PL171873B1 - Uklad sterowania symetrycznym tranzystorem bipolarnym PL PL PL PL - Google Patents
Uklad sterowania symetrycznym tranzystorem bipolarnym PL PL PL PLInfo
- Publication number
- PL171873B1 PL171873B1 PL93307063A PL30706393A PL171873B1 PL 171873 B1 PL171873 B1 PL 171873B1 PL 93307063 A PL93307063 A PL 93307063A PL 30706393 A PL30706393 A PL 30706393A PL 171873 B1 PL171873 B1 PL 171873B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- bipolar transistor
- current circuits
- current
- drive circuit
- pct
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/62—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/38—Information transfer, e.g. on bus
- G06F13/40—Bus structure
- G06F13/4063—Device-to-bus coupling
- G06F13/4068—Electrical coupling
- G06F13/4072—Drivers or receivers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/66—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
- H03K17/665—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
1. Uklad sterowania symetrycznym tranzystorem bipolarnym, zwlaszcza wla- czonym w tor przesylania sygnalów ele- ktrycznych, znamienny tym, ze do obu elektrod roboczych (21, 22) tranzystora bipolarnego (1) sa dolaczone emiterami pierwsze uklady pradowe (5, 6), których bazy sa polaczone ze soba, zas kolektory sa dolaczone do przyporzadkowanych im in wersjnych ukladów pradowych (7, 8) stero- wanych przelacznikiem (14). F I G . 1 (21) Numer zgloszenia: 307063 (2 2 ) a ta zg lo zen ia : 0 8 .0 7 .1 9 9 3 (86) Data i numer zgloszenia miedzynarodowego. 08.07.1993, PCT/DE93/00605 PL PL PL PL
Description
Przedmiotem wynalazku jest układ sterowania symetrycznym tranzystorem bipolarnym, zwłaszcza włączonym w tor przesyłania sygnałów elektrycznych.
W europejskim opisie patentowym nr 0 487 759 ujawniono zastosowanie tranzystora bipolarnego jako elementu zabezpieczającego przed zmianą biegunowości w układach sprzężenia z magistralami przesyłania danych cyfrowych. Element zabezpieczający przed zmianą biegunowości, umieszczony w torze przesyłania sygnałów, jest elementem sterowanym, który w zależności od polaryzacji sterującego sygnału elektrycznego zamyka lub otwiera tor przesyłania sygnałów elektrycznych. Znany tranzystor bipolarny jest wykonany jako tranzystor z podwójnym emiterem, którego prąd emitera może być sterowany symetrycznie w obu kierunkach.
Symetryczny tranzystor bipolarny względnie bipolarna struktura tranzystorowa, znana na przykład z niemieckiego opisu patentowego nr 4 316 608, umożliwia ponadto określenie, czy różnica potencjałów spada poniżej zadanej wartości, a zatem także, czy jedno napięcie przybliża się do drugiego napięcia. W przypadku, gdy bipolarna struktura tranzystorowa ma być umieszczona w układzie scalonym, jest pożądane, żeby występowały możliwie małe straty mocy w prądy sterujące były małe.
Istotą układu sterowania symetrycznym tranzystorem bipolarnym, zwłaszcza włączonym w tor przesyłania sygnałów elektrycznych, według -wynalazku jest to, że do obu elektrod roboczych tranzystora bipolarnego są dołączone emiterami pierwsze układy prądowe, których bazy są połączone ze sobą, zaś kolektory są dołączone do przyporządkowanych im inwersyjnych układów prądowych sterowanych przełącznikiem.
Korzystne jest, gdy zgodnie z wynalazkiem do kolejnego kolektora każdego z pierwszych układów prądowych jest dołączony jeden z drugich układów prądowych, zaś ponadto pomiędzy kolejnymi kolektorami pierwszych układów prądowych a drugimi układami prądowymi jest włączony sprzężony przełącznik zezwalający.
Zaletą rozwiązania według wynalazku są małe prądy sterujące symetrycz.nym tranzystorem bipolarnym, umieszczonym w strukturze układu scalonego.
Przedmiot wynalazku przedstawiono w przykładzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia układ sterowania według wynalazku, fig. 2 - układ sterowania z fig. 1 z dołączonymi drugimi układami prądowymi, fig. 3 - inny schemat pojedynczego układu prądowego, zaś fig. 4 przedstawia tranzystorowy układ Darlingtona.
