PL171873B1 - Uklad sterowania symetrycznym tranzystorem bipolarnym PL PL PL PL - Google Patents

Uklad sterowania symetrycznym tranzystorem bipolarnym PL PL PL PL

Info

Publication number
PL171873B1
PL171873B1 PL93307063A PL30706393A PL171873B1 PL 171873 B1 PL171873 B1 PL 171873B1 PL 93307063 A PL93307063 A PL 93307063A PL 30706393 A PL30706393 A PL 30706393A PL 171873 B1 PL171873 B1 PL 171873B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
bipolar transistor
current circuits
current
drive circuit
pct
Prior art date
Application number
PL93307063A
Other languages
English (en)
Other versions
PL307063A1 (en
Inventor
Hermann Zierhut
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of PL307063A1 publication Critical patent/PL307063A1/xx
Publication of PL171873B1 publication Critical patent/PL171873B1/pl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/62Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/38Information transfer, e.g. on bus
    • G06F13/40Bus structure
    • G06F13/4063Device-to-bus coupling
    • G06F13/4068Electrical coupling
    • G06F13/4072Drivers or receivers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/66Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
    • H03K17/665Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Abstract

1. Uklad sterowania symetrycznym tranzystorem bipolarnym, zwlaszcza wla- czonym w tor przesylania sygnalów ele- ktrycznych, znamienny tym, ze do obu elektrod roboczych (21, 22) tranzystora bipolarnego (1) sa dolaczone emiterami pierwsze uklady pradowe (5, 6), których bazy sa polaczone ze soba, zas kolektory sa dolaczone do przyporzadkowanych im in wersjnych ukladów pradowych (7, 8) stero- wanych przelacznikiem (14). F I G . 1 (21) Numer zgloszenia: 307063 (2 2 ) a ta zg lo zen ia : 0 8 .0 7 .1 9 9 3 (86) Data i numer zgloszenia miedzynarodowego. 08.07.1993, PCT/DE93/00605 PL PL PL PL

