SE457303B - Halvledaranordning samt foerfarande foer framstaellning av densamma - Google Patents
Halvledaranordning samt foerfarande foer framstaellning av densammaInfo
- Publication number
- SE457303B SE457303B SE8403852A SE8403852A SE457303B SE 457303 B SE457303 B SE 457303B SE 8403852 A SE8403852 A SE 8403852A SE 8403852 A SE8403852 A SE 8403852A SE 457303 B SE457303 B SE 457303B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- layer
- conductivity
- type
- area
- region
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 241000282461 Canis lupus Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035508 accumulation Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/87—Thyristor diodes, e.g. Shockley diodes, break-over diodes
Landscapes
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
15 20 25 30 55 HO 457 303 f? öm mellan elektroderna 5 och 6 hos den ovan beskrivna strukturen påtryckes en spänning, som är positiv, vilket visas med +V vid klämman 6, så upprättas vid övergången mellan om- rådet 2 och området 5, vilken övergång visas med 8, ett elek- triskt fält E, vilket medför utarmning av majoritetsbärare i områdena intill övergången (utarmningsskikt) och därigenom med- för att en rymdladdning åstadkommes i närheten av själva över- gången. Om spänningen +V har ett sådant värde, att det elektris- ka fältet E överstiger eä kritiskt värde, vilket bestämmas av de fysikaliskaOcylgeometriska egenskaperna hos de områden, som bildar övergången, sker en kedjereaktion, benämnd lavingenom- brott, i utarmningsområdet och detta medför en plötslig ström- passage genom själva övergången. För att åskådliggöra denna ef- fekt ur driftsynpunkt är i fig. 3 en zenerdiod inkopplad mellan transistorns TR2 bas ll, som är området 3 i strukturen, och transistorns TR2 kollektor 12, som är området 2 i strukturen.
Under dessa förhållanden passerar ström mellan de två elektroderna 5 och 6 hos anordningen, eftersom båda transistorer- na TRl och TR2 är ledande.
Def; är känt att, när det gällel' en pIanarÖVQI-gång, Varg yta skyddas av ett isolerande skikt av kiseldioxid, såsom är fallet för skikt 7 i fig. 1, lavingenombrott sker vid ytan såsom resultat av närvaro av störande laddningar i det isolerande skik- tet. Effekten av dessa är att begränsa utarmningsskiktet nära kiselsubstratets yta och att därför reducera nombrottsspänning. Det är även känt att upprepningen av detta övergångens ge- fenomen tenderar att ha en skadlig verkan på den backförspända övergångens egenskaper och att ändra dess genombrottsspänning.
För att dämpa det ovan beskrivna fenomenet kan metall- skiktet 5 i strukturen enligt fig. l, vilket skikt är i spärr- fri kontakt med ytdelarna av områdena 3 och U, sträckas ut över det isolerande skiktet 7, så att.det täcker en del av omrâdet 2.
Det på detta sätt utsträckta metallskiktet, vilket normalt kal- las fältplatta, när den mellan elektroderna 5 och 6 påtryckta spänningen har den polaritet, som visas i den elektriska kretsen i fin. 3, är i praktiken utformat för att avlägsna eventuella laddningsanhopninåar från skiktets 7 yta och gör att skiktets yta och den därunder liggande kiselytan kan erhålla samma spän- ning, vilket medför att genombrottet inte längre sker vid ytan utan i den inre delen av övergången 8 och vid en högre spänning. lO 15 20 25 BO 55 HO i 4.57 3-03 SpeciëlIt sker genombrottet, såvida inte andra fenomen uppträder, vid ytan för maximal krökning av övergången och vid en spänning, som förblir stabil under anordningens hela livslängd. Denna spän- ning kan emellertid inte noggrant bestämmas vid utformningsproces- sen på grund av variationer i tillverkningsparametrar.
För att åstadkomma ledning mellan områdena 1 och 3 hos en struktur av den i fig. 1 visade typen, vilket erfordras för på- verkan av ledningen mellan de två elektroderna 5 och 6 hos anord- ningen, är det även känt att det är möjligt att påverka tillverk- ningsparametrarna och speciellt epitaxskiktets 2 resistivitet och tjocklek, så att ledning genom övergången 8, beroende på ett la- vingenombrott, inte kan ske, eftersom det föregripes av ett annat fenomen, som modifierar strukturens driftförhållanden. Detta feno- men, vilket är känt såsom penetration, sker, när utarmningszonen hos den övergång, som är bildad mellan områdena 1 och 2, sträcker sig över hela epitaxskiktet, begränsat av området 3, i sådan ut- sträckning, att det medför en kortslutning mellan områdena l och 3. Inte heller i detta fall är det emellertid möjligt att nog- grant bestämma påverkningsspänningen vid utformingsprocessen på grund av variationer i tíllverkningsparametrar.
