JPH0746689B2 - アルミニウム−シリコン−銅合金のドライエツチング法 - Google Patents
アルミニウム−シリコン−銅合金のドライエツチング法Info
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- JPH0746689B2 JPH0746689B2 JP59250225A JP25022584A JPH0746689B2 JP H0746689 B2 JPH0746689 B2 JP H0746689B2 JP 59250225 A JP59250225 A JP 59250225A JP 25022584 A JP25022584 A JP 25022584A JP H0746689 B2 JPH0746689 B2 JP H0746689B2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はプラズマの物理化学反応を利用したアルミニウ
ム−シリコン−銅（以下Al−Si−Cuとする）合金のドラ
イエッチング法に関するものであり、特に半導体集積回
路の製造工程におけるAl−Si−Cu合金のドライエッチン
グ法に関する。
ム−シリコン−銅（以下Al−Si−Cuとする）合金のドラ
イエッチング法に関するものであり、特に半導体集積回
路の製造工程におけるAl−Si−Cu合金のドライエッチン
グ法に関する。
従来の技術および発明が解決しようとする問題点 従来のAl−Si−Cu合金のドライエッチング法は反応ガス
として、四塩化炭素、三塩化硼素、塩素などの塩素系ガ
スの単一ガスもしくは混合ガスを用いていた。しかしこ
のような塩素系ガスのみでは反応生成物である塩化銅の
蒸気圧が小さく、かつプラズマ中のイオンのスパッタリ
ング作用が小さいため、Al−Si−Cu合金の銅成分のみが
エッチング基板表面に残るという欠点を有していた。
又、塩素系ガスにヘリウムを添加する方法も知られてい
るが、その効果はプラズマの熱的安定性の向上であり、
スパッタリング作用の増大には影響しない。故に塩素系
ガスにヘリウムを添加してもエッチング基板表面に銅成
分が残るという欠点を有していた。
として、四塩化炭素、三塩化硼素、塩素などの塩素系ガ
スの単一ガスもしくは混合ガスを用いていた。しかしこ
のような塩素系ガスのみでは反応生成物である塩化銅の
蒸気圧が小さく、かつプラズマ中のイオンのスパッタリ
ング作用が小さいため、Al−Si−Cu合金の銅成分のみが
エッチング基板表面に残るという欠点を有していた。
又、塩素系ガスにヘリウムを添加する方法も知られてい
るが、その効果はプラズマの熱的安定性の向上であり、
スパッタリング作用の増大には影響しない。故に塩素系
ガスにヘリウムを添加してもエッチング基板表面に銅成
分が残るという欠点を有していた。
また、塩化銅の蒸気圧を高くするために、エッチング基
板の温度を上げる方法も知られているが、エッチングの
マスク材料となるレジストがエッチングされやすくなる
ため、その効果は小さい。
板の温度を上げる方法も知られているが、エッチングの
マスク材料となるレジストがエッチングされやすくなる
ため、その効果は小さい。
発明の構成 本発明は、塩素系の反応ガスの単一ガスまたは混合ガス
中で前記反応ガスを放電し、アルミニウム−シリコン−
銅合金を化学反応及び物理反応により加工するアルミニ
ウム−シリコン−銅合金のドライエンチング法におい
て、前記塩素系の反応ガスに窒素10vol％〜50vol％の窒
素ガスを混合するドライエッチング法である。
中で前記反応ガスを放電し、アルミニウム−シリコン−
銅合金を化学反応及び物理反応により加工するアルミニ
ウム−シリコン−銅合金のドライエンチング法におい
て、前記塩素系の反応ガスに窒素10vol％〜50vol％の窒
素ガスを混合するドライエッチング法である。
作用 本発明は塩素系の反応ガスの単一ガスまたは混合ガスに
窒素ガスを10vol％〜50vol％を混合したので、銅成分を
残さないでアルミニウム−シリコン−銅合金を加工でき
る。
窒素ガスを10vol％〜50vol％を混合したので、銅成分を
残さないでアルミニウム−シリコン−銅合金を加工でき
る。
実施例 本発明で使用したドライエッチング装置を第１図に示
す。
す。
使用方法は、ステンレス製反応室（１）内に塩素系の反
応ガス（２）と窒素ガス（３）を導入しながら、図示し
ない排気手段により適当な減圧状態にして高周波電源
（４）から高周波電圧を印加し両電極（５）、（６）間
にプラズマを発生させて行なった。Al−Si−Cu合金の被
エッチング物（７）は高周波電圧供給側の電極（５）上
に載置されている。
応ガス（２）と窒素ガス（３）を導入しながら、図示し
ない排気手段により適当な減圧状態にして高周波電源
（４）から高周波電圧を印加し両電極（５）、（６）間
にプラズマを発生させて行なった。Al−Si−Cu合金の被
エッチング物（７）は高周波電圧供給側の電極（５）上
に載置されている。
塩素系ガスに対する窒素ガスの添加量は10vol％〜50vol
％であり、最も良い結果は約30vlo％で得られる。窒素
ガスの混合の添加量が50vol％を越えるとAlおよびAl−S
i合金のエッチング速度が急速に低下し、好ましくない
結果となる。また、窒素の添加量が10vol％未満ではス
パッタリングの作用が小さく銅成分を完全にエッチング
することができない。
％であり、最も良い結果は約30vlo％で得られる。窒素
ガスの混合の添加量が50vol％を越えるとAlおよびAl−S
i合金のエッチング速度が急速に低下し、好ましくない
結果となる。また、窒素の添加量が10vol％未満ではス
パッタリングの作用が小さく銅成分を完全にエッチング
することができない。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例１ 直径75mmのシリコンウエハ上に厚さ0.5μｍの熱酸化膜
を形成し、その上に厚さ１μｍのAl−Si−Cu合金をスパ
ッタリング蒸着した。そのAl−Si−Cu合金膜上に厚さ1.
