KR950702761A - 대칭 바이폴라 트랜지스터의 제어(control of a symmetrical bipolar transistor) - Google Patents

대칭 바이폴라 트랜지스터의 제어(control of a symmetrical bipolar transistor) Download PDF

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Abstract

본 발명은 대칭 바이폴라 트랜지스터 (턴 또는 대칭 바이폴라 트랜지스터 구조물의 제어에 관한 것이다. 본 발명에 따라 2개의 동작 전극(21,22)에 전류 미러 회로(5;6)가 접속되고, 2개의 전류 미러 회로(5;6)의 베이스는 서로 접속되며 그것의 콜렉터는 바이폴라 트랜지스터의 제어에 필요한 제어전류를 공급하는 역 전류 미러회로 (7;8)에 작용한다.

Description

대칭 바이폴라 트랜지스터의 제어(CONTROL OF A SYMMETRICAL BIPOLAR TRANSISTOR)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 각각 하나의 전류 미러 및 후속 접속된 역 전류 미러에 의한 바이폴라 트랜지스터의 제어를 나타낸 회로도이다.

Claims (3)

  1. 대칭 바이폴라 트랜지스터 (1) 또는 대칭 바이폴라 트랜지스터 구조물의 제어에 있어서, 2개의 동작 전극(21,22)에 전류 미러 회로(5;6)가 접속되고, 2개의 전류 미러 회로(5;6)의 베이스가 서로 접속되며 그것의 콜렉터는 바이폴라 트랜지스터의 제어를 위해 필요한 제어 전류를 공급하는 역 전류 미러 회로(7;8)에 작용하는 것을 특징으로 하는 대칭 바이폴라 트랜지스터의 제어.
  2. 제1항에 있어서, 제1전류 미러 회로(5;6)에 제2전류 미러(17;18)를 보충함으로써, 전류 미러 회로가 확대되고, 상기 제2전류 미러(17;18)는 각각 제1 전류 미러 회로(5;6)의 베이스에 접속되는 것을 특징으로 하는 대칭 바이폴리 트랜지스터의 제어.
  3. 제2항에 있어서, 제2전류 미러 회로(17,18)는 결합된 에이블 스위치(19)를 통해 제1전류 미러 회로(5;6)에 접속되는 것을 특징으로 하는대칭 바이폴라 트랜지스터의 제어.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950700278A 1992-07-31 1993-07-08 대칭 바이폴라 트랜지스터의 제어 KR100248164B1 (ko)

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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5796289A (en) * 1996-01-30 1998-08-18 Cypress Semiconductor Corporation Pass transistor capacitive coupling control circuit

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE812785C (de) * 1948-10-02 1951-09-03 Quarzlampen Gmbh Vorrichtung zum Bestrahlen von staeubenden Stoffen
GB912163A (en) * 1960-09-30 1962-12-05 Smith & Sons Ltd S Improvements in or relating to electric switching circuits
GB975520A (en) * 1961-08-31 1964-11-18 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to electric gating circuits employing transistors
DE2333191C2 (de) * 1973-06-29 1975-08-14 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Elektronisches Halbleiter-Koppelpunktpaar
US4096399A (en) * 1977-03-28 1978-06-20 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Crosspoint bias circuit arrangement
US4684878A (en) * 1986-05-08 1987-08-04 Rca Corporation Transistor base current regulator
DK0487759T3 (da) * 1990-11-26 1995-10-02 Siemens Ag Kredsløbsindretning
DE4316608A1 (de) * 1992-05-22 1993-11-25 Siemens Ag Bipolar-Transistorstruktur

Also Published As

Publication number Publication date
HUT69833A (en) 1995-09-28
CZ282853B6 (cs) 1997-11-12
ES2091619T3 (es) 1996-11-01
SK280397B6 (sk) 2000-01-18
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NO950332L (no) 1995-01-27
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EP0653122A1 (de) 1995-05-17
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GR3021165T3 (en) 1996-12-31
WO1994003975A1 (de) 1994-02-17
DE59303996D1 (de) 1996-10-31
US5459429A (en) 1995-10-17

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