JP2004182521A - 高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法 - Google Patents
高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004182521A JP2004182521A JP2002350426A JP2002350426A JP2004182521A JP 2004182521 A JP2004182521 A JP 2004182521A JP 2002350426 A JP2002350426 A JP 2002350426A JP 2002350426 A JP2002350426 A JP 2002350426A JP 2004182521 A JP2004182521 A JP 2004182521A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnesium oxide
- fine powder
- oxide fine
- magnesium
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
【解決手段】上方に向けて略垂直に噴射させたマグネシウム蒸気と不活性ガスとからなる混合気体に酸素含有気体流を接触させることにより、マグネシウムを酸化して酸化マグネシウム微粉末を生成させながら、生成した酸化マグネシウム微粉末の一部を連続的あるいは間欠的に採取して、その粒子径に関係する物性値を測定し、測定された物性値に基づいて、酸素含有気体の流量及び/又は酸素濃度を調整して、生成する酸化マグネシウム微粉末の粒子径をあらかじめ決められた粒子径範囲に入るように調節する高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
高純度の酸化マグネシウム微粉末を製造する方法として、気相合成法が知られている。この気相合成法は、金属マグネシウムを加熱して、マグネシウム蒸気を発生させ、このマグネシウム蒸気と酸素含有気体とを互いに接触させることにより、マグネシウムを酸化して酸化マグネシウム微粉末を生成させる方法である。
【0003】
気相合成法により酸化マグネシウム微粉末を製造するための装置は、一般に、金属マグネシウム蒸気を生成させるマグネシウム蒸気生成装置と、マグネシウム蒸気と酸素含有気体とを互いに接触させることにより、マグネシウムを酸化して酸化マグネシウム微粉末を生成させるマグネシウム酸化装置とからなる。
【0004】
特許文献1には、マグネシウム蒸気生成装置として、金属マグネシウムを加熱して溶融させるための金属マグネシウムの溶融鍋(溶解鍋ともいう)と、溶融マグネシウムを加熱して蒸発させるためのマグネシウムの蒸発鍋とを耐熱性パイプ(接続パイプともいう)で連結した構成の金属マグネシウム溶融蒸発装置が開示されている。
【0005】
特許文献2には、マグネシウム酸化装置としては、底部から上方に向けて略垂直にマグネシウム蒸気と不活性ガスとからなる混合気体を噴射させるための混合ガスの噴射口を備え、側部に酸素含有気体噴射口を備えたマグネシウム酸化装置が開示されている。この文献には、所望の粒径となるように、混合気体の噴射口の断面積を設定し、次に実装置で酸化マグネシウム粉末を製造し、設定した粒子径と実際に得られた粉末の粒子径との差異を酸素含有気体の噴射口の取付位置を変えて微調整することにより、正確に所望の粒子径の酸化マグネシウム粉末を製造することが可能となるとの記載がある。
【0006】
【特許文献1】
特開平2−307822号公報
【特許文献2】
特開平7−101722号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者が、上記の金属マグネシウム溶融蒸発装置とマグネシウム酸化装置とを実際に用いて酸化マグネシウム微粉末を製造すると幾つかの問題があることが分かった。その内の一つに、長期間にわたって連続的に酸化マグネシウム微粉末の製造を行なうと、その製造時間の経過と共に粒子径の不均一な酸化マグネシウム微粉末が生成し易くなる傾向にあり、得られた高純度酸化マグネシウム微粉末の粒度分布の幅が広くなるという問題がある。
従って、本発明の目的は、粒度分布の幅が狭い高純度酸化マグネシウム微粉末を長期間にわたって連続的に製造することができる方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上方に向けて略垂直に噴射させたマグネシウム蒸気と不活性ガスとからなる混合気体に酸素含有気体流を接触させることにより、マグネシウムを酸化して酸化マグネシウム微粉末を生成させながら、生成した酸化マグネシウム微粉末の一部を連続的あるいは間欠的に採取して、その粒子径に関係する物性値を測定し、測定された物性値に基づいて、酸素含有気体の流量及び/又は酸素濃度を調整して、生成する酸化マグネシウム微粉末の粒子径をあらかじめ決められた粒子径範囲に入るように調節することを特徴とする高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法にある。
【0009】
本発明の高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法の好ましい態様を下記に示す。
(1)混合気体と酸素含有気体との接触角度が、混合気体の進行方向に対して略垂直である。
(2)粒子径に関係する物性値が比表面積である。
(3)混合気体と酸素含有気体との接触場所を調整することにより、生成する酸化マグネシウム微粉末の粒子径を調節する工程を含む。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法は、酸化マグネシウム微粉末を生成させながら、生成した酸化マグネシウム微粉末の一部を連続的あるいは間欠的に採取して、その粒子径に関係する物性値を測定し、測定された物性値に基づいて、酸素含有気体の流量及び/又は酸素濃度を調整して、生成する酸化マグネシウム微粉末の粒子径をあらかじめ決められた粒子径範囲に入るように調節することを特徴とする。
