SE515267C2 - Analog MOSFET-multiplikator - Google Patents
Analog MOSFET-multiplikatorInfo
- Publication number
- SE515267C2 SE515267C2 SE9201882A SE9201882A SE515267C2 SE 515267 C2 SE515267 C2 SE 515267C2 SE 9201882 A SE9201882 A SE 9201882A SE 9201882 A SE9201882 A SE 9201882A SE 515267 C2 SE515267 C2 SE 515267C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- mosfet
- mosfet device
- voltage source
- voltage
- linear
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06G—ANALOGUE COMPUTERS
- G06G7/00—Devices in which the computing operation is performed by varying electric or magnetic quantities
- G06G7/12—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers
- G06G7/16—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers for multiplication or division
- G06G7/163—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers for multiplication or division using a variable impedance controlled by one of the input signals, variable amplification or transfer function
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
- G06N3/02—Neural networks
- G06N3/06—Physical realisation, i.e. hardware implementation of neural networks, neurons or parts of neurons
- G06N3/063—Physical realisation, i.e. hardware implementation of neural networks, neurons or parts of neurons using electronic means
- G06N3/065—Analogue means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Data Mining & Analysis (AREA)
- Computational Linguistics (AREA)
- Artificial Intelligence (AREA)
- Neurology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Description
20 25 30 35 40 515 267 2 nervsynapsen för att åstadkomma ett schema för en ny generation av datorteknologi.
De föregående syftena bör tolkas såsom endast presente- rande några få av de mera relevanta särdragen och tillämp- ningarna av föreliggande uppfinning. Många andra fördelaktiga resultat kan erhållas genom att tillämpa den visade uppfin- ningen på ett annat sätt eller genom att modifiera uppfinningen inom ramen för det som visas. Följaktligen kan andra syften och en bättre förståelse av uppfinningen erhållas under hänvisning till både sammanfattningen av uppfinningen och den nedan angivna detaljerade beskrivningen, som beskriver den föredragna utföringsformen förutom uppfinningens ram, som definieras av kraven vid betraktande tillsammans med de bifogade ritningarna.
SAMMANFATTNING AV UPPFINNINGEN Den analoga MOSFET-multiplikatorn enligt föreliggande uppfinning definieras av patentkraven tillsammans med en specifik utföringsform som visas på de bifogade ritningarna. I syfte att sammanfatta uppfinningen hänför sig denna till en analog MOSFET-multiplikator, som innefattar ett variabelt resistivt, linjärt MOSFET-organ 20, som innefattar en MOSFET- anordning Qi med en styrelektrod, vilken är ansluten till en spänningskälla V1, en kollektorelektrod, som är ansluten till en spänningskälla V2 samt en emitterelektrod. En MOSFET-anord- ning Q2 med en emitterelektrod och en styrelektrod är ansluten till en spänningskälla -V2 och en kollektorelektrod varvid spänningskällorna V2 och -V2 ger symmetrisk inspänning, vid användning, och varvid emitterelektroden hos MOSFET-anordningen Ql och kollektorelektroden hos MOSFET-anordningen Q2 är anslut- na till en nod A. Noden A lämnar vid användning en linjärt varierad ström I. En operationsförstärkningsenhet 10, som innefattar en operationsförstärkare U är anordnad att förstärka den linjärt varierade utströmmen I. Operationsförstärkaren U har en inverterande ingångsklämma, som är ansluten till den första noden A hos det variabla resistiva, linjära MOSFET- organet 10, samt en icke-inverterande ingångsklämma, som är ansluten till jord, jämte en utgångsklämma. Ett återkopplings- element Z är anslutet till den inverterande ingångsklämman samt till utgångsklämman, varvid utgångsklämman vid användning utmatar en variabel spänning Vo.
Den analoga MOSFET-multiplikatorn kan vidare innefatta en 10 15 20 25 30 35 40 515 267 3 MOSFET-anordningen Q3, som är operativt placerad mellan noden A och den inverterande ingångsklämman hos operationsförstärk- ningsenhetens 10 operationsförstärkare U, varvid MOSFET-anord- ningen Q3 har en styrelektrod för att möjliggöra för en in- signal i ett nervtillståndsarrangemang att inmatas därigenom.
I den analoga MOSFET-multiplikatorn är MOSFET-anord- ningarna Q1 och Q2 företrädesvis MOSFET-anordningar av ut- armningstyp.
De mera relevanta och viktiga särdragen hos föreliggande uppfinning har skisserats ovan för att den detaljerade be- skrivningen av uppfinningen, som kommer att följa, bättra skall förstås och så att det aktuella bidraget till tekniken helt kan inses. Ytterligare särdrag hos uppfinningen, vilka beskrivs nedan, utgör föremål för patentkraven enligt uppfinningen.