2μｍのホトレジストOFPR−800を塗布し、露光現象によ
りマスクパターンを形成した。以上のように作成した試
料をドライエッチング装置の高周波電圧供給側の電極上
に載置し、下記のエッチング条件でエッチング加工を実
施した。
を形成し、その上に厚さ１μｍのAl−Si−Cu合金をスパ
ッタリング蒸着した。そのAl−Si−Cu合金膜上に厚さ1.
2μｍのホトレジストOFPR−800を塗布し、露光現象によ
りマスクパターンを形成した。以上のように作成した試
料をドライエッチング装置の高周波電圧供給側の電極上
に載置し、下記のエッチング条件でエッチング加工を実
施した。
エッチング条件Ａの場合 第２図に示すようにエッチン
グ基板表面に銅のエッチング残りが発生している。
グ基板表面に銅のエッチング残りが発生している。
エッチング条件Ｂの場合 第３図に示すようにエッチン
グ基板表面に銅のエッチング残りが発生しておらず、マ
スタパターン通りのエッチングが実現できた。これは三
塩化硼素と塩素の混合ガスに窒素を添加することによ
り、陰極降下電圧が増大し、イオンのスパッタ作用が大
きくなったためと考えられる。
グ基板表面に銅のエッチング残りが発生しておらず、マ
スタパターン通りのエッチングが実現できた。これは三
塩化硼素と塩素の混合ガスに窒素を添加することによ
り、陰極降下電圧が増大し、イオンのスパッタ作用が大
きくなったためと考えられる。
なお、第１の実施例において塩素系ガスは三塩化硼素と
塩素の混合ガスとしたが、塩素系ガスは四塩化炭素、三
塩化硼素、塩素のいずれの単一ガス、もしくはそれら三
者のどのような組み合わせの混合ガスをしてもよいこと
は言うまでもない。
塩素の混合ガスとしたが、塩素系ガスは四塩化炭素、三
塩化硼素、塩素のいずれの単一ガス、もしくはそれら三
者のどのような組み合わせの混合ガスをしてもよいこと
は言うまでもない。
発明の効果 本発明は、Al−Si−Cu合金のドライエッチングにおい
て、塩素系の反応ガスに窒素ガスを用いることにより、
エッチング基板表面のエッチング残りを発生させないこ
とができ、実用的効果を生ずる。
て、塩素系の反応ガスに窒素ガスを用いることにより、
エッチング基板表面のエッチング残りを発生させないこ
とができ、実用的効果を生ずる。
第１図は本発明で使用したドライエッチング装置の概略
図、第２図は本発明の第１の実施例におけるエッチング
条件Ａでエッチングした場合の走査電子顕微鏡写真に基
いて描いた図、第３図は本発明の第１の実施例における
エッチング条件Ｂでエッチングした場合の走査電子顕微
鏡写真に基いて描いた図、を示す。 1:反応室、2:塩素系の反応ガス 3:窒素の添加ガス、4:高周波電源 ５、6:電極、7:Al−Si−Cu合金の被エッチング物
図、第２図は本発明の第１の実施例におけるエッチング
条件Ａでエッチングした場合の走査電子顕微鏡写真に基
いて描いた図、第３図は本発明の第１の実施例における
エッチング条件Ｂでエッチングした場合の走査電子顕微
鏡写真に基いて描いた図、を示す。 1:反応室、2:塩素系の反応ガス 3:窒素の添加ガス、4:高周波電源 ５、6:電極、7:Al−Si−Cu合金の被エッチング物
Claims (1)
- 【請求項１】塩素系の反応ガスの単一ガスまたは混合ガ
ス中で前記反応ガスを放電し、アルミニウム−シリコン
−銅合金を化学反応及び物理反応により加工するアルミ
ニウム−シリコン−銅合金のドライエッチング法におい
て、前記塩素系の反応ガスに10vol％〜50vol％の窒素ガ
スを混合したアルミニウム−シリコン−銅合金のドライ
エッチング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250225A JPH0746689B2 (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | アルミニウム−シリコン−銅合金のドライエツチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250225A JPH0746689B2 (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | アルミニウム−シリコン−銅合金のドライエツチング法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128528A JPS61128528A (ja) | 1986-06-16 |
| JPH0746689B2 true JPH0746689B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=17204697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59250225A Expired - Lifetime JPH0746689B2 (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | アルミニウム−シリコン−銅合金のドライエツチング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746689B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2926864B2 (ja) * | 1990-04-12 | 1999-07-28 | ソニー株式会社 | 銅系金属膜のエッチング方法 |
| US6010603A (en) * | 1997-07-09 | 2000-01-04 | Applied Materials, Inc. | Patterned copper etch for micron and submicron features, using enhanced physical bombardment |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5841766B2 (ja) * | 1978-12-28 | 1983-09-14 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5638474A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Etching method of aluminum or aluminum-base alloy film |
| JPS58161345A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-09-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59123246A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | Fujitsu Ltd | 微細パタ−ン形成方法 |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP59250225A patent/JPH0746689B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61128528A (ja) | 1986-06-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |