JPH0258831A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH0258831A JPH0258831A JP21122088A JP21122088A JPH0258831A JP H0258831 A JPH0258831 A JP H0258831A JP 21122088 A JP21122088 A JP 21122088A JP 21122088 A JP21122088 A JP 21122088A JP H0258831 A JPH0258831 A JP H0258831A
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- etching
- aluminum
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Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アルミニウムのドライエツチング方法に関し
、特にアルミニウムまたはアルミニウムーシリコンに銅
を添加したアルミニウム配線のドライエツチング方法に
関する。
、特にアルミニウムまたはアルミニウムーシリコンに銅
を添加したアルミニウム配線のドライエツチング方法に
関する。
近年における半導体装置の高集積化にともなって基板上
に形成される配線構造の信頼性が重要となってきている
。一般に半導体装置の配線材料としては、アルミニウム
が用いられるが、配線が微細化スるにつれて、アルミニ
ウム配線のエレクトロマイグレーションが問題となって
きている。この問題に関しては、アルミニウムに数％の
銅を添加して対策を行なっている。このアルミニウムー
銅配線のパターン形成は、塩素を含むガスを用いた反応
性イオンエツチングによって行なわれる。
に形成される配線構造の信頼性が重要となってきている
。一般に半導体装置の配線材料としては、アルミニウム
が用いられるが、配線が微細化スるにつれて、アルミニ
ウム配線のエレクトロマイグレーションが問題となって
きている。この問題に関しては、アルミニウムに数％の
銅を添加して対策を行なっている。このアルミニウムー
銅配線のパターン形成は、塩素を含むガスを用いた反応
性イオンエツチングによって行なわれる。
エツチングは、塩素系ガスのプラズマ中におかれたアル
ミニウムを比較的蒸気圧の高い塩化アルミニウムとして
気化させることによって、行なわれる。
ミニウムを比較的蒸気圧の高い塩化アルミニウムとして
気化させることによって、行なわれる。
上述した反応性イオンエツチングでは、銅の添加量が３
〜４％以上のアルミニウムー銅配線の場合、第２図に示
すようなエツチング面に残渣１４が生じる。これは銅が
蒸気圧の高い塩化物を形成しないため、エツチング残渣
として残るためである。
〜４％以上のアルミニウムー銅配線の場合、第２図に示
すようなエツチング面に残渣１４が生じる。これは銅が
蒸気圧の高い塩化物を形成しないため、エツチング残渣
として残るためである。
本発明のドライエツチング方法は、アルミニウムー銅、
アルミニウムシリコン−銅のドライエツチングにおいて
、塩素を含むガスを用いた反応性イオンエツチングに続
いて、アルゴンガスを用いたスパッタエツチングを行う
工程を含んでいる。
アルミニウムシリコン−銅のドライエツチングにおいて
、塩素を含むガスを用いた反応性イオンエツチングに続
いて、アルゴンガスを用いたスパッタエツチングを行う
工程を含んでいる。
次に本発明を図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例を実現するための装置であ
る。アルミニウムー銅配線のエツチングは、以下のシー
ケンスで行なわれる。
る。アルミニウムー銅配線のエツチングは、以下のシー
ケンスで行なわれる。
ロード側キャリア８に収納されたウェハーは、アルミニ
ウムエツチング室１に送られる。次に塩素系ガス３が導
入され、一定の圧力に達した後、高周波電源４ａより、
電極２ａ、２ｂにパワーが印加され、プラズマが発生し
、反応性イオンエツチングが行なわれる。アルミニウム
ー銅配線のエツチングは、塩素系ガスにより、アルミニ
ウムが蒸気圧の高い塩化アルミニウムなどの化合物とな
って進行する。この反応性イオンエツチングが終了した
時点では、第２図に示すようなエツチング形状が得られ
る。この場合、蒸気圧の高い塩化物を作らない銅がエツ
チング残渣１４として酸化膜上に残る。
ウムエツチング室１に送られる。次に塩素系ガス３が導
入され、一定の圧力に達した後、高周波電源４ａより、
電極２ａ、２ｂにパワーが印加され、プラズマが発生し