Przedstawiony na fig. 1 tranzystor bipolarny 1 jest wykonany jako tranzystor z podwójnym emiterem. Jest on włączony w pierwszy przewód 2 toru przesyłania sygnałów
171 873 elektrycznych, składającego się z przewodów pierwszego 2 i drugiego 3 ze swoimi elektrodami roboczymi 21, 22, to jest emiterami. Doprowadzenie 4 dochodzi do bazy tranzystora bipolarnego 1. Do elektrod roboczych 22, 22 tranzystora bipolarnego 1.
wykonanego jako tranzystor z podwójnym emiterem, są dołączone pierwsze układy prądowe 5 i 6. Są one połączone ze sobą bazami. Kolektor 11 każdego z połączonych ze sobą pierwszych układów prądowych 5, 6 jest dołączony do przyporządkowanego jemu inwersyjnego układu prądowego 7 względnie 8. Rezystory 9 i 10 umożliwiają kształtowanie charakterystyki przenoszenia układu, na podstawie zadanych układów prądowych.
Wyjścia inwersyjnych układów prądowych 7, 8 są połączone każdorazowo z następnym rezystorem 12, przy czym każdy z nich jest połączony ze źródłem 13 napięcia stałego względem masy. Wyjścia inwersyjnych układów prądowych 7, 8 są połączone z przełącznikiem 14 zbudowanym z tranzystorów, korzystnie pracujących w układzie Darlingtona. Tranzystory przełącznika 14 są dołączone kolektorami do bazy tranzystora bipolarnego 1, jako elektrody sterującej tego tranzystora. Kolejne rezystory 15 i 16 służą do linearyzacji i ograniczenia prądowego.
W przykładzie wykonania przedstawionym na fig. 2, do kolejnego kolektora każdego z pierwwszych układów prądowych 5, 6 jest dołączony poprzez sprzężony przełącznik zezwalający 19 jeden z drugich układów prądowych 17, 18. Napięcie odniesienia jest określone przez źródło 13 napięcia stałego. Źródło 20 prądu odniesienia jest dołączone także do pierwszych układów prądowych 5, 6.
Prąd wzbudzenia ze źródła 20 prądu odniesienia jest rozdzielony w pierwszych układach prądowych 5, 6 zależnie od tego, czy pierwsza elektroda robocza 21, lub czy druga elektroda robocza 22 tranzystora bipolarnego 1 wykazuje potencjał dodatni. Jeżeli potencjał na pierwszej elektrodzie roboczej 21 jest większy niż na drugiej elektrodzie roboczej 22, to układ prądowy 5 pobiera więcej prądu niż układ prądowy 6. W przeciwnym przypadku proporcje są odwrócone. ,
Jeżeli tranzystor bipolarny 1 jest całkowicie w nasyceniu tak, że potencjały elektrod roboczych 21, 22 są jednakowe, to prąd wzbudzenia rozdziela się równomiernie pomiędzy pierwsze układy prądowe 5, 6. W tym przypadku oba inwersyjne układy prądowe 7, 8 pobierają jednakowy prąd. Rezystory 12 mają taką wartość, że w opisanym stanie na każdym występuje jednakowy spadek napięcia. Ten spadek napięcia odpowiada, względnie jest równy napięciu źródła 13 napięcia stałego. Bazy tranzystorów przełącznika 14 podanych w przykładzie wykonania jako tranzystory w układzie Darlingtona, znajdują się na potencjale masy i do ich kolektorów nie może wpływać poprzez doprowadzenie 4 prąd z elektrody sterującej tranzystora bipolarnego 1.
Prąd sterujący początkowo wzrasta, jeżeli pierwsze układy prądowe 5, 6 nie znajdują się w równowadze. W zależności od kierunku prądu płynącego przez tranzystor bipolarny 1 jest bardziej ujemna albo elektroda pierwsza 21 albo druga 22 tak, że jeden z obu tranzystorów przełącznika 14 ma dodatnie wysterowanie i przez to tranzystor bipolarny 1 dostarcza wymagany prąd sterujący.
W układzie z fig. 2 kolejne kolektory pierwszych układów prądowych 5, 6, które są doprowadzane poprzez sprzężony przełącznik zezwalający 19, oddziałują na każdy z drugich układów prądowych 17, 18. Ten dodatkowy układ sterowania pracuje bardzo szybko, praktycznie z opóźnieniem regulacji kilkuset ns. Ponieważ drugie układy prądowe 17, 18 mają większy pobór prądu, mogą być odłączone przez przełącznik zezwalający 19. Korzystne jest użycie dodatkowego układu sterowania jedynie w przypadku przełączania realizowanego przez włącznik zezwalający 19.