【0011】
粒子径に関係する物性値としては、平均粒子径及び比表面積(BET比表面積)を用いることができる。平均粒子径の測定にはレーザ回折法などの公知の方法を用いることができる。比表面積の測定には窒素吸着法などの公知の方法を用いることができる。粒子径に関係する物性値には、比表面積を用いることが好ましい。
【0012】
物性値の測定は、酸化マグネシウム微粉末の粒子径が不安定になりがちな製造開始直後(通常は、製造開始から5時間以内)では、1時間に2回以上(好ましくは2〜10回)の頻度で行なうことが好ましい。また、酸化マグネシウム微粉末の粒子径が比較的安定した場合でも、物性値の測定は1時間に1回以上(好ましくは1〜5回)の頻度で行なうことが好ましい。
【0013】
採取した酸化マグネシウム微粉末の粒子径が目的とする粒子径範囲より大きい場合には、酸素含有気体の流量は調整前より多くし、酸素含有気体の酸素濃度は調整前より高くする。一方、粒子径が目的とする粒子径範囲より小さい場合には、酸素含有気体の流量は調整前より少なくし、酸素酸素含有気体の酸素濃度は調整前より低くする。
【0014】
本発明では、生成する酸化マグネシウム微粉末の粒子径を調節する方法として、混合気体と酸素含有気体との接触場所を調整する方法を併用してもよい。この方法では、酸化マグネシウム微粉末の粒子径が目的とする粒子径範囲より大きい場合には、混合気体と酸素含有気体との接触場所を調整前よりも低い位置とする。一方、粒子径が目的とする粒子径範囲より小さい場合には、混合気体と酸素含有気体との接触場所を調整前よりも高い位置とする。混合気体と酸素含有気体との接触場所の調整は、酸素含有気体噴射口の配置場所を変えることにより行なうことが好ましい。
【0015】
以下、本発明の高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法について、添付図面を参照しながら説明する。
【0016】
図1は、本発明の方法を実施するための高純度酸化マグネシウム微粉末製造回収装置の構成の一例を示す図である。
図1に示す高純度酸化マグネシウム微粉末製造回収装置は、金属マグネシウム溶融蒸発装置10とマグネシウム酸化装置26とからなる高純度酸化マグネシウム微粉末製造装置と、熱交換機41、バグフィルター42、及びホッパー43からなる高純度酸化マグネシウム微粉末回収装置とから構成されている。
【0017】
金属マグネシウム溶融蒸発装置10は、金属マグネシウムの導入口11と金属マグネシウムの酸化を防止するための酸化防止ガスの導入口12とを備えた蓋部13、及び側面下部に溶融マグネシウムの取出し口14を備えた鍋部15からなる金属マグネシウムの溶融鍋16、溶融鍋の溶融マグネシウム取出し口に接続する耐熱性パイプ17、そして耐熱性パイプの他方の端部に接続する溶融マグネシウムの導入口18を側面下部に備えた鍋部19、及びマグネシウム蒸気の吹き出し口20と金属マグネシウムの酸化を防止し、マグネシウム蒸気を希釈する不活性ガスの導入口21とを備えた蓋部22からなるマグネシウムの蒸発鍋23から構成されている。
【0018】
溶融鍋蓋部の酸化防止ガス導入口12から溶融鍋内部に導入する酸化防止ガスとしては、六フッ化硫黄ガス、二酸化炭素ガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガス、キセノンガス、及びラドンガスを用いることができる。これらのガスの中でも、六フッ化硫黄ガスが特に好ましい。この酸化防止ガスは、マグネシウム蒸気の生成時には常に溶融鍋内部に導入される。
【0019】
蒸発鍋蓋部の不活性ガス導入口21から蒸発鍋内部に導入する不活性ガスとしては、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガス、キセノンガス、及びラドンガスを用いることができる。これらのガスの中でも、アルゴンガスが特に好ましい。この不活性ガスは、マグネシウム蒸気の生成時には常に蒸発鍋内部に導入される。
【0020】
マグネシウム蒸気の生成は、次のように行われる。まず、原料となる金属マグネシウム24を金属マグネシウム導入口11から溶融鍋16に投入し、その溶融鍋にて、金属マグネシウムをその溶融温度に加熱して溶融マグネシウム25とする。この溶融マグネシウムは耐熱性パイプ17を通って蒸発鍋23に貯留される。そして、蒸発鍋23にてさらに溶融マグネシウム25をその沸点以上の温度に加熱してマグネシウム蒸気を生成する。このマグネシウム蒸気は、不活性ガス導入口21から蒸発鍋内部に導入された不活性ガスとの混合ガスとして蒸発鍋のマグネシウム吹き出し口20から放出される。
【0021】
マグネシウム蒸気の生成を長期間にわたって連続的に行なうと、金属マグネシウム中の不純物(特に、鉄、ニッケル、クロムなどの高沸点重金属)が徐々に蒸発鍋に蓄積し、その蓄積量の増加に伴い不純物がマグネシウム蒸気に混入して、得られる酸化マグネシウム微粉末の純度が低下することがある。このため、図1の金属マグネシウム溶融蒸発装置では、蒸発鍋24の溶融マグネシウム導入口18から底部までの距離を、溶融鍋の溶融マグネシウム取出し口から底部までの距離よりも長くすることによって、不純物を蒸発鍋の底部側に滞留させて、マグネシウム蒸気への不純物の混入量を長期間にわたって少なくすることができるようにしている。
【0022】
マグネシウム酸化装置26は、底部に蒸発鍋のマグネシウム蒸気吹き出し口20と接続するマグネシウム蒸気と不活性ガスとの混合気体の噴射口27、側面に酸素含有気体の噴射口28、そして上部に酸化マグネシウム微粉末の取出し口29を備えている。
【0023】
混合気体噴射口27は、マグネシウム蒸気と不活性ガスとの混合ガスが上方に向けて垂直上方に噴射されるように配置されている。酸素含有気体噴射口28は、混合気体噴射口27から噴射される混合ガスの進行方向に対して略垂直に、酸素含有気体を噴射するように配置されている。酸化マグネシウム微粉末取出し口29は、生成した酸化マグネシウム微粉末をマグネシウム蒸気と共に導入された不活性ガスの流れにのせて取り出せるように、混合気体噴射口の垂直上方に配置されている。
【0024】
