SE467258B - Anordning foer odling av en enkristall med organ foer olikformig uppvaermning - Google Patents

Description

467 258 10 15 20 25 30 35 2 fasen. X betecknar vidare en koordinat i enkristallens 6 längdriktning. Eftersom k, h och O är inneboende egenskaper som bestäms av materialet är det i ovanstående uttryck nödvändigt att öka dT/dX för att ett större Vmax skall erhållas. Eftersom den uppdragna enkristallen 6 värmes upp av värme, som strålar ut från smältans 3 yta, degelns 2 innervägg och värmegeneratorn 4, minskar emellertid vid den ovannämnda CZ-metoden det ovannämnda värdet (dT/dX) oundvikligen, så att odlingshastigheten i praktiken är relativt liten.

Den ovannämnda tillväxthastigheten kan ökas genom att värmegeneratorns 4 temperatur minskas allmänt. Efter- som temperaturen nära smältans 3 yta är avsevärt lägre än i mitten av smältan stelnar denna emellertid, såsom framgår av fig 10A och l0B, i partiet 3a, där smältans yta ansluter till degeln 2. Detta medför nackdelar, såsom att det är omöjligt att kontinuerligt dra upp enkristallen 6. Vid CZ-metoden, vid vilken den i fig l3 visade anordningen för enkristallin odling används, är därför den maximalt uppnåbara odlingshastigheten omkring lmm per minut. I fig 10A, llA och 12A är vidare temperaturgradienten T1 Tzz Til, T3 zT5.

De japanska patentskrifterna nr 51-47153 och 58-1080 utgör beskrivningar av teknikens ståndpunkt som är relevanta för föreliggande uppfinning. I det senare fallet visas speciellt en anordning, i vilken en strålningsskärm är anordnad över den enkristallina smältan för att enkristallen skall :unna växa till med en tillväxthastighet av 2mm per minut.

Mot bakgrunden av dessa problem är ändamålet med föreliggande uppfinning därför att åstadkomma en an- ordning för enkristallin odling, med vilken de ovan- nämnda speciella nackdelarna med anordningen för en- kristallin odling kan elimineras.

En anordning för enkristallin odling enligt före- liggande uppfinning innefattar en degel för kristall- 1,4* 10 15 20 25 30 35 sp! O\ *J hâ 0"! 03 3 smältan, organ för uppvärmning av smältan och organ för uppdragning av enkristallen från smältan, varvid speciellt uppvärmningsorganen är så konstruerade att det parti av degeln där smältans yta ansluter till degeln uppvärmes mer än andra partier av degeln.

Eftersom uppvärmningsorganen i anordningen enligt föreliggande uppfinning är så konstruerade att det parti av degeln där smältans yta ansluter till degeln uppvärmes mer med hjälp av en större mängd värme än de andra partierna av degeln är det möjligt att när värmegener- atorns temperatur har bestämts till att vara låg förhindra att smältan stelnar i det parti där smältans yta ansluter till degeln. Det är därför möjligt att i jämförelse med konventionella anordningar odla enkristaller med högre hastighet utan att defekta kristaller produceras och utan att enkristallens kvalitet försämras.

Enligt en utföringsform av uppfinningen innefattar en anordning för enkristallin odling en degel för kristall- smälta, organ för uppdragning av en enkristall från kristallsmältan och uppvärmningsorgan för uppvärmning av kristallsmältan, vilka uppvärmningsorgan är så konstruerade att det parti där kristallsmältans yta ansluter till degelns innervägg kan värmas upp med en större mängd värme i jämförelse med degelns andra partier.

Anordningen innefattar vidare en värmeavskärmande kropp, vilken är placerad runt en uppdragen enkristall för isolering av den uppdragna enkristallen från värme från värmegeneratorn. Värmegeneratorn är cylindrisk, består av ledande material och har ett flertal övre spår och ett flertal nedre spår, som alla sträcker sig i värmegeneratorns axiella riktning och är omväxlande anordnade med regelbundna vinkelintervall i omkretsled på värmegeneratorn, varvid cylindern vidare har ett avsmalnande parti i sin övre del.

