SK280397B6 - Riadiace zapojenie na bipolárny symetrický tranzis - Google Patents

Riadiace zapojenie na bipolárny symetrický tranzis Download PDF

Info

Publication number
SK280397B6
SK280397B6 SK63-95A SK6395A SK280397B6 SK 280397 B6 SK280397 B6 SK 280397B6 SK 6395 A SK6395 A SK 6395A SK 280397 B6 SK280397 B6 SK 280397B6
Authority
SK
Slovakia
Prior art keywords
current mirror
connections
current
bipolar transistor
transistor
Prior art date
Application number
SK63-95A
Other languages
English (en)
Other versions
SK6395A3 (en
Inventor
Hermann Zierhut
Original Assignee
Siemens Aktiengesellschaft
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Aktiengesellschaft filed Critical Siemens Aktiengesellschaft
Publication of SK6395A3 publication Critical patent/SK6395A3/sk
Publication of SK280397B6 publication Critical patent/SK280397B6/sk

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/62Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/38Information transfer, e.g. on bus
    • G06F13/40Bus structure
    • G06F13/4063Device-to-bus coupling
    • G06F13/4068Electrical coupling
    • G06F13/4072Drivers or receivers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/66Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
    • H03K17/665Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Description

Oblasť techniky
Vynález sa týka riadiaceho zapojenia na bipolámy symetrický tranzistor.
Doterajší stav techniky
Pre bipoláme symetrické tranzistory existujú mnohé prípady použitia. Pri jednom známom prípade použitia slúži bipolámy tranzistor ako ochranný prvok oproti nesprávnemu pólovaniu v pripojovacom zapojení na zbemicový systém (EP-A-0487 79, obr. 3). Takáto ochrana oproti nesprávnemu pólovaniu je vhodná najmä na konštrukčné skupiny v zbemicových systémoch, v počítačoch a pri riadení prostredníctvom pamäti. Ochranný prvok oproti nesprávnemu pólovaniu je zapojený v dráhe pripojovaného signálu ako riadený prvok, ktorý v závislosti od polarity elektrického signálu dráhy pripojovaného signálu uzavrie alebo otvorí. Známy bipolámy tranzistor je vytvorený ako tranzistor s dvojitým emitorom, ktorého emitorový prúd sa môže plynulé riadiť v oboch smeroch.
Bipolámy tranzistor sa zvyčajne používa na skúšanie či rozdiel potenciálov, je pod určitou hodnotou a tým tiež či sa jedno napätie blíži inému napätiu. Dosiaľ boli používané komparátory. Používané komparátové zapojenie sú zvyčajne dosť nákladné. Jeden z bipolámych tranzistorov je známy z patentového spisu DE-A-43 16 608.
Osobitne, ak sa má bipolámy tranzistor použiť v integrovanom prvku, je žiaduce, aby stratové výkony boli čo najmenšie, a riadiace prúdy nízke.
Podstata vynálezu
Úlohou vynálezu je navrhnúť zapojenie na riadenie symetrického bipolámeho tranzistora v integrovanom prvku s čo najnižšími riadiacimi prúdmi.
Táto úloha sa podľa vynálezu rieši tak, že na obidve pracovné elektródy tranzistora, ktorý'je vytvorený ako tranzistor s dvojitým emitorom, je zapojené vždy prvé prúdové zrkadlové zapojenie, pričom tieto obidve prúdové zrkadlové zapojenia sú svojimi bázami navzájom spojené a ich kolektory sú pripojené na ďalšie inverzné prúdové zrkadlové zapojenia, ktoré sú spojené vždy s bázou jedného z dvoch tranzistorov, ktorých kolektory sú prostredníctvom prípoja spojené s bázou bipolámeho tranzistora a výstupy ďalších inverzných prúdových zrkadlových zapojení sú vždy cez odpor pripojené na zdroj konštantného napätia, pričom obidve pracovné elektródy bipolámeho tranzistora sú pripojené na jedno z dvoch vedení a bázy prvých prúdových zrkadlových zapojení sú spojené s prípojom zdroja budiaceho prúd, ako referenčným prúdom.
Ďalším význakom vynálezu je, že prvé prúdové zrkadlové zapojenia sú vždy rozšírené o druhé zosilujúce prúdové zrkadlové zapojenia, ktoré sú zapojené vždy na ďalší kolektor prvého prúdového zrkadlového zapojenia.
Posledným význakom vynálezu potom je, že druhé zosilujúce prúdové zrkadlové zapojenia sú spojené vždy prostredníctvom spínača so zapínacími kontaktmi s prvými prúdovými zrkadlovými zapojeniami.
Výhodnosť riešenia podľa vynálezu spočíva predovšetkým v tom, že sa vystačí s nízkymi riadiacimi prúdmi na riadenie bipolámeho tranzistora, v porovnaní so známymi riadiacimi zapojeniami. Takého riadiace zapojenie umožňuje vysielať cez bipolámy tranzistor elektrické impulzy s vysokou strmosťou čela. Riadiace zapojenie pod ľa vynálezu pracuje ďalej s veľmi malým regulačným oneskorením, ktoré je iba niekoľko stotín ns.
