DE3142644A1 - Halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung

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DE3142644A1 DE19813142644 DE3142644A DE3142644A1 DE 3142644 A1 DE3142644 A1 DE 3142644A1 DE 19813142644 DE19813142644 DE 19813142644 DE 3142644 A DE3142644 A DE 3142644A DE 3142644 A1 DE3142644 A1 DE 3142644A1
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Description

;\". Philips' -Slccilampsniabrieken, Eindhoven .:!.:..: * .:.:..:":..: -=-3 1426
PHN 9877 >" 0-4-1
•3·
"Halbleiteranordnung".
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper mit einem Bipolartransistor, der eine durch wenigstens einen Teil eines Halbleitergebietes von einem ersten Leitungstyp gebildete ^ Kollektorzone, eine an die Kollektorzone und an eine teilweise mit einer Isolierschicht überzogene Oberfläche des Halbleiterkörpers grenzende Basiszone vom zweiten entgegengesetzten Leitungstyp, die sich über ein Basiskontaktfenster in der Isolierschicht einer Basisine tal. Lisierung anschliesst, und eine in die Basiszone eingebettete Emitterzone vom ersten Leitungstyp enthält, die sich über ein Emitterkontaktfenster in der Isolierschicht einer Emittermetallisierung mit einer mit einem Anschlussleiter verbindbaren Emitter-Anschlusselektrode anschliesst, wobei zwischen dem
Emitter und dem Kollektor des Transistors eine Diode ein* geschaltet ist, deren erste Zone durch einen Teil des Gebietes vom ersten Leitungstyp gebildet wird und deren zweite Zone vom zweiten Leitungstyp an die Oberfläche grenzt und sich der Emittermetallisierung anschliesst.
Eine derartige Halbleiteranordnung kann z.B. als
Schalttransistor in HorizontaLab1enkungsschaltungen in Fernsehempfängern dienen. Die zwischen dem Emitter und dem KolLektor des Transistors eingeschaltete Diode - auch als Spardiode bezeichnet - dient dabei insbesondere dazu, die
Linearität der Schaltung zu vergrössern.
Aus der DE-OS 29 13 536 ist eine Halbleiteranordnung der eingangs genannten Art bekannt, bei der die an die Oberfläche grenzende zweite Zone der Diode neben dem Transistor im Halbleiterkörper liegt und sich einem geson-
derten Zweig der Emittermetallisierung anschliesst. Die zweite Zone der Diode und die Basiszone des Transistors bi' den einen Teil desselben Halbleitex'gebie tes vom zweiten Leitungstyp. In diesem Gebiet ist zwischen der zweiten
9877 Sf Q_4-1')81
Zone der Diode tand der Basiszone des Transistors ein. Trennwiderstand angeordnet, der verhindert, dass über dieses Halbleitergebiet und über die Emittermetallisierung - die sowohl mit der zweiten Zone der Diode als auch mit der Emitterzone des Transistors verbunden ist — der Basis/Emitter-Ubergang des Transistors wenigstens örtlich, praktisch kurzgeschlossen wird.
Ein Nachteil der bekannten beschriebenen Halbleiteranordnung ist der, dass die Diode und ihr Trennwiderstand neben dem Transistor im Halbleiterkörper vorhanden sind. Dies beansprucht einen Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers, der nun nicht für die Bildung des Transistors benutzt werden kann. Dadurch ist die Leistung*, die von dem Transistor geschaltet werden kann, niedriger als wenn diese Oberfläche für die Bildung des Transistors benutzt worden wäre.
Die Erfindung hat u.a. die Aufgabe, eine Halbleiteranordnung mit einem Bipolartransistor und einer Spax-diode der beschriebenen Art zu schaffen, bei der der genannte Nachteil behoben ist.
Dar Erfindung liegt u.a. die Erkenntnis zugrunde, dass diese Aufgabe dadurch gelöst werden kann, dass die Diode in die Transistorstruktur aufgenommen wird.
Eine Halbleiteranordnung der eingangs beschriebenen Art ist nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Zone der Diode völlig von der ersten Zone umgeben ist und in Projektion völlig innerhalb der Emitter-Anschlüsse Lektrode liegt, wobei die Emitter-Anschlusselektrode sich über ein Koiitakfcfens ter in der Isolierschicht der zweiten Zone anschliesst. Die Diode ist nun völlig unter der Ernitter-Anschlusselektrode angebracht und daniic in die Transistorstruktur aufgenommen. Dies beansprucht keinen zusätzlichen Teil der Oberfläche des Halbieiterkörpers, die daher optimal für die Bildung des Transistors benutzt werden kann. Die erste Zone der Diode ist zwischen der zweiten Zone der Diode und der Basiszone des Transistors vorgesehen. Dies bedeutet, dass zwischen der zweiten Zone der Diode und der Basiszone des Transistors im Betriebs-
PHN 9877 # 9_4-