酸素含有気体としては、通常は空気が使用される。ただし、酸素含有気体は空気に限定されるものではなく、例えば、酸素を単独で使用することも可能であり、さらに、酸素あるいは空気に不活性ガス(通常は、アルゴンガス)を添加して使用することも可能である。
【0025】
マグネシウム酸化装置26の内部温度(すなわち、マグネシウムの酸化反応温度)は1200〜2000℃とすることが好ましいが、マグネシウムの酸化反応は発熱反応であるため、酸化マグネシウム微粉末の生成に伴ってマグネシウム酸化装置の内部温度は上昇する傾向にある。このため、マグネシウム蒸気と酸素含有気体とが接触する部位の周囲は、冷却用空気導入口30と冷却用空気排気口31とを備えた冷却用外管32で覆われており、冷却用空気導入口から冷却用空気を導入することにより、マグネシウム酸化装置の内部温度を調整できるようにされている。
【0026】
マグネシウム酸化装置では、混合気体噴射口27の周囲に金属マグネシウムやマグネシウム化合物(例:酸化マグネシウム)が堆積して、混合気体噴射口27から装置内に導入される混合気体量が変動して、生成する酸化マグネシウム微粉末の粒子径が変動することがある。このため、図1のマグネシウム酸化装置においては、側部に内部観察用窓33を備え、かつその底部に平行に、混合気体噴射口に堆積する酸化マグネシウムを削り取る研削装置34が付設されている。
【0027】
研削装置34は、先端に研削板35を備えたアーム36と、そのアームをマグネシウム酸化装置の底部に平行に出し引きするためのシリンダ37とから構成されている。なお、図1のマグネシウム酸化装置では、内部観察用窓33と研削装置34とが、それぞれ中空の筐体38に一体的に組み込まれて配置されているが、内部観察用窓及び研削装置の配置には特に制限はない。研削装置34のアーム36の作動速度は、内部観察用窓33にて観察された金属マグネシウムやマグネシウム化合物の堆積状態を考慮して適宜調整する。この研削装置34により削り取られた金属マグネシウムやマグネシウム化合物は、マグネシウム酸化装置の側部に備えられた開口部(掃除用窓)39により、外部に取り出せるようになっている。
【0028】
図1のマグネシウム酸化装置では、混合気体噴射口27から上方に向けて略垂直に噴射させたマグネシウム蒸気と不活性ガスとからなる混合気体に、酸素含有気体噴射口28から導入された酸素含有気体流を接触させることにより、マグネシウムが酸化され酸化マグネシウム微粉末40が生成する。
【0029】
マグネシウム酸化装置にて生成した酸化マグネシウム微粉末40は、酸化マグネシウム微粉末取り出し口30を通って熱交換機41に送られる。熱交換機41にて冷却された酸化マグネシウム微粉末はバグフィルター42にて回収され、ホッパー43に一旦貯蔵される。粒子径に関係する物性値を測定するための酸化マグネシウム微粉末は、ホッパー43から採取することができる。
【0030】
気相合成により生成される酸化マグネシウム微粉末は、活性が高いため空気に接触すると空気中の二酸化炭素や水蒸気を吸着することがある。このため、ホッパーに貯蔵されている酸化マグネシウム微粉末は、その出荷の前に500〜1100℃の温度で再焼成することが好ましい。
【0031】
【発明の効果】
本発明の方法によれば、長期間にわたって連続的に粒度分布の幅が狭い高純度酸化マグネシウム微粉末を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法を実施するための高純度酸化マグネシウム微粉末製造回収装置の構成の一例を示す図である。
【符号の説明】
10 金属マグネシウム溶融蒸発装置
11 金属マグネシウム導入口
12 不活性ガス導入口
13 蓋部
14 溶融マグネシウム取出し口
15 鍋部
16 溶融鍋
17 耐熱性パイプ
18 溶融マグネシウム導入口
19 鍋部
20 マグネシウム蒸気吹き出し口
21 不活性ガス導入口
22 蓋部
23 蒸発鍋
24 金属マグネシウム
25 溶融マグネシウム
26 マグネシウム酸化装置
27 混合気体噴射口
28 酸素含有気体噴射口
29 酸化マグネシウム微粉末取出し口
30 冷却用空気導入口
31 冷却用空気排気口
32 冷却用外管
33 内部観察窓
34 研削装置
35 研削板
36 アーム
37 シリンダ
38 筐体
39 開口部(掃除用窓)
40 酸化マグネシウム微粉末
41 熱交換機
42 バグフィルター
43 ホッパー
Claims (4)
- 上方に向けて略垂直に噴射させたマグネシウム蒸気と不活性ガスとからなる混合気体に酸素含有気体を接触させることにより、マグネシウムを酸化して酸化マグネシウム微粉末を生成させながら、生成した酸化マグネシウム微粉末の一部を連続的あるいは間欠的に採取して、その粒子径に関係する物性値を測定し、測定された物性値に基づいて、酸素含有気体の流量及び/又は酸素濃度を調整して、生成する酸化マグネシウム微粉末の粒子径をあらかじめ決められた粒子径範囲に入るように調節することを特徴とする高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法。
- 混合気体と酸素含有気体との接触角度が、混合気体の進行方向に対して略垂直であることを特徴とする請求項1に記載の高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法。
- 粒子径に関係する物性値が比表面積であることを特徴とする請求項1もしくは2に記載の高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法。
- 混合気体と酸素含有気体との接触場所を調整することにより、生成する酸化マグネシウム微粉末の粒子径を調節する工程を含むことを特徴とする請求項1乃至3のうちのいずれかの項に記載の高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002350426A JP4195279B2 (ja) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | 高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法 |
