SE457395B - Halvledaranordning innefattande en halvledarkropp med en bipolaer transistor - Google Patents
Halvledaranordning innefattande en halvledarkropp med en bipolaer transistorInfo
- Publication number
- SE457395B SE457395B SE8106377A SE8106377A SE457395B SE 457395 B SE457395 B SE 457395B SE 8106377 A SE8106377 A SE 8106377A SE 8106377 A SE8106377 A SE 8106377A SE 457395 B SE457395 B SE 457395B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- zone
- diode
- emitter
- base
- transistor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 41
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150019273 GATM gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
- H01L27/0744—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common without components of the field effect type
- H01L27/075—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. lateral bipolar transistor, and vertical bipolar transistor and resistor
- H01L27/0755—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
- H01L27/0761—Vertical bipolar transistor in combination with diodes only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/732—Vertical transistors
- H01L29/7325—Vertical transistors having an emitter-base junction leaving at a main surface and a base-collector junction leaving at a peripheral surface of the body, e.g. mesa planar transistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
457 395 _~ 2 uppvisar nämnda nackdelar.
Uppfinningen grundar sig bl.a. på insikten om att detta kan uppnås genom att inbegripa dioden i transistorstrukturen.
För detta ändamål är en halvledaranordning av inledningsvis nämnt slag en- ligt uppfinningen kännetecknad av att diodens andra zon är helt omgiven av den första zonen och i projektion belägen helt inom emitteranslutningselektroden, som står i kontakt med den andra zonen via ett kontaktfönster i det isolerande skiktet, och att kanten av den andra zonen hos dioden'är belägen på ett avstånd från transistorns baszon som är så litet att utarmningszonerna vid kollektor- basövergângen i transistorn och pn-övergången i dioden övergår i varandra i drifts- tillståndet. Dioden är härigenom belägen helt under emitteranslutningselektroden, varigenom den inbegripes i transistorstrukturen. Detta kräver ej någon extra del av halvledarkroppens ytområde, vilket sålunda kan utnyttjas optimalt för bildan- det av transistorn. Diodens första zon finns mellan diodens andra zon och transis- torns baszon. Detta innebär att en spärrad pn-övergång finns mellan diodens andra zon och transistorns baszon i driftstillstândet. Härigenom förhindras kortslut- ning av transistorns bas-emitterövergâng via halvledarkroppen och emittermetalli- seringen. Isoleringen mellan diodens andra zon och transistorns baszon är så- lunda mycket effektiv och kräver dessutom så litet utrymme att dioden och isole- ringen kan inrymmas tillsammans under emitteranslutningselektroden. Ett isolerande motstånd av den typ som användes i den kända halvledarnaordningen kan helt und- varas genom åtgärden enligt uppfinningen. Vidare uppnås att ekvipotentialytorna i halvledarregionen av den första ledningsförmågetypen väsentligen ej störs genom förekomsten av dioden.-I annat fal] skulle dioden kunna påverka halvleiarens genom- brottsspänning i negativ riktning. , En halvledaranordning av det beskrivna slaget som enkelt kan tillverkas en- ligt uppfinningen är kännetecknad av att diodens andra zon stäcker sig till vä- sentligen samma djup som transistorns baszon. Diodens andra zon och transistorns baszon kan då utbildas i halvledarkroppen genom ett tillverkningssteg, exempel- vis gatm diffusion. Antalet extra tillverkningssteg för tillverkningen av en ef- fektivitetsdiod i den transistorbestyckade halvledaranordningen kan följaktligen minskas.
Uppfinningen kommer att b eskrivas närmare i det följande i exemplifierande syfte under hänvisning till ritningarna, där fjg_l_visar en planvy av en halv- ledaranordning enligt uppfinningen; fjg_§_visar en tvärsnittsvy längs linjen II-II i fig 1 av halvledaranordningen; jj¿¿¿§ visar en tvärsnittsvy längs 1ul'U73 457 395 linjen III-III i fig 1 av halvledaranordningen; 1jg_§ visar en tvärsnittsvy längs linjen IV-IV i fig 1 av halvledaranordningen.
