SU543248A1 - Способ получени тонкодисперсной двуокиси кремни - Google Patents

Способ получени тонкодисперсной двуокиси кремни Download PDF

Info

Publication number
SU543248A1
SU543248A1 SU752106092A SU2106092A SU543248A1 SU 543248 A1 SU543248 A1 SU 543248A1 SU 752106092 A SU752106092 A SU 752106092A SU 2106092 A SU2106092 A SU 2106092A SU 543248 A1 SU543248 A1 SU 543248A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
например
silicon
oxygen
producing fine
plasma
Prior art date
Application number
SU752106092A
Other languages
English (en)
Inventor
В.Н. Троицкий
М.Я. Иванов
В.И. Берестенко
Т.Н. Купряшкина
Б.М. Гребцов
Е.А. Рябенко
Б.З. Шалумов
Original Assignee
Предприятие П/Я А-7815
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-7815 filed Critical Предприятие П/Я А-7815
Priority to SU752106092A priority Critical patent/SU543248A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU543248A1 publication Critical patent/SU543248A1/ru

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОН- . КОДИСПЕРСНОЙ ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ путемокислени  кремнийсодержащих соединений в кислородной или кислородсодержащей низкотемпературной плазме, отличающийс  тем, что, с целью повьшени  степени чистоты целевого продукта, в качестве кремнийсодержащих соединений берут ал- коксипроизводные кремни , например, тетраэтоксисилан, и процесс ведут в плазме сверхвысокочастотного разр да.2i Способ по п.1, отличающий с   тем, что плазму используют с частотой разр да 1500 - 3000 мГц.Skfl

Description

СЛ
со to
NU
00
t
Изобретение относитс  к способам получени  тонкодисперсной двуокиси кремни , котора  может найти применение в волоконной оптике и дл  изготовлени  полупроводниковой керамики.
Известен.способ получени  тонкодисперсной двуокиси кремни  путем окислени  тетрахлорида кремни  в потоке низкотемпературной плазмы электродугового разр да.
Недостатком способа  вл етс  загр знение двуокиси кремни  продукта ми эрозии металлических электродов плазменных генераторов электродугового типа и хлором, образумцимс  при горении тетрахлорида.
Известен способ получени  тонкодисперсной двуокиси кремни , заключающийс  в окисленик.кремнийсодержащих соединений, например тетрахлорида кремни , в кислородной или кислородсодержащей низкотемпературной плазме высокочастотного разр да, осуществл емого в безэлектр.одплазмотроне .
Однако чистота получаемой по этому способу двуокиси кремни  не удовлетвор ет требовани м современной оптики и полупроводниковой техники .
43248
Дл  повышени  степени чистоты целевого продукта по предлагаемому способу в качестве кремнийсодержащих соединений берут алкоксипроиз5 водные кремни ,например, тетраэтоксисилан , и процесс ведут в плазме сверхвысокочастотного разр да (частота разр да 1500-3000 мГц).
Предлагаемый способ обеспечивает получение целевого продукта достаточно высокой степени чистоты (), превышан цей более чем на. пор док чистоту двуокиси кремни , получаемой по известному способу 5 (10--10 %).П р и м е р. В кислородную СВЧплазму со.среднемассовой температурой 5500 С при расходе кислорода
2 ввод т поток аргона со скоростью 0,4 м/ч и пары тетраэтоксисилана с расходом 600 г/ч. Образующа с  в плазменном реакторе двуокись кремни  конденсируетс  у основани  реактора с частицами размером 800-1200 А. Получаема  двуокись кремни  имеет следующее, содержание примесей, вес.%: АС 0,410, |Fe 3, 5,b1oVB 1,3-10, Ni 3,8-10-, Ti 2,3 10 Sn 2,8 1(Г, Cr 0,6-10, Си 5,1-10.

Claims (2)

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОДИСПЕРСНОЙ ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ путем окисления кремнийсодержащих соединений в кислородной или кислородсодержащей низкотемпературной плазме, отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты целевого продукта, в качестве кремнийсодержащих соединений берут алкоксипроизводные кремния, например, тетраэтоксисилан, и процесс ведут в плазме сверхвысокочастотного разряда.
2ί Способ по п.1, отличающийся тем, что плазму используют с частотой разряда 1500 3000 мГц.
СП со ю hU
SU752106092A 1975-02-19 1975-02-19 Способ получени тонкодисперсной двуокиси кремни SU543248A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU752106092A SU543248A1 (ru) 1975-02-19 1975-02-19 Способ получени тонкодисперсной двуокиси кремни

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU752106092A SU543248A1 (ru) 1975-02-19 1975-02-19 Способ получени тонкодисперсной двуокиси кремни

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU543248A1 true SU543248A1 (ru) 1986-03-15

Family

ID=20610401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU752106092A SU543248A1 (ru) 1975-02-19 1975-02-19 Способ получени тонкодисперсной двуокиси кремни

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU543248A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115724433A (zh) * 2022-11-23 2023-03-03 湖北冶金地质研究所(中南冶金地质研究所) 一种石英砂等离子体气固反应提纯装置及提纯方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент US № 3481693,кл. 23-1, 2.12.69.Патент US № 3275408, кл. 23-182, 27.09.66. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115724433A (zh) * 2022-11-23 2023-03-03 湖北冶金地质研究所(中南冶金地质研究所) 一种石英砂等离子体气固反应提纯装置及提纯方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04231406A (ja) 金属粉末の製造方法
US3058812A (en) Process and apparatus for producing silicon
US3203759A (en) Method of preparing silicon dioxide
JPH0710544A (ja) 酸化ニッケル粉末の製造方法
US2369214A (en) Method of purifying boron trichloride
SU543248A1 (ru) Способ получени тонкодисперсной двуокиси кремни
US2519385A (en) Production of titanium tetraiodide
JPS6191335A (ja) 白金族金属を回収する方法
US3975187A (en) Treatment of carbothermically produced aluminum
JPH06226085A (ja) 酸化物微粒子の製造装置および製造方法
JPH01298003A (ja) オゾン発生方法
JPH1087301A (ja) エッチング用ガスおよびその製造方法
JP2004182521A (ja) 高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法
JPH04231310A (ja) 窒化アルミニウムの製法
JPH075288B2 (ja) 分割されたけい素をプラズマの下で精製する方法
US2931709A (en) Decarburizing silicon tetrachloride
US2929678A (en) Method of producing zinc selenide
JPH0416504A (ja) シリコンの精製方法
JPS63210015A (ja) 改良された二酸化珪素ルツボの製造方法
JPS6111140A (ja) 高純度セラミツクス超微粒子の製造方法
JPS62234332A (ja) レジスト除去方法
RU2002129211A (ru) Способ получения диоксида титана
RU2174950C1 (ru) Способ получения силана
SU1436342A1 (ru) Способ получени ультрадисперсного порошка меди
SU113474A1 (ru) Способ получени металлического титана