KR910003937A - Mos 트랜지스터용 게이트 제어회로 - Google Patents

Mos 트랜지스터용 게이트 제어회로 Download PDF

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KR910003937A
KR910003937A KR1019900010811A KR900010811A KR910003937A KR 910003937 A KR910003937 A KR 910003937A KR 1019900010811 A KR1019900010811 A KR 1019900010811A KR 900010811 A KR900010811 A KR 900010811A KR 910003937 A KR910003937 A KR 910003937A
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South Korea
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diode
mos transistor
power
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KR1019900010811A
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Inventor
리쉬뮬러 클라우스
Original Assignee
삐에르 올리비에
에스지에스-톰슨 마이크로일렉트로닉스 에스. 에이.
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    • H03KPULSE TECHNIQUE
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    • HELECTRICITY
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    • H03K4/92Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having a waveform comprising a portion of a sinusoid
    • HELECTRICITY
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  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

MOS 트랜지스터용 게이트 제어회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 게이트 제어회로의 제1 실시예를 보인 도면,
제3도 및 제4도는 제2도에 도시한 회로동작의 시각선도.

Claims (5)

  1. 게이드가 인덕턴스(L)와 직렬로 연결되며, -상기 인덕턴스를 사전충전하는 수단과, -인덕턴스내에 저장된 파워를 스위칭온 상태에서 입력 커패시턴스 쪽으로 전달하는 제1 수단과, -입력 커패시턴스내에 저장된 파워를 스위칭오프 상태에서 인덕턴스 쪽으로 전달하는 제2 수단으로 구성됨을 특징으로하는, 입력커패시턴스(Ce)를 나타내는 파워 MOS 트랜지스터(T) 등의 전기용량성 입력부를 갖춘 파워 구성요소용 게이트 제어회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 회로가 상기 인덕턴스를 통해 파워가 전달되는 보조 커패시터(C)를 또한 구성함을 특징으로 하는 게이트 체어회로.
  3. 제1항에 있어서. 상기 회로가 반병릴 다이오드(Dl-D4)에 제공되는 4개의 브리지 연결 스위치(Tl-T4)로 이루어지며, 브리지의 대각선중 하나는 병렬 배치될 커패시턴스를 구비하는 전원소오스에 연결되고, 브리지의 대각선중 나머지 하나는 상기 인덕턴스를 구성하여, 상기 인덕턴스의 단자중의 하나가 파워 M0S 트랜지스터의 게이트에 연결됨을 특징으로 하는 게이트 제어회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 인덕턴스를 사전충전하는 상기 수단(20,21)이 상기 인덕턴스와 MOS 트랜지스터의 게이트간에 연결되며, 제1 전류전달수단은 제1 극성의 다이오드(24)와 직렬연결되는 스위치(25)로 구성되고, 제2 전달수단은 스위치(23)와 반대극성을 갖는 다이오드(22)로 구성됨을 특징으로 하는 케이트 제어회로.
  5. 제2항에 있어서, 게이트에 연결되지 않는 인덕턴스 단자가 제2 다이오드(31) 및 또다른 스위치(32)와 병렬 연결되는 제1 다이오드(33) 및 스위치(34)로 구성되는 회로의 제1 단자와 연결되고, 다이오드는 반대극성을 띠며, 이 병렬 회로의 나머지 단자는 상기 보조 커패시터(C)의 제1 단자와 상기 사전충전수단(35,36)에 연결됨을 특징으로 하는 게이트 제어회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900010811A 1989-07-17 1990-07-16 Mos 트랜지스터용 게이트 제어회로 KR910003937A (ko)

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