KR1020030086673A KR100669877B1 (ko) | 2002-12-02 | 2003-12-02 | 고순도 산화마그네슘 미분말의 제조방법과 제조장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002350426A JP4195279B2 (ja) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | 高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004182521A true JP2004182521A (ja) | 2004-07-02 |
JP4195279B2 JP4195279B2 (ja) | 2008-12-10 |
Family
ID=32752656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002350426A Expired - Lifetime JP4195279B2 (ja) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | 高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4195279B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1883092A2 (en) * | 2006-07-28 | 2008-01-30 | LG Electronics Inc. | Plasma display panel and method for manufacturing the same |
KR100855773B1 (ko) | 2007-01-23 | 2008-09-01 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 테라스 구조를 갖는 산화마그네슘 나노입자 및 이의제조방법 |
EP1990826A1 (en) | 2007-05-09 | 2008-11-12 | Hitachi, Ltd. | Plasma display panel and substrate assembly of plasma display panel |
WO2009038334A3 (en) * | 2007-09-21 | 2009-05-07 | Dae Joo Electronic Mat Co Ltd | Fluorine-containing magnesium oxide powder prepared by vapor phase reaction and method of preparing the same |
KR100983947B1 (ko) * | 2010-05-26 | 2010-09-27 | 연규엽 | 구형미세마그네슘분말 제조장치 |
US8400058B2 (en) | 2008-04-11 | 2013-03-19 | Hitachi, Ltd. | Plasma display panel and method of manufacturing the same |
-
2002
- 2002-12-02 JP JP2002350426A patent/JP4195279B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1883092A2 (en) * | 2006-07-28 | 2008-01-30 | LG Electronics Inc. | Plasma display panel and method for manufacturing the same |
EP1883092A3 (en) * | 2006-07-28 | 2009-08-05 | LG Electronics Inc. | Plasma display panel and method for manufacturing the same |
KR100855773B1 (ko) | 2007-01-23 | 2008-09-01 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 테라스 구조를 갖는 산화마그네슘 나노입자 및 이의제조방법 |
EP1990826A1 (en) | 2007-05-09 | 2008-11-12 | Hitachi, Ltd. | Plasma display panel and substrate assembly of plasma display panel |
WO2009038334A3 (en) * | 2007-09-21 | 2009-05-07 | Dae Joo Electronic Mat Co Ltd | Fluorine-containing magnesium oxide powder prepared by vapor phase reaction and method of preparing the same |
JP2010537943A (ja) * | 2007-09-21 | 2010-12-09 | デジュー・エレクトロニック・マテリアルズ・カンパニー・リミテッド | 気相合成法を利用したフッ素含有酸化マグネシウム粉末及びその製造方法 |
US7972586B2 (en) | 2007-09-21 | 2011-07-05 | Daejoo Electronic Materials Co., Ltd. | Fluorine-containing magnesium oxide powder prepared by vapor phase reaction and method of preparing the same |
US8303928B2 (en) | 2007-09-21 | 2012-11-06 | Daejoo Electronic Materials Co, Ltd. | Fluorine-containing magnesium oxide powder prepared by vapor phase reaction and method of preparing the same |
