Publication number: TH20159C3
Application number: TH9901002128A
Authority: TH
Inventors: เจ โดมินิค นายคริสโตเฟอร์
Original assignee: นางรุ่งนภา บุนนาค; นายรุจิระ บุนนาค; เนชั่นแนล สตาร์ช แอนด์ เคมิคอล อินเวสเม้นท์ โฮลดิ้ง คอร์ปอเรชั่น
Filing date: 1999-06-14
Publication date: 2006-07-07

Abstract

DC60 (19/08/42) ชุดกึ่งตัวนำ ซึ่งชิพวงจรอินทีเกรเท็ตในนั้น ถูกต่อกับซับสเทรตโดยใช้การผูกติดด้วยขดลวด ที่ถูกเตรียมขึ้นโดยการบ่มสารยึดติดที่ติดกับได และการหุ้มห่อสิ่งผูกติดขดลวดในหนึ่งขั้นตอนด้วย ความร้อน ส่วนผสมสิ่งที่ใช้หุ้มห่อมีส่วนประกอบเคมีการบ่ม และรูปแบบการบ่ม ที่เข้าได้กับเหล่า นั้น ที่เป็นของสารยึดติด ชุดกึ่งตัวนำ ซึ่งชิพวงจรอินทีเกรเท็ตในนั้น ถูกต่อกับซับสเทรตโดยใช้การผูกติดด้วยขดลวด ที่ถูกเตรียมขึ้นโดยการบ่มสารยึดติดที่ติดกับได และการหุ้มห่อสิ่งผูกติดขดลวดในหนึ่งขั้นตอนด้วย ความร้อน ส่วนผสมสิ่งที่ใช้หุ้มห่อมีส่วนประกอบเคมีการบ่ม และรูปแบบการบ่ม ที่เข้าได้กับเหล่า นั้น ที่เป็นของสารยึดติด

Claims

1. ขบวนการสำหรับการเตรียมชุดกึ่งตัวนำ ซึ่งชิพวงจรอินทีเกรเท็ตถูกเชื่อมต่อกับซับสเทรตที่ มีส่วนปลายเชิงไฟฟ้าเพื่อการต่อกับชิพ, ขบวนการประกอบรวมด้วยขั้นตอนที่เป็นลำดับของ (a) การทำให้ชิพวงจรอินทรีเกรเท็ตมีส่วนปลายทางไฟฟ้าเพื่อการต่อกับซับสเทรต (b) การวางสารยึดติดที่ยืดหยุ่นได้บนผิวหน้าหนึ่งของสับสเทรต สารยึดติดนี้มีความแข็งแรง ขณะแข็ง(green strength) ที่ให้ผลต่อการป้องกันการเคลื่อนที่ของชิพในระหว่างการผูกติดด้วยขดลวด หรือ (c) การวางสารยึดติดดังกล่าวบนหน้าหนึ่งของชิพ โดยที่ว่าในขั้นตอน (b) หรือ ขั้นตอน (c) พื้นที่ผิวของสารที่ถูกวางจะอยู่บนพื้นที่ของชิพหรือสับสเตรทที่ปราศจากส่วนปลาย (d) การสัมผัสชิพและซับสเทรตเข้าด้วยกันด้วยแรงดันและความร้อนที่เพียงพอ เพื่อว่า สารยึด ติดจะยึดติดชิพกับซับสเทรต, ซึ่งอาจเป็นผลให้เกิดที่ว่างระหว่างชิพและสับสเทรตซึ่งไม่สารยึดติดอยู่ (e) การผูกมัดชิพกับซับสเทรตด้วยขดลวด (f) การทำให้มีส่วนผสมสิ่งที่ใช้ห่อหุ้มที่มีส่วนประกอบทางเคมีในการบ่มและรูปแบบการบ่ม ที่เข้ากันได้กับสารติดยึด (g) การวางสิ่งที่ใช้ห่อหุ้มไปตามเส้นขอบรอบนอกชิพเพื่อว่าสิ่งที่ใช้ห่อหุ้มนั้นจะบรรจุในที่ ว่างใดๆที่ถูกทำให้เกิดขึ้นในขั้นตอน (d) ทำให้เกิดชุดกึ่งตัวนำ (h) การนำชุดกึ่งตัวนำไปที่อุณหภูมิการบ่มเพื่อบ่มในเวลาที่เพียงพอต่อการบ่มสารยึดติดและ สิ่งที่ใช้ห่อหุ้มในเวลาเดียวกัน

2. ขบวนการตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งซับสเทรตถูกเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย เทปหรือแผ่น วง จรที่ดัดงอได้, บิสเมลอิไมด์ไทรอะซีนซับสเทรต, ลามิเนทของ อีปอกซี/เส้นใยแก้ว, โครงตะกั่วโลหะ และซีรามิคซับสเทรต

3. ขบวนการตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งสารยึดติดในขั้นตอน (b) คือสารยึดติดที่เป็นฟิล์ม

4. ขบวนการตามข้อถือสิทธิ 3 ซึ่งสารยึดติดที่เป็นฟิล์มประกอบรวมด้วย อีลาสโทเมอร์, อีปอก ซีเรซิน สารทำการบ่มสำหรับอีปอกซี

5. ขบวนการตามข้อถือสิทธิ 4 ซึ่งส่วนผสมสิ่งที่ใช้ห่อหุ้ม ในขั้นตอน (f), (g), และ (h) คือ เทอร์ โมเซททิงที่มีสารทำการบ่มเอมีน

6. ขบวนการตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งอุณหภูมิการบ่มในขั้นตอน (h) อยู่ในช่วง 100 ํC ถึง 180 ํC เป็นช่วงเวลาในช่วงครึ่งชั่วโมงถึงสองชั่วโมง