Prehľad obrázkov na výkrese
Vynález bude teraz v ďalšom texte bližšie objasnený na príkladoch uskutočnenia, znázornených iba veľmi schematicky na výkresoch.
Na obr. 1 je znázornené riadiace zapojenie bipolámeho tranzistora vždy s jedným prúdovým zrkadlovým zapojením a ďalej zapojeným inverzným prúdovým zrkadlovým zapojením.
Na obr. 2 je znázornené riadiace zapojenie na bipolámy tranzistor s dvoma súpravami prúdových zrkadlových zapojení podľa obr. 1 a vždy s jedným drahým zosilujúcim prúdovým zrkadlovým zapojením.
Na obr. 3 je znázornená schéma zapojenia na iné prúdové zrkadlové zapojenie.
Na obr. 4 sú znázornené tranzistory v klasickom Darlingtonovom zapojení.
Príklady uskutočnenia vynálezu
Bipolámy tranzistor 1 podľa obrázku 1 je vytvorený ako tranzistor s dvojitým emitorom. Svojimi pracovnými elektródami 21, 22 je zapojený na jedno vedenie 2 z dvoch vedení 2, 3. Kolektory dvoch tranzistorov 14 sú pripojené prostredníctvom prípoja 4 na báze bipolámeho tranzistora
1. Na pracovné elektródy bipolámeho tranzistora 1 je zapojené vždy jedno prvé prúdové zrkadlové zapojenie 5 a 6. Tieto prúdové zrkadlové zapojenia 5 a 6 sú spolu navzájom spojené svojimi bázami. Vždy jeden kolektor 11 navzájom spojených prvých prúdových zrkadlových zapojení 5 a 6 je spojený vždy s jednými inverzným prúdovým zrkadlovým obvodom 7, resp. 8. Odpory 9 a prípadne odpory 10, usporiadané v inverzných prúdových zrkadlových zapojeniach 7, príp. 8 sú usporiadané na riadenie prenosových pomerov v týchto zapojeniach.
Výstupy inverzných prúdových zrkadlových zapojení 7 a 8 sú vždy cez odpor 12 zapojené na zdroj 13 konštantného napätia. Výstupy inverzných prúdových zrkadlových zapojení 7 a 8 sú zapojené vždy na bázu jedného tranzistora
14. Odpory 15 a 16 zapojené na drahé vedenie 3, slúžia na linearizáciu a obmedzenie prúdu.
V uskutočnení podľa obr. 2 sú v principiálnom zapojení podľa obr. 1 pripojené vždy drahé zosilujúce prúdové zrkadlové zapojenia 17 a 18 prostredníctvom spínača 19 so zapínacími kontaktmi, vždy na ďalší kolektor prvých prúdových zrkadlových zapojení 5, resp. 6. Zdroj 20 budiaceho prúdu je zapojený na prvé prúdové zrkadlové zapojenie 5 a 6.
Zapojenie podľa obr. 1 pracuje nasledovne.
Budiaci prúd zo zdroja 20 budiaceho prúdu sa rozdelí medzi prvými prúdovými zrkadlovými obvodmi 5 a 6 podľa toho, či má pracovná elektróda 21 alebo pracovná elektróda 22 bipolámeho tranzistora 1 kladnejší potenciál. Ak je potenciál na pracovnej elektróde 21 kladnejší, potom tečie cez prvý prúdový zrkadlový obvod 5 viacej prúdu, ako cez prvý ďalší prúdový zrkadlový obvod 6. V inom prípade sú pomery obrátené.
Ak je bipolámy tranzistor 1 celkom nasýtený, potom sú potenciály na pracovných elektródach 21 a 22 rovnaké a budiaci prúd zo zdroja 20 budiaceho prúdu sa rozdelí rovnomerne na prvé prúdové zrkadlové zapojenie 5 a 6. Obidve prúdové zrkadlové zapojenia 5 a 6 sú v rovnováhe a v tomto prípade preteká obidvoma inverznými prúdovými zrkadlovými zapojeniami 7 a 8 rovnaký prúd. Odpory 12 sú tak dimenzované, že v takto opísanom stave je na každom rovnaký úbytok napätia. Tento úbytok napätia je rovnako veľký, ako napätie zo zdroja 13 konštantného napätia. Tým sú bázy tranzistorov 14, ktoré sú v príklade uskutočnenia znázornené v Darlingtonovom zapojení uzemnené tak, že ich kolektoroch nemôže tiecť žiadny prúd z báze bipolárneho tranzistora 1 prostredníctvom prípoja 4.
Riadiaci prúd sa zväčšuje až vtedy, keď prvé prúdové zrkadlové zapojenia 5 a 6 už nie sú v rovnováhe. V závislosti od smeru prúdu tečúceho cez bipolámy tranzistor 1, sa stáva pracovná elektróda 21 alebo 22 zápomejšia, takže báza jedného z obidvoch tranzistorov 14 je kladnejšia a tým bipolámy tranzistor 1 dodáva potrebný riadiaci prúd.
V zapojení podľa obr. 2 sú kolektory prvých prúdových zrkadlových zapojení 5, prípadne 6 pripojené vždy prostredníctvom spínača 19 so zapínacími kontaktmi, vždy na jedno zosilujúce prúdové zapojenie 17, prípadne 18. Toto prídavné riadenie pracuje veľmi rýchlo. V praxi robí regulačné oneskorenie niekoľko stotín ns. Pretože druhé zosilujúce prúdové zapojenia 17 a 18 majú samy o sebe väčšiu potrebu prúdu, dá sa toto odstrániť pomocou spínačov 19 so zapínacími kontaktmi.
Na obrázku 3 je znázornené iné uskutočnenie prvého prúdového zrkadlového zapojenia 5, prípadne 6. Toto zapojenie bolo skôr bežné. Na obr. 4 sú tranzistory znázornené v Darlingtonovom zapojení, ktoré môžu nahradiť tranzistory 14 v klasickom zapojení v obr. 1.