Syftet med uppfinningen är att åstadkomma en halvledaran- ordning, som har två klämmer, varvid anordningen är utformad för att verka såsom en överspånningsdfimpare och varvid anordningen har en påverkningsspänning, som är noggrant bestämd vid utform- ningsprocessen.
Uppgiften löses enligt uppfinningen med den äHOPdnínš, S0m angives och karakteriseras i de till föreliggande beskrivning fo- gade patentkraven.
Uppfinningen åskådliggöres närmare i den följande beskriv- ningen, vilken endast avser att utgöra ett icke begränsande exem- pel på en utföringsform av uppfinningen, under hänvisning till den bifogade ritningen, på vilken:_ Fig. 1, som beskrivits ovan, visar en anordning med två klâmmor, varvid anordningen har en trippelövergângsstruktur enligt känd teknik och är uppförstorad; fig. 2 visar en anordning med två klämmer och trippelöver- gångsstruktur enligt uppfinningen, varvid anordningen visas upp- förstorad; och fig. 3 visar anordningens ekvivalenta krets, antingen för känd teknik eller för uppfinningen, under speciella förspännings- 10 15 20 25 BO 35 457, 303 “ förhållanden.
I fig. 2 har komponenter, som motsvarar komponenterna i fig. 1, erhållit samma hänvisningsbeteckningar. Det bör obser- veras att emitterelektroden, vilken visas med 5', är utsträckt över en del av området 2 för erhållande av en fältplatta av den ovan beskrivna men i fig. l inte visade typen. Före diffusionen av området 3, vilket har ledningsförmåga av P-typ, implanteras dessutom störämnen, exempelvis fosfor, av N-typ över ett omrâde, vilket har formen av en ring, för erhållande av en lokaliserad anrikning av typ N i omrâdet 2. Koncentrationen av störämnen av P-typ vid den följande bildningen av området 3 är mycket hög, vilket medför att ledningstypen för den implanterade zonen, som är belägen i det diffunderade området 3, är omvänd.
Utformningsparametrarna är så valda att en zon N, vilken visas med 9 i fíg. 2, blir kvar, vilken zon har mycket högre led- ningsförmåga än området 2 och sträcker sig något in i området 2.
Speciellt beräknas implanteringsdoserna och energin på sådant sätt, att övergångens 8 genombrott sker vid zonen 9 vid en spän- ning, som är lägre än den spänning, som skulle förekomma vid ge- nombrott på grund av krökning men som kan bestämmas noggrant vid utformningsprocessen.
Det bör observeras att den anrikade zonen är belägen i en del av övergången 8, vilken befinner sig vid sidan med avseende på emitterområdet U, dvs. utanför anordningens huvudströmflöde.
Driften av den anordning, vars struktur bildar den ovan be- skrivna uppfínningen, framgår av den elektriska kretsen i fig. 3, varvid zenerdíoden fortfarande motsvarar området 3 med avseende på anoden 16 men den anrikade zonen 8 med avseende på katoden 17.
Ehuru en enda utföringsform av föreliggande uppfinning har åskâdliggjorts och beskrivits är det uppenbart att många varianter och modifikationer kan åstadkommas utan att uppfinningens ram överskrides. Exempelvis kan den anrikade zonen 9 ha en annan form och andra mått än de, som visas i fig. 2, och den kan även utgöras av ett flertal separata zoner.