Fackmannen inom området torde inse att principen och den här åskådliggjorda specifika utföringsformen lätt kan utnyttjas som en bas för att modifiera eller utforma andra strukturer för åstadkommande av samma syften enligt föreliggande uppfinning.
Vidare kan fackmannen inom området inse att dylika ekvivalenta konstruktioner inte avviker från uppfinningens anda och ram i enlighet med patentkraven.
KORT BESKRIVNING AV RITNINGARNA.
För bättre förståelse av arten och syftena med uppfin- ningen hänvisas till den följande detaljerade beskrivningen tillsammans med de bifogade ritningarna, varvid: Fig. 1A illustrerar en symbol för en MOSFET-anordning; Fig. 1B illustrerar en ekvivalent krets för en MOSFET- anordning i ett icke mättat område; Fig. 2 illustrerar en principkrets enligt föreliggande uppfinning; Fig. 3 illustrerar en krets för en analog MOSFET-multi- plikator enligt föreliggande uppfinning; Fig. 4 illustrerar en första utföringsform av föreliggan- de uppfinning; och Fig. 5 illustrerar en andra utföringsform av föreliggande uppfinning.
Likadana hänvisningsbeteckningar hänför sig till likadana delar i alla vyerna hos ritningarna.
DETALJERAD BESKRIVNING AV UPPFINNINGEN.
Fig. 1A illustrerar schematiskt en symbol hos en MOSFET- 10 15 20 25 30 35 40 515 267 4 anordning, vilken har en styrelektrod, en emitterelektrod ggn en kollektorelektrod. Fig. 1B visar en ekvivalent krets för en MOSFET-anordning i ett icke-mättat område, varvid emitterström- egenskaperna vid resistansområdet kan uttrycks med följande ekvationer; 1= - - - - - - - - - - -- ...(1) R= -------------------- -- ...(2) (Cox.W.u)/L (Vgs - Vt) där p är majoritetsbärarens mobilitet, Cox är styrkapacitansen per enhetsarea, L är kanalens längd, W är kanalens bredd (vinkelrätt mot L), Vds är spänningen mellan kollektorelektroden och emitter- elektroden Vgs är spänningen mellan styrelektroden och emitterelektro- den och Vt är tröskelvärdsspänningen. Å Fig. 2 visar en schematisk vy av föreliggande uppfinning varvid, för att eliminera den icke-linjära strömkomponenten från ekvation (1), två MOSFET-anordningar Q1 och Q2 (vilka är av utarmningstyp) används såsom är illustrerat, varvid emitter- elektroden hos MOSFET-anordningen Q1 är ansluten till kollek- torelektroden hos MOSFET-anordningen Q2 för utmatning av en ström I därifrån. Styrelektroden hos MOSFET-anordningen Q1 är ansluten till en spänningskälla V1 för operationsinmatning och kollektorelektroden hos densamma är ansluten till en spännings- källa V2 för operationsinmatning för att bringa ström Il att passera från spänningskällans V2 sida till MOSFET-anordningen Ql. Emitterelektroden hos MOSFET-anordningen Q2 är ansluten till spänningskällan -V2 för operationsinmatning samt till styrelektroden hos densamma för att bringa ström I2 att passera från MOSFET-anordningen Q2 till spänningskällans -V2 sida.
Såsom helt inses matar spänningskällorna V2 och -V2 symmetriska inspänníngar till MOSFET-anordningarna Q1 och Q2 samtidigt.
Därför kan sambanden mellan spänningen och strömmen hos MOSFET-anordningarna Q1 och Q2 uttryckas med följande ekva- tioner: Sambandet mellan spänning och ström hos MOSFET-anord- 10 15 20 25 30 35 40 515 267 5 ningen Q1 anges enligt följande: 11 = (cøx-wqn/L [wgs - vt) - vas - vzas/z] ...(3) och sambandet mellan spänning och ström hos MOSFET-anord- ningen Q2 erhålls enligt följande: 12 = (cox-wqn/L [(-vt)-vds - vzds/z] ...(4).
Därför kan det resulterande sambandet mellan spänning och ström beräknas med användning av ekvationerna (3) och (4) enligt följande: I = Il - I2 = (Cox-W-p)/L [Vgs-Vds] = a-Vgs-Vds ...(5) där a = (Cox-X-p)/L.
Av det ovanstående kan inses att kvadrattermen elimineras från resultaten.
