JPH05166762A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
- Publication number
- JPH05166762A JPH05166762A JP3331077A JP33107791A JPH05166762A JP H05166762 A JPH05166762 A JP H05166762A JP 3331077 A JP3331077 A JP 3331077A JP 33107791 A JP33107791 A JP 33107791A JP H05166762 A JPH05166762 A JP H05166762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- etching
- semiconductor wafer
- etching method
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来に較べてさらに高い選択比を得ることが
でき、シリコン層に損傷を与えることなく、目的とする
薄膜のエッチングを行うことのできるエッチング方法を
提供する。 【構成】 排気機構１５で真空排気を実施することによ
り、処理チャンバ２内を所定の真空度に保持しつつ、上
部電極３の多数の細孔から半導体ウエハ５に向けて、Ａ
ｒ供給源７、ＣＨＦ3 供給源８、ＣＦ4 供給源９、ＣＯ
供給源１０ａ、１０ｂからのガスを供給し、これととも
に、高周波電源１３から電力を供給してエッチング処理
を行う。
でき、シリコン層に損傷を与えることなく、目的とする
薄膜のエッチングを行うことのできるエッチング方法を
提供する。 【構成】 排気機構１５で真空排気を実施することによ
り、処理チャンバ２内を所定の真空度に保持しつつ、上
部電極３の多数の細孔から半導体ウエハ５に向けて、Ａ
ｒ供給源７、ＣＨＦ3 供給源８、ＣＦ4 供給源９、ＣＯ
供給源１０ａ、１０ｂからのガスを供給し、これととも
に、高周波電源１３から電力を供給してエッチング処理
を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エッチング方法に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体デバイスの微細な回路
パターンの形成等に用いるドライエッチング方法とし
て、例えば円筒型プラズマエッチング、マイクロ波プラ
ズマエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）に
よる方法が知られている。
パターンの形成等に用いるドライエッチング方法とし
て、例えば円筒型プラズマエッチング、マイクロ波プラ
ズマエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）に
よる方法が知られている。
【０００３】このようなエッチング方法の内、反応性イ
オンエッチング方法では、例えば内部を気密に閉塞可能
に構成された処理チャンバ内に、上下に対向する如く上
部電極と下部電極とからなる平行平板電極を設け、例え
ば下部電極上に被処理物（例えば半導体ウエハ）を載置
する。そして、処理チャンバ内から真空排気を行うとと
もに、処理チャンバ内に所定の処理ガス（例えばＣＨＦ
3 ／ＣＦ4 ／Ａｒの混合ガス）を供給し、該処理チャン
バ内を所定圧力（例えば0.5 Torr程度）のエッチングガ
ス雰囲気とする。そして、平行平板電極間に交流電力を
供給してプラズマを発生させ、下部電極上に載置された
半導体ウエハにこのプラズマ（主としてプラズマ中のイ
オン）を作用させてエッチング処理を実施する。
オンエッチング方法では、例えば内部を気密に閉塞可能
に構成された処理チャンバ内に、上下に対向する如く上
部電極と下部電極とからなる平行平板電極を設け、例え
ば下部電極上に被処理物（例えば半導体ウエハ）を載置
する。そして、処理チャンバ内から真空排気を行うとと
もに、処理チャンバ内に所定の処理ガス（例えばＣＨＦ
3 ／ＣＦ4 ／Ａｒの混合ガス）を供給し、該処理チャン
バ内を所定圧力（例えば0.5 Torr程度）のエッチングガ
ス雰囲気とする。そして、平行平板電極間に交流電力を
供給してプラズマを発生させ、下部電極上に載置された
半導体ウエハにこのプラズマ（主としてプラズマ中のイ
