KR920019079A - 고속 다중 스위치 회로 및 방법 - Google Patents
고속 다중 스위치 회로 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920019079A KR920019079A KR1019910017733A KR910017733A KR920019079A KR 920019079 A KR920019079 A KR 920019079A KR 1019910017733 A KR1019910017733 A KR 1019910017733A KR 910017733 A KR910017733 A KR 910017733A KR 920019079 A KR920019079 A KR 920019079A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- jfet
- switch
- electrode
- coupled
- current
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 양호한 실시예에 대한 개요도,
제1A도는 본 발명의 일반화된 실시예에 대한 개요도,
제2도는 제1의 회로동작을 설명하는데 유용한 파형도,
제3도는 제2도에 도시된 노드전압의 설정을 나타내는 확대된 수직부를 나타낸 도면.
Claims (7)
- (a) 아날로그 입력단자〔Vin〕와 아날로그 출력단자〔Vout〕각각에 결합된 제1 및 제2전류이동전극과 게이트 전극을 갖는 스위치 JFET〔26〕; (b)소오스 전극, 제1공급전압도체〔-V〕에 결합된 드레인 전극 및 스위치 JFET의 제1전류이동전극에 결합된 게이트 전극을 갖는 제1JFET〔22〕; (c) 제1JFET의 소오스 전극에 결합된 제1전류 이동전극, 스위치 JFET의 게이트 전극에 결합된 제2전류이동전극 및 스위치 JFET의 게이트 전극에 결합된 게이트 전극을 갖는 제2 JFET〔24〕; (d) 소오스 전극, 제1공급전압도체에 결합된 드레인 전극 및 스위치 JFET의 제2전류이동전극에 결합된 게이트 전극을 갖는 제3JFET〔29〕; (e)제3 JFET의 소오스 전극에 결합된 제1전류이동전극, 스위치 JFET의 게이트 전극에 결합된 제2전류 이동전극 및 스위치 JFET의 게이트 전극에 결합된 게이트 전극을 갖는 제4JFET〔25〕등의 결합으로 이루어지며, 스위치 JFET의 급격한 턴온 및 선정된 작은 전압차이내로 아날로그 입력단자 및 아날로그 출력단자상의 전압의 동일화가 이루어지는 것을 특징으로 하는 고속, 고전류 아날로그 스위칭 회로.
- 제1항에 있어서, 스위치 JFET는 P-채널 JFET이며, 제1, 제2, 제3 및 제4 JFET가 P-채널 JFET인 것을 특징으로 하는 고속, 고전류 아날로그 스위칭 회로.
- 제2항에 있어서, 스위치 JFET는 비교적 큰 채널폭대 길이비율을 가지며, 제1및 제3JFET각각은 스위치 JFET의 비율보다 작은 채널폭대 길이비율을 가지며, 제2및 제4JFET 각각은 제1 및 제3JFET의 비율보다 작은 채널폭대 길이비율을 갖는 것을 특징으로 하는 고속, 고전류 아날로그 스위칭 회로.
- 제2항에 있어서, 제2공급전압도체〔+V〕에 결합된 소오스 전극과 게이트 전극 및 스위치 JFET의 게이트 전극에 결합된 드레인 전극을 가지며, 스위치 JFET의 소오스-게이트 전압을 감소시키는 기능을 수행하는 제5JFET〔27〕를 포함하는 것을 특징으로 하는 고속, 고전류 아날로그 스위칭회로.
- 제4항에 있어서, 제2공급전압도체에 결합된 소오스 전극 및 게이트 전극 및 제1JFET의 소오스 전극에 결합된 드레인 전극을 갖는 제6 JFET〔23〕, 제2공급전압도체에 결합된 소오스 전극 및 게이트 전극과 제3JFET〔29〕의 소오스 전극에 결합된 드레인 전극을 갖는 제7JFET〔28〕를 포함하는 것을 특징으로 하는 고속, 고전류 아날로그 스위칭회로.
- 제2항에 있어서, (1)샘플제어입력신호에 응답하는 전류원; (2)전류원에 결합된 베이스 전극 및 제어회로의 출력에 결합된 에미터 전극을 갖는 트랜지스터; (3) 트랜지스터의 베이스 및 에미터 전극 사이에 결합된 레지스터, 트랜지스터를 턴온시키기 위해 샘플제어 입력신호의 제1레벨에 응답하여 충분히 큰 전류를 발생하고 샘플제어 입력신호의 제2레벨에 응답하여 제로 전류를 발생하는 전류원 등을 포함하며, 스위치 JFET의 게이트 전극에 결합된 출력을 갖는 제어회로를 포함하며, 따라서 급격한 스위치 JFET의 턴오프가 제1레벨에 응답하여 수행되며, 제어 회로의 고임피던스 출력상태가 제2레벨에 응답하여 수행되는 것을 특징으로 하는 고속, 고전류 아날로그 스위칭회로.