US8400058B2 (en) | 2008-04-11 | 2013-03-19 | Hitachi, Ltd. | Plasma display panel and method of manufacturing the same |
KR100983947B1 (ko) * | 2010-05-26 | 2010-09-27 | 연규엽 | 구형미세마그네슘분말 제조장치 |
US8632326B2 (en) | 2010-05-26 | 2014-01-21 | Kyu Yeub Yeon | Manufacturing device of spherical magnesium fine powder |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4195279B2 (ja) | 2008-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5133065B2 (ja) | ナノ粉末の誘導プラズマ合成 | |
JP2737736B2 (ja) | カーボン単層ナノチューブの製造方法 | |
JPH0433490B2 (ja) | ||
WO2011005807A2 (en) | Process to make electrochemically active/ inactive nanocomposite material | |
JPH0741378B2 (ja) | 発熱性の還元炎雰囲気における改良された鋳造 | |
KR20000067948A (ko) | 철기초 분말 제조 방법 | |
JP4195279B2 (ja) | 高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法 | |
JP4231283B2 (ja) | 高純度酸化マグネシウム微粉末の製造装置、及びこれを用いた高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法 | |
KR100669877B1 (ko) | 고순도 산화마그네슘 미분말의 제조방법과 제조장치 | |
JPH01306510A (ja) | 超微粒子粉末の製造方法の改良 | |
JP4014562B2 (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
JP2002220601A (ja) | Dc熱プラズマ処理による低酸素球状金属粉末の製造方法 | |
JP4195278B2 (ja) | 金属マグネシウム溶融蒸発装置、及びこれを用いた高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法 | |
JP4949340B2 (ja) | 高純度酸化マグネシウム微粉末の製造装置、及びこれを用いた高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法 | |
JPH09111316A (ja) | 極超微粒子の製造方法 | |
JP2002029718A (ja) | フラーレンおよびカーボンナノチューブの製造法およびその装置 | |
KR100447167B1 (ko) | 탄소나노튜브의 수직합성 방법 | |
JP2009078949A (ja) | SiO粉体の製造方法及び製造装置 | |
JPS61174107A (ja) | 窒化アルミニウム超微粒子の製造方法 | |
JPS5941772B2 (ja) | 超微粉合成炉 | |
JP2009030172A (ja) | 金属マグネシウム溶融蒸発装置、及びこれを用いた高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法 | |
JPS5926909A (ja) | 粉末の製造方法 | |
JP3907515B2 (ja) | 高純度窒化ケイ素微粉末の製造方法 | |
JPH0641618A (ja) | 活性金属粉末の連続製造方法およびその装置 | |
JPS5825045B2 (ja) | SiC超微粒子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050721 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080502 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080624 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080825 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080912 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080925 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4195279 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003 Year of fee payment: 3 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080825 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121003 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121003 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131003 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |