SU1828306A1 - Способ изготовления тонкопленочных резисторов - Google Patents

Способ изготовления тонкопленочных резисторов

Info

Publication number
SU1828306A1
SU1828306A1 SU4799295/21A SU4799295A SU1828306A1 SU 1828306 A1 SU1828306 A1 SU 1828306A1 SU 4799295/21 A SU4799295/21 A SU 4799295/21A SU 4799295 A SU4799295 A SU 4799295A SU 1828306 A1 SU1828306 A1 SU 1828306A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
filmed
resistors
thin
layer
silicon
Prior art date
Application number
SU4799295/21A
Other languages
English (en)
Inventor
Д.В. Крыжановский
В.Б. Соколов
Original Assignee
Минский радиотехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Минский радиотехнический институт filed Critical Минский радиотехнический институт
Priority to SU4799295/21A priority Critical patent/SU1828306A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1828306A1 publication Critical patent/SU1828306A1/ru

Links

Landscapes

  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Abstract

Использование: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления стабильных тонкопленочных резисторов ГИС и микросборок. Цель изобретения - повышение точности и временной стабильности номиналов тонкопленочных резисторов - достигается тем, что способ изготовления тонкопленочных резисторов включает в себя осаждение в вакууме на диэлектрическую подложку последовательно слоя резистивного сплава на основе хрома, никеля и кремния и проводящего слоя, формирование рисунка проводниковых и резистивных элементов, осаждение в вакууме слоя кремния при температуре 275 - 325С в течение 20 - 25 мин, термообработку тонкопленочных резисторов на воздухе при температуре 375 - 525С в течение 20 - 25 мин. В результате чего на поверхности резистивного элемента образуется защитный слой двуокиси кремния, а часть кремния диффундирует в приповерхностный слой резистивной пленки. Стабильность номиналов тонкопленочных peзисторов при этом повышается на два порядка. 1табл.
SU4799295/21A 1990-03-05 1990-03-05 Способ изготовления тонкопленочных резисторов SU1828306A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4799295/21A SU1828306A1 (ru) 1990-03-05 1990-03-05 Способ изготовления тонкопленочных резисторов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4799295/21A SU1828306A1 (ru) 1990-03-05 1990-03-05 Способ изготовления тонкопленочных резисторов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1828306A1 true SU1828306A1 (ru) 1996-07-20

Family

ID=60541204

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4799295/21A SU1828306A1 (ru) 1990-03-05 1990-03-05 Способ изготовления тонкопленочных резисторов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1828306A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2568812C1 (ru) * 2014-08-20 2015-11-20 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" Способ изготовления тонкопленочных резисторов
EA032068B1 (ru) * 2014-09-30 2019-04-30 Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак Технологии" Прецизионный чип-резистор и способ его изготовления

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2568812C1 (ru) * 2014-08-20 2015-11-20 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" Способ изготовления тонкопленочных резисторов
EA032068B1 (ru) * 2014-09-30 2019-04-30 Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак Технологии" Прецизионный чип-резистор и способ его изготовления

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0340474A3 (en) Method of making semiconductor device with different oxide film thickness
SU1828306A1 (ru) Способ изготовления тонкопленочных резисторов
JPS559414A (en) Manufacturing method of semiconductor device
JPS5642366A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5553452A (en) Semiconductor device
JPS5515231A (en) Manufacturing method of semiconductor device
JPS5299085A (en) Production of semiconductor device
JPS5720374A (en) Method of forming crossover in thermal head
JPS5232671A (en) Manufacturing process of semiconductor device
JPS533066A (en) Electrode formation method
JPS56130925A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5797630A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5671943A (en) Oxide film coating of compound semiconductor device
JPS5227391A (en) Contact forming method of semiconductor device
JPS57206071A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JPS5518062A (en) Method of etching silicon oxide thin film
JPS564235A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5555546A (en) Method of wiring semiconductor device
JPS5318965A (en) Resist coating method
JPS6453419A (en) Resist coating device
JPS52117559A (en) Mask formation method
JPS5671938A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS6477144A (en) Growth method of metallic film for semiconductor device
JPS5315775A (en) Production of mos type semiconductor device
JPS5227364A (en) Formation method of glass film