SU1828306A1 - Способ изготовления тонкопленочных резисторов - Google Patents
Способ изготовления тонкопленочных резисторовInfo
- Publication number
- SU1828306A1 SU1828306A1 SU4799295/21A SU4799295A SU1828306A1 SU 1828306 A1 SU1828306 A1 SU 1828306A1 SU 4799295/21 A SU4799295/21 A SU 4799295/21A SU 4799295 A SU4799295 A SU 4799295A SU 1828306 A1 SU1828306 A1 SU 1828306A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- filmed
- resistors
- thin
- layer
- silicon
- Prior art date
Links
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
Использование: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления стабильных тонкопленочных резисторов ГИС и микросборок. Цель изобретения - повышение точности и временной стабильности номиналов тонкопленочных резисторов - достигается тем, что способ изготовления тонкопленочных резисторов включает в себя осаждение в вакууме на диэлектрическую подложку последовательно слоя резистивного сплава на основе хрома, никеля и кремния и проводящего слоя, формирование рисунка проводниковых и резистивных элементов, осаждение в вакууме слоя кремния при температуре 275 - 325С в течение 20 - 25 мин, термообработку тонкопленочных резисторов на воздухе при температуре 375 - 525С в течение 20 - 25 мин. В результате чего на поверхности резистивного элемента образуется защитный слой двуокиси кремния, а часть кремния диффундирует в приповерхностный слой резистивной пленки. Стабильность номиналов тонкопленочных peзисторов при этом повышается на два порядка. 1табл.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4799295/21A SU1828306A1 (ru) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | Способ изготовления тонкопленочных резисторов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4799295/21A SU1828306A1 (ru) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | Способ изготовления тонкопленочных резисторов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1828306A1 true SU1828306A1 (ru) | 1996-07-20 |
Family
ID=60541204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4799295/21A SU1828306A1 (ru) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | Способ изготовления тонкопленочных резисторов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1828306A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2568812C1 (ru) * | 2014-08-20 | 2015-11-20 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ изготовления тонкопленочных резисторов |
EA032068B1 (ru) * | 2014-09-30 | 2019-04-30 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак Технологии" | Прецизионный чип-резистор и способ его изготовления |
-
1990
- 1990-03-05 SU SU4799295/21A patent/SU1828306A1/ru active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2568812C1 (ru) * | 2014-08-20 | 2015-11-20 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ изготовления тонкопленочных резисторов |
EA032068B1 (ru) * | 2014-09-30 | 2019-04-30 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак Технологии" | Прецизионный чип-резистор и способ его изготовления |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0340474A3 (en) | Method of making semiconductor device with different oxide film thickness | |
SU1828306A1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочных резисторов | |
JPS559414A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JPS5642366A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS5553452A (en) | Semiconductor device | |
JPS5515231A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JPS5299085A (en) | Production of semiconductor device | |
JPS5720374A (en) | Method of forming crossover in thermal head | |
JPS5232671A (en) | Manufacturing process of semiconductor device | |
JPS533066A (en) | Electrode formation method | |
JPS56130925A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS5797630A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS5671943A (en) | Oxide film coating of compound semiconductor device | |
JPS5227391A (en) | Contact forming method of semiconductor device | |
JPS57206071A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
JPS5518062A (en) | Method of etching silicon oxide thin film | |
JPS564235A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS5555546A (en) | Method of wiring semiconductor device | |
JPS5318965A (en) | Resist coating method | |
JPS6453419A (en) | Resist coating device | |
JPS52117559A (en) | Mask formation method | |
JPS5671938A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS6477144A (en) | Growth method of metallic film for semiconductor device | |
JPS5315775A (en) | Production of mos type semiconductor device | |
JPS5227364A (en) | Formation method of glass film |