Description

Przedmiotem wynalazku jest układ sterowania symetrycznym tranzystorem bipolarnym, zwłaszcza włączonym w tor przesyłania sygnałów elektrycznych.
W europejskim opisie patentowym nr 0 487 759 ujawniono zastosowanie tranzystora bipolarnego jako elementu zabezpieczającego przed zmianą biegunowości w układach sprzężenia z magistralami przesyłania danych cyfrowych. Element zabezpieczający przed zmianą biegunowości, umieszczony w torze przesyłania sygnałów, jest elementem sterowanym, który w zależności od polaryzacji sterującego sygnału elektrycznego zamyka lub otwiera tor przesyłania sygnałów elektrycznych. Znany tranzystor bipolarny jest wykonany jako tranzystor z podwójnym emiterem, którego prąd emitera może być sterowany symetrycznie w obu kierunkach.
Symetryczny tranzystor bipolarny względnie bipolarna struktura tranzystorowa, znana na przykład z niemieckiego opisu patentowego nr 4 316 608, umożliwia ponadto określenie, czy różnica potencjałów spada poniżej zadanej wartości, a zatem także, czy jedno napięcie przybliża się do drugiego napięcia. W przypadku, gdy bipolarna struktura tranzystorowa ma być umieszczona w układzie scalonym, jest pożądane, żeby występowały możliwie małe straty mocy w prądy sterujące były małe.
Istotą układu sterowania symetrycznym tranzystorem bipolarnym, zwłaszcza włączonym w tor przesyłania sygnałów elektrycznych, według -wynalazku jest to, że do obu elektrod roboczych tranzystora bipolarnego są dołączone emiterami pierwsze układy prądowe, których bazy są połączone ze sobą, zaś kolektory są dołączone do przyporządkowanych im inwersyjnych układów prądowych sterowanych przełącznikiem.
Korzystne jest, gdy zgodnie z wynalazkiem do kolejnego kolektora każdego z pierwszych układów prądowych jest dołączony jeden z drugich układów prądowych, zaś ponadto pomiędzy kolejnymi kolektorami pierwszych układów prądowych a drugimi układami prądowymi jest włączony sprzężony przełącznik zezwalający.
Zaletą rozwiązania według wynalazku są małe prądy sterujące symetrycz.nym tranzystorem bipolarnym, umieszczonym w strukturze układu scalonego.
Przedmiot wynalazku przedstawiono w przykładzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia układ sterowania według wynalazku, fig. 2 - układ sterowania z fig. 1 z dołączonymi drugimi układami prądowymi, fig. 3 - inny schemat pojedynczego układu prądowego, zaś fig. 4 przedstawia tranzystorowy układ Darlingtona.
Przedstawiony na fig. 1 tranzystor bipolarny 1 jest wykonany jako tranzystor z podwójnym emiterem. Jest on włączony w pierwszy przewód 2 toru przesyłania sygnałów
171 873 elektrycznych, składającego się z przewodów pierwszego 2 i drugiego 3 ze swoimi elektrodami roboczymi 21, 22, to jest emiterami. Doprowadzenie 4 dochodzi do bazy tranzystora bipolarnego 1. Do elektrod roboczych 22, 22 tranzystora bipolarnego 1.
wykonanego jako tranzystor z podwójnym emiterem, są dołączone pierwsze układy prądowe 5 i 6. Są one połączone ze sobą bazami. Kolektor 11 każdego z połączonych ze sobą pierwszych układów prądowych 5, 6 jest dołączony do przyporządkowanego jemu inwersyjnego układu prądowego 7 względnie 8. Rezystory 9 i 10 umożliwiają kształtowanie charakterystyki przenoszenia układu, na podstawie zadanych układów prądowych.
Wyjścia inwersyjnych układów prądowych 7, 8 są połączone każdorazowo z następnym rezystorem 12, przy czym każdy z nich jest połączony ze źródłem 13 napięcia stałego względem masy. Wyjścia inwersyjnych układów prądowych 7, 8 są połączone z przełącznikiem 14 zbudowanym z tranzystorów, korzystnie pracujących w układzie Darlingtona. Tranzystory przełącznika 14 są dołączone kolektorami do bazy tranzystora bipolarnego 1, jako elektrody sterującej tego tranzystora. Kolejne rezystory 15 i 16 służą do linearyzacji i ograniczenia prądowego.
W przykładzie wykonania przedstawionym na fig. 2, do kolejnego kolektora każdego z pierwwszych układów prądowych 5, 6 jest dołączony poprzez sprzężony przełącznik zezwalający 19 jeden z drugich układów prądowych 17, 18. Napięcie odniesienia jest określone przez źródło 13 napięcia stałego. Źródło 20 prądu odniesienia jest dołączone także do pierwszych układów prądowych 5, 6.
Prąd wzbudzenia ze źródła 20 prądu odniesienia jest rozdzielony w pierwszych układach prądowych 5, 6 zależnie od tego, czy pierwsza elektroda robocza 21, lub czy druga elektroda robocza 22 tranzystora bipolarnego 1 wykazuje potencjał dodatni. Jeżeli potencjał na pierwszej elektrodzie roboczej 21 jest większy niż na drugiej elektrodzie roboczej 22, to układ prądowy 5 pobiera więcej prądu niż układ prądowy 6. W przeciwnym przypadku proporcje są odwrócone. ,
Jeżeli tranzystor bipolarny 1 jest całkowicie w nasyceniu tak, że potencjały elektrod roboczych 21, 22 są jednakowe, to prąd wzbudzenia rozdziela się równomiernie pomiędzy pierwsze układy prądowe 5, 6. W tym przypadku oba inwersyjne układy prądowe 7, 8 pobierają jednakowy prąd. Rezystory 12 mają taką wartość, że w opisanym stanie na każdym występuje jednakowy spadek napięcia. Ten spadek napięcia odpowiada, względnie jest równy napięciu źródła 13 napięcia stałego. Bazy tranzystorów przełącznika 14 podanych w przykładzie wykonania jako tranzystory w układzie Darlingtona, znajdują się na potencjale masy i do ich kolektorów nie może wpływać poprzez doprowadzenie 4 prąd z elektrody sterującej tranzystora bipolarnego 1.
Prąd sterujący początkowo wzrasta, jeżeli pierwsze układy prądowe 5, 6 nie znajdują się w równowadze. W zależności od kierunku prądu płynącego przez tranzystor bipolarny 1 jest bardziej ujemna albo elektroda pierwsza 21 albo druga 22 tak, że jeden z obu tranzystorów przełącznika 14 ma dodatnie wysterowanie i przez to tranzystor bipolarny 1 dostarcza wymagany prąd sterujący.
W układzie z fig. 2 kolejne kolektory pierwszych układów prądowych 5, 6, które są doprowadzane poprzez sprzężony przełącznik zezwalający 19, oddziałują na każdy z drugich układów prądowych 17, 18. Ten dodatkowy układ sterowania pracuje bardzo szybko, praktycznie z opóźnieniem regulacji kilkuset ns. Ponieważ drugie układy prądowe 17, 18 mają większy pobór prądu, mogą być odłączone przez przełącznik zezwalający 19. Korzystne jest użycie dodatkowego układu sterowania jedynie w przypadku przełączania realizowanego przez włącznik zezwalający 19.
Na figurze 3 jest przedstawiony inny schemat realizacji pierwszych układów prądowych 5, 6. Ten sposób przedstawienia był wcześniej wyjaśniony. Na figurze 4 jest przedstawiona inna realizacja tranzystorów pokazanych na fig. 1, w tranzystorowym układzie Darlingtona.
171 873
171 873
FIG 3
FIG 4
171 873
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 90 egz. Cena 2,00 zł