オン）を作用させてエッチング処理を実施する。
【０００４】このような従来のエッチング方法では、例
えばシリコン製の半導体ウエハ表面に形成されたＳｉＯ
2 の薄膜にコンタクトホールをエッチング加工する場
合、シリコンに対する選択比（ＳｉＯ2 に対するエッチ
ング速度／Ｓｉに対するエッチング速度）を例えば18程
度とすることができる。
えばシリコン製の半導体ウエハ表面に形成されたＳｉＯ
2 の薄膜にコンタクトホールをエッチング加工する場
合、シリコンに対する選択比（ＳｉＯ2 に対するエッチ
ング速度／Ｓｉに対するエッチング速度）を例えば18程
度とすることができる。
【０００５】ところで、実際のエッチング工程では、Ｓ
ｉＯ2 膜厚の半導体ウエハ面内におけるばらつきがあ
り、また、半導体ウエハ面内におけるエッチング速度の
ばらつきがある。このため、確実にコンタクトホールを
形成するためには、一定時間オーバーエッチングを行っ
て、ある程度シリコン層をエッチングすることが行われ
ている。この場合ＳｉＯ2 薄膜にコンタクトホールが形
成された後、シリコン層がＳｉＯ2 に対して1/18の速度
でエッチングされることになる。
ｉＯ2 膜厚の半導体ウエハ面内におけるばらつきがあ
り、また、半導体ウエハ面内におけるエッチング速度の
ばらつきがある。このため、確実にコンタクトホールを
形成するためには、一定時間オーバーエッチングを行っ
て、ある程度シリコン層をエッチングすることが行われ
ている。この場合ＳｉＯ2 薄膜にコンタクトホールが形
成された後、シリコン層がＳｉＯ2 に対して1/18の速度
でエッチングされることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
半導体素子の高集積化にともない、ＭＯＳＬＳＩ等の半
導体素子ではコンタクトホールの下部に形成されるｐ−
ｎ接合層の深さを浅くする必要性が生じている。このた
め、上述した従来のエッチング方法では、オーバーエッ
チングによって、ｐ−ｎ接合層が削られてしまう危険性
があり、さらに選択比の高いエッチング方法の開発が望
まれていた。
半導体素子の高集積化にともない、ＭＯＳＬＳＩ等の半
導体素子ではコンタクトホールの下部に形成されるｐ−
ｎ接合層の深さを浅くする必要性が生じている。このた
め、上述した従来のエッチング方法では、オーバーエッ
チングによって、ｐ−ｎ接合層が削られてしまう危険性
があり、さらに選択比の高いエッチング方法の開発が望
まれていた。
【０００７】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に較べてさらに高い選択比を得るこ
とができ、シリコン層に損傷を与えることなく、目的と
する薄膜のエッチングを行うことのできるエッチング方
法を提供しようとするものである。
されたもので、従来に較べてさらに高い選択比を得るこ
とができ、シリコン層に損傷を与えることなく、目的と
する薄膜のエッチングを行うことのできるエッチング方
法を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明のエッ
チング方法は、処理チャンバ内から真空排気を行うとと
もに、所定の処理ガスを供給し、該処理チャンバ内を所
定圧力の処理ガス雰囲気とし、前記処理チャンバ内に設
けられた平行平板電極間に交流電力を供給してプラズマ
を発生させ、前記平行平板電極間に設けられた被処理基
板のエッチングを行うエッチング方法において、前記処
理ガスは、少なくともフッ化炭素系ガスと、一酸化炭素
ガスとを含むガスであることを特徴とする。
チング方法は、処理チャンバ内から真空排気を行うとと
もに、所定の処理ガスを供給し、該処理チャンバ内を所
定圧力の処理ガス雰囲気とし、前記処理チャンバ内に設
けられた平行平板電極間に交流電力を供給してプラズマ
を発生させ、前記平行平板電極間に設けられた被処理基
板のエッチングを行うエッチング方法において、前記処
理ガスは、少なくともフッ化炭素系ガスと、一酸化炭素
ガスとを含むガスであることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明のエッチング方法では、処理ガスとし
て、少なくともフッ化炭素系ガスと、一酸化炭素ガスと
を含むガスを用いることにより、従来に較べて選択比を
向上させることができる。したがって、オーバーエッチ
ングによってシリコン層に損傷を与えることなく、Ｓｉ