Figurerna är schematiska och ej skalenliga och för tydlighetens skull har speciellt dimensionerna i tjockleksriktningen i tvärsnittsvyerna kraftigt över- drivits. Halvledarzonerna av samma ledningsförmâgetyp skuggade i samma riktning och delar med motsvarighet i de olika figurerna är betecknade med motsvarande hänvisningsbeteckningar.
Den i figurerna 1-4 visade halvledaranordningen innefattar en halvledar- kropp 1 med en bipolär transistor. Halvledarkroppen 1 är tillverkad av ett lämpligt halvledarmaterial såsom kisel och innefattar en halvledarregion 2 av enfimmlwmmfiüflæwmsmidamemmflärmwpmdmdwmmflm- centration som är jämförelsevis låg och uppgår till ungefär 1014 atom/cm3, och har en tjocklek av exempelvis 90/um. Via en n-zon 3 med en jämförelsevis hög dopningskoncentration av exempelvis 1020 atom/cm3 och en tjocklek av exempelvis 7/um är halvledarregionen 2 ansluten till ett elektrodskikt 4.
Den bipolära transistorn innefattar en kollektorzon som bildas av en del av halvledarregionen 2, som ansluter till baszonen 5 av den andra, motsatta ledningsförmâgetypen, d.v.s. i detta exempel p-typ, som har en tjocklek av ex- empelvis 30/um. Baszonen 5 i sin tur ansluter till en yta 7 hos halvledar- kroppen 1, vilken yta är delvis täckt av ett isolerande skikt 6 som exempelvis kan bestå av kiseloxid. Baszonen 5 är via ett baskontaktfönster 8 i ett isole- rande skikt 6 ansluten till en basmetallisering 9 som exempelvis kan bestå av aluminium och vars kanter är markerade genom de streckade linjerna 10 i fig 1.
Baszonen 5 innefattar en emitterzon 11 av den första ledningsförmågetypen, dvs i detta fall n-typ, som har en tjocklek av exempelvis 7/um och som innefattar ett antal remsformade emitterzoner 12, vilka även kallas för emitterfingrar.
Via ett emitterkontaktfönster 13'i det isolerande skiktet 6 är emitterzonen 11 med emitterfingrarna 12 ansluten till en emittermetallisering vars kanter är markerade genom den streckade linjen 15 i fig 1. Emittennetalliseringen 14 in- nefattar en emitteranslutningselektrod 16, vilken i detta fall är ansluten till en anslutningsledare 17, som är visad endast i fig 3 för enkelhetens skull.
Emitteranslutningselektroden 16 upptager ett jämförelsevis stort ytområde och är i föreliggande fall formad som en remsa med en bredd av ungefär 500/um vid centrum. Detta medför att kontaktering kan ske på ett jämförelsevis stort ytom- råde, varigenom anslutningsledaren 17 kan inpassas mekaniskt under masstill- verkning av halvledaranordningen.
Baszonen 5 och emitterzonen 11 med sina fingrar 12 bildar en pn-övergång 2457 395 som är avslutad vid ytan 7 i överensstännelse med en linje betecknad 18 i fig 1.
Mellan emittern och kollektorn i transistorn, d.v.s. mellan emittermetal- liseringen 14,16 och elektrodskiktet 4 är en diod inkopplad med en första zon som består av en del 19 av regionen av den första ledningsförmâgetypen 2, medan dess andra zon 20 av den andra ledningsförmågetypen ansluter till ytan 7 och står i kontakt med emittermetalliseringen 14,16.
' Enligt uppfinningen är diodens andra zon 20 helt omgiven av den första zonen 19 och i projektion belägen helt inom emitteranslutningselektroden 16.
Emitteranslutningselektroden 16 är ansluten till den andra zonen 20 via ett kontaktfönster 21 i det isolerande skiktet 6. Som följd härav är dioden belägen helt under emitteranslutningselektroden 16. Detta ställer ej krav på någon ex- tra del av ytan 7 hos halvledarkroppen 1, vilken följaktligen kan utnyttjas optimalt för bildandet av transistorn 11,12,5 och 2. Den första zonen 19 i dio- den finns mellan diodens andra zon 20 och transistorns baszon 5. Detta innebär att mellan den andra zonen 20 och baszonen 5 förefinnes en spärrad pn-övergång i driftstillstândet. Som följd härav undvikes kortslutning av bas-emitteröver- gången i transistorn via halvledarkroppen och emittermetalliseringen 14,16.