W
Claims (2)
1. Halvledaranordníng mod tvâ klämmor och med trippelöver- gångsstruktur, bildad i en bricka av halvledarmaterial, inne- fatande ett substrat (1) av en första typ av ledningsförmåga (P), som gränsar till en första huvudyta hos brickan, ett skikt (2) av en andra typ av ledningsförmåga (N), vilket skikt är beläget på substratet (1) och gränsar till en andra huvudyta hos brickan, ett skikt (7) av isolerande material, vilket sträcker sig över den andra huvudytan, ett första område (3) av den första typen av ledningsförmåga (P), vilket omrâde sträcker sig in i skiktet (2) av den andra typen av lednings- förmåga från den andra ytan, ett andra område (6) av den andra typen av ledningsförmåga (N), vilket område sträcker sig in i det första området (3) från den andra ytan, ett första metallskikt (6) i spärrfri kontakt med substratet (1) över den första huvudytan samt ett andra metallskikt (5,5'), vilket sträcker sig över en del av den andra huvudytan via en öppning i det isolerande skiktet (7) för att vara i spärrfri kontakt med det första (3) och det andra (4) området, samt över det isolerande skiktet (7) för att täcka en del av skíktet (2) av den andra typen av ledningsförmåga utmed konturen av det första området (3), k ä n n e t e c k n a d av att skiktet (2) av den andra typen av ledningsförmåga (N) innefattar åt- minstone en zon (9) intill det första området (3), vilken zon har en högre koncentration av störämnen än den återstående delen av skiktet, varvid denna zon (9) är belägen i en del av gränsområdet till det första området (3), varvid nämnda del inte befinner sig mittför det andra området (4).
2. Förfarande för framställning av en halvledaranordning enligt kravet 1 med två klämmor och med trippelövergångs- struktur, vilket förfarande innefattar följande steg: a) att åstadkomma ett substrat (1) av en första typ av led- ningsförmåga (P) som gränsar till en första huvudyta, b) att bilda ett skikt (2) av en andra typ av ledningsförmåga (N), genom epitaxndling på substratet (1), och som gränsar till en andra huvudyta, c) att åstadkomma störämnen av den andra typen av lednings- förmåga (N) genom jonimplantering in i nämnda skikt vid en yta belägen på nämnda andra huvudyta, '457 303 d) att genom avsättning och diffusion bilda ett första område (3) av den första typen av ledningsförmåga (P) in i nämnda skikt (2), varvid nämnda första område innefattar nämnda area, och e) att genom avsättning och diffusion bilda ett andra område (4) av den andra typen av ledningsförmåga (N) in i nämnda Första område (3) i en del därav som inte innefattar nämnda area, varvid förfarandeparametrarna väljs på sådant sätt att efter nämnda implanterings- och diffusionssteg bildas åt- minstone en zon (9) under nämnda area vid gränsen mellan nämnda Första område (3) och nämnda skikt, vilken zon har en högre koncentration av störämnen än den återstående delen av skiktet (2), varvid nämnda zon (9) utsträckes djupare in i nämnda skikt (2) än nämnda Första område (3).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT8322338A IT1212767B (it) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | Soppressore di sovratensioni a semiconduttore con tensione d'innesco predeterminabile con precisione. |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE8403852D0 SE8403852D0 (sv) | 1984-07-25 |
SE8403852L SE8403852L (sv) | 1985-01-30 |
SE457303B true SE457303B (sv) | 1988-12-12 |
Family
ID=11194880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE8403852A SE457303B (sv) | 1983-07-29 | 1984-07-25 | Halvledaranordning samt foerfarande foer framstaellning av densamma |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4631561A (sv) |
JP (1) | JPH0736440B2 (sv) |
KR (1) | KR920005539B1 (sv) |
BR (1) | BR8403468A (sv) |
CA (1) | CA1218759A (sv) |
DE (1) | DE3428067C2 (sv) |
ES (1) | ES8605126A1 (sv) |
FR (1) | FR2550013B1 (sv) |
GB (1) | GB2144267B (sv) |
IT (1) | IT1212767B (sv) |