Na figurze 3 jest przedstawiony inny schemat realizacji pierwszych układów prądowych 5, 6. Ten sposób przedstawienia był wcześniej wyjaśniony. Na figurze 4 jest przedstawiona inna realizacja tranzystorów pokazanych na fig. 1, w tranzystorowym układzie Darlingtona.
171 873
171 873
FIG 3
FIG 4
171 873
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 90 egz. Cena 2,00 zł
Claims (3)
- Zastrzeżenia patentowe1. Układ sterowania symetrycznym tranzystorem bipolarnym, zwłaszcza włączonym w tor przesyłania sygnałów elektrycznych, znamienny tym, że do obu elektrod roboczych (21, 22) tranzystora bipolarnego (1) są dołączone emiterami pierwsze układy prądowe (5, 6), których bazy są połączone ze sobą, zaś kolektory są dołączone do przyporządkowanych im inwersjnych układów prądowych (7, 8) sterowanych przełącznikiem (14).
- 2. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że do kolejnego kolektora każdego z pierwszych układów prądowych (5, 6) jest dołączony jeden z drugich układów prądowych (17, 18).
- 3. Układ według zastrz. 2, znamienny tym, że pomiędzy kolejnymi kolektorami pierwszych układów prądowych (5, 6) a drugimi układami prądowymi (17, 18) jest włączony sprzężony przełącznik zezwalający (19).
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4225455 | 1992-07-31 | ||
PCT/DE1993/000605 WO1994003975A1 (de) | 1992-07-31 | 1993-07-08 | Ansteuerung eines symmetrischen bipolartransistors |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
PL307063A1 PL307063A1 (en) | 1995-05-02 |
PL171873B1 true PL171873B1 (pl) | 1997-06-30 |
Family
ID=6464632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PL93307063A PL171873B1 (pl) | 1992-07-31 | 1993-07-08 | Uklad sterowania symetrycznym tranzystorem bipolarnym PL PL PL PL |
Country Status (18)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5459429A (pl) |
EP (1) | EP0653122B1 (pl) |
JP (1) | JP3342489B2 (pl) |
KR (1) | KR100248164B1 (pl) |
AT (1) | ATE143540T1 (pl) |
AU (1) | AU675439B2 (pl) |
CA (1) | CA2141319A1 (pl) |
CZ (1) | CZ282853B6 (pl) |
DE (1) | DE59303996D1 (pl) |
DK (1) | DK0653122T3 (pl) |
ES (1) | ES2091619T3 (pl) |
FI (1) | FI950400A0 (pl) |
GR (1) | GR3021165T3 (pl) |
HU (1) | HU218121B (pl) |
NO (1) | NO950332L (pl) |
PL (1) | PL171873B1 (pl) |
SK (1) | SK280397B6 (pl) |
WO (1) | WO1994003975A1 (pl) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5796289A (en) * | 1996-01-30 | 1998-08-18 | Cypress Semiconductor Corporation | Pass transistor capacitive coupling control circuit |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE812785C (de) * | 1948-10-02 | 1951-09-03 | Quarzlampen Gmbh | Vorrichtung zum Bestrahlen von staeubenden Stoffen |
GB912163A (en) * | 1960-09-30 | 1962-12-05 | Smith & Sons Ltd S | Improvements in or relating to electric switching circuits |
GB975520A (en) * | 1961-08-31 | 1964-11-18 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to electric gating circuits employing transistors |
DE2333191C2 (de) * | 1973-06-29 | 1975-08-14 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Elektronisches Halbleiter-Koppelpunktpaar |
US4096399A (en) * | 1977-03-28 | 1978-06-20 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Crosspoint bias circuit arrangement |
US4684878A (en) * | 1986-05-08 | 1987-08-04 | Rca Corporation | Transistor base current regulator |
DK0487759T3 (da) * | 1990-11-26 | 1995-10-02 | Siemens Ag | Kredsløbsindretning |
DE4316608A1 (de) * | 1992-05-22 | 1993-11-25 | Siemens Ag | Bipolar-Transistorstruktur |
-
1993
- 1993-07-08 DK DK93914610.6T patent/DK0653122T3/da active
- 1993-07-08 HU HU9500275A patent/HU218121B/hu not_active IP Right Cessation
- 1993-07-08 SK SK63-95A patent/SK280397B6/sk unknown