Denna isolering mellan den andra zonen 20 och baszonen 5 är synnerligen effek- tiv och kräver dessutom så litet utrymme att dioden 19,20 tillsammans med isoe- ringen kan inrymmas helt och hållet under emitteranslutningselektroden 16.
Kanten 22 hos diodens andra zon 20 är belägen på så litet avstånd från baszonens 5 kant 23 att utarmningszonerna hos kollektor-basövergângen (2,5) i transi storn, som är markerad genom streckade linjer 24, och hos pn-övergângen (19,20) i dioden övergår i varandra i driftstillståndet. Sålunda uppnås att störningar i ekvipotentialytorna i halvledarregionen 2 av den första lednings- förmågetypen väsentligen undvikes genom dioden 19,20 i driftstillståndet. I annat fall skulle halvledaranordningens genombrottsspänning pâverkas negativt därav. Avståndet mellan kanterna 22 och 23 uppgår till ungefär 80/um.
Diodens andra zon 20 sträcker sig till väsentligen samma djup som transis- torns baszon 5. Båda zonerna 20 och 25 kan därför bildas under ett och samma steg, exempelvis genom diffusion. Detta innebär att antalet nödvändiga till- verkningssteg för tillverkning av dioden (19,20) i halvledaranordningen begrän- sas.
För att motverka genombrott vid kanterna av halvledarkroppen 1 är den på vanligt sätt försedd med en skåra 26, som är fylld med ett passiverande glasma- terial 25, och en s.k. kanalbegränsarzon 27 av den första ledningsförmåge 457 395 6 typen, som har ett djup som väsentligen överensstämmer med djupet av emitterre- gionerna 11 och 12. Kanalbegränsningszonen 27 är ansluten till en metallisering 29 via ett kontaktfönster 28.
Den beskrivna halvledaranordningen kan helt och hållet tillverkas genom förfaranden som vanligtvis användes inom halvledartekniken.
Det inses att uppfinningen ej är begränsad till det beskrivna utföringsex- emplet med en enda transistor på en halvledarkropp utan att många variationer är tänkbara för varje fackman.inom uppfinningens ram. Exempelvis kan uppfin- ningen användas för transistorer som ingår i en integrerad krets, exempelvis en Darlingtonkrets.
Exempelvis kan ledningsfönmägetypen hos samtliga halvledarzoner och regio- ner i utföringsexemplet (samtidigt) ersättas med den motsatta typen. Istället för kisel kan något annat halvledarmaterial användas, såsom germanium eller en III-V-förening såsom galliumarsenid. Istället för kiseloxid kan man använda ett annat isoleringsskikt av exempelvis en organisk lack och för metalliseringen andra metaller såsom volfram eller krom istället för aluminium.
Claims (2)
1. Halvledaranordning innefattande en halvledarkropp (1) med en bipolär transistor som innefattar en kollektorzon bildad av åtminstone en del av en halvledarregion (2) av en första ledningsförmâgetyp, en baszon (5) av den andra, motsatta ledningsförmågetypen, vilken zon ansluter till kollektorzonen och en yta (7) hos halvledarkroppen (1) som är delvis täckt med ett isoleran- de skikt (6), varvid baszonen (5) står i kontakt med en basmetallisering (9) via ett baskontaktfönster (8) i det isolerande skiktet (6), samt en emitter- zon (11) av den första ledningsförmâgetypen som är inbäddad i baszonen (5) och som via ett emitterkontaktfönster (13) i det isolerande skiktet (6) står i kontakt med en emittermetallisering (14,16) med en emitteranslutningselek- trod (16) som är anslutbar till en anslutningsledare (17), varvid en diod är kopplad mellan transistorns emitter och kollektor, hos vilken diod en första zon är bildad av en del (19) av regionen av den första ledningsförmå- getypen medan dess andra zon (20) av den andra ledningsförmâgetypen anslu- ter till ytan och står i kontakt med emittermetalliseringen (14,16), k ä n- n e t e c k n a d av att diodens andra zon (20) är helt omgiven av den för- sta zonen (19) och i projektion belägen helt och hållet inom emitteranslut- ningselektroden (16) som står i kontakt med den andra zonen (20) via ett kontaktfönster (21) i det isolerande skiktet, och att kanten (22) av den an- dra zonen (20) hos dioden är belägen pâ ett avstånd från transistorns bas- zon (5) som är så litet att utarmningszonerna vid kollektor- basövergângen (2,5) i transistorn och pn-övergången i dioden (19,20) övengâr i varandra i driftstillstândet. _