Ｏ2 薄膜等の確実なエッチング処理を行うことができ
る。
て、少なくともフッ化炭素系ガスと、一酸化炭素ガスと
を含むガスを用いることにより、従来に較べて選択比を
向上させることができる。したがって、オーバーエッチ
ングによってシリコン層に損傷を与えることなく、Ｓｉ
Ｏ2 薄膜等の確実なエッチング処理を行うことができ
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【００１１】図１に示すように、エッチング装置１に
は、材質例えばアルマイト処理を施したアルミニウムか
らなり、内部を気密に閉塞可能に構成された処理チャン
バ２が設けられている。この処理チャンバ２は、例えば
電気的にアースされており、その内部には、処理チャン
バ２の内壁と電気的に絶縁された一対の平行平板電極で
ある上部電極３と下部電極４が対向する如く設けられて
いる。
は、材質例えばアルマイト処理を施したアルミニウムか
らなり、内部を気密に閉塞可能に構成された処理チャン
バ２が設けられている。この処理チャンバ２は、例えば
電気的にアースされており、その内部には、処理チャン
バ２の内壁と電気的に絶縁された一対の平行平板電極で
ある上部電極３と下部電極４が対向する如く設けられて
いる。
【００１２】この下部電極４は、円板状に形成されてお
り、上面に被処理物である半導体ウエハ５を載置可能に
構成されている。また、下部電極４には、図示しない冷
媒循環流路が設けられており、冷媒循環機構６から液体
ヘリウム等の冷媒を循環させることにより、半導体ウエ
ハ５を冷却することができるよう構成されている。
り、上面に被処理物である半導体ウエハ５を載置可能に
構成されている。また、下部電極４には、図示しない冷
媒循環流路が設けられており、冷媒循環機構６から液体
ヘリウム等の冷媒を循環させることにより、半導体ウエ
ハ５を冷却することができるよう構成されている。
【００１３】一方、上部電極３は円板状に形成されてお
り、半導体ウエハ５に対向するその下面には、ガス供給
用の図示しない多数の細孔が設けられている。そして、
これらの細孔により、Ａｒ供給源７、ＣＨＦ3 供給源
８、ＣＦ4 供給源９、ＣＯ供給源１０ａ、１０ｂから供
給されるそれぞれのガスを、マスフローコントローラ１
１で流量制御しつつ、下部電極４上の半導体ウエハ５に
向けて噴出させるよう構成されている。なお、このよう
に構成された下部電極４のガス流路は、同心的に区分さ
れた内側部１２ａと外側部１２ｂとから構成されてい
る。そして、内側部１２ａから、Ａｒ供給源７、ＣＨＦ
3 供給源８、ＣＦ4 供給源９、ＣＯ供給源１０ａによる
混合ガスを半導体ウエハ５の中心部に供給し、外側部１
２ｂからＣＯ供給源１０ｂによるＣＯガスを半導体ウエ
ハ５の周縁部に供給するよう構成されている。
り、半導体ウエハ５に対向するその下面には、ガス供給
用の図示しない多数の細孔が設けられている。そして、
これらの細孔により、Ａｒ供給源７、ＣＨＦ3 供給源
８、ＣＦ4 供給源９、ＣＯ供給源１０ａ、１０ｂから供
給されるそれぞれのガスを、マスフローコントローラ１
１で流量制御しつつ、下部電極４上の半導体ウエハ５に
向けて噴出させるよう構成されている。なお、このよう
に構成された下部電極４のガス流路は、同心的に区分さ
れた内側部１２ａと外側部１２ｂとから構成されてい
る。そして、内側部１２ａから、Ａｒ供給源７、ＣＨＦ
3 供給源８、ＣＦ4 供給源９、ＣＯ供給源１０ａによる
混合ガスを半導体ウエハ５の中心部に供給し、外側部１
２ｂからＣＯ供給源１０ｂによるＣＯガスを半導体ウエ
ハ５の周縁部に供給するよう構成されている。
【００１４】なお、このようにＣＯガスを半導体ウエハ
５の周縁部に重点的に供給するように構成されているの
は、本発明者等の実験により、ＣＯガスを他の処理ガス
と同様に均一に供給すると、半導体ウエハ５の中心部と
周縁部とでＳｉＯ2 のシリコンに対する選択比（ＳｉＯ
2 に対するエッチング速度／Ｓｉに対するエッチング速
度）が大幅に異なり、半導体ウエハ５の中心部で選択比
が向上し、半導体ウエハ５の周縁部ではあまり選択比が
向上しないことが確認されたからである。これは、排気
位置（下部電極４の周囲）等の関係から半導体ウエハ５
の中心部から周縁部に向かってガス流が形成されるため
と推測されるが、ＣＯガスを半導体ウエハ５の周縁部に
重点的に供給することにより、半導体ウエハ５の周縁部