Claims (3)

  1. Zastrzeżenia patentowe
    1. Układ sterowania symetrycznym tranzystorem bipolarnym, zwłaszcza włączonym w tor przesyłania sygnałów elektrycznych, znamienny tym, że do obu elektrod roboczych (21, 22) tranzystora bipolarnego (1) są dołączone emiterami pierwsze układy prądowe (5, 6), których bazy są połączone ze sobą, zaś kolektory są dołączone do przyporządkowanych im inwersjnych układów prądowych (7, 8) sterowanych przełącznikiem (14).
  2. 2. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że do kolejnego kolektora każdego z pierwszych układów prądowych (5, 6) jest dołączony jeden z drugich układów prądowych (17, 18).
  3. 3. Układ według zastrz. 2, znamienny tym, że pomiędzy kolejnymi kolektorami pierwszych układów prądowych (5, 6) a drugimi układami prądowymi (17, 18) jest włączony sprzężony przełącznik zezwalający (19).
PL93307063A 1992-07-31 1993-07-08 Uklad sterowania symetrycznym tranzystorem bipolarnym PL PL PL PL PL171873B1 (pl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4225455 1992-07-31
PCT/DE1993/000605 WO1994003975A1 (de) 1992-07-31 1993-07-08 Ansteuerung eines symmetrischen bipolartransistors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL307063A1 PL307063A1 (en) 1995-05-02
PL171873B1 true PL171873B1 (pl) 1997-06-30

Family

ID=6464632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL93307063A PL171873B1 (pl) 1992-07-31 1993-07-08 Uklad sterowania symetrycznym tranzystorem bipolarnym PL PL PL PL

Country Status (18)

Country Link
US (1) US5459429A (pl)
EP (1) EP0653122B1 (pl)
JP (1) JP3342489B2 (pl)
KR (1) KR100248164B1 (pl)
AT (1) ATE143540T1 (pl)
AU (1) AU675439B2 (pl)
CA (1) CA2141319A1 (pl)
CZ (1) CZ282853B6 (pl)
DE (1) DE59303996D1 (pl)
DK (1) DK0653122T3 (pl)
ES (1) ES2091619T3 (pl)
FI (1) FI950400A0 (pl)
GR (1) GR3021165T3 (pl)
HU (1) HU218121B (pl)
NO (1) NO950332L (pl)
PL (1) PL171873B1 (pl)
SK (1) SK280397B6 (pl)
WO (1) WO1994003975A1 (pl)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5796289A (en) * 1996-01-30 1998-08-18 Cypress Semiconductor Corporation Pass transistor capacitive coupling control circuit