Värmegeneratorn är cylindrisk, består av ledande material och har ett flertal övre spår och ett flertal nedre spår, som alla sträcker sig i värmegeneratorns 467 258 10 15 20 25 30 4 axiella riktning och är omväxlande anordnade med regel- bundna vinkelintervall i omkretsled på värmegeneratorn, varvid cylindern vidare är utformad med två tvådelade spår i varje nedre spårs övre ände. Enligt en alternativ utföringsform är värmegeneratorn cylindrisk, består av ledande material och har ett flertal övre spår och ett flertal nedre spår, som alla sträcker sig i värme- generatorns axiella riktning och är omväxlande anordnade med regelbundna vinkelintervall i omkretsled på värme- generatorn, varvid dennas tvärsektion har en avsmalnande form, så att den övre delen av tvärsektionsytan minskas linjärt.

I ytterligare en utföringsform är värmegeneratorn cylindrisk, består av ledande matrial och har ett flertal övre spår och ett flertal nedre spår, som alla sträcker sig i värmegeneratorns axiella riktning och är omväxlande anordnade med regelbundna vinkelintervall i omkretsled på värmegeneratorn, varvid värmegeneratorns övre del är försedd med åtminstone ett bågformat försänkt parti för reducering av värmegeneratorns tvärsektionsyta.

Enligt ytterligare en utföringsform är värmegener- atorn cylindrisk, består av ledande material och har ett flertal övre spår och ett flertal nedre spår, som alla sträcker sig i värmegeneratorns axiella riktning och är omväxlande anordnade med regelbundna vinkel- intervall i omkretsled på värmegeneratorn, varvid värme- generatorns övre parti har ett flertal rektangulära försänkta partier för reducering av dess tvärsektionsyta.

Värmegeneratorn kan vara cylindrisk, bestå av ledande material och ha ett flertal övre spår och ett flertal nedre spår, som alla sträcker sig i värmegeneratorns axiella riktning och är omväxlande anordnade med regel- bundna vinkelintervall i omkretsled på värmegeneratorn, varvid bredden på värmegeneratorns övre parti är mindre än den för värmegeneratorns nedre parti. Värmegeneratorn kan också vara uppdelad i en övre och en nedre cylinder av ledande material, varvid det övre materialet värmes 10 15 20 25 30 35 467 258 5 upp till en högre temperatur än det nedre materialet.

Ett magnetiskt fält påföres värmegeneratorn.

Föreliggande uppfinning kommer att förstås mera fullständigt av den följande detaljerade beskrivningen och de bifogade ritningarna för den föredragna utförings- formen av uppfinningen, vilken emellertid inte skall anses begränsa uppfinningen till den specifika, visade utföringsformen utan vilken enbart är avsedd för för- klarande syfte och för att öka förståelsen. Fig l är en tvärsektionsvy och visar en utföringsform av anord- ningen för enkristallin odling enligt föreliggande upp- finning. Fig 2 är en förstorad perspektivvy av en värme- generator, vilken används tillsammans med den i fig l visade anordningen för enkristallin odling. Fig 3 är ett diagram och visar förhållandet mellan förekomsten av defekt skiktning och syrekoncentration i den odlade enkristallen. Fig 4 till 6 är tvärsnittsvyer och visar modifieringar av värmegeneratorn, som används tillsammans med anordningen för enkristallin odling enligt före- liggande uppfinning. Fig 7 är en planvy och visar en modifiering av värmegeneratorn, som används tillsammans med den uppfinningsenliga anordningen för enkristallin odling. Fig 8 och 9 är tvärsektionsvyer och visar andra utföringsformer av anordningen enligt föreliggande upp- finning för enkristallin odling. Fig 10A är en vy av en modell, som visar temperaturfördelningen i den en- kristallina smältan enligt teknikens ståndpunkt genom användning av isotemperaturkurvor. Fig l0B är ett diagram och visar temperaturfördelningen i den enkristallina smältan enligt teknikens ståndpunkt i riktning för smältans centralaxel. Fig llA är en vy av en modell, som visar temperaturfördelningen i den enkristallina smältan vid föreliggande uppfinning genom användning av isotemperaturkurvor. Fig llB är ett diagram och visar temperaturfördelningen för den enkristallina smältan enligt föreliggande uppfinning i riktning för smältans centralaxel. Fig l2A är en vy av en modell, som genom 467 258 l0 15 20 25 30 35 6 användning av isotemperaturkurvor visar temperaturför- delningen för den enkristallina smältan vid en modifiering av föreliggande uppfinning, där ett magnetfält användes.