- 아날로그 스위치 회로의 아날로그 출력단자〔32〕상에 발생된 출력 전압과 아날로그 입력단자〔19〕에 인가된 입력전압과의 급격한 동일화를 위한 회로를 포함하는 아날로그 스위치 회로에 있어서, (a) 제1, 제2 전류이동전극 및 게이트 전극을 갖는 스위치 JFET〔26〕, 제1JFET〔2〕및 제2JFET〔25〕; (b)입력 및 출력을 갖는 제1〔22A〕및 제2〔29A〕버퍼회로; (c)스위치 JFET〔26〕의 제1전류이동전극 및 제1버퍼회로〔22〕의 입력에 입력전압을 인가시키기 위한 수단, 아날로그 출력단자에 결합된 스위치 JFET의 제2전류이동전극; (d) 제1JFET〔24〕의 제1전류이동전극에 제1버퍼의 출력상에 발생된 출력 신호를 인가시키기 위한 수단, 스위치 JFET의 게이트 전극에 결합된 제1JFET의 제2전류이동전극; (e)제2버퍼회로의 입력에 출력전압을 인가시키고, 제2JFET〔25〕의 제1전류이동전극에 제1버퍼회로의 출력상에 발생된 출력신호를 인가시키기 위한 수단, 스위치 JFET의 게이트 전극에 결합된 제2JFET의 제2전류 이동전극; (f) 스위치 JFET및 제1, 제2JFET의 게이트 전극에 턴온신호를 인가시키기 위한 수단등의 결합으로 이루어지며, 제1 JFET는 전류포화모드 상태에서 동작하며, 제2JFET는 저항성 모드에서 동작하며, 스위치 JFET는 저항성 모드로 동작하여 스위치 JFET의 소오스-게이트 PN접합의 전하저장 커패시턴스가 과충전되는 것을 방지하며, 스위치 JFET의 채널 저항을 통해 커패시턴스가 늦게 방전되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 아날로그 스위치 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/671,342 | 1991-03-19 | ||
US07/671,342 US5091657A (en) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | High speed multiplex switch circuit and method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920019079A true KR920019079A (ko) | 1992-10-22 |
KR950008423B1 KR950008423B1 (ko) | 1995-07-28 |
Family
ID=24694121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910017733A KR950008423B1 (ko) | 1991-03-19 | 1991-10-10 | 고속 다중 스위치회로 및 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5091657A (ko) |
JP (1) | JPH04326813A (ko) |
KR (1) | KR950008423B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5477184A (en) * | 1992-04-15 | 1995-12-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Fet switching circuit for switching between a high power transmitting signal and a lower power receiving signal |
US7015683B1 (en) | 2004-10-20 | 2006-03-21 | Analog Devices, Inc. | JFET switch select circuit |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4042836A (en) * | 1976-04-12 | 1977-08-16 | National Semiconductor Corporation | Field effect transistor switch |
US4228367A (en) * | 1978-08-07 | 1980-10-14 | Precision Monolithics, Inc. | High speed integrated switching circuit for analog signals |
-
1991
- 1991-03-19 US US07/671,342 patent/US5091657A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-10-10 KR KR1019910017733A patent/KR950008423B1/ko active IP Right Grant
- 1991-10-21 JP JP3272687A patent/JPH04326813A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04326813A (ja) | 1992-11-16 |
US5091657A (en) | 1992-02-25 |
KR950008423B1 (ko) | 1995-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4039862A (en) | Level shift circuit | |
EP0048758B1 (en) | Field effect transistor circuit configuration | |
US3521141A (en) | Leakage controlled electric charge switching and storing circuitry | |
US4885486A (en) | Darlington amplifier with high speed turnoff | |
KR930015345A (ko) | 상보 입력 버퍼가 있는 집적 회로 | |
KR880011799A (ko) | 데이터출력 버퍼회로 및 전위변동 감축방법 | |
GB1589414A (en) | Fet driver circuits | |
KR880006848A (ko) | 집적회로 및 이 회로에 사용하기 적합한 제어수단 | |
KR870009238A (ko) | 고전압검출회로 | |
KR910008953A (ko) | 캐패시턴스 디바이스 구동용 cmos 집적 회로 | |
KR880001109A (ko) | 집적논리회로 | |
US4045793A (en) | Digital to analog converter | |
US4677323A (en) | Field-effect transistor current switching circuit | |
KR870009549A (ko) | 도전율 변조형 전계효과 트랜지스터의 고속 스위치-오프 회로 | |
GB2158314A (en) | Switching semiconductor devices | |
KR850003045A (ko) | 라인 절환 회로 및 그를 사용한 반도체 메모리 | |
US5952870A (en) | Circuit with hysteresis and method using same | |
KR920019079A (ko) | 고속 다중 스위치 회로 및 방법 | |
US5148165A (en) | CMOS digital to analog signal converter circuit | |
KR910003930A (ko) | 전압 자동 중계기 및 그 회로 | |
JPS61157115A (ja) | 「シユートスルー」電流抑制手段を具備したcmos | |
KR880004649A (ko) | 전자회로 | |
KR900015430A (ko) | 유도성 전기부하의 전류측정 및 조종회로 | |
US4827156A (en) | Non-overlapping switch drive in push-pull transistor circuit | |
KR900019380A (ko) | Cmos 입력버퍼회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
NORF | Unpaid initial registration fee |