Fig. 3 åskådliggör en krets för en analog MOSFET-multi- plikator enligt föreliggande uppfinning. Under hänvisning till ritningen visas ett variabelt resistivt, linjärt MOSFET-organ 20, varvid styrelektroden hos MOSFET-anordningen Q1 är ansluten till en spänningskälla V1 för operationsinmatning och varvid dess kollektorelektrod, som är en ingångsklämma, är ansluten till en spänningskälla V2 för operationsinmatning. Emitter- elektroden hos MOSFET-anordningen Q2, som är den andra ingångs- klämman, är ansluten till spänningskällan -V2 för operationsin- matning samt ansluten till styrelektroden därav. Emitterelekt- roden hos MOSFET-anordningen Q1 är ansluten till kollektor- elektroden hos MOSFET-anordningen Q2, där anslutningen där- emellan, dvs. nod A, är ansluten till en inverterande ingångs- klämma hos en operationsförstärkare U hos en operationsför- stärkningsenhet 10. En icke-inverterande ingångsklämma hos operationsförstärkaren U är ansluten till jord och en utgångs- klämma därav är via ett återkopplingselement ansluten till dess inverterande ingångsklämma, vars operationsbeskrivning kommer att beskrivas nedan.
Enligt ritningen erhålls utspänningen Vo från båda de respektive strömmar I1 och I2, som flyter genom MOSFET-anord- ningarna Q1 och Q2, och återkopplingselementet Z erhåller ett värde, som är i proportion till produkten av inspänningarna från de respektive spänningskällorna Vl (Vgs) och V2 (Vds).
Resultaten av en sådan operatíonsfunktion kan erhållas genom en 10 15 20 25 30 35 40 515 267 6 enkel och ny krets genom utnyttjande av en primär linjär MOSFET-egenskap, vilket är klart annorlunda mot kretsen enligt känd teknik.
Fig. 4 illustrerar en första utföringsform av föreliggan- de uppfinning, varvid, i samband med fig. 3, en MOSFET-anord- ning Q3 är inkopplad mellan det variabla resistiva, linjära MOSFET-organet 20 och den inverterande ingångsklämman hos operationsförstärkaren U hos operationsförstärkningsenheten 10 för att inmata nervtillståndssignalen genom dess styrelektrod.
Enligt den ovan nämnda utföringsformen kan, om inspänningen hos spänningskällan V2 hos det linjära MOSFET-organet 20 är in- ställd på en förutbestämd nivå och inspänningen hos spännings- källan V1 fungerar såsom en synapsvikt i ett nervnät, då det är i drift, en ny krets erhållas för att realisera basstrukturen hos hybridnervsynapsnätet, som lagrar nervtillståndet i elekt- riska former genom användning av en icke visad återkopplings- kondensator.
Fig. 5 visar en andra utföringsform av föreliggande uppfinning. I samband med fig. 5 är MOSFET-anordningarna Q4 och QS operativt inplacerade mellan spänningskällorna V2 och -V2 och det linjära MOSFET-organet 20 för mottagning av respektive spänningskällor V2 och -V2 och styrelektroderna därav är kopplade med avseende på varandra, varigenom insignalen för nervtillståndet kan inmatas därigenom. Om, därför, det inte finns någon insignal påförd därpå kan den vid MOSFET-anord- ningarna Q1 och Q2 förekommande förbrukningsströmmen elimine- ras. Enligt den andra utföringsformen av den ovan beskrivna uppfinningen kan ett annat nytt nervsynapsnät erhållas för minskning av förbrukningen av den effekt, som erfordras för systemets mycket höga integritet.
Såsom beskrivits ovan erhålles enligt uppfinningen enkla och noggranna operationsresultat med utnyttjande av de primära linjära MOSFET-egenskaperna. Dessutom kan ett nytt nervsynaps- nät åstadkommas, vilket även om det utnyttjar färre MOSFET- anordningar likväl ger möjlighet till en fullständigt asynkron drift med hög hastighet i behandlingstid. Även om denna uppfinning har beskrivits i sin föredragna form med en viss grad av utförlighet så torde fackmannen inom området inse att visandet av den föredragna formen endast har skett såsom exempel och att talrika ändringar med avseende på 515 267 7 detaljer i konstruktionen samt kombination och arrangemang av delar kan göras utan att man går utanför uppfinningens idé och ram.