Fig l2B är ett diagram och visar temperaturfördelningen i den enkristallina smältan i riktning för dennas central- axel vid en modifiering av föreliggande uppfinning, där ett magnetfält användes. Fig l3 är en tvärsnittsvy och visar en tidigare känd anordning för odling av en- kristaller, vilken anordning utnyttjar CZ-metoden.

En första utföringsform av anordningen enligt före- liggande uppfinning för enkristallin odling kommer att beskrivas i detalj nedan under hänvisning till bifogade ritningar. Samma eller liknande element eller delar som de som visas i fig 13 betecknas med samma hänvis- ningsbeteckningar, varvid dessa elements funktioner har utelämnats här när de inte är nödvändiga. Liksom i den tidigare kända, i fig 13 visade anordningen för enkristallin odling placeras i anordningen enligt före- liggande uppfinning i fig l kiselsmältan 3 i en kvarts- degel 2, vilken är placerad i en grafitdegel l. En grafitvärmegenerator 4 och ett värmeisolerande material 9 är placerade så att de var och en omger degeln l.

Ett flertal kylmantlar l0a, l0b och l0c är vidare så placerade att de omger det isolerande materialet 9.

I kylmanteln l0b finns ett fönster 12 för observation I botten av kylmanteln l0a är ett utblåsningsrör 13 placerat av den uppdragna enkristallens 6 tillstånd. för utblàsning av en inert gas (atmosfärisk gas) som införes i mantlarna lOa, l0b och lOc ovanifrån. I degelns 1 nedre parti är en axel 8, vilken är löst passad genom en_i botten av kylmanteln l0a utformad öppning l0d, anordnad för rotering och upplyftning/nedsänkning av degeln l. Värmegeneratorns 4 nedre ände är fäst vid en ringplatta 14. I den nedre delen av denna ringplattan 14 är två axlar 15, som är löst passade genom två i bottnen av kylmanteln l0a utformade öppningar lOe och l0f, anordnade för upplyftning/nedsänkning av värme- 10 25 30 35 467 258 7 generatorn 4. En cylindrisk, av molybden bestående, värmeavskärmande kropp 16, vars innerdiameter är något större än den uppdragna enkristallens 6 ytterdiameter, är vidare anordnad äver den enkristallina smältan 3.

Ovanför den värmeskärmande kroppen 16 hålls en grodd- kristall 5 med hjälp av en chuck 7, som är fäst vid den nedre änden av en uppdragningsaxel 17, så att en stavformad enkristall 6 kan odlas med utgångspunkt från denna groddkristall 5.

I fig 2 visas värmegeneratorns 4 uppbyggnad. Värme- generatorn 4 består av ledande material, såsom grafit, och har cylindrisk form med ett avsmalnande parti 4a i sin övre del. Värmegeneratorn 4 har ett flertal övre spår 4b och ett flertal nedre spår 4c, vilka alla sträcker sig i värmegeneratorns 4 axiella riktning och är omväx- lande anordnade med regelbundna vinkelintervaller i omkretsleden på värmegeneratorn 4. De nedre spårens 4c övre ändar är tvådelade, varvid två korta spår 4d och 4e, som sträcker sig med en lutning av 45° i för- hållande till spåret 4c, bildas. En ström föres genom varje parti som definieras av ett övre och ett undre spår 4b och 4c för alstring av värme till följd av ohmska förluster.

För att enkristallen 6 skall växa till via grodd- kristallen 5 från kiselsmältan 3 med hjälp av den sålunda konstruerade anordningen för enkristallin odling roteras de båda deglarna l och 2 exempelvis medurs med hjälp av axeln 8 och enkristallen 6 moturs med hjälp av axeln 17 eller vice versa. Uppdragningsaxeln 17 lyfts vidare gradvis med hjälp av en ej visad mekanism för uppdragning av enkristallen 6. Därtill kommer att båda deglarna l och 2 lyftes gradvis så att smältans 3 yta kan hållas i ett förutbestämt ömsesidigt lägesförhållande med av- seende på värmegeneratorn 4.