2. Halvledaranordning enligt patentkravet 1, k ä n n e t e c k n a d av att diodens andra zon har utsträckning till väsentligen samma djup som transistorns baszon.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8005995A NL8005995A (nl) | 1980-11-03 | 1980-11-03 | Halfgeleiderinrichting. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE457395B true SE457395B (sv) | 1988-12-19 |
Family
ID=19836098
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE8106377D SE8106377L (sv) | 1980-11-03 | 1981-10-29 | Halvledaranordning |
| SE8106377A SE457395B (sv) | 1980-11-03 | 1981-10-29 | Halvledaranordning innefattande en halvledarkropp med en bipolaer transistor |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE8106377D SE8106377L (sv) | 1980-11-03 | 1981-10-29 | Halvledaranordning |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4530000A (sv) |
| JP (2) | JPS57106075A (sv) |
| AT (1) | AT386907B (sv) |
| AU (1) | AU545211B2 (sv) |
| CA (1) | CA1173568A (sv) |
| DE (1) | DE3142644C2 (sv) |
| FR (1) | FR2493603B1 (sv) |
| GB (1) | GB2086655B (sv) |
| IT (1) | IT1139664B (sv) |
| NL (1) | NL8005995A (sv) |
| SE (2) | SE8106377L (sv) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3331631A1 (de) * | 1982-09-01 | 1984-03-01 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Halbleiter-bauelement |
| JPS60154552A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| JPS6165762U (sv) * | 1984-10-03 | 1986-05-06 | ||
| JPH0770539B2 (ja) * | 1985-02-01 | 1995-07-31 | サンケン電気株式会社 | トランジスタ |
| CH668505A5 (de) * | 1985-03-20 | 1988-12-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | Halbleiterbauelement. |
| JPH0654796B2 (ja) * | 1986-07-14 | 1994-07-20 | 株式会社日立製作所 | 複合半導体装置 |
| US4974260A (en) * | 1989-06-02 | 1990-11-27 | Eastman Kodak Company | Apparatus for identifying and correcting unrecognizable characters in optical character recognition machines |
| GB2239986A (en) * | 1990-01-10 | 1991-07-17 | Philips Electronic Associated | A semiconductor device with increased breakdown voltage |
| US6004840A (en) * | 1994-04-15 | 1999-12-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of fabricating a semiconductor device comprising a MOS portion and a bipolar portion |
| EP0681319B1 (en) * | 1994-04-15 | 2002-10-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6839305B2 (en) * | 2001-02-16 | 2005-01-04 | Neil Perlman | Habit cessation aide |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2206353A1 (de) * | 1971-02-11 | 1972-10-26 | Motorola Inc., Franklin Park, 111. (V.StA.) | Integrierter Transistor und Emitter-Kollektor-Diode |
| US3936863A (en) * | 1974-09-09 | 1976-02-03 | Rca Corporation | Integrated power transistor with ballasting resistance and breakdown protection |
| JPS5138289U (sv) * | 1974-09-13 | 1976-03-22 | ||
| FR2302594A1 (fr) * | 1975-02-28 | 1976-09-24 | Radiotechnique Compelec | Dispositif semi-conducteur integre |
| US4017882A (en) * | 1975-12-15 | 1977-04-12 | Rca Corporation | Transistor having integrated protection |
| DE2718644C2 (de) * | 1977-04-27 | 1979-07-12 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | Monolithisch' integrierte Halbleiterdiodenanordnung und deren Verwendung als Gehörschutzgleichrichter |
