JP4620964B2 - 金属膜のパターン形成方法 - Google Patents
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Description
また、還元性のガスとしてBCl 3 を用いているので、BCl 3 の還元作用によりAl酸化物がエッチングしやすくなる。
2 下層配線
3 銅プラグ
4 上層配線
5 Al合金膜
6 レジストパターン
7 エッチング反応室
8 基板ステージ
9 基板(ウェハー)
10 ICPプラズマ
11 トップコイル
Claims (1)
- 半導体基板上にAlまたはAlを主成分とする合金膜からなる金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上にレジストパターンからなるマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクとしてArとCl2とCHF3とを含み前記Arの流量が総流量の20%以上50%以下である第1の混合ガスのプラズマで前記金属膜表面をエッチングしてAl酸化物以外の金属膜表面変質層を除去する第1のエッチング工程と、
エッチング反応室の電位に対してDC電圧300V以上となる負の電位のRFバイアスを前記半導体基板に印加した状態で、前記マスクパターンをマスクとしてCl2、BCl3、CHF3 からなりBCl3の流量が総流量に対して50%以上である第2の混合ガスのプラズマで前記金属膜表面をエッチングしてAl酸化物を除去する第2のエッチング工程と、
第1および第2のエッチング工程の後、前記マスクパターンをマスクとして前記金属膜を選択的に除去する第3のエッチング工程とを含む金属膜のパターン形成方法。
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