、反応性イオンエツチングが行なわれる。アルミニウム
ー銅配線のエツチングは、塩素系ガスにより、アルミニ
ウムが蒸気圧の高い塩化アルミニウムなどの化合物とな
って進行する。この反応性イオンエツチングが終了した
時点では、第２図に示すようなエツチング形状が得られ
る。この場合、蒸気圧の高い塩化物を作らない銅がエツ
チング残渣１４として酸化膜上に残る。
次にスパッタエツチング室７にウェハーが送られ、アル
ゴンガス６が導入され、電極５ａ、５ｂに高周波電源４
ｂよりパワーが印加され、プラズマが発生し、スパッタ
エツチングが行なわれる。
ゴンガス６が導入され、電極５ａ、５ｂに高周波電源４
ｂよりパワーが印加され、プラズマが発生し、スパッタ
エツチングが行なわれる。
スパッタエツチングの場合は、不活性なアルゴンガスな
用いるため、化学反応ではなく、アルゴン原子の大きな
スパッタ作用のため物理的に銅がエツチングされる。そ
の結果第３図に示すように残渣のない、良好なエツチン
グ形状が得られる。
用いるため、化学反応ではなく、アルゴン原子の大きな
スパッタ作用のため物理的に銅がエツチングされる。そ
の結果第３図に示すように残渣のない、良好なエツチン
グ形状が得られる。
以上、アルミニウムー銅配線のエツチングについて述べ
たが、アルミニウムーシリコン−銅配線についても、ア
ルミニウムーシリコンが反応性イオンエツチングでエツ
チングされ、続いて、銅がスパッタエツチングでエツチ
ングされることになる。
たが、アルミニウムーシリコン−銅配線についても、ア
ルミニウムーシリコンが反応性イオンエツチングでエツ
チングされ、続いて、銅がスパッタエツチングでエツチ
ングされることになる。
第４図は、本発明の他の実施例を実現するための装置で
ある。この実施例では、反応性イオンエツチングに続い
て行うスパッタエツチングを、第１図で示した装置のよ
うにアルミニウムエツチング室に隣接したスパッタエツ
チング室で行うのではなく、全く独立したイオンミリン
グ室２１で行うものである。第４図は、そのイオンミリ
ング装置の構成図である。
ある。この実施例では、反応性イオンエツチングに続い
て行うスパッタエツチングを、第１図で示した装置のよ
うにアルミニウムエツチング室に隣接したスパッタエツ
チング室で行うのではなく、全く独立したイオンミリン
グ室２１で行うものである。第４図は、そのイオンミリ
ング装置の構成図である。
第２図に示した反応性イオンエツチングが終了したウェ
ハー２７がウェノ）−ホルダー２６に置かれ、アルゴン
ビーム２５により銅の残渣１４がエツチングされる。
ハー２７がウェノ）−ホルダー２６に置かれ、アルゴン
ビーム２５により銅の残渣１４がエツチングされる。
以上説明したように、本発明は反応性イオンエツチング
に続いて、スパッタエツチングを行うことにより、アル
ミニウムー銅配線のエツチング残渣を除去することが可
能になる。
に続いて、スパッタエツチングを行うことにより、アル
ミニウムー銅配線のエツチング残渣を除去することが可
能になる。
従ってエツチング残渣による配線の短絡を防止でき、信
頼性の高い配線構造を得ることができる。
頼性の高い配線構造を得ることができる。
第１図は、本発明の一実施例に使用するドライエツチン
グ装置の構成図、第２図は、反応性イオンエツチング終
了時のアルミニウムー銅配線の断面図、第３図は、スパ
ッタエツチング終了時の断面図、第４図は、本発明の他
の実施例に使用するイオンミリング装置の構成図である
。 ■・・・・・・アルミニウムエツチング室、２ ａ ｒ
２ ｂ ｒ５ａ、５ｂ・・・・・・電極、３・・・・
・・塩素系ガス、４ａ。 ４ｂ・・・・・・高周波電源、６・・・・・・アルゴン
ガス、７・・・・・・スパッタエツチング室、８・・・
・・・ロード側キャリア、９・・・・・・アンロード側
キャリア、１０ａ、１０ｂ・・・・・・ウェハー １１
・・・・・・アルミニウムー銅配線膜、１２・・・・・
・フォトレジスト、１３・・・・・・酸化膜、１４・・
・・・・残渣、２１・・・・・・イオンミリング室、２
２・・・・・・カソード、２３・・・・・・アノード、
２４・・・・・・グリッド、２５・・・・・・アルゴン
ビーム、２６・・・・・・ウェハーホルダー ２７・・
・・・・ウェハー プ アルミニウムエ・／す〕７市 ２＾、２ｂ、５α、ｓｂ 電ネ伽 ３１裾２４糸力゛／ ｆ−ｔｚ、４−ｂ ｓｑｓ〆’＄４ 茅 乙 アルコ゛′ンガ゛ズ ７ 又ノ’ｅ−ｚ’ｌエッー８７−室 ８０−トイ判、キャブγ ９ ア〉ローＰ′Ａ列キャリ１ ／θη７πＡ １７ｒ八− １回 革 第 ｆｆ−−・・アルミニウムす呵配鰭腫 ／２・−・カトレンＸト ／３−〜−・迩６２イ４と、矛へ１ ／４−・八才
グ装置の構成図、第２図は、反応性イオンエツチング終