| NL184185C (nl) * | 1978-04-07 | 1989-05-01 | Philips Nv | Darlingtonschakeling met een geintegreerde halfgeleiderdiode. |
| JPS5559769A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-06 | Nec Corp | Switching transistor |
| JPS5559767A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-06 | Hitachi Ltd | Semiconductor device, method of fabricating the same and application thereof |
-
1980
- 1980-11-03 NL NL8005995A patent/NL8005995A/nl not_active Application Discontinuation
-
1981
- 1981-10-13 US US06/310,581 patent/US4530000A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-10-28 DE DE3142644A patent/DE3142644C2/de not_active Expired
- 1981-10-29 SE SE8106377D patent/SE8106377L/sv not_active Application Discontinuation
- 1981-10-29 SE SE8106377A patent/SE457395B/sv not_active IP Right Cessation
- 1981-10-29 CA CA000389056A patent/CA1173568A/en not_active Expired
- 1981-10-30 IT IT24803/81A patent/IT1139664B/it active
- 1981-10-30 GB GB8132751A patent/GB2086655B/en not_active Expired
- 1981-10-30 AU AU76994/81A patent/AU545211B2/en not_active Ceased
- 1981-10-30 FR FR8120434A patent/FR2493603B1/fr not_active Expired
- 1981-10-30 JP JP56173170A patent/JPS57106075A/ja active Pending
- 1981-11-02 AT AT0468281A patent/AT386907B/de not_active IP Right Cessation
-
1990
- 1990-08-22 JP JP1990087079U patent/JPH0336132U/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0336132U (sv) | 1991-04-09 |
| CA1173568A (en) | 1984-08-28 |
| AT386907B (de) | 1988-11-10 |
| FR2493603A1 (fr) | 1982-05-07 |
| GB2086655B (en) | 1984-04-18 |
| DE3142644A1 (de) | 1982-06-24 |
| NL8005995A (nl) | 1982-06-01 |
| DE3142644C2 (de) | 1986-09-11 |
| AU7699481A (en) | 1982-05-13 |
| GB2086655A (en) | 1982-05-12 |
| AU545211B2 (en) | 1985-07-04 |
| IT8124803A0 (it) | 1981-10-30 |
| US4530000A (en) | 1985-07-16 |
| IT1139664B (it) | 1986-09-24 |
| ATA468281A (de) | 1988-03-15 |
| JPS57106075A (en) | 1982-07-01 |
| SE8106377L (sv) | 1982-05-04 |
| FR2493603B1 (fr) | 1986-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4145703A (en) | High power MOS device and fabrication method therefor | |
| US4405933A (en) | Protective integrated circuit device utilizing back-to-back zener diodes | |
| US3603848A (en) | Complementary field-effect-type semiconductor device | |
| JP4156717B2 (ja) | 半導体装置 | |
| EP0057024B1 (en) | Semiconductor device having a safety device | |
| JP2012104834A (ja) | 高電圧バイポーラベースｅｓｄ保護構造 | |
| GB2103877A (en) | Gate protection for insulated gate semiconductor devices | |
| JP3338185B2 (ja) | 半導体装置 | |
| SE457395B (sv) | Halvledaranordning innefattande en halvledarkropp med en bipolaer transistor | |
| US4393573A (en) | Method of manufacturing semiconductor device provided with complementary semiconductor elements | |
| US4398339A (en) | Fabrication method for high power MOS device | |
| US3772577A (en) | Guard ring mesa construction for low and high voltage npn and pnp transistors and diodes and method of making same | |
| SE457303B (sv) | Halvledaranordning samt foerfarande foer framstaellning av densamma | |
| SE431381B (sv) | Tvapoligt overstromsskydd | |
| US4884116A (en) | Double diffused mosfet with potential biases | |
| US6815799B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPH10504940A (ja) | 半導体素子 | |
| GB2069235A (en) | Protecting semiconductor devices | |
| JP2019169563A (ja) | 半導体装置の製造方法、および半導体装置 | |
| US3936862A (en) | MISFET and method of manufacture | |
| JPH0227822B2 (sv) | ||
| EP0845813A1 (en) | Insulated gate bipolar transistor | |
| JPH0236558A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05121746A (ja) | 絶縁ゲート形電界効果トランジスタ | |
| CN118263324A (zh) | 碳化硅mos场效应晶体管及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8106377-8 Effective date: 19930510 |