Claims (6)
1. ขบวนการสำหรับการเตรียมชุดกึ่งตัวนำ ซึ่งชิพวงจรอินทีเกรเท็ตถูกเชื่อมต่อกับซับสเทรตที่ มีส่วนปลายเชิงไฟฟ้าเพื่อการต่อกับชิพ, ขบวนการประกอบรวมด้วยขั้นตอนที่เป็นลำดับของ (a) การทำให้ชิพวงจรอินทรีเกรเท็ตมีส่วนปลายทางไฟฟ้าเพื่อการต่อกับซับสเทรต (b) การวางสารยึดติดที่ยืดหยุ่นได้บนผิวหน้าหนึ่งของสับสเทรต สารยึดติดนี้มีความแข็งแรง ขณะแข็ง(green strength) ที่ให้ผลต่อการป้องกันการเคลื่อนที่ของชิพในระหว่างการผูกติดด้วยขดลวด หรือ (c) การวางสารยึดติดดังกล่าวบนหน้าหนึ่งของชิพ โดยที่ว่าในขั้นตอน (b) หรือ ขั้นตอน (c) พื้นที่ผิวของสารที่ถูกวางจะอยู่บนพื้นที่ของชิพหรือสับสเตรทที่ปราศจากส่วนปลาย (d) การสัมผัสชิพและซับสเทรตเข้าด้วยกันด้วยแรงดันและความร้อนที่เพียงพอ เพื่อว่า สารยึด ติดจะยึดติดชิพกับซับสเทรต, ซึ่งอาจเป็นผลให้เกิดที่ว่างระหว่างชิพและสับสเทรตซึ่งไม่สารยึดติดอยู่ (e) การผูกมัดชิพกับซับสเทรตด้วยขดลวด (f) การทำให้มีส่วนผสมสิ่งที่ใช้ห่อหุ้มที่มีส่วนประกอบทางเคมีในการบ่มและรูปแบบการบ่ม ที่เข้ากันได้กับสารติดยึด (g) การวางสิ่งที่ใช้ห่อหุ้มไปตามเส้นขอบรอบนอกชิพเพื่อว่าสิ่งที่ใช้ห่อหุ้มนั้นจะบรรจุในที่ ว่างใดๆที่ถูกทำให้เกิดขึ้นในขั้นตอน (d) ทำให้เกิดชุดกึ่งตัวนำ (h) การนำชุดกึ่งตัวนำไปที่อุณหภูมิการบ่มเพื่อบ่มในเวลาที่เพียงพอต่อการบ่มสารยึดติดและ สิ่งที่ใช้ห่อหุ้มในเวลาเดียวกัน1. Procedures for preparing semiconductors Where the integrated circuit chip is connected to the substrate that There is an electrical terminal for connection to the chip, the assembly process includes a sequence of steps of (a) making the chip, an eagle grate, an electrical terminal for connection to a substrate (b). Place a flexible adhesive on one surface of the substrate. This adhesive is strong. Green strength that provides a protective effect on the chip's displacement during coil binding, or (c) placing the adhesive on one side of the chip. Provided that at step (b) or step (c) the surface area of the deposited substance is on the chip or substrate region without tip (d) contact of the chip and substrate in. Together with sufficient pressure and heat so that the adhesives bind the chip to the substrate, which may result in a space between the chip and the substrate that does not adhere (e ) Bonding of the chip to the substrate by coils (f) impregnation, encapsulation with curing chemistry and curing patterns. (G) Place the wrapper along the periphery of the chip so that the wrapper is packed in place. Any vacancy achieved in step (d) produces a semiconductor set (h), bringing the semiconductor to the curing temperature for curing in time sufficient to cure the adhesive and Encapsulation at the same time
2. ขบวนการตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งซับสเทรตถูกเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย เทปหรือแผ่น วง จรที่ดัดงอได้, บิสเมลอิไมด์ไทรอะซีนซับสเทรต, ลามิเนทของ อีปอกซี/เส้นใยแก้ว, โครงตะกั่วโลหะ และซีรามิคซับสเทรต2. The process according to claim 1, in which the substrate is selected from a group consisting of flexible tape or sheet, bismel imide thyasine substrate, laminate. Of epoxy / glass fibers, metal lead frame And the ceramic substrate
3. ขบวนการตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งสารยึดติดในขั้นตอน (b) คือสารยึดติดที่เป็นฟิล์ม3. The process according to claim 1, in which the adhesives in step (b) are film adhesives
4. ขบวนการตามข้อถือสิทธิ 3 ซึ่งสารยึดติดที่เป็นฟิล์มประกอบรวมด้วย อีลาสโทเมอร์, อีปอก ซีเรซิน สารทำการบ่มสำหรับอีปอกซี4. The process according to claim 3, in which film adhesives are included. Elastomer, Epoxy Resin, Curing Agent for Epoxies
5. ขบวนการตามข้อถือสิทธิ 4 ซึ่งส่วนผสมสิ่งที่ใช้ห่อหุ้ม ในขั้นตอน (f), (g), และ (h) คือ เทอร์ โมเซททิงที่มีสารทำการบ่มเอมีน5. The process according to claim 4 in which the encapsulation ingredients in the (f), (g), and (h) procedures are thermosetting with amine curing agents.
6. ขบวนการตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งอุณหภูมิการบ่มในขั้นตอน (h) อยู่ในช่วง 100 ํC ถึง 180 ํC เป็นช่วงเวลาในช่วงครึ่งชั่วโมงถึงสองชั่วโมง6. The procedure according to claim 1, where the incubation temperature (h) is in the range of 100 ํ C to 180 ํ C for a period of half an hour to two hours.