JPS62234332A - レジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去方法Info
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- JPS62234332A JPS62234332A JP7659386A JP7659386A JPS62234332A JP S62234332 A JPS62234332 A JP S62234332A JP 7659386 A JP7659386 A JP 7659386A JP 7659386 A JP7659386 A JP 7659386A JP S62234332 A JPS62234332 A JP S62234332A
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- sample
- pressure
- treating chamber
- aluminum alloy
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レジスト除去方法に係り、特に試料のアルミ
ニウム合金膜を塩素系ガスを用いてドライエツチングし
た後にレジストを除去するのに好〔従来の技術〕 試料のアルミニウム合金膜を塩素系ガスを用いてドライ
エツチングした後に防食処理する従来の技術としては、
例えば、特公昭５８−１２３４３号公報に記載のような
、ドライエツチング後の試料を弗素化プラズマに露呈さ
せるようにしたものが知られている。また、ガスプラズ
マによりレジストを除去する技術としては、例えば、特
公昭５３−２６１１２号公報等に開示されている。
ニウム合金膜を塩素系ガスを用いてドライエツチングし
た後にレジストを除去するのに好〔従来の技術〕 試料のアルミニウム合金膜を塩素系ガスを用いてドライ
エツチングした後に防食処理する従来の技術としては、
例えば、特公昭５８−１２３４３号公報に記載のような
、ドライエツチング後の試料を弗素化プラズマに露呈さ
せるようにしたものが知られている。また、ガスプラズ
マによりレジストを除去する技術としては、例えば、特
公昭５３−２６１１２号公報等に開示されている。
上記従来技術では、試料のアルミニウム合金膜を塩素系
ガスを用いてドライエツチングした後の防食とレジスト
の除去とは別個に考えられており、高速でレジストを除
去することと防食との両方の認識を有していない。
ガスを用いてドライエツチングした後の防食とレジスト
の除去とは別個に考えられており、高速でレジストを除
去することと防食との両方の認識を有していない。
本発明の目的は、試料のアルミニウム合金膜な塩素系ガ
スを用いてドライエツチングした後の防食とスルーブツ
トの向上をを同時に達成できるレジスト除去方法を提供
することにある。
スを用いてドライエツチングした後の防食とスルーブツ
トの向上をを同時に達成できるレジスト除去方法を提供
することにある。
ｒ問題点を解決するための手段］
上記目的は、試料のアルミニウム合金膜を塩素系ガスを
用いドライエツチングした後に、アノードカップル型エ
ツチング装置を用いてレジストを除去する方法で、前記
アノードカップル型エツチング装置の処理室に対向して
内設された電極の間隔を１０〜４０寵にするステップと
、前記処理室内の圧力を４０〜２００ ｐａにするステ
ップと、前記試料を温度１００℃以上に加熱するステッ
プと含有する方法とすることにより、達成される。
用いドライエツチングした後に、アノードカップル型エ
ツチング装置を用いてレジストを除去する方法で、前記
アノードカップル型エツチング装置の処理室に対向して
内設された電極の間隔を１０〜４０寵にするステップと
、前記処理室内の圧力を４０〜２００ ｐａにするステ
ップと、前記試料を温度１００℃以上に加熱するステッ
プと含有する方法とすることにより、達成される。
アノードカップル型エツチング装置の処理室に対向して
内設された［極の間隔を１０〜４０ｇ。
内設された［極の間隔を１０〜４０ｇ。
処理室内の圧力を４０〜２００ Ｐａとすることで、１
０００ ｎｍ以上のレジスト除去速度が得られる（また
、約±１０％以内の均一性が得られる）。これと共に、
試料を温度１００℃以上に加熱することで、ドライエツ
チング後の試料に残存する塩素系化合物は、該化合物の
中で蒸気圧が最も低い三塩化アルミニウム（ＭＩＣＩ！
、 ）を含め飛散する。なお、試料にアルミニウム合金
膜を成膜する場合、試料は通常２００℃以下の温度に加
熱される。したがワて、レジスト除去時の試料の加熱温
度も２００℃以下に保つようにすることが望ましい。
０００ ｎｍ以上のレジスト除去速度が得られる（また
、約±１０％以内の均一性が得られる）。これと共に、
試料を温度１００℃以上に加熱することで、ドライエツ
チング後の試料に残存する塩素系化合物は、該化合物の
中で蒸気圧が最も低い三塩化アルミニウム（ＭＩＣＩ！
、 ）を含め飛散する。なお、試料にアルミニウム合金
膜を成膜する場合、試料は通常２００℃以下の温度に加
熱される。したがワて、レジスト除去時の試料の加熱温
度も２００℃以下に保つようにすることが望ましい。
以下、本発明の一実施例を表１．第１図によす表１は、
高周波電力４００Ｗ、酸素ガス（０２）流量ｔ ｏ ｏ
５ｃｃｙ 、試料の加熱温度１７０℃（プラズマ発生
中の試料温度は約２００℃）で固定して得たレジスト除
去速度とアノードカップル型エツチング装置の処理室に
対向して内設された電極の間隔、処理室内の圧力との関
係である。
高周波電力４００Ｗ、酸素ガス（０２）流量ｔ ｏ ｏ
５ｃｃｙ 、試料の加熱温度１７０℃（プラズマ発生
中の試料温度は約２００℃）で固定して得たレジスト除
去速度とアノードカップル型エツチング装置の処理室に
対向して内設された電極の間隔、処理室内の圧力との関
係である。
表１より、１１０００ｎ以上の高いレジスト除去速度な
得るためには、電極間隔を約１０〜４０寵とし、処理室
内を約４０〜２００ Ｐａとする必要がある。なお、こ
の場合、カソード電極およびアノード電極の直径は、１
８０隨で、材質はアルミニウムである。また、処理室の
体積は、約２０Ｊである。
得るためには、電極間隔を約１０〜４０寵とし、処理室
内を約４０〜２００ Ｐａとする必要がある。なお、こ
の場合、カソード電極およびアノード電極の直径は、１
８０隨で、材質はアルミニウムである。また、処理室の
体積は、約２０Ｊである。
次に、様々な条件下でレジストな除去し腐食の観察を行