Den ovanbeskrivna anordningen har följande fördelar: eftersom avsmalnande partier 4a är anordnade i värme- generatorns 4 övre partier och vidare tvådelade spår 10 15 20 25 30 35 467 258 8 4d och 4e är anordnade i de övre ändarna av de nedre spåren 4c är de avsmalnande partiernas 4a tvärsektions- ytor små i jämförelse med värmegeneratorns 4 andra partier. Speciellt tvärsektionsytorna nära de tvådelade spåren 4d och 4e är tämligen små. När strömmen förs genom värmegeneratorn 4 uppvärmes därför dennas avsmal- nande partier 4a till en högre temperatur än dess andra partier. Temperaturskillnaden mellan partiet 3a, vilket i höjd motsvarar det avsmalnande partiet 4a, vid vilket smältans 3 yta ansluter till degelns 2 innervägg, och maximivärdet i smältan 3 är, såsom skisseras i fig llA och llB, liten i jämförelse med det traditionella fallet, som skisseras i fig 10A och lOB.

Eftersom värmegeneratorn 4 har det avsmalnande partiet 4a är vidare värmegeneratorns 4 hela elektriska motstånd stort i jämförelse med det konventionella fallet, så att värmegeneratorns temperatur stiger till ett högt värde, under det att strömmens storlek är densamma som i det konventionella fallet. I denna utföringsform är därför den ström som föres genom värmegeneratorn 4 bestämd till att vara mindre än i det konventionella fallet.

Det är, såsom redan har beskrivits, för övrigt nöd- vändigt att öka temperaturgradienten (dT/dX) i en- kristallens 6 fasta fas vid gränsytan mellan den fasta fasen och vätskefasen för att den maximala tillväxt- hastigheten Vmax skall kunna ökas. Det är med andra ord lämpligt att minska värmegeneratorns 4 temperatur, eftersom den uppdragna enkristallen värmes upp av strål- ningsvärme från värmegeneratorn 4.

Eftersom den ovannämnda temperaturskillnaden mellan partiet 3a och maximivärdet i smältan 3 är liten är det i anordningen enligt föreliggande uppfinning möjligt att i det fall då värmegeneratorns 4 temperatur minskas för att temperaturgradienten (dT/dX) skall ökas förhindra att smältan stelnar i partiet 3a, där smältans 3 yta ansluter till degelns 2 innervägg. Det är med andra ord möjligt att minska värmegeneratorns 4 temperatur ul 10 15 20 25 30 35 ._12- m ~4 m 01 ca 9 så att värmestrålningen från denna minskas för ökning av temperaturgradienten (dT/dX). Till följd av detta är det möjligt att avsevärt öka tillväxthastigheten, upp till exempelvis 0,2mm/minut, i jämförelse med det traditionella fallet. Det är därtill möjligt att odla enkristallen 6 kontinuerligt och sålunda att öka produk- tiviteten och minska kostnaderna för tillverkning av enkristallen 6.

I fig 3 visas förekomsten av defekt skiktning.

Detta diagram anger att tätheten för defekt skiktning är ytterst hög i enkristallen 6 vid den traditionella tillväxthastigheten av omkring lmm per minut. Eftersom förekomsten av defekt skiktning är mycket liten när enkristallen 6 odlas vid en hastighet av omkring 2mm per minut är det emellertid möjligt att förbättra enkris- tallens 6 kvalitet.

Eftersom den värmeskärmande kroppen 16 vidare är placerad över smältan 3 är det möjligt att förhindra att enkristallen 6 värmes upp genom stràlningsvärme från värmegeneratorn 4. Temperaturgradienten (dT/dX) kan därför ökas varvid sålunda tillväxthastigheten för enkristallen 6 ökas.

Eftersom tvärsnittsytan för värmegeneratorns 4 övre parti är mindre än i fallet med en konventionell värmegenerator är värmegeneratorns 4 hela elektriska resistans relativt hög, varigenom det blir möjligt att värma den enkristallina smältan 3 till en temperatur som är likvärdig med den konventionella temperaturen, genom användning av en mindre mängd elektrisk energi än i det traditionella fallet, varigenom värmegeneratorns 4 energikonsumtion kan reduceras.