zustand ein gesperrter pn—Übergang vorhanden ist. Dadurch ist ein Kurzschluss des Basis/Einitter-Ubergangs des Transistors über den Halbleiterkörper und die Emitterrne fcallisierung verhindert. Die Trennung zwischen der zweiten Zone der Diode und der Basiszone des Transistors ist auf diese Weise sehr zweckmässig und beansprucht ausserdem derart wenig Raum, dass die Diode zusammen mit dieser Trennung völlig unter dem Emitter-Anschlusselektrode angebracht werden kann. Ein Trennwiderstand, wie er in der bekannten beschriebenen Halbleiteranordnung angebracht ist, ist durch die Massnahme nach der Erfindung völlig überflüssig geworden.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Halbleiteranordnung nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass der Rand der zweiten Zone der Diode in einem derart kleinen Abstand von der Basiszone des Transistors liegt, dass im Betriebszustand die Erschöpfungszonen des Kollektor/Basis-Ubergangs des Transistors und des pn-Ubergangs der Diode ineinander übergehen. Dadurch ist erreicht, dass die Äquipotentialebenen im Halbleitergebiet vom ersten Leitungstyp durch das Vorhandensein der Diode praktisch nicht gestört werden. Dadurch könnte die Durchschlagspannung der Halbleiteranordnung beeinträchtigt werden.
Eine einfach herstellbare Halbleiteranordnung der eingangs beschriebenen Art ist nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Zone der Diode sich bis zu praktisch der gleichen Tiefe wie die Basiszone des Transistors erstreckt. Die zweite Zone der Diode und die Basiszone des Transistors können nun in derselben Bearbeitung - z.B. durch Diffusion - im Halbleiterkörper gebildet werden. Dadurch ist die Anzahl zusätzlicher Verfahrensschritte, die für die Herstellung einer Spardiode in der Halbleiteranordnung mit Transistor erforderlich ist, beschränkt.
Eine AusfUhrungsform der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 2 schematisch eine Draufsicht auf eine Halb-
-:142644
PHN 9877 ■ ^ 9-^-19^1
- e.
leiteranordnung nach der Erfindung-,
Fig. 2 einen Querschnitt durch die Halbleiteranordnung längs der Linie H-II in Fig. 1 ,
Fig. 3 einen Querschnitt durch die Halbleiteranordnung längs der Linie III—III in Fig. 1, und
Fig. h einen Querschnitt durch die Halbleiteranordnung längs der Linie IV-IV in Fig. 1.
Die Figuren sind schematisch und nicht massstäblich gezeichnet, wobei der Deutlichkeit halber in den Querschnitten insbesondere die Abmessungen in der Dicken— richtung übertrieben gross dargestellt sind. Halbleiterzonen· vom gleichen Leitungstyp sind in derselben Richtung schraffiert; in den Figuren sind entsprechende Teile mit denselben Bezugsziffern bezeichnet.
Die Halbleiteranordnung nach den Fig. 1 bis 4 enthält einen Halbleiterkörper .1 mit einem Bipolartransistor. Der Halbleiterkörper 1 aus einem geeigneten Halbleitermaterial, wie Silicium, enthält ein Halbleitergebiet 2 von einem ersten Leitungstyp, im vorliegenden Beispiel vom n-Typ, mit einer verhältnismässig niedrigen Dotierungskonzentration von etwa 10 Atomen/cm und mit einer Dicke von z.B. 90 μπι. Das Halbleitergebiet 2 ist mittels einer nleitenden Zone 3 mit einer verhältnismässig hohen Dotie-
20 T
rungskonzentration von z.B. 10 Atomen/cm und mit einer Dicke von z.B. 7 um mit einer Elektrodenschicht h- verbunden.
Der Bipolartransistor enthält eine Kollektorzone, die durch denjenigen Teil des Halbleitergebietes 2 gebildet wird, der an eine Basiszone 5 vom zweiten entgegengesetzten Leitungstyp - im vorliegenden Beispiel also vom p-Typ - mit einer Dicke von z.B. 30 um grenzt. Die Basiszone 5 grenzt ihrerseits wieder an eine Teilweise mit einer Isolierschicht 6 - aus z.B. Siliciumoxid - Überzogene Oberfläche 7 des Halbleiterkörpers 1. Die Basiszone 5 ist durch ein Basislcontaktf enster 8 in einer Isolierschicht 6 an eine Basismetallisierung 9 aus z.B. Aluminium angeschlossen, deren Ränder in Fig. 1 durch gestrichelte Linien 10 angegeben sind. In die Basiszone 5 ist eine Emitterzone 11
PHN 9877 *" 9-4-1981
• T ·
vom ersten Leitungstyp - im vorliegenden Beispiel also vom n-Typ - mit einer Dicke von z.B. 7 um eingebettet, die eine Anzahl streifenförmiger Emittergebiete 12 - auch als Emitterfinger bezeichnet — enthält. Die Emitterzone 11 — mit den Emitter fingern 12 - ist über ein Emitterkontaktl'enster
13 in der Isolierschicht 6 mit einer Eniltternietallisierung
14 verbunden, deren Ränder in Fig. 1 durch die gestrichelte Linie 15 angegeben sind. Die Emittermetallisierung \k enthält eine Emitter-Anschlusselektrode 16, die hier mit einem der Deutlichkeit halber nur in Fig. 3 dargestellten Anschlussleiter 17 verbunden ist. Die Emitter-Ansehlusselektrode 16 weist eine verhältnismässig grosse Oberfläche auf; im vorliegenden Beispiel ist diese Oberfläche streifenförmig mit in der Mitte einer Breite von etwa 5OO μπι. Dadurch ist eine Kontaktierung auf einer verhältnismässig grossen Oberfläche möglich, so dass der Anschlussleiter 17 bei dar Massenherstellung der Halbleiteranordnung maschinell angebracht werden kann.