った。即ち、試料レジストに対して３０チの余分の除去
を行い、大気へ取り出した後に湿度５０％、温度２５℃
に保持し７日間経過した状態で腐食の観察を光学顕微鏡
を用い行った。この場合、レジスト除去時に処理室に供
給されるＯ２定した。得られた結果を第１図で、処理室
内の圧力が４０〜２００ Ｐａの範囲で腐食を生じさせ
ないためには、レジスト除去時−二試料を温度１００℃
以上に加熱する必要がある。処理室内の圧力が４０〜２
００ Ｐａの範囲であってもレジスト除去時の試料の加
熱温度が１００℃未満である場合には、腐食が生じてい
る。なお、第１図で、腐食島り。
った。即ち、試料レジストに対して３０チの余分の除去
を行い、大気へ取り出した後に湿度５０％、温度２５℃
に保持し７日間経過した状態で腐食の観察を光学顕微鏡
を用い行った。この場合、レジスト除去時に処理室に供
給されるＯ２定した。得られた結果を第１図で、処理室
内の圧力が４０〜２００ Ｐａの範囲で腐食を生じさせ
ないためには、レジスト除去時−二試料を温度１００℃
以上に加熱する必要がある。処理室内の圧力が４０〜２
００ Ｐａの範囲であってもレジスト除去時の試料の加
熱温度が１００℃未満である場合には、腐食が生じてい
る。なお、第１図で、腐食島り。
なしの境界を示す線は、ドライエツチング後の試料に残
存する塩素系化合物の中で蒸気圧が最も低い三塩化アル
ミニウムの蒸気圧線に略一致する。
存する塩素系化合物の中で蒸気圧が最も低い三塩化アル
ミニウムの蒸気圧線に略一致する。
なお、処理室内の圧力が４０〜２００ ｐ、の範囲で、
０２ガス流量を変化させるとほぼ１００〜１５Ｑ ８Ｃ
ＣＭの流量範囲でレジスト除去速度は最大値を示した。
０２ガス流量を変化させるとほぼ１００〜１５Ｑ ８Ｃ
ＣＭの流量範囲でレジスト除去速度は最大値を示した。
また、０２ガスに対しＣＦ４ガスを２０ＶＯ！チ以内添
加することにより、下地材５１０２ との選択比を損な
わずにレジスト除去２ｉ！Ｉｙｌはわずかながら増大し
た。
加することにより、下地材５１０２ との選択比を損な
わずにレジスト除去２ｉ！Ｉｙｌはわずかながら増大し
た。
本実施例では、試料のアルミニウム合金膜を塩素系ガス
を用いてドライエツチングした後に、アノードカップル
型エツチング装置を用い電極間隔をｌＯ〜４０ｎ、処理
室内の圧力を４０〜２００Ｐａとし試料を温度］、 Ｏ
０℃以上に加熱してレジスト除去処理することで、１０
００ ｎｍ以上の高いレジスト除去速度を得ることがで
きると共に高い防食効果を得ることができる。
を用いてドライエツチングした後に、アノードカップル
型エツチング装置を用い電極間隔をｌＯ〜４０ｎ、処理
室内の圧力を４０〜２００Ｐａとし試料を温度］、 Ｏ
０℃以上に加熱してレジスト除去処理することで、１０
００ ｎｍ以上の高いレジスト除去速度を得ることがで
きると共に高い防食効果を得ることができる。
本発明によれば、試料のアルミニウム合金膜を塩素系ガ
スを用いてドライエツチングした後の防食とスループ、
トの向上とを同時に達成できるという効果がある。
スを用いてドライエツチングした後の防食とスループ、
トの向上とを同時に達成できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例を示すもので、腐腐有無に
及ぼす試料温度と処理室内の圧力との関才１図 沫祈逼崖〔て］
及ぼす試料温度と処理室内の圧力との関才１図 沫祈逼崖〔て］
Claims (1)
- １、試料のアルミニウム合金膜を塩素系ガスを用いドラ
イエッチングした後に、アノードカップル型エッチング
装置を用いてレジストを除去する方法において、前記ア
ノードカップル型エッチング装置の処理室に対向して内
設された電極の間隔を１０〜４０ｍｍにするステップと
、前記処理室内の圧力を４０〜２００Ｐａにするステッ
プと、前記試料を温度１００℃以上に加熱するステップ
とを有することを特徴とするレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7659386A JPS62234332A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | レジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7659386A JPS62234332A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | レジスト除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62234332A true JPS62234332A (ja) | 1987-10-14 |
Family
ID=13609606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7659386A Pending JPS62234332A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | レジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62234332A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07326606A (ja) * | 1995-01-30 | 1995-12-12 | Hitachi Ltd | 試料処理方法 |
| JPH088235A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-01-12 | Hitachi Ltd | 試料処理方法 |
-
1986
- 1986-04-04 JP JP7659386A patent/JPS62234332A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07326606A (ja) * | 1995-01-30 | 1995-12-12 | Hitachi Ltd | 試料処理方法 |
| JPH088235A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-01-12 | Hitachi Ltd | 試料処理方法 |
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