SU984013A1 - Формирователь парафазных импульсов - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к области импульсной техники и может быть использовано в устройствах вычислительной техники и автоматики дл  получени  противофазных импульсов с симметричными фронтами регулируемой крутизны.

Известен генератор противофаз-.. ных импульсов на МОП-транзисторах| 1.

Основными недостатками устройства  вл етс  сложность, а также, отсутствие симметрии выходных противофазных импульсов и невозможность регулировани  крутизны их фронтов.

Наиболее близким техническим решением к изобретению  вл етс  формирователь импульсов на комплементарных МОП-транзисторах, содержащий управл ющую , первую и вторую выходные шины , шины питани  разр да и выходные каскады, первый и второй конденсаторы и зар дные транзисторы 2 .

Недостатками, известного формировател  также  вл ютс  сложность схемного решени , отсутствие симметрии и возможности регулировани  крутизны фронтов выходных противофазных импульсов . Несимметри  выходных противофазнь1х импульсов св зана с тем, что из-за наличи  обратных св зей

переход сигнала на одном из выходов от высокого уровн  к низкому начинаетс  лишь после того, как потенциал на другом выходе достигнет уровн  порогового напр жени  п-канального транзистора .

Целью изобретени   вл етс  .повышение надежности путем упрощени  устройства , сокращени  числа

10 элементов, а также обеспечени  взаимной симметрии выходных импульсов н возможности регулировки крутизны их фронтов.

Поставленна  цель достигаетс  -тем,

15 что в формирователь парафадных импульсов , содержащий 5{правл ющую, входную, первую и вторую выходные шины, первую и- вторую шины питани , первый и второй выходные каскады на допол20 н ющих МДП-транзисторах, первый и второй конденсаторы, первый и второй зар дные МДП-транзисторы, подключенные к соответствующим конденсаторам и входам выходшлх каскадов, введен 25 дополнительный МДП-трйнзистрр, сток. ,и исток которого .подключены к входам выходных каскадов, причем об.ща  шина первого выходного каскада подключена к входу второго выходного

Claims (2)