Die Basiszone 5 und die Emitterzone 11 mi:t ihren Emitterfingern 12 bilden einen pn-Ubergang, der an der Oberfläche 7 gemäss einer in Fig. 1 mit 18 bezeichneten Linie endet.
Zwischen dem Emitter und dem Kollektor des Transistors, d.h. zwischen der Emittermetallisierung 14, 16 und der Elektrodenschicht h, ist eine Diode eingeschaltet, deren erste Zone durch einen Teil I9 des Gebietes vom ersten Leitungstyp 2 gebildet wird und deren zweite Zone 20 vom zweiten Leitungstyp an die Oberfläche 7 grenzt und sich der Emittermetallisierung lh, 16 anschliesst.
Nach der Erfindung ist die zweite Zone 20 der Diode völlig von der ersten Zone I9 umgeben und liegt in Proj 3 ktion völlig innerhalb der Emitter-Anschlusselektrode 16. Die Emitter-Anschlusselektrode 16 ist über ein Kontaktfenster 21 in der Isolierschicht 6 an die zweite Zone 2Ö angeschlossen. Die Diode ist dadurch völlig unter der Emitter-Anschlusselektrode 16 angebracht. Dies beansprucht keinen zusätzlichen Teil der Oberfläche 7 des Halbleiterkörpers 1, die daher optimal für die Bildung des Transis-
.. -■;■·■ . --'.:■ ? H2G44
PHN 9877 fr r—4-1981
tors 11, 12, 5,
der Diode ist zwischen der zweiten Zone 20 der Diode und der Basiszone 5 des Transistors vorhanden. Dies bedeutet, d„ss zwischen der zweiten Zone 20 und der Basiszone ~> im
Betriebszustand ein gesperrter pn-übergang vorhanden ist. Dadurch ist ein Kurzschluss des Basis/Emitter-Ubergangs des Transistors über den Halbleiterkörper und die Emirtermetallisierung 14, 16 verhindert. Diese Trennung zwischen der zweiten Zone 20 und der Basiszone 5 ist sehr zweckmassig und beansprucht ausserdem derart wenig Raum, dass die Diode 19> 20 zusammen mit dieser Trennung völlig unter der Emitter-Anschlusselektrode i6 angebracht werden kann.
Der Rand 22 der zweiten Zone 20 der Diode ist in einem derart kleinen Abstand von dem Rand 23 der Basiszone 5 angeordnet, dass im Betriebszustand die schematisch mit gestrichelten Linien 24 angegebenen Erschöpfungszonen des Kollektor/Basis-TJbergangs (2, 5) des Transistors und des pn-Ubergangs (19» 20) der Diode ineinander übergehen. Dadurch ist erreicht, dass beim Betrieb die Äquipotentialebenen im Halbleifcer^ebiet 2 vom ersten Leitungstyp durch das Vorhandensein der Diode I9, 20 praktisch niclic gestört werden. Dadurch könnte die Durchschlagspannung der HgLoleire anordnung beeinträchtigt werden. Der Abstand zwischen den Rändern 22 und 23 ist dabei etwa 80 μπι.
Die zweite Zone 20 der Diode erstreckt sich bis zu praktisch der gleichen Tiefe wie die Basiszone 5 des Transistors. Die beiden Zonen 20 und 5 können daher in einer und derselben Bearbeitung, z.B. durch Diffusion, gebildet werden. Dadurch ist die Anzahl zusätzlicher Verfnhrensschritte, die für die Herstellung der Diode (.19» ~θ) in der Halbleiteranordnung erforderlich ist, beschränke.
Um Durchschlag an den Rändern des Halbleiterkörpers 1 entgegenzuwirken, ist dieser Körper auf übliche Weise mit einer mit Pas sivierungs gl as 25 ausgefüllten Xu t 26 und mit einer sogenannten Kanalunterbrecherzone 27 vom ersten Leitungstyp mit einer der der Einittergebiete 1 1 und 12 nahezu gleichen Tiefe versehen. Diese Kanaluncerbrecherzone 27 ist durch ein Kontaktfenster 28 mit einer Metalli-
■: ;■■"" 3H2644
PHN .9877 if 0-^-1981
J.
sierung 29 verbunden.
Die obenbeschriebene Halbleiteranordnung kann
völlig mit Hilfe der in der Halbleitertechnik üblichen Verfahren hergestellt werden.
§ Es dürfte weiter einleuchten, dass die Erfindung
nicht auf das beschriebene Ausführungsbeispiel eines einzigen Transistors auf einem Halbleiterkörper beschränkt ist, sondern dass im Rahmen der Erfindung für den Fachmann viele Abwandlungen möglich sind. So kann die Erfindung bei Tran— sistoren angewandt werden, die einen Teil einer integrierten Schaltung, wie z.B. einer Darlingtonschaltung, bilden. Im Ausführungsbeispiel können weiter die Leitungstypen aller Halbleiterzonen und -gebiete (zu gleicher Zeit) durch die entgegengesetzten Typen ersetzt werden. Statt Silicium kann ein anderes Halbleitermaterial, wie Germanium oder eine III-V-Verbindung, wie Galliumarsenid, verwendet werden. Statt Siliciumoxid kann eine andere z.B. aus organischem Lack hergestellte Isolierschicht Anwendung finden und statt Alumiunium können andere Metalle, wie Wolfram oder Chrom, für die Metallisierung verwendet werden.