了時のアルミニウムー銅配線の断面図、第３図は、スパ
ッタエツチング終了時の断面図、第４図は、本発明の他
の実施例に使用するイオンミリング装置の構成図である
。 ■・・・・・・アルミニウムエツチング室、２ ａ ｒ
２ ｂ ｒ５ａ、５ｂ・・・・・・電極、３・・・・
・・塩素系ガス、４ａ。 ４ｂ・・・・・・高周波電源、６・・・・・・アルゴン
ガス、７・・・・・・スパッタエツチング室、８・・・
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キャリア、１０ａ、１０ｂ・・・・・・ウェハー １１
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２４・・・・・・グリッド、２５・・・・・・アルゴン
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Claims (1)
- 銅を含むアルミニウム配線のドライエッチング方法にお
いて、ハロゲン元素を含むガスを用いた反応性イオンエ
ッチング工程と、その後スパッタエッチングを行う工程
とを有することを特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21122088A JPH0258831A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21122088A JPH0258831A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258831A true JPH0258831A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16602282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21122088A Pending JPH0258831A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258831A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5827436A (en) * | 1995-03-31 | 1998-10-27 | Sony Corporation | Method for etching aluminum metal films |
| CN102583033A (zh) * | 2012-03-06 | 2012-07-18 | 唐山重型装备集团有限责任公司 | 带式输送机刮板式除水器 |
| JP2012169657A (ja) * | 2007-07-05 | 2012-09-06 | Imec | 銅の光子誘起除去 |
| US8916673B2 (en) | 2010-12-27 | 2014-12-23 | Toray Industries, Inc. | Process for producing liquid crystalline polyester resin and apparatus for producing liquid crystalline polyester resin |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP21122088A patent/JPH0258831A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5827436A (en) * | 1995-03-31 | 1998-10-27 | Sony Corporation | Method for etching aluminum metal films |
| JP2012169657A (ja) * | 2007-07-05 | 2012-09-06 | Imec | 銅の光子誘起除去 |
| US8916673B2 (en) | 2010-12-27 | 2014-12-23 | Toray Industries, Inc. | Process for producing liquid crystalline polyester resin and apparatus for producing liquid crystalline polyester resin |
| CN102583033A (zh) * | 2012-03-06 | 2012-07-18 | 唐山重型装备集团有限责任公司 | 带式输送机刮板式除水器 |
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