Claims (8)
1. 0 15 20 25 30 5.15 267 8 Patentkrav l. Analog MOSFET-multiplikator, vilken innefattar: en MOSFET-anordning (Ql) med en styrelektrod, som är ansluten till en spänningskälla (V1), en kollektorelektrod, som är ansluten till en spänningskälla (V2), samt en kollektorelektrod; en MOSFET-anordning (Q2) med en emitterelektrod och en styrelektrod, som är anslutna till en spänningskälla (-V2), samt en kollektorelektrod, varvid nämnda spänningskällor (V2 och -V2) lämnar symmetriska inspänningar vid användning och tillsammans med nämnda emitterelektrod hos nämnda MOSFET-anordning (Ql) och nämnda kollektorelektrod hos nämnda MOSFET-anordning (Q2) är anslutna till en anod (A), som vid användning utmatar en linjärt variabel ström (I) for att definiera ett variabelt resistivt, linjärt MOSFET-organ; en operationsforstärkare (U) for att förstärka nämnda linjärt varierade utström (I) och innefattande en inverterande ingångsklämma, som är ansluten till nämnda forsta nod (A) hos nämnda variabla resistiva, linjära MOSFET-organ, samt en icke inverterande ingångsklämma, som är ansluten till jord, och en utgångsklämma; och ett återkopplingselement (Z), som är anslutet till nämnda inverterande ingångsklämma samt till nämnda utgångsklämma for att definiera en operationsforstärkningsenhet for att vid användning utmata en spänning (Vo); k ä n n e t e c k n a d av att den vidare innefattar en MOSFET-anordning (Q3), som är driftmässigt inkopplad mellan nämnda nod (A) och nämnda inverterande ingângsklämma hos nämnda operationsförstärkare (U), varvid nämnda MOSFET-anordning (Q3) har en styrelektrod för att möjliggöra för en insignal för ett neuraltillstånd att inmatas därigenom.
2. Analog MOSFET-multiplikator, vilken innefattar: en MOSFET-anordning (Ql) med en styrelektrod, som är ansluten till en spänningskälla (V1), en kollektorelektrod, som är ansluten till en spänningskälla (V2), samt en styrelektrod; en MOSFET-anordning (Q2) med en emitterelektrod och en styrelektrod, som är anslutna till en spänningskâlla (-V2), samt en kollektorelektrod, varvid nämnda spänningskällor (V2 och -V2) utgör symmetriska inspänningar vid användning och tillsammans med nämnda emitterelektrod hos nämnda MOSFET-anordning \\SPB\VOL3\users\EWR\DOK\WORD-DOK\P'32290-krav .doc 10 15 20 25 30 515 (7267 (Ql) och nämnda kollektorelektrod hos nämnda MOSFET-anordning (Q2) är anslutna till en anod (A), som vid användning utmatar en linjärt variabel ström (I) för att definiera ett variabelt resistivt, linjärt MOSFET-organ; en operationsförstärkare (U) för att förstärka nämnda linjärt varierade utström (I) och innefattande en inverterande ingångsklämma, som är ansluten till nämnda första nod (A) hos nämnda variabla resistiva, linjära MOSFET-organ, samt en icke-inverterande ingängsklämma, som är ansluten till jord, jämte en utgångsklämma; och ett äterkopplingsorgan (Z), som är anslutet till nämnda inverterade ingångsklämma samt till nämnda utgångsklärnma för att definiera en operationsförstärkningsenhet för att vid användning utmata en spänning (V°); k ä n n e t e c k n a d av att den vidare innefattar en MOSFET-anordning (Q4), som är driftmässigt inkopplad mellan nämnda spänningskälla (V2) och nämnda kollektorelektrod hos nämnda MOSFET- anordning (Ql) hos nämnda variabla resistiva, linjära MOSFET-organ; och en MOSFET-anordning (Q5), som är driftmässigt inkopplad mellan nämnda spänningskälla (-V2) och nämnda emitter- och styrelektroder hos nämnda MOSFET-anordning (Q2), varvid nämnda styrelektroder hos nämnda MOSFET- anordningar (Q4 och Q5) är hopkopplade för att möjliggöra för en insignal för ett neuraltillständ att inmatas därigenom.
3. Analog MOSFET-multiplikator, vilken innefattar: ett variabelt resistivt, linjärt MOSFET-organ (20) för att linjärt variera utström (I) beroende på en symmetrisk inspänning från spänningskällor (V2 och -V2) samt en inspänning från en inspänníngskä11a(V1), som är driftmässigt associerad med nämnda symmetriska inspänning från nämnda spänningskällor (V2 och - V2), varvid nämnda variabla resistiva, linjära MOSFET-organ (20) har en nod (A) för utmatning av nämnda linjärt varierade utström (I) därigenom; en operationsförstärkningsenhet (10) för att förstärka närnnda linjärt varierade utström (I), varvid nämnda operationsförstärkningsenhet innefattar en operationsförstärkare (U), som har en inverterande ingängsklämma, vilken är ansluten till nämnda nod (A) hos nämnda linjära MOSFET-organ (20), en icke- inverterande ingängsklämma, som är ansluten till jord, samt en utgängsklämma, \\SPB\VOL3 \use rs\EWR\DOK\WORD-DOK\P3 2290-krav .doc 10 15 20 25 30 515 267 /0 varvid nämnda operationsförstärkningsenhet vidare innefattar ett återkopplingselement (Z), som är inkopplat mellan nämnda inverterande ingångsklämma och nämnda utgängsklämma hos nämnda operationsförstärkare (U); k ä n n e t e c k n a d av att den vidare innefattar en MOSFET-anordning (Q3), som är driftmässigt inkopplad mellan nämnda nod (A) hos nämnda linjära MOSFET-organ (20) och nämnda inverterande ingångsklämma hos nämnda operationsförstärkare (U) hos nämnda operationsförstärkningsenhet (10), varvid nämnda MOSFET-anordning (Q3) vidare innefattar en styrelektrod för att mottaga insignalen för ett neuraltillstånd, så att nämnda MOSFET-anordning (Q3) vid drift opererar som en hybrid neural synapskrets vid mottagande av nämnda insignal för nämnda neuraltillstånd via MOSFET-anordningens (Q3) styrelektrod.