SE (1) | SE457303B (sv) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5083185A (en) * | 1985-02-15 | 1992-01-21 | Agency Of Industrial Science & Technology, Ministry Of International Trade & Industry | Surge absorption device |
US4705322A (en) * | 1985-07-05 | 1987-11-10 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Protection of inductive load switching transistors from inductive surge created overvoltage conditions |
IT1186337B (it) * | 1985-10-29 | 1987-11-26 | Sgs Microelettronica Spa | Dispositivo elettronico per la protezione di circuiti integrati da cariche elettrostatiche,e procedimento per la sua fabbricazione |
JPS62110435A (ja) * | 1985-11-04 | 1987-05-21 | シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 加入者線の過電圧保護用集積回路装置 |
US4766469A (en) * | 1986-01-06 | 1988-08-23 | Siliconix Incorporated | Integrated buried zener diode and temperature compensation transistor |
JPH0666462B2 (ja) * | 1987-12-21 | 1994-08-24 | 日本電気株式会社 | 半導体保護素子 |
US4969027A (en) * | 1988-07-18 | 1990-11-06 | General Electric Company | Power bipolar transistor device with integral antisaturation diode |
GB2221088B (en) * | 1988-07-22 | 1992-02-26 | Texas Instruments Ltd | A semiconductor switching device |
US5285100A (en) * | 1988-07-22 | 1994-02-08 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor switching device |
US5072273A (en) * | 1990-05-04 | 1991-12-10 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Low trigger voltage SCR protection device and structure |
US5274262A (en) * | 1989-05-17 | 1993-12-28 | David Sarnoff Research Center, Inc. | SCR protection structure and circuit with reduced trigger voltage |
JP2551152B2 (ja) * | 1989-06-29 | 1996-11-06 | 富士電機株式会社 | Mosコントロールサイリスタ |
JPH0485963A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-18 | Nec Corp | 半導体保護素子 |
US5172208A (en) * | 1990-07-30 | 1992-12-15 | Texas Instruments Incorporated | Thyristor |
US5240865A (en) * | 1990-07-30 | 1993-08-31 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming a thyristor on an SOI substrate |
JPH077837B2 (ja) * | 1990-11-29 | 1995-01-30 | 工業技術院長 | サージ防護デバイス |
JPH0793424B2 (ja) * | 1992-03-27 | 1995-10-09 | 工業技術院長 | サージ防護デバイス |
US5600160A (en) * | 1993-04-14 | 1997-02-04 | Hvistendahl; Douglas D. | Multichannel field effect device |
US5602404A (en) * | 1995-01-18 | 1997-02-11 | National Semiconductor Corporation | Low voltage triggering silicon controlled rectifier structures for ESD protection |
US5610079A (en) * | 1995-06-19 | 1997-03-11 | Reliance Electric Industrial Company | Self-biased moat for parasitic current suppression in integrated circuits |
US5747834A (en) * | 1995-09-29 | 1998-05-05 | Texas Instruments Inc | Adjustable Bipolar SCR holding voltage for ESD protection circuits in high speed Bipolar/BiCMOS circuits |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3146135A (en) * | 1959-05-11 | 1964-08-25 | Clevite Corp | Four layer semiconductive device |
GB1030050A (en) * | 1963-11-13 | 1966-05-18 | Motorola Inc | Punchthrough breakdown rectifier |
US3236698A (en) * | 1964-04-08 | 1966-02-22 | Clevite Corp | Semiconductive device and method of making the same |
GB1232812A (sv) * | 1968-02-02 | 1971-05-19 | ||
GB1365392A (en) * | 1971-02-23 | 1974-09-04 | Microsystems Int Ltd | Semiconductor switching device |
US3735210A (en) * | 1971-06-07 | 1973-05-22 | Rca Corp | Zener diode for monolithic integrated circuits |
BE787597A (fr) * | 1971-08-16 | 1973-02-16 | Siemens Ag | Thyristor |
US3881179A (en) * | 1972-08-23 | 1975-04-29 | Motorola Inc | Zener diode structure having three terminals |
DE2310570C3 (de) * | 1973-03-02 | 1980-08-07 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum Herstellen eines überkopfzündfesten Thyristors |
JPS50782A (sv) * | 1973-05-02 | 1975-01-07 | ||
JPS502482A (sv) * | 1973-05-08 | 1975-01-11 | ||
JPS508486A (sv) * | 1973-05-21 | 1975-01-28 | ||
DE2506102C3 (de) * | 1975-02-13 | 1982-03-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleitergleichrichter |
JPS52104075A (en) * | 1976-02-27 | 1977-09-01 | Toshiba Corp | Semiconductor element |