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE812785C (de) * 1948-10-02 1951-09-03 Quarzlampen Gmbh Vorrichtung zum Bestrahlen von staeubenden Stoffen
GB912163A (en) * 1960-09-30 1962-12-05 Smith & Sons Ltd S Improvements in or relating to electric switching circuits
GB975520A (en) * 1961-08-31 1964-11-18 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to electric gating circuits employing transistors
DE2333191C2 (de) * 1973-06-29 1975-08-14 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Elektronisches Halbleiter-Koppelpunktpaar
US4096399A (en) * 1977-03-28 1978-06-20 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Crosspoint bias circuit arrangement
US4684878A (en) * 1986-05-08 1987-08-04 Rca Corporation Transistor base current regulator
DK0487759T3 (da) * 1990-11-26 1995-10-02 Siemens Ag Kredsløbsindretning
DE4316608A1 (de) * 1992-05-22 1993-11-25 Siemens Ag Bipolar-Transistorstruktur

Also Published As

Publication number Publication date
AU675439B2 (en) 1997-02-06
CZ282853B6 (cs) 1997-11-12
HU218121B (hu) 2000-06-28
NO950332D0 (no) 1995-01-27
FI950400A (fi) 1995-01-30
GR3021165T3 (en) 1996-12-31
EP0653122A1 (de) 1995-05-17
SK6395A3 (en) 1995-05-10
ATE143540T1 (de) 1996-10-15
NO950332L (no) 1995-01-27
CZ9395A3 (en) 1995-06-14
KR950702761A (ko) 1995-07-29
DE59303996D1 (de) 1996-10-31
KR100248164B1 (ko) 2000-03-15
PL307063A1 (en) 1995-05-02
ES2091619T3 (es) 1996-11-01
US5459429A (en) 1995-10-17
CA2141319A1 (en) 1994-02-17
SK280397B6 (sk) 2000-01-18
JPH07509820A (ja) 1995-10-26
WO1994003975A1 (de) 1994-02-17
JP3342489B2 (ja) 2002-11-11
EP0653122B1 (de) 1996-09-25
HUT69833A (en) 1995-09-28
AU4415793A (en) 1994-03-03
DK0653122T3 (da) 1997-03-17
FI950400A0 (fi) 1995-01-30
HU9500275D0 (en) 1995-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0294880B1 (en) Differential amplifier and current sensing circuit including such an amplifier
EP0197658A2 (en) Mosfet AC switch
US4890009A (en) Monolithic integrated circuit device
KR880006848A (ko) 집적회로 및 이 회로에 사용하기 적합한 제어수단
KR880010574A (ko) 상이한 전원에서 동작할 수 있는 논리회로 및 반도체 집적회로장치 시스템
KR940025186A (ko) 전압 제어 발진기
EP0315597A2 (en) Analog multiplex for sensing the magnitude and sense of the current through a H-bridge stage utilizing a single sensing resistance
JPH04290965A (ja) 電流検知回路
US4835652A (en) Bi-directional DC power controller with fault protection
PL171873B1 (pl) Uklad sterowania symetrycznym tranzystorem bipolarnym PL PL PL PL
US4280069A (en) Field effect transistor device means control system
US20190305546A1 (en) Unlockable switch inhibitor
EP0189571A1 (en) CMOS with "shoot-through" current control
US4283638A (en) Field effect transistor switched temperature control circuit
EP0342349B1 (en) Contour-clamped homogeneous electric field generator
JP3457151B2 (ja) コイル駆動回路
SU754678A1 (ru) 4) мажоритарное устройство 1
SU1582349A1 (ru) Выключатель сигналов переменного тока
PL111625B2 (en) System for generation of tri-stable signals
JP2531666B2 (ja) ドツト化回路
US3218477A (en) Triggering arrangement for multivibrators
SU746934A1 (ru) Компенсированный ключ
SU714291A1 (ru) Устройство сравнени
SU828189A1 (ru) Стабилизатор посто нного напр жени
KR19980701948A (ko) 버스 콘덕터 및 버스 인터페이스 회로를 갖춘 회로