I anordningen enligt föreliggande uppfinning är det möjligt att åstadkomma olika modifieringar på grundval av den tekniska principen för föreliggande uppfinning, utan att man är begränsad till den ovan beskrivna ut- föringsformen. Det kan exempelvis vara tillräckligt att ha endast det avsmalnande partiet 4a utan de tvådelade 467 258 '_21 1? lå QR 35 10 spåren 4d och 4e. Det är vidare möjligt att i stället ha endast de tvådelade spåren 4d och 4e utan det av- smalnande partiet 4a. Det är vidare, såsom visas i fig 4, möjligt att utforma hela värmegeneratorn 4 tvärsektionsyt SJJ med en avsmalnande form så att dess övre parti minskas linjärt. Det är, såsom visas i fig 5, möjligt att utforma försänkta partier 4f i värmegeneratorns 4 övre parti.

Det är, såsom visas i fig 6, möjligt att utforma ett antal spår 4g med olika djup i värmegeneratorns 4 övre del. Det är, såsom visas i fig 7, möjligt att bestämma bredden tl i värmegeneratorns 4 övre del, så att denna är mindre än bredden t2 i dess nedre parti. Det är vidare möjligt att tillverka värmegeneratorns 4 övre del av ett material med högre resistivitet än materialet i dess nedre del.

Fig 8 visar en andra utföringsform av anordningen enligt föreliggande uppfinning, varvid värmegeneratorn 4 är uppdelad i två element, nämligen en övre värme- generator 18 och en nedre värmegenerator 19. I denna utföringsform sätts den övre värmegeneratorns 18 temperatur till att vara högre än den för den nedre värmegeneratorn 19. I det fall då smältan 3 värmes upp genom induktionsvärme, som alstras med hjälp av hög- frekvensspolar, är det vidare möjligt att öka antalet varv per längdenhet i den övre delen av högfrekvensspolen i jämförelse med den nedre delen av högfrekvensspolen.

Fig 9 visar en tredje utföringsform av anordningen enligt föreliggande uppfinning, varvid en elektromagnet 21 är placerad nära kylmanteln l0a för att dra upp en- kristallen 6. Magneten pàför smältan 3 ett magnetiskt fält och metoden kallas MCZ-metoden. Eftersom smältan 3, vilken är elektriskt ledande, utsätts för en elektro- magnetisk kraft är det i denna utföringsform möjligt att eliminera termisk konvektion. Eftersom temperatur- fördelningen i värmegeneratorn 4 väl återspeglas i temperaturfördelningen i smältan 3, såsom skisseras i fig 12A och l2B, är det i det fall då värmekonvektionen 10 15 20 25 30 35 467 258 ll elimineras möjligt att reducera temperaturen i smältans centrala del, att öka smältans temperatur i den perifera delen och att vidare reducera temperaturskillnaden mellan det centrala partiet och det parti som ansluter till smältans 3 yta i jämförelse med fallet med den första och den andra utföringsformen. Till följd av detta är det möjligt att ytterligare öka tillväxthastigheten för enkristallen 6 i jämförelse med den anordning där inget magnetfält användes. Även om magnetfältet lägges på i sidled i förhållande till anordningen i fig 9 är det vidare möjligt att lägga på magnetfältet i anord- ningens längdriktning.

Exempel 1: 20 kg polykristallint kiselmaterial placeras i en degel med 30,5 cm diameter och materialet drages upp för odling av enkristallen 6 efter det att materialet har smälts. Vid den konventionella metoden stelnar smältan 3 med en tillväxthastighet av 1,2 mm per minut i det parti 3a där smältans yta kommer i kontakt med degelns 2 innervägg. Med metoden enligt föreliggande uppfinning är det emellertid i det fall då den värmeskärmande kroppen 16 är placerad över smältan 3 möjligt att odla kristallen 6 med en tillväxthastighet av 1,5 mm per minut. I det fall då den värmeskärmande kroppen l6 används och värme- generatorn 4 därtill har det avsmalnande partiet 4a och de tvådelade spåren 4d och 4e är det dessutom möjligt att odla en enkristall 6 med diametern l0,l cm med en tillväxthastighet av 2,0 mm per minut.