4. Analog MOSFET-multiplikator, vilken innefattar: ett variabelt resistivt, linjärt MOSFET-organ (20) för att linjärt variera utström (I) beroende på en symmetrisk inspänning från spänningskällor (V2 och -v2) samt en inspänning från en inspänningskälla (V1), som är operativt associerad med nämnda symmetriska inspänning från nämnda spänningskällor (V2 och - V2), varvid nämnda variabla resistiva, linjära MOSFET-organ (20) har en anod (A) för utmatning av nämnda linjärt varierade utström (I) därigenom; en operationsförstärkningsenhet (10) för att förstärka nämnda linjärt varierade utström (I), varvid nämnda operationsförstärkningsenhet innefattar en operationsförstärkare (U), som har en inverterande ingångsklämma, vilken är ansluten till nämnda nod (A) hos nämnda linjära MOSFET-organ (20), en icke- inverterande ingångsklämma, som är ansluten till jord, samt en utgångsklämma, varvid nämnda operationsförstärkningsenhet (10) vidare innefattar ett återkopplingselement (Z), som är inkopplat mellan nämnda inverterande ingångsklämma och nämnda utgångsklämma hos nämnda operationsförstärkare (U); k ä n n e t e c k n a d av att den vidare innefattar \\SPB\VOL3\users\EWR\DOK\WORD-DOK\P32290-krav .doc 10 15 20 25 30 515 2/67 en MOSFET-anordning (Q4), som är driftmässigt inkopplad mellan nämnda spänningskälla (V2) och nämnda variabla resistiva, linjära MOSFET-organ (20) för att mottaga nämnda inspänning från nämnda spänningskälla (V2); och en MOSFET-anordning (QS), som är driftmässigt inkopplad mellan nämnda spänningskälla (-V2) och nämnda variabla resistiva, linjära MOSFET-organ (20) för att mottaga nämnda inspänning från nämnda spänningskälla (-V2), varvid var och en av nämnda MOSFET-anordningar (Q4 och QS) har styrelektroder, som är hopkopplade med varandra för att möjliggöra för en insignal för ett neuraltillstånd att inmatas därigenom, så att varje nämnd MOSFET-anordning (Q4 och QS) vid drift opererar som en hybrid neural synapskrets vid mottagande av nämnda insignal för nämnda neuraltillstånd via varje styrelektrod hos varje MOSFET-anordning (Q4 och QS).
5. S. Multiplikator enligt kravet 3 eller 4, varvid nämnda linjära MOSFET-organ (20) innefattar en MOSFET-anordning (Ql), som har en emitterelektrod, vilken är ansluten till nämnda anod (A) hos nämnda linjära MOSFET-organ (20), en styrelektrod, som är ansluten till nämnda spänningskälla (V1), samt en kollektorelektrod, som är ansluten till nämnda spänningskälla (V2); k ä n n e t e c k n a d av att den vidare innefattar en MOSFET-anordning (Q2), som har en kollektorelektrod, som är ansluten till nämnda nod (A), en styrelektrod samt en emitterelektrod, varvid nämnda styr- och emitterelektroder är anslutna till varandra för anslutning till nämnda spänningskälla (-V2).