での選択比を向上させることができ、半導体ウエハ５の
面内における選択比のユニフォーミティを向上させるこ
とができる。
５の周縁部に重点的に供給するように構成されているの
は、本発明者等の実験により、ＣＯガスを他の処理ガス
と同様に均一に供給すると、半導体ウエハ５の中心部と
周縁部とでＳｉＯ2 のシリコンに対する選択比（ＳｉＯ
2 に対するエッチング速度／Ｓｉに対するエッチング速
度）が大幅に異なり、半導体ウエハ５の中心部で選択比
が向上し、半導体ウエハ５の周縁部ではあまり選択比が
向上しないことが確認されたからである。これは、排気
位置（下部電極４の周囲）等の関係から半導体ウエハ５
の中心部から周縁部に向かってガス流が形成されるため
と推測されるが、ＣＯガスを半導体ウエハ５の周縁部に
重点的に供給することにより、半導体ウエハ５の周縁部
での選択比を向上させることができ、半導体ウエハ５の
面内における選択比のユニフォーミティを向上させるこ
とができる。
【００１５】本実施例においては、このように構成され
た上部電極３は、高周波電源１３に接続されており、下
部電極４は、接地電位に接続されている。なお、下部電
極４に高周波電源１３を接続したり、上部電極３および
下部電極４双方に高周波電源１３を接続して位相のずれ
た交流電力を印加するようにしても良い。
た上部電極３は、高周波電源１３に接続されており、下
部電極４は、接地電位に接続されている。なお、下部電
極４に高周波電源１３を接続したり、上部電極３および
下部電極４双方に高周波電源１３を接続して位相のずれ
た交流電力を印加するようにしても良い。
【００１６】また、下部電極４の下側には蛇腹機構１４
が設けられており、図示しない駆動機構によって上下動
し、上部電極３との間隔を変更可能に構成されている。
さらに、この下部電極４の下部には、排気機構１５に接
続された排気配管が接続されており、処理チャンバ２内
を所定の真空度に排気することができるよう構成されて
いる。
が設けられており、図示しない駆動機構によって上下動
し、上部電極３との間隔を変更可能に構成されている。
さらに、この下部電極４の下部には、排気機構１５に接
続された排気配管が接続されており、処理チャンバ２内
を所定の真空度に排気することができるよう構成されて
いる。
【００１７】上記構成のエッチング装置１を用いて本実
施例では、次のようにしてＳｉＯ2 薄膜のエッチング処
理を行った。
施例では、次のようにしてＳｉＯ2 薄膜のエッチング処
理を行った。
【００１８】すなわち、予め冷媒循環機構６によって-1
0 ℃に冷却した下部電極４上に直径6 インチの半導体ウ
エハ５を載置し、排気機構１５で真空排気を実施するこ
とにより、処理チャンバ２内を0.5 Torrの真空度に保持
しつつ、上部電極３の図示しない多数の細孔から半導体
ウエハ５に向けて処理ガスを供給し、これとともに、高
周波電源１３から周波数380KHz、800Wの電力を供給し
た。
0 ℃に冷却した下部電極４上に直径6 インチの半導体ウ
エハ５を載置し、排気機構１５で真空排気を実施するこ
とにより、処理チャンバ２内を0.5 Torrの真空度に保持
しつつ、上部電極３の図示しない多数の細孔から半導体
ウエハ５に向けて処理ガスを供給し、これとともに、高
周波電源１３から周波数380KHz、800Wの電力を供給し
た。
【００１９】Ａｒ供給源７、ＣＨＦ3 供給源８、ＣＦ4
供給源９からのガス流量は、 ＣＨＦ3 ／ＣＦ4 ／Ａｒ＝20／20／1000(SCCM) として固定し、まずＣＯ供給源１０ａ、１０ｂから供給
されるＣＯガスの流量を50SCCM（25SCCM+25SCCM ）とし
て、エッチング処理を行った。この時、ＳｉＯ2 のシリ
コンに対する選択比（ＳｉＯ2 に対するエッチング速度
／Ｓｉに対するエッチング速度）は、20.7であった。
供給源９からのガス流量は、 ＣＨＦ3 ／ＣＦ4 ／Ａｒ＝20／20／1000(SCCM) として固定し、まずＣＯ供給源１０ａ、１０ｂから供給
されるＣＯガスの流量を50SCCM（25SCCM+25SCCM ）とし
て、エッチング処理を行った。この時、ＳｉＯ2 のシリ
コンに対する選択比（ＳｉＯ2 に対するエッチング速度
／Ｓｉに対するエッチング速度）は、20.7であった。
【００２０】次に、ＣＯ供給源１０ａ、１０ｂから供給
されるＣＯガスの流量を、200SCCM（100SCCM+100SCCM