Claims (2)

  1. ■" :· " 3 ι 426A4
    PHN 9877 9-^-1981
    PATENTANSPRÜCHE:
    1 J Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper mit einem Bipolartransistor, der eine durch, wenigstens einen Teil eines Halbleitergebietes von einem ersten Leitung·» typ gebildete Kollektorzone (2), eine an die Kollektorzone ('I) und an eine teilweise mit einer Isolierschicht (6) überzogene Oberfläche (7) des Halbleiterkörpers grenzende Basiszone (5) vom zweiten entgegengesetzten Leitungstyp, die sich über ein Basiskontaktfenster (8) in der Isolierschicht (6) einer Basismetallisierung (9) anschliesst, und eine in die Basiszone (5) eingebettete Emitterzone (11) vom ersten Leitungstyp enthält, die sich über ein Emitterkontaktfenster (13) in der Isolierschicht (6) einer Emittermetallisierung (i4) mit einer mit einem Anschlussleiter (17) verbindbaren Emitter-Anschlusselektrode (16) anschliesst, wobei zwischen dem Emitter und dem Kollektor des Transistors eine Diode eingeschaltet ist, deren erste Zone (19) durch einen Teil des G bietes vom ersten Leitungstyp gebildet wird und deren zweite Zone (20) vom zweiten Leitungstyp an die Oberfläche (7) grenzt und sich an die Emittermetallisierung (i4) anschliesst, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Zone (20) der Diode völlig von der ersten Zone (19) umgeben ist und in Projektion völlig innerhalb der Emitter-Anschlusselektrode (16) liegt, wobei sich die Emitter-Anschlusselektrode (16) über ein Kontaktfenster (21) in der Isolierschicht (6) der zweiten Zone (2θ) anschliesst.
  2. 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Rand der zweiten Zone (2θ) der Diode in einem derart kleinen Abstand von der Basiszone (5) des Transistors liegt, dass im B triebszustand die Erschöpfungszonen (2k) des Kollektor/Basis-Ubergangs (2,5) des Transistors und des pn-Ubergangs (19> 20) der Diode ineinander übergehen.
    3· Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, da-
    PHN 9877 m 3 9-^-1981
    durch gekennzexclinet, dass die zweite Zone (20) der Diode sich bis zu praktisch der gleichen Tiefe -wie die Basiszone (5) des Transistors erstreckt.
DE3142644A 1980-11-03 1981-10-28 Halbleiteranordnung mit in einem Halbleiterkörper angeordneten Bipolartransistor und Diode Expired DE3142644C2 (de)