Claims (3)

  1. PATENTOVÉ NÁROKY
    1. Riadiace zapojenie na bipolámy symetrický tranzistor, vyznačujúce sa tým, že na obidve pracovné elektródy (21, 22) bipolámeho tranzistora (1), ktorý je vytvorený ako tranzistor s dvojitým emitorom, je zapojené vždy prvé prúdové zrkadlové zapojenie (5, 6), pričom tieto obidve prúdové zrkadlové zapojenia (5, 6) sú svojimi bázami navzájom spojené a ich kolektory sú pripojené vždy na ďalšie inverzné prúdové zrkadlové zapojenia (7, 8), ktoré sú spojené vždy s bázou jedného z dvoch tranzistorov (14), ktorých kolektory sú prostredníctvom prípoja (4) spojené s bázou bipolámeho tranzistora (1) a výstupy ďalších inverzných prúdových zrkadlových zapojení (7, 8) sú vždy cez odpor (12) pripojené na zdroj (13) konštantného napätia, pričom obidve pracovné elektródy (21, 22) bipolámeho tranzistora (1) sú pripojené na jedno vedenie (2) z dvoch vedení (2, 3) a bázy prvých prúdových zrkadlových zapojení (5, 6) sú spojené s prípojom (20) zdroja budiaceho prúdu tvoriaceho referenčný prúd.
  2. 2. Riadiace zapojenie podľa nároku 1, vyznačujúce sa tým, že prvé prúdové zrkadlové zapojenia (5, 6) sú vždy rozšírené o druhé zosilujúce prúdové zrkadlové zapojenia (17, 18), ktoré sú zapojené vždy na ďalší kolektor prvého prúdového zrkadlového zapojenia (5, 6).
  3. 3. Riadiace zapojenie podľa nároku 2, vyznačujúce sa tým, že druhé zosilujúce prúdové zrkadlové zapojenia (17, 18) sú spojené vždy prostredníctvom spínača (19) so zapínacími kontaktmi s prvými prúdovými zapojeniami (5, 6).
SK63-95A 1992-07-31 1993-07-08 Riadiace zapojenie na bipolárny symetrický tranzis SK280397B6 (sk)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4225455 1992-07-31
PCT/DE1993/000605 WO1994003975A1 (de) 1992-07-31 1993-07-08 Ansteuerung eines symmetrischen bipolartransistors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SK6395A3 SK6395A3 (en) 1995-05-10
SK280397B6 true SK280397B6 (sk) 2000-01-18

Family

ID=6464632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SK63-95A SK280397B6 (sk) 1992-07-31 1993-07-08 Riadiace zapojenie na bipolárny symetrický tranzis

Country Status (18)