JPS54111790A (en) * | 1978-02-22 | 1979-09-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor switchgear |
DE2928685A1 (de) * | 1978-07-20 | 1980-01-31 | Electric Power Res Inst | Thyristor mit gesteuertem strom bei spannungsdurchbruch und verfahren zur begrenzung des durchbruchstroms in durchlassrichtung durch einen thyristor |
YU43752B (en) * | 1978-10-16 | 1989-12-31 | Marko Petrovic | Transistorized voltage limiter |
GB2088634B (en) * | 1980-12-03 | 1984-08-15 | Rca Corp | Protection circuit for integrated circuit devices |
-
1983
- 1983-07-29 IT IT8322338A patent/IT1212767B/it active
-
1984
- 1984-07-09 ES ES534128A patent/ES8605126A1/es not_active Expired
- 1984-07-11 BR BR8403468A patent/BR8403468A/pt not_active IP Right Cessation
- 1984-07-18 GB GB08418287A patent/GB2144267B/en not_active Expired
- 1984-07-18 KR KR1019840004203A patent/KR920005539B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-07-23 US US06/633,434 patent/US4631561A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-07-25 SE SE8403852A patent/SE457303B/sv not_active IP Right Cessation
- 1984-07-26 FR FR8411874A patent/FR2550013B1/fr not_active Expired
- 1984-07-27 JP JP59155706A patent/JPH0736440B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1984-07-27 CA CA000459900A patent/CA1218759A/en not_active Expired
- 1984-07-30 DE DE3428067A patent/DE3428067C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3428067A1 (de) | 1985-02-07 |
SE8403852D0 (sv) | 1984-07-25 |
JPH0736440B2 (ja) | 1995-04-19 |
US4631561A (en) | 1986-12-23 |
BR8403468A (pt) | 1985-06-25 |
ES8605126A1 (es) | 1986-03-16 |
GB2144267B (en) | 1987-04-23 |
GB2144267A (en) | 1985-02-27 |
CA1218759A (en) | 1987-03-03 |
SE8403852L (sv) | 1985-01-30 |
IT8322338A0 (it) | 1983-07-29 |
JPS6057668A (ja) | 1985-04-03 |
KR920005539B1 (ko) | 1992-07-06 |
GB8418287D0 (en) | 1984-08-22 |
KR850000815A (ko) | 1985-03-09 |
IT1212767B (it) | 1989-11-30 |
DE3428067C2 (de) | 1994-02-17 |
ES534128A0 (es) | 1986-03-16 |
FR2550013A1 (fr) | 1985-02-01 |
FR2550013B1 (fr) | 1987-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SE457303B (sv) | Halvledaranordning samt foerfarande foer framstaellning av densamma | |
US5861657A (en) | Graded concentration epitaxial substrate for semiconductor device having resurf diffusion | |
EP0057024B1 (en) | Semiconductor device having a safety device | |
KR19980032845A (ko) | 제 1 확산링에서 공간을 이룬 알루미늄 배리어 금속을 가진 고전압 전력 쇼트키 | |
SE462309B (sv) | Halvledaranordning för höga spänningsgar och en halvledaranordning med ett fältplattesteg som minskar krökningen av ekvipotentiallinjen av elektriskt fält I halvledarkroppen | |
GB2090701A (en) | Improvements in or relating to input protection for MOS integrated circuits | |
JPH06349849A (ja) | 高耐圧薄膜半導体装置 | |
EP0036319B1 (en) | Semiconductor device | |
EP0071335B1 (en) | Field effect transistor | |
JPH10132871A (ja) | 半導体装置 | |
KR100232383B1 (ko) | 접합 전계 효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치 | |
JPH04332173A (ja) | プレーナ型半導体装置及びその製造方法 | |
US5293051A (en) | Photoswitching device including a MOSFET for detecting zero voltage crossing | |
US5323041A (en) | High-breakdown-voltage semiconductor element | |
SE519975C2 (sv) | Halvledarstruktur för högspänningshalvledarkomponenter | |
EP0225586A1 (en) | An overvoltage protection circuit for an integrated MOS device | |
EP0083060B1 (en) | Semiconductor device including overvoltage protection diode | |
EP0064614B1 (en) | Improved emitter structure for semiconductor devices | |
JP2006303111A (ja) | 半導体素子 | |
US8592910B2 (en) | Semiconductor body with a protective structure and method for manufacturing the same | |
JPH0888290A (ja) | 半導体装置およびその使用方法 | |
JP4907341B2 (ja) | サイリスタ | |
JPH02202063A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6327865B2 (sv) | ||
KR920000631B1 (ko) | 고전압용 반도체 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NAL | Patent in force |
Ref document number: 8403852-0 Format of ref document f/p: F |
|
NUG | Patent has lapsed |