6. Analog MOSFET-mullíplikator, vilken innefattar: ett variabelt resistivt, linjärt MOSFET-organ (20), som inkluderar en MOSFET- anordning (Ql), som har en styrelektrod ansluten till en spänningskälla (V1), en kollektorelektrod ansluten till en spänningskälla (V2) samt en emitterelektrod; en MOSFET-anordning (Q2) med en emitterelektrod och en styrelektrod anslutna till en spänningskälla (-V2) samt en kollektorelektrod, varvid närnnda spänningskällor (V2 och -V2) ger symmetriska inspänningar vid användning och varvid nämnda emitterelektrod hos nämnda MOSFET-anordning (Ql) och nämnda kollektorelektrod hos nämnda MOSFET-anordning (Q2) är anslutna till en nod (A), som vid användning utmatar en linjär variabel ström (I); \\SPB\VOL'$ \u se rs\EWR\DOK\WORD-DOK\P32290~krav .doc 10 15 20 25 30 515 267 m. en operationsförstärkningsenhet (10), som innefattar en operationsförstärkare (U) för förstärkning av den linjärt varierade utströmmen (I) och som innefattar en inverterande ingångsklämma, som är ansluten till nämnda första nod (A) hos nämnda variabla resistiva, linjära MOSFET-organ (20), samt en icke- inverterande ingångsklämma, som är ansluten till jord, jämte en utgángsklämma; ett återkopplingselement (Z), som är anslutet till nämnda inverterad ingängsklämma och till nämnda utgängsklämma, varvid nämnda utgångsklämma vid användning utmatar en spänning (V°); kä n n e t e c k n a d av att den vidare innefattar en MOSFET-anordning (Q3), som är driftmässigt inkopplad mellan nämnda nod (A) och nämnda inverterande ingångsklämma hos nämnda operationsförstärkare (U) hos nämnda operationsförstärkningsenhet (10), varvid nämnda MOSFET- anordning (Q3) har en styrelektrod för att möjliggöra för en signal för ett neuraltillstånd att inmatas därigenom.
7. Analog MOSFET-multiplikator, vilken innefattar: ett variabelt resistivt, linjärt MOSFET-organ (20), som inkluderar en MOSFET- anordning (Ql), som har en styrelektrod ansluten till en spänningskälla (V1), en kollektorelektrod ansluten till en spänningskälla (V2) samt en emitterelektrod; en MOSFET-anordning (Q2) med en emitterelektrod och en styrelektrod anslutna till en spänníngskälla (-V2) samt en kollektorelektrod, varvid nämnda spänningskällor (V2 och -V2) ger symmetriska inspänningar vid användning och varvid nämnda emitterelektrod hos nämnda MOSFET-anordning (Ql) och nämnda kollektorelektrod hos nämnda MOSFET-anordning (Q2) är anslutna till en anod (A), som vid användning utmatar en linjär variabel ström (I); och en operationförstärkningsenhet (10), som innefattar en operationsförstärkare (U) för förstärkning av den linjärt varierade utströmmen (I) och som innefattar en inverterande ingângsklämma, som är ansluten till nämnda första nod (A) hos nämnda variabla resistiva, linjära MOSFET-organ (20), samt en icke- inverterande ingångsklämma, som är ansluten till jord, jämte en utgängsklämma; ett äterkopplingselement (Z), som är anslutet till nämnda inverterande ingångsklämma och till nämnda utgångsklämma, varvid nämnda utgångsklärnma vid användning utmatar en spänning (V,,); \\SPB\VOL3\users\EWR\DOK\WORD-DOK\P32290-krav.doc 515 267 /3 k ä n n e t e c k n a d av att den vidare innefattar en MOSFET-anordning (Q4), som är driftmässigt inkopplad mellan nämnda spänningskälla (V2) och nämnda kollektorelektrod hos nämnda MOSFET- anordning (Ql) hos nämnda variabla resistiva, linjära MOSFET-organ (20); och 5 en MOSFET-anordning (Q5), som är driftsmässigt inkopplad mellan nämnda spänningskälla (-V2) och nämnda emitter- och styrelektroder hos nämnda MOSFET-anordning (Q2), varvid nämnda styrelektroder hos nämnda MOSFET- anordningar (Q4 och Q5) är hopkopplade för att möjliggöra för en insignal för ett neuraltillstånd att inmatas därigenom. 10 8. Analog MOSFET-multiplikator enligt något av kraven 1, 2, 4, 5, 6 och 7, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda MOSFET-anordningar (Ql och Q2) är MOSFET- anordningar av utarmningstyp. 15 \\
8. S PBWOlß\users\EWR\DOK\WORD-DOK\P32290-krav .doc