）として、エッチング処理を行った。この時、ＳｉＯ
2 のシリコンに対する選択比（ＳｉＯ2 に対するエッチ
ング速度／Ｓｉに対するエッチング速度）は、29.1であ
った。
されるＣＯガスの流量を、200SCCM（100SCCM+100SCCM
）として、エッチング処理を行った。この時、ＳｉＯ
2 のシリコンに対する選択比（ＳｉＯ2 に対するエッチ
ング速度／Ｓｉに対するエッチング速度）は、29.1であ
った。
【００２１】次に、比較のため、ＣＯガスの流量をゼロ
とし、他は上記と同一条件でエッチング処理を行ったと
ころ、ＳｉＯ2 のシリコンに対する選択比（ＳｉＯ2 に
対するエッチング速度／Ｓｉに対するエッチング速度）
は、18.2であった。
とし、他は上記と同一条件でエッチング処理を行ったと
ころ、ＳｉＯ2 のシリコンに対する選択比（ＳｉＯ2 に
対するエッチング速度／Ｓｉに対するエッチング速度）
は、18.2であった。
【００２２】なお上記ＣＯガスの流量と選択比との関係
を表１に示す。
を表１に示す。
【００２３】
【表１】 このように本実施例では、フッ化炭素系ガスであるＣＦ
4 ガスと、フッ化炭化水素系ガスであるＣＨＦ3 ガス
と、不活性ガスであるＡｒガスとからなる処理ガスにＣ
Ｏガスを添加することにより、従来に較べて選択比を向
上させることができた。したがって、オーバーエッチン
グによってシリコン層に損傷を与えることなく、ＳｉＯ
2 薄膜の確実なエッチング処理を行うことができる。
4 ガスと、フッ化炭化水素系ガスであるＣＨＦ3 ガス
と、不活性ガスであるＡｒガスとからなる処理ガスにＣ
Ｏガスを添加することにより、従来に較べて選択比を向
上させることができた。したがって、オーバーエッチン
グによってシリコン層に損傷を与えることなく、ＳｉＯ
2 薄膜の確実なエッチング処理を行うことができる。
【００２４】なお、フッ化炭素系ガスとしては、ＣＦ4
ガスの他に、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ2 Ｆ6 等も使用することがで
きる。また、フッ化炭化水素系ガスとしては、ＣＨＦ3
ガスの他に、ＣＨ2 Ｆ2 等も使用することができるが、
フッ化炭化水素系ガスは使用せずに例えばＣＦ4 ガスと
Ｈ2 ガスを使用することもできる。また、ＳｉＯ2 薄膜
のエッチングに限らず、ＳｉＮ薄膜、ＳｉＯＮ薄膜等の
エッチング、あるいはＳｉ以外のＴａ2 Ｏ5 薄膜、Ｔｉ
Ｏ2 薄膜、ＴｉＮ薄膜等のエッチング等にも適用するこ
とができる。
ガスの他に、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ2 Ｆ6 等も使用することがで
きる。また、フッ化炭化水素系ガスとしては、ＣＨＦ3
ガスの他に、ＣＨ2 Ｆ2 等も使用することができるが、
フッ化炭化水素系ガスは使用せずに例えばＣＦ4 ガスと
Ｈ2 ガスを使用することもできる。また、ＳｉＯ2 薄膜
のエッチングに限らず、ＳｉＮ薄膜、ＳｉＯＮ薄膜等の
エッチング、あるいはＳｉ以外のＴａ2 Ｏ5 薄膜、Ｔｉ
Ｏ2 薄膜、ＴｉＮ薄膜等のエッチング等にも適用するこ
とができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のエッチン
グ方法によれば、従来に較べてさらに高い選択比を得る
ことができ、シリコン層に損傷を与えることなく、目的
とする薄膜のエッチングを行うことができる。
グ方法によれば、従来に較べてさらに高い選択比を得る
ことができ、シリコン層に損傷を与えることなく、目的
とする薄膜のエッチングを行うことができる。
【図１】本発明の一実施例のエッチング方法を説明する
ための図である。
ための図である。
１ エッチング装置 ２ 処理チャンバ ３ 上部電極 ４ 下部電極 ５ 半導体ウエハ ６ 冷媒循環機構 ７ Ａｒ供給源 ８ ＣＨＦ3 供給源 ９ ＣＦ4 供給源 １０ａ、１０ｂ ＣＯ供給源 １１ マスフローコントローラ １２ａ 内側部 １２ｂ 外側部 １３ 高周波電源 １４ 蛇腹機構 １５ 排気機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松下 貴哉 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 処理チャンバ内から真空排気を行うとと
もに、所定の処理ガスを供給し、該処理チャンバ内を所