- 1993-07-08 ES ES93914610T patent/ES2091619T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-08 WO PCT/DE1993/000605 patent/WO1994003975A1/de active IP Right Grant
- 1993-07-08 DE DE59303996T patent/DE59303996D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-08 KR KR1019950700278A patent/KR100248164B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-07-08 PL PL93307063A patent/PL171873B1/pl unknown
- 1993-07-08 JP JP50487894A patent/JP3342489B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-08 CA CA002141319A patent/CA2141319A1/en not_active Abandoned
- 1993-07-08 EP EP93914610A patent/EP0653122B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-08 US US08/374,536 patent/US5459429A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-08 CZ CZ9593A patent/CZ282853B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1993-07-08 AU AU44157/93A patent/AU675439B2/en not_active Ceased
- 1993-07-08 AT AT93914610T patent/ATE143540T1/de not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-01-27 NO NO950332A patent/NO950332L/no unknown
- 1995-01-30 FI FI950400A patent/FI950400A0/fi unknown
-
1996
- 1996-09-26 GR GR960402406T patent/GR3021165T3/el unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU675439B2 (en) | 1997-02-06 |
CZ282853B6 (cs) | 1997-11-12 |
HU218121B (hu) | 2000-06-28 |
NO950332D0 (no) | 1995-01-27 |
FI950400A (fi) | 1995-01-30 |
GR3021165T3 (en) | 1996-12-31 |
EP0653122A1 (de) | 1995-05-17 |
SK6395A3 (en) | 1995-05-10 |
ATE143540T1 (de) | 1996-10-15 |
NO950332L (no) | 1995-01-27 |
CZ9395A3 (en) | 1995-06-14 |
KR950702761A (ko) | 1995-07-29 |
DE59303996D1 (de) | 1996-10-31 |
KR100248164B1 (ko) | 2000-03-15 |
PL307063A1 (en) | 1995-05-02 |
ES2091619T3 (es) | 1996-11-01 |
US5459429A (en) | 1995-10-17 |
CA2141319A1 (en) | 1994-02-17 |
SK280397B6 (sk) | 2000-01-18 |
JPH07509820A (ja) | 1995-10-26 |
WO1994003975A1 (de) | 1994-02-17 |
JP3342489B2 (ja) | 2002-11-11 |
EP0653122B1 (de) | 1996-09-25 |
HUT69833A (en) | 1995-09-28 |
AU4415793A (en) | 1994-03-03 |
DK0653122T3 (da) | 1997-03-17 |
FI950400A0 (fi) | 1995-01-30 |
HU9500275D0 (en) | 1995-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0294880B1 (en) | Differential amplifier and current sensing circuit including such an amplifier | |
EP0197658A2 (en) | Mosfet AC switch | |
US4890009A (en) | Monolithic integrated circuit device | |
KR880006848A (ko) | 집적회로 및 이 회로에 사용하기 적합한 제어수단 | |
KR880010574A (ko) | 상이한 전원에서 동작할 수 있는 논리회로 및 반도체 집적회로장치 시스템 | |
KR940025186A (ko) | 전압 제어 발진기 | |
EP0315597A2 (en) | Analog multiplex for sensing the magnitude and sense of the current through a H-bridge stage utilizing a single sensing resistance | |
JPH04290965A (ja) | 電流検知回路 | |
US4835652A (en) | Bi-directional DC power controller with fault protection | |
PL171873B1 (pl) | Uklad sterowania symetrycznym tranzystorem bipolarnym PL PL PL PL | |
US4280069A (en) | Field effect transistor device means control system | |
US20190305546A1 (en) | Unlockable switch inhibitor | |
EP0189571A1 (en) | CMOS with "shoot-through" current control | |
US4283638A (en) | Field effect transistor switched temperature control circuit | |
EP0342349B1 (en) | Contour-clamped homogeneous electric field generator | |
JP3457151B2 (ja) | コイル駆動回路 | |
SU754678A1 (ru) | 4) мажоритарное устройство 1 | |
SU1582349A1 (ru) | Выключатель сигналов переменного тока | |
PL111625B2 (en) | System for generation of tri-stable signals | |
JP2531666B2 (ja) | ドツト化回路 | |
US3218477A (en) | Triggering arrangement for multivibrators | |
SU746934A1 (ru) | Компенсированный ключ | |
SU714291A1 (ru) | Устройство сравнени | |
SU828189A1 (ru) | Стабилизатор посто нного напр жени | |
KR19980701948A (ko) | 버스 콘덕터 및 버스 인터페이스 회로를 갖춘 회로 |