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910019374A KR940004429B1 (ko) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | 가변저항형 mosfet 아날로그 곱셈기 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE9201882D0 SE9201882D0 (sv) | 1992-06-18 |
| SE9201882L SE9201882L (sv) | 1993-05-02 |
| SE515267C2 true SE515267C2 (sv) | 2001-07-09 |
Family
ID=19322147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE9201882A SE515267C2 (sv) | 1991-11-01 | 1992-06-18 | Analog MOSFET-multiplikator |
Country Status (18)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5254889A (sv) |
| JP (1) | JPH0693248B2 (sv) |
| KR (1) | KR940004429B1 (sv) |
| AT (1) | AT397443B (sv) |
| BE (1) | BE1005226A5 (sv) |
| CH (1) | CH684855A5 (sv) |
| DE (1) | DE4222844C2 (sv) |
| DK (1) | DK81692A (sv) |
| ES (1) | ES2040660B1 (sv) |
| FR (1) | FR2683354A1 (sv) |
| GB (1) | GB2261092B (sv) |
| GR (1) | GR1002179B (sv) |
| IT (1) | IT1255430B (sv) |
| LU (1) | LU88147A1 (sv) |
| MC (1) | MC2321A1 (sv) |
| NL (1) | NL9201212A (sv) |
| PT (1) | PT100692B (sv) |
| SE (1) | SE515267C2 (sv) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5666080A (en) * | 1993-06-17 | 1997-09-09 | Yozan, Inc. | Computational circuit |
| US5442583A (en) * | 1993-05-14 | 1995-08-15 | California Institute Of Technology | Compensated analog multipliers |
| US5617053A (en) * | 1993-06-17 | 1997-04-01 | Yozan, Inc. | Computational circuit |
| KR970007006B1 (ko) * | 1993-08-31 | 1997-05-01 | 한국전자통신연구원 | 인공 신경 회로와 패턴 분리 및 인식용 발진 신경 망의 구조 |
| CN1109404C (zh) * | 1993-09-20 | 2003-05-21 | 株式会社鹰山 | 计算电路 |
| GB2325341A (en) * | 1997-03-28 | 1998-11-18 | Nec Corp | A composite transistor for a current squarer and analog multiplier |
| US6829598B2 (en) | 2000-10-02 | 2004-12-07 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for modeling a neural synapse function by utilizing a single conventional MOSFET |
| US10700695B1 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Ali Tasdighi Far | Mixed-mode quarter square multipliers for machine learning |
| US10594334B1 (en) | 2018-04-17 | 2020-03-17 | Ali Tasdighi Far | Mixed-mode multipliers for artificial intelligence |
| US10832014B1 (en) | 2018-04-17 | 2020-11-10 | Ali Tasdighi Far | Multi-quadrant analog current-mode multipliers for artificial intelligence |
| US11275909B1 (en) | 2019-06-04 | 2022-03-15 | Ali Tasdighi Far | Current-mode analog multiply-accumulate circuits for artificial intelligence |
| US11467805B1 (en) | 2020-07-10 | 2022-10-11 | Ali Tasdighi Far | Digital approximate multipliers for machine learning and artificial intelligence applications |
| US11416218B1 (en) | 2020-07-10 | 2022-08-16 | Ali Tasdighi Far | Digital approximate squarer for machine learning |
| KR102480434B1 (ko) * | 2020-02-13 | 2022-12-23 | 광운대학교 산학협력단 | 선형 전류-전압 특성의 시냅스 소자 및 신경망 회로 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD103746A1 (sv) * | 1973-05-23 | 1974-02-05 | ||
| DE2643659A1 (de) * | 1976-09-28 | 1978-03-30 | Hitachi Ltd | Multiplizierschaltung mit einem feldeffekttransistor |
| US4156923A (en) * | 1977-10-17 | 1979-05-29 | Westinghouse Electric Corp. | Method and apparatus for performing matrix multiplication or analog signal correlation |
| US4837527A (en) * | 1987-12-23 | 1989-06-06 | Rca Licensing Corporation | Switched capacitor arrangement |
| JP2760543B2 (ja) * | 1989-02-10 | 1998-06-04 | 株式会社東芝 | 多重帰還回路 |
| JPH02287670A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体神経回路網 |
| JPH02311972A (ja) * | 1989-05-29 | 1990-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ニューロン素子回路 |
| US5061866A (en) * | 1990-08-06 | 1991-10-29 | The Ohio State University Research Foundation | Analog, continuous time vector scalar multiplier circuits and programmable feedback neural network using them |
-
1991
- 1991-11-01 KR KR1019910019374A patent/KR940004429B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1992
- 1992-06-12 MC MC922229A patent/MC2321A1/xx unknown
- 1992-06-18 SE SE9201882A patent/SE515267C2/sv not_active IP Right Cessation
