SU667173A3 - Аналогова лини задержки - Google Patents

Description

, 1 , , . ; -/Изобретение относитс  к области радиотехника, к. системам обработки сигналов, в частности к согласующим , фильтрам устройств передачи з;&р дов и устройствам детектировани  сигнала Дл  этих фильтров. . Известны аналоговые линии ки, содержащие МДП-транэистбры, конденсатор , шины синх1юнизиру)( цих импульсов flj .

Недостатком известных устройств.  вл етс  невозможность (Щвг считывани  инфо{ 1ации из отдёльньос звеньев.

Цель изобретени  обеспечение не разрушающего считйвани  сигнала в каждом звене и формировани  непрерывного выходного аналогового сигнала .

Дл  достижени  этой цели в аналоговую линию задержки,содержащую в каждом из звеньев два мдп-транзистора , соединенных последовательно причем между затвором и стоком ка одого из них включен конденсатор, затвор первого транзистора подключен ,к первой шине синхронизирух оих им пульсов , затвор второго - ко второй шине синхронизирующих импульсов, s каждое звено введены два МДП-транзистора , резистор, шина посто нного напр жени  и шина, причем затвор третьего транзистора подключен к стоку первого,затвор четвертого -

к стоку второго,стоки,третьего и четвертого объединены и подключены к выходу аналоговой линии задержки и через резистсф - к шине.

На чертеже представлена принципиальна  схема звена аналоговой линии

задержки;;---------,--,-..

Звено аналоговой линии задержки содержит четьфе МДП-транзистора 1-4, конденсаторы 5 и б, резистор 7, шины синхронизирухнцих импульсов 8,9, шину посто нного напр жени  10, общую шину 11, шину выходного сигнала 12, каскад-инжейтор 13.

Устройство работает следующим образом.

Входна  информаци  в виде зар да поступает на исток первого мдп-транзнстора первого звена линии за4: ержки и стекает в потенциальную  му, возникающую под затворе первого МДП-транзистора первого звена, на затвор которого подаетс  импульсное напр жение с первой шины синхронизирующих импульсо

Противофазное импульсное напр жение , поступающее на затвор второго

ЩП-транзйсторакаждого звена, в свою очередь формирует потенциальную

 му в толще полупроводника, в которую перёКёЩаётё  зар д, содержащийс  в потенциальной  ме под затвором первого транзистора.

Наличие зар да в потенциальных  мах под затворами первого и второго транзисторов каждого звена обусловлйваетР отпирающий потенциал на затворах третьего и .четвёртого транзисторов, пропорцйон ал ь ный з ар  ду. П от ё нци алы затворов третьего и четвертого транзисторов определ ют токи, протекающие в каналах третьего и четвёртого ме щу шинрй посто нного напр жени  и общей цтной.Эти .токи складываютс  на Ьезистор 7, падение напр жени  Ha lKC3l:dptipM соответству ет инфсфйавди, сойёржащейс  в звене аналоговой лйниизадёгз ски .;-;. .. .Формула изобретени 

Аналогова  лини  задержки, содержаща  в каждом из звеньев два МДПтранзистора , соединенных последовательно , причем между затвором и стоком каждого из них включен конденсатор , затвор первого транзистора подключен к первой шине синхронизирующих импульсов, затвор второго - ко второй шине синхронизирующих импульсов , отличающа с  тем, что, с целью обеспечени  неразрушающего считывани  сигнала в каждом звене и формировани  непрерывного вы хЬДнЬго аналогового сигнала, в каждое звено линии задержки введены два МДП-транзистсзра, резистор, щина посто нного напр жени  и обща  щина, причем затвор третьего транзистора подключен к стоку первого, затвор четвертого - к стоку второго, стоки третьего и четвертого объединены и подключены к шине посто нного напр жени  , их истоки также объединены и подключены к выходу аналоговой линии задержки и через резистор - к общей шине. .

Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе ; 1. Бунстра Л., Сэнгс ер Ф.л. Устройство обработки аналоговой информации . Электроника, т.45 5, 1972, с.27.

1 .

В

3.//