Country Link
US (1) US5459429A (sk)
EP (1) EP0653122B1 (sk)
JP (1) JP3342489B2 (sk)
KR (1) KR100248164B1 (sk)
AT (1) ATE143540T1 (sk)
AU (1) AU675439B2 (sk)
CA (1) CA2141319A1 (sk)
CZ (1) CZ282853B6 (sk)
DE (1) DE59303996D1 (sk)
DK (1) DK0653122T3 (sk)
ES (1) ES2091619T3 (sk)
FI (1) FI950400A7 (sk)
GR (1) GR3021165T3 (sk)
HU (1) HU218121B (sk)
NO (1) NO950332L (sk)
PL (1) PL171873B1 (sk)
SK (1) SK280397B6 (sk)
WO (1) WO1994003975A1 (sk)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5796289A (en) * 1996-01-30 1998-08-18 Cypress Semiconductor Corporation Pass transistor capacitive coupling control circuit

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE812785C (de) * 1948-10-02 1951-09-03 Quarzlampen Gmbh Vorrichtung zum Bestrahlen von staeubenden Stoffen
GB912163A (en) * 1960-09-30 1962-12-05 Smith & Sons Ltd S Improvements in or relating to electric switching circuits
GB975520A (en) * 1961-08-31 1964-11-18 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to electric gating circuits employing transistors
DE2333191C2 (de) * 1973-06-29 1975-08-14 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Elektronisches Halbleiter-Koppelpunktpaar
US4096399A (en) * 1977-03-28 1978-06-20 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Crosspoint bias circuit arrangement
US4684878A (en) * 1986-05-08 1987-08-04 Rca Corporation Transistor base current regulator
EP0487759B1 (de) * 1990-11-26 1995-04-26 Siemens Aktiengesellschaft Verpolschutz
DE4316608A1 (de) * 1992-05-22 1993-11-25 Siemens Ag Bipolar-Transistorstruktur

Also Published As

Publication number Publication date
CZ9395A3 (en) 1995-06-14
CZ282853B6 (cs) 1997-11-12
HUT69833A (en) 1995-09-28
EP0653122A1 (de) 1995-05-17
PL307063A1 (en) 1995-05-02
EP0653122B1 (de) 1996-09-25
KR950702761A (ko) 1995-07-29
ATE143540T1 (de) 1996-10-15
CA2141319A1 (en) 1994-02-17
HU218121B (hu) 2000-06-28
PL171873B1 (pl) 1997-06-30
ES2091619T3 (es) 1996-11-01
WO1994003975A1 (de) 1994-02-17
KR100248164B1 (ko) 2000-03-15
AU4415793A (en) 1994-03-03
US5459429A (en) 1995-10-17
SK6395A3 (en) 1995-05-10
AU675439B2 (en) 1997-02-06
NO950332D0 (no) 1995-01-27
JP3342489B2 (ja) 2002-11-11
NO950332L (no) 1995-01-27
JPH07509820A (ja) 1995-10-26
HU9500275D0 (en) 1995-03-28
DE59303996D1 (de) 1996-10-31
DK0653122T3 (da) 1997-03-17
GR3021165T3 (en) 1996-12-31
FI950400A0 (fi) 1995-01-30
FI950400L (fi) 1995-01-30
FI950400A7 (fi) 1995-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5828242A (en) Comparator with built-in hysteresis
US3078379A (en) Transistor power switch
KR890011217A (ko) 논리 회로
US4833424A (en) Linear amplifier with transient current boost
EP0219937A2 (en) ECL slave reference generators
KR20000075637A (ko) 전류 리미터 회로
US3486124A (en) Power supply amplifier having means for protecting the output transistors
US3952212A (en) Driver circuit
SK280397B6 (sk) Riadiace zapojenie na bipolárny symetrický tranzis
US5343165A (en) Amplifier having a symmetrical output characteristic
US2986654A (en) Single transistor series gate with grounded control voltage
US3417262A (en) Phantom or circuit for inverters having active load devices
JP2760017B2 (ja) 論理回路
EP0410764A2 (en) Comparator circuit
JPH02177724A (ja) 出力バッファ回路
JPH0746764B2 (ja) 増幅器
JP3355197B2 (ja) デジタル出力回路
KR940000251Y1 (ko) 3진 인버터 회로
JP3039174B2 (ja) スイッチ回路
JP2536311B2 (ja) インタ−フェ−ス回路
SU1649651A1 (ru) Электронный переключатель
SU1202019A1 (ru) Двухтактный усилитель мощности
JPH0815259B2 (ja) 3値論理回路
JPH03207116A (ja) プルアップまたはプルダウン回路付き電子回路
JPS5938819A (ja) 基準電圧発生回路