- 1992-06-18 US US07/900,331 patent/US5254889A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-19 DK DK081692A patent/DK81692A/da not_active Application Discontinuation
- 1992-06-24 GB GB9213381A patent/GB2261092B/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-07 NL NL9201212A patent/NL9201212A/nl active Search and Examination
- 1992-07-08 BE BE9200636A patent/BE1005226A5/fr not_active IP Right Cessation
- 1992-07-09 FR FR9208505A patent/FR2683354A1/fr active Granted
- 1992-07-11 DE DE4222844A patent/DE4222844C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-15 LU LU88147A patent/LU88147A1/fr unknown
- 1992-07-15 PT PT100692A patent/PT100692B/pt not_active IP Right Cessation
- 1992-07-15 AT AT0144592A patent/AT397443B/de not_active IP Right Cessation
- 1992-07-16 IT ITMI921726A patent/IT1255430B/it active IP Right Grant
- 1992-07-16 ES ES09201485A patent/ES2040660B1/es not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-16 CH CH2240/92A patent/CH684855A5/de not_active IP Right Cessation
- 1992-09-23 GR GR920100398A patent/GR1002179B/el not_active IP Right Cessation
- 1992-10-30 JP JP4292339A patent/JPH0693248B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940004429B1 (ko) | 1994-05-25 |
| KR930011428A (ko) | 1993-06-24 |
| JPH0693248B2 (ja) | 1994-11-16 |
| DK81692A (da) | 1993-05-02 |
| GR920100398A (el) | 1993-07-30 |
| GB2261092B (en) | 1995-06-14 |
| GB2261092A (en) | 1993-05-05 |
| PT100692A (pt) | 1994-05-31 |
| GB9213381D0 (en) | 1992-08-05 |
| FR2683354A1 (fr) | 1993-05-07 |
| DK81692D0 (da) | 1992-06-19 |
| SE9201882L (sv) | 1993-05-02 |
| BE1005226A5 (fr) | 1993-06-01 |
| SE9201882D0 (sv) | 1992-06-18 |
| GR1002179B (en) | 1996-03-11 |
| NL9201212A (nl) | 1993-06-01 |
| FR2683354B1 (sv) | 1997-02-14 |
| ES2040660R (sv) | 1996-01-16 |
| DE4222844C2 (de) | 1999-05-27 |
| ITMI921726A1 (it) | 1994-01-16 |
| ATA144592A (de) | 1993-08-15 |
| AT397443B (de) | 1994-04-25 |
| DE4222844A1 (de) | 1993-05-06 |
| IT1255430B (it) | 1995-10-31 |
| LU88147A1 (fr) | 1993-02-15 |
| PT100692B (pt) | 1999-06-30 |
| US5254889A (en) | 1993-10-19 |
| CH684855A5 (de) | 1995-01-13 |
| ES2040660A2 (es) | 1993-10-16 |
| JPH05225364A (ja) | 1993-09-03 |
| ITMI921726A0 (it) | 1992-07-16 |
| MC2321A1 (fr) | 1993-10-25 |
| ES2040660B1 (es) | 1996-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SE515267C2 (sv) | Analog MOSFET-multiplikator | |
| JP2509615B2 (ja) | 信号並行処理装置 | |
| JPS57193198A (en) | Electrostatic microphone | |
| KR900017281A (ko) | 능동 필터 회로 | |
| KR100219036B1 (ko) | 저전압형 모스펫 콘트롤링 곱셈기 | |
| US10511262B2 (en) | High speed, high voltage, amplifier output stage using linear or class D topology | |
| US2995305A (en) | Electronic computer multiplier circuit | |
| US5237289A (en) | Mosfet controlling multiplier | |
| KR920020831A (ko) | 차동 증폭기 | |
| Tiliute | Full-wave current-mode precision rectifiers using unity-gain cells | |
| US2944166A (en) | Bistable trigger circuit | |
| US4878008A (en) | Contour-clamped homogeneous electric field generator | |
| SE417884B (sv) | Koppling for att vid amplitudreglering av en analogsignal genom omkoppling i ett resistansnet minimera storningar och distorsion av den analoga signalen | |
| US3400333A (en) | Multiplier | |
| Chaisayun | A simple and low cost square-rooting circuit employing commercial devices | |
| JPS5472936A (en) | Resistance-variable circuit of voltage control type | |
| JPH0650018Y2 (ja) | 高圧電源 | |
| JPH10276076A (ja) | 半導体回路 | |
| US3005957A (en) | Current amplifier for low impedance outputs | |
| KR850001972B1 (ko) | 전계효과 트랜지스터로 구성된 선형 저항기 | |
| SE430105B (sv) | Referensspenningskella | |
| SU542197A1 (ru) | Релейный операционный усилитель | |
| KR20160098025A (ko) | 느리게 변화하는 전하를 축적하고 측정하기 위한 시스템 및 방법 | |
| KR920019079A (ko) | 고속 다중 스위치 회로 및 방법 | |
| ATE14938T1 (de) | Durchschaltung mehrerer spannungs- oder stromquellen an eine gemeinsame messeinrichtung. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 9201882-9 Format of ref document f/p: F |