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US (1) US4530000A (de)
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IT (1) IT1139664B (de)
NL (1) NL8005995A (de)
SE (2) SE8106377L (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3331631A1 (de) * 1982-09-01 1984-03-01 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Halbleiter-bauelement
DE3501985A1 (de) * 1984-01-23 1985-08-01 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Leistungshalbleitervorrichtung

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6165762U (de) * 1984-10-03 1986-05-06
JPH0770539B2 (ja) * 1985-02-01 1995-07-31 サンケン電気株式会社 トランジスタ
CH668505A5 (de) * 1985-03-20 1988-12-30 Bbc Brown Boveri & Cie Halbleiterbauelement.
JPH0654796B2 (ja) * 1986-07-14 1994-07-20 株式会社日立製作所 複合半導体装置
US4974260A (en) * 1989-06-02 1990-11-27 Eastman Kodak Company Apparatus for identifying and correcting unrecognizable characters in optical character recognition machines
GB2239986A (en) * 1990-01-10 1991-07-17 Philips Electronic Associated A semiconductor device with increased breakdown voltage
US6004840A (en) * 1994-04-15 1999-12-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of fabricating a semiconductor device comprising a MOS portion and a bipolar portion
EP0681319B1 (de) * 1994-04-15 2002-10-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung desselben
US6839305B2 (en) * 2001-02-16 2005-01-04 Neil Perlman Habit cessation aide

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2718644B1 (de) * 1977-04-27 1978-11-02 Itt Ind Gmbh Deutsche Monolithisch integrierte Halbleiterdiodenanordnung und deren Verwendung als Gehoerschutzgleichrichter
DE2913536A1 (de) * 1978-04-07 1979-10-18 Philips Nv Halbleiteranordnung

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2206353A1 (de) * 1971-02-11 1972-10-26 Motorola Inc., Franklin Park, 111. (V.StA.) Integrierter Transistor und Emitter-Kollektor-Diode
US3936863A (en) * 1974-09-09 1976-02-03 Rca Corporation Integrated power transistor with ballasting resistance and breakdown protection
JPS5138289U (de) * 1974-09-13 1976-03-22
FR2302594A1 (fr) * 1975-02-28 1976-09-24 Radiotechnique Compelec Dispositif semi-conducteur integre
US4017882A (en) * 1975-12-15 1977-04-12 Rca Corporation Transistor having integrated protection
JPS5559769A (en) * 1978-10-30 1980-05-06 Nec Corp Switching transistor
JPS5559767A (en) * 1978-10-30 1980-05-06 Hitachi Ltd Semiconductor device, method of fabricating the same and application thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2718644B1 (de) * 1977-04-27 1978-11-02 Itt Ind Gmbh Deutsche Monolithisch integrierte Halbleiterdiodenanordnung und deren Verwendung als Gehoerschutzgleichrichter
DE2913536A1 (de) * 1978-04-07 1979-10-18 Philips Nv Halbleiteranordnung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3331631A1 (de) * 1982-09-01 1984-03-01 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Halbleiter-bauelement
DE3501985A1 (de) * 1984-01-23 1985-08-01 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Leistungshalbleitervorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0336132U (de) 1991-04-09
AT386907B (de) 1988-11-10
ATA468281A (de) 1988-03-15
FR2493603A1 (fr) 1982-05-07
AU545211B2 (en) 1985-07-04
CA1173568A (en) 1984-08-28
JPS57106075A (en) 1982-07-01
DE3142644C2 (de) 1986-09-11
GB2086655B (en) 1984-04-18
US4530000A (en) 1985-07-16
GB2086655A (en) 1982-05-12
SE457395B (sv) 1988-12-19
IT1139664B (it) 1986-09-24
AU7699481A (en) 1982-05-13
IT8124803A0 (it) 1981-10-30
NL8005995A (nl) 1982-06-01
SE8106377L (sv) 1982-05-04
FR2493603B1 (fr) 1986-06-20

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