定圧力の処理ガス雰囲気とし、前記処理チャンバ内に設
けられた平行平板電極間に交流電力を供給してプラズマ
を発生させ、前記平行平板電極間に設けられた被処理基
板のエッチングを行うエッチング方法において、 前記処理ガスは、少なくともフッ化炭素系ガスと、一酸
化炭素ガスとを含むガスであることを特徴とするエッチ
ング方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のエッチング方法におい
て、前記処理ガスは、さらにフッ化炭化水素系ガスを含
むことを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項３】 請求項１〜２記載のエッチング方法にお
いて、被処理基板の中心部に較べて、該被処理基板の周
縁部に一酸化炭素ガスをより多く供給することを特徴と
するエッチング方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03331077A JP3124599B2 (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | エッチング方法 |
| TW081109905A TW224492B (ja) | 1991-12-13 | 1992-12-10 | |
| US07/988,809 US5356515A (en) | 1990-10-19 | 1992-12-10 | Dry etching method |
| KR1019920024094A KR100246117B1 (ko) | 1991-12-13 | 1992-12-12 | 드라이 에칭 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03331077A JP3124599B2 (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | エッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166762A true JPH05166762A (ja) | 1993-07-02 |
| JP3124599B2 JP3124599B2 (ja) | 2001-01-15 |
Family
ID=18239597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03331077A Expired - Fee Related JP3124599B2 (ja) | 1990-10-19 | 1991-12-16 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3124599B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000030894A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-28 | Kokusai Electric Co Ltd | プラズマ処理方法および装置 |
| KR100304687B1 (ko) * | 1998-01-15 | 2001-11-30 | 로버트 에이치. 씨. 챠오 | 개선된에칭처리방법 |
| JP2007088509A (ja) * | 1996-02-22 | 2007-04-05 | Freescale Semiconductor Inc | 誘導結合プラズマ・リアクタとその方法 |
| JP2007535816A (ja) * | 2004-04-30 | 2007-12-06 | ラム リサーチ コーポレーション | プロセスガス及び高周波電力を供給するガス分配部材を含むプラズマ処理用機器 |
-
1991
- 1991-12-16 JP JP03331077A patent/JP3124599B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007088509A (ja) * | 1996-02-22 | 2007-04-05 | Freescale Semiconductor Inc | 誘導結合プラズマ・リアクタとその方法 |
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