Exempel 2 20 kg polykristallint kisel placeras på samma sätt i en degel med 30,5 cm diameter och materialet drages upp för odling av enkristallen 6 efter det att materialet har smälts. I det fall då den värmeskärmande kroppen 16 är placerad över smältan 3 och dessutom värmegeneratorn 4 har det avsmalnande partiet 4a och de tvådelade spåren 4d och 4e är det möjligt att odla en enkristall 6 med en tillväxthastighet av 2,0 mm per minut. I det fall 467 258 l2 då det magnetiska fältet pålägges såsom visas i fig 9 är det dessutom möjligt att öka odlingshastigheten upp till 2,3 mm per minut. ü)

Claims (11)

10 15 20 25 30 35 467 258 A3 PATENTKRAV

1. Anordning för enkristallin odling, innefattande en degel (1, 2), i vilken en smälta (3) av kristallmaterial placeras; organ (5, 7, 17) för uppdragning av en enkris- tall (6) från kristallsmältan; uppvärmningsorgan (4) för uppvärmning av kristallsmältan, k ä n n e t e c k n a d av att uppvärmningsorganen är så konstruerade att ett parti av degeln där kristallsmältans yta ansluter till degelns innervägg kan värmas upp med en större mängd värme än degelns andra partier.

2. Anordning enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a d av en värmeskärmande kropp (16), vilken är placerad runt en uppdragen enkristall för isolering av den uppdragna enkristallen (6) från värme frán värmegeneratorn (4).

3. Anordning enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a d av att värmegeneratorn (4) är cylindrisk, består av ledan- de material och har ett flertal övre spår (4b) och ett flertal nedre spår (4c), som alla sträcker sig i värme- generatorns axiella riktning och är omväxlande anordnade med regelbundna vinkelintervall i omkretsled på värme- generatorn, varvid cylindern vidare har ett avsmalnande parti (4a) i den övre delen.

4. Anordning enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a d av att värmegeneratorn (4) är cylindrisk, består av ledan- de material och har ett flertal övre spår (4b) och ett flertal nedre spår (4c), som alla sträcker sig i värme- generatorns axiella riktning och är omväxlande anordnade med regelbundna vinkelintervall i omkretsled på värme- generatorn, varvid cylindern vidare är utformad med två tvådelade spår (4d, 4e) i varje nedre spårs (4c) övre ände.

5. Anordning enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a d av att värmegeneratorn (4) är cylindrisk, består av ledan- de material och är utformad med ett flertal övre spår (4b) och ett flertal nedre spår (4c), som sträcker sig i värme- 10 15 20 25 30 35 467 258 I9 generatorns axiella riktning och är omväxlande anordnade : med regelbundna vinkelintervall i omkretsled på värme- generatorn, varvid dennas tvärsektionsyta har avsmalnande form, så att den övre delen av tvärsektionsytan minskas linjärt. “z

6. Anordning enligt krav l, k ä n n e t e c k n a d av att värmegeneratorn (4) är cylindrisk, består av ledan- de material och har ett flertal övre spår (4b) och ett flertal nedre spår (4c), som alla sträcker sig i värme- generatorns axiella riktning och är omväxlande anordnade med regelbundna vinkelintervall i omkretsled på värmegene- ratorn, varvid dennas övre del har åtminstone ett båg- format försänkt parti (4f) för minskning av dess tvär- sektionsyta.

7. Anordning enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a d av att värmegeneratorn (4) är cylindrisk, består av ledan- de material och är utformad med ett flertal övre spår (4b) och ett flertal nedre spår (4c), som alla sträcker sig i värmegeneratorns axiella riktning och är omväxlande anord- nade med regelbundna vinkelintervall i omkretsled på värmegeneratorn, varvid dennas övre del är utformad med ett flertal rektangulära försänkta partier (4g) för minsk- ning av dess tvärsektionsyta.

8. Anordning enligt krav l, k ä n n e t e c k n a d av att värmegeneratorn (4) är cylindrisk, består av ledan- de material och är utformad med ett flertal övre spår (4b) och ett flertal nedre spår (4c), som alla sträcker sig i värmegeneratorns axiella riktning och är omväxlande anord- nade med regelbundna vinkelintervall i omkretsled pà värmegeneratorn, varvid bredden (tl) på värmegeneratorns övre del är mindre än den (tz) för dess nedre del.

9. Anordning enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a d av att värmegeneratorn (4) är uppdelad i en övre och en nedre cylindrisk värmegenerator, som består av ledande f; material, varvid materialet i den övre delen upphettas till en högre temperatur än det nedre materialet. 5 10 15 20 25 30 35 467 258 15

10. Anordning enligt krav l, k ä n n e t e c k n a d av att ett magnetfält pàföres värmegeneratorn. '

11. ll. Anordning enligt något av föregående krav, k ä n n e t e c k n a d av att värmegeneratorn är rörlig i vertikal led.