1. 30 каскада, обща  шина второго выходного каскада подключена к входу пер вого выходного каскада, затворы зар ных МДП-транзисторов объединены и подключены к управл ющей шине, а их истоки соответственно - к первой и второй шинам питани , Зар дные транзисторы имеют проти воположные типы проводимости. Выходные каскады выполнены по сх ме-инверторов на дополн ющих МДП-тр зисторах. Крутизна п-канального транзистор первого выходного каскада выбрана равной крутизне р-канального транзи тора второго выходного каскада, крутизна р-канального транзистора первого выходного каскада выбрана равной крутизне п-канального-транзистора второго выходного каскада, Токи зар дных транзисторов и пороговые напр жени  р- и п-канальных транзисторов равны между собой.. Такое выполнение устройства позвол ет упростить его путем сокра щени  числа элементов, добитьс  высокой степени взаимной симметричнос ти выходных противофазных.импульсов и обеспечить возможность регулировки крутизны их фронтов. На чертеже приведена схема предлагаемО1 о генератора противофазных импульсов на МДП-транзисторах. .Генератор содержит дополнительны р-канальный ЙДП-транзистор 1, исток которого через первый зар дный МДП,транзистор 2 соединен с шиной положительного напр жени  питани  3, сток через второй зар дный МЛП-тран зистор 4 соединен с шиной отрицател ного напр жени  питани  5, а затвор соединен с входной шиной 6. Первый выходной каскад 7 включен между шиной отрицательного напр жени  питани  5 и входом второго выходного-ка када 8, который, в свою очередь, включен между входом nepBOt-o выходного каскада 7 .и шиной положительно го напр жени  питани  3, причем вход первого выходного каскада 7 соединен со стоком дополнительно1 о -МДИ-транзистора 1, а его выход - с первой выходной ш|1ной 9, вход второ го выходного каскада 8 соединен с истоком дополнительного МДЩ-транзис тора 1, а его выход - со второй выходной шиной 10, вход первого выход ного каскада 7 св зан с первым конденсатором 11, а вход второго выход ного каскада, ,8 - с вторым конденсато ром 12. . , Затвори МДП-транзисторов 2 и 4. объединены и подключены к управл ющей шине 13. Устройс1:во работает следующим образом. В исходном состо нии на управл ющую шину 13 подаетс  потенциал, близ КИЙ к нулевому, при этом МДП-транзис;торы 2 и 4открыты. Пр.и поступлении на входную Шину б положительногб сигнала, уровень которого близок к положительному напр жению питани , МДП-транзистор 1 запираетс  и конденсаторы 11 и 12, св занные с его истоком и .стоком, начинают зар жатьс  одинаковыми токами через открытые .МДП-транзисторы 2 и 4. При разности потенциалов между стоком и истоком МДП-транзистора 1, равной пороговому напр жению,р-канальный транзистор первого выходного каскада 7 и п-канальной транзистор второго выходного каскада 8 открываютс , и на первой 9 и второй 10 выходных шинах формируютс  соответственно положительный и отрицательный уровни первого и второго выходных сигналов. При поступлении на входную шину б отрицательного сигнала МДП-транзистор 1открываетс  и конденсаторы 11 и 12, св занные сузлами его истока и стока , зар женные до напр жени  соответственно положительного и отрицательного источников питани , начинают перезар жатьс  через открытый МДПтранзистор 1 и соответственно первый 2и второй 4 зар дные МДП-транзисторы . При изменении потенциалов истока и стока МДП-транзистора 1 относительно соответствующих напр жений питани  на величины, превышающие пороговые напр жени , соответственно п-канального транзистора первого выходного каскада 7 и р-канального транзистора выходного каскада 8 упом нутые МДП-транзисторы открываютс  и на первой 9 и второй 10.выходных шинах начинают формироватьс  соответственно отрицательный и положительный уровни первого и второго выходных сигналов . Поскольку конденсаторы 11 и 12, св занные с узлами истока и стока МДП-транзистора 1, близки друг к другу/ в силу симметрии схемы, а крутизны п- и р-канального транзисторов: первого выходного каскада 7 равны крутизне/соответственно р- и п-канального транзисторов второго и выходного каскада 8, абсолютные величины пороговых напр жений упом нутых МДП-транзисторов и токи МДП-транзисторов 2 и 4 равны между собой, моменты начала формировани  и скорости измерени  сигналов на первой 9 и второй 10 выходных шинах совпадают, что обеспечивает симметрию выходных парафазных импульсов. Сдвиг напр жени  на управл ющей шине 13 в сторону отрицательного напр жени  приводит к увеличению тока МДП-транзистора 2 за счет большего отпирани  р-канального МДП-транзистора и соответственно - к уменьшеиюо тока МДП-транзистора 4. Аналогично, сдвиг напр жени  на управл ющей шин 1J в сторону положительных напр жений приводит к уменьшению тока пе вого зар дного МДП-транзистора 2 и увеличению тока второго зар дного МДП-транзистора 4. Это позвол ет ос ществл ть регулировку момента начал формировани  и крутизну фронтов выходных противофазных импульсов. Таким образом, предлагаемый формирователь , по сравнению с известным , обладает.меньшей сложностью, что позвол ет при выполнении его в виде полупроводниковой интегральной схемы получить меньшую площадь крис талла. Кроме того, симметри  выходных противофазных импульсов и возмо ность регулировки крутизны их фрон тов позвол ет использовать предлага мый формирователь, например дл  упрадлени  ключом, на комплементарных мдп-транзисторах, что обеспечит сни ние уровн  динамической помехи на выходе ключа. . Формула изобретени  1. Формирователь парафазных импульсов , содержащий управл ющую, входную, первую и вторую выходные шины, первую и вторую шину питани  первый- и второй выходные каскады а дополн ющих МДП-транзисторах, первый и второй конденсаторы, первый и второй зар дные МДП-транзисторы подключенные к соответствующим конденсаторам и входам выходных каскадов , отличающийс  тем, что, с «елью повышени  надежности, в него введен дополнительный МДП-транзистор , сток и исток которого подключены к входам выходных каскадов, причем обща  шина первбго выходного каскада подключена к входу второго выходного каскада, обща  шина второго выходного каскада пЬдключена к входу первого выходного каскада, затворы зар дных МДП-транзисторов объединены и подключены к управл гачей шине, а их ибтоки соответственно к первой и второй шинам питани . 2.Формирователь по п. 1, 6тличающий 5   тем, что зар дные транзисторы имеют противополож- . ные типы проводимости. 3.Формирователь по п.1, отличающийс  тем,что выходные каскады выпо 1нены,. по схеме инверторов на дополн нмцих МДП-транзисторах . .. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе Патент ФРГ 2528812, кл. Н 03 К 5/01, 1978.
2. 2. За вка Японии 53-38155 кл. Н 03 К 5/Oi; 1978.