SU688009A1 - Способ получени тонких пленок металлов хромового р да и их окислов - Google Patents

Description

хность источника. Из исследовани  динамических характеристик рабочей камеры видно , что при посто нном нагревании испарител  без источника фонова  концентраци  реактивных газов повышаетс  и соответственно давление в камере падает, а при нагревании испарител  в тех же услови . х с источником давлени  в камере растет. Причина повышени  давлени  во втором случае св зана главным образом с эффектом интенсивного поглощени  десорбированных газов и паров нагретым источником и образовани  труднолетучих химических, соединений. В то же врем  при периодическом нагревании испарител  давление в камере практически не измен етс , что указывает на отсутствие перегретых участков и слабую десорбцию реактивных газов. Поскольку степень дегазации технологиче-. ской оснастки зависит от интенсивности ее прогревани , предложенный способ исключает возможность образовани  перегретых участков. Из результатов измерени  температуры поверхности подложки следует, что при посто нном воздействии лучистой анергии на подложки в процессе напылени  они нагреваютс  в 2-3 раза выше, чем при периодическом нагревании. Причем нижний , предел продолжительности нагревани  источника 30 с ограничен тепловой энергией испарител  с источником, в течение которой должно устанавливатьс  парциальное давление испар емого вещества над ее поверхностью не менее 0,01Ч).1 мм рт.ст. а верхний предел бОд: - ограничен возможностью перегрева технологической оснастки рабочей камеры и повышени  степени ее дегазации. Интервал времени между ступен ми нагревани  зависит от динамических свойств испарител  и вида испар емого вещества . Нижний предел интервала аремеии между ступен ми нагревани  60 с ограничен также возможностью перегрева технологической оснастки, а верхний предел 300 с - ограничен снижением производительности вакуумно-термического оборудовани . В указанных интервалах времена периодического нагревани  и охлаждени  источника концентраци  реактивных газов в объеме камеры имеет минимальное значение, гу хорость напылени  - максимальное значение. Другим преимуществом предложенного способа  вл етс  то, что равномерно-ступенчатое повышение температуры на источнике при дискретном режиме его нагревани  улучшает услови  зарождени  и дальнейший рост пленки. Поскольку структура конденсируемой пленки наследует то состо ние поверхности, которое создалось при образовании и росте зародышей. Монотонно-ступенчатое повышение температуры на источнике инициирует образование мелких, но с большей плотностью зародышей , что приводит к получению плотной

мелкозернистой структуры пленок. Аналогичное  вление наблюдаетс  и при монотонно-ступенчатом охлаждении источника в конце процесса получени  пленок. При этом скорости выхода на посто нный режим в

начале процесса, т.е. повышение темпера туры в каждой последующей ступени дискретного нагревани  зависит от вида испар емого вещества и составл ет tOO150°С (соответственно дл  легколетучих и

труднрлетучих веществ). Така  ее скорость охлаждени  выдерживаетс  в конце процесса получени  пленок. При более высокой скорости выхода на режим увеличиваетс  концентраци  испар емого вещества и ре-.

активных газов, в результате чего образуетс  рыхла  крупнозерниста  структура пленки, котора  трудно залечиваетс  последующими сло ми. Таким образом, предложенный способ позвол ет получать

вакуумно-термическим испарением малодефектные структурносовершенные пленки, чего невозможно достигнуть при использовании известных режимов.

П р и м е р 1. Получение хромированных фотошаблонных заготовок. На сферический подложкодержатель загружают 50 стекл нных пластин размером 70x70 мм рабочей стороной к испарителю, в который помещают 1 г гранул металлического хрома. Рабочую камеру герметизируют и вакуумируют до остаточного давлени  5-10® мм рт.ст.,а затем дегазируют источник и технологическую оснастку в течение 30 мин при температуре на источнике 1300°С. После дегазации источника сначала его охлаждают до комнатной температуры, а затем начинают испар ть в дискретно-ступенчатом режиме нагревани , при этом нагревание в

каждой ступени осуществл ют в течение 45 с. а интервал между ступен ми нагревани  выдерживают в течение 90 с. Температуру источника а ка;«дой последующей ступени нагреаани  до выхода «а посто нный режим (до 300°С) увеличивают на 140°С. В указанном режиме испарени  металлического хрома осуществл ют напыление пленок S течение 30 мин, причем во врем  охлаждени  источника температуру в каждои ступени уменьшают на те же 140°С. В результате использовани  данного режима получают пленки толщиной 1000-llodA и с плотностью проколсв менее 0.2 см при выходе годных хромированных фотошаблонных , заготозок бсдее 55-70%. Аналогич5 6880096

ные пластины известными способами неостальном режим аналогичен примеру 1 за получены.искл.ючением того, что источник нагревают Пример 2. Получение полупрозрач-до максимальной температуры 1200°С. Полных фотошаблонных заготовок с железо-учаемые пленки имеют толщину 800-900 А, окисным покрытием. На сферический5 плотность проколов менее 0.2 см при выподложкодержатель :загружают 50; стек-ходе годных пластин с указанными параметл нных пластин размером 70x70 мм рабо-рами в пределах 60-70%. Аналогичные чей стороной к испарителю в которыйпластины известными способами также не помещают 2 г порошка окиси железа. Вполучены.

Claims (1)

1. (54X57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ ХРОМОВОГО РЯДА И ИХ ОКИСЛОВ. включающий испарение и