NL8005995A - Halfgeleiderinrichting. - Google Patents
Halfgeleiderinrichting. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8005995A NL8005995A NL8005995A NL8005995A NL8005995A NL 8005995 A NL8005995 A NL 8005995A NL 8005995 A NL8005995 A NL 8005995A NL 8005995 A NL8005995 A NL 8005995A NL 8005995 A NL8005995 A NL 8005995A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- zone
- emitter
- diode
- transistor
- base
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 57
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 208000004998 Abdominal Pain Diseases 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000002881 Colic Diseases 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
- H01L27/0744—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common without components of the field effect type
- H01L27/075—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. lateral bipolar transistor, and vertical bipolar transistor and resistor
- H01L27/0755—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
- H01L27/0761—Vertical bipolar transistor in combination with diodes only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/732—Vertical transistors
- H01L29/7325—Vertical transistors having an emitter-base junction leaving at a main surface and a base-collector junction leaving at a peripheral surface of the body, e.g. mesa planar transistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
Λ ♦ _ < k EHN 9877 1 N,V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
Halfgeleiderinrichting.
De uitvinding heeft betrekking qp een halfgeleiderinrichting bevattende een halfgeleiderlichaam net een bipolaire transistor bevattende een kollektorzone die gevormd wordt door althans een deel van een halfgeleidergebied van een eerste geleidingstype, een aan de kollektor-5 zone en aan een gedeeltelijk met een isolerende laag bedekt oppervlak van het halfgeleiderlichaam grenzende basiszone van het tweede, tegengestelde geleidingstype die via een basiskontaktvenster in de isolerende laag aansluit op een basismetallisering en een in de basiszone ingebedde emitterzone van het eerste geleidingstype die via een emitterkontaktven-10 ster in de isolerende laag aansluit op een emittermetallisering met een emitteraansluitelektrode die verbindbaar is met een aansluitgeleider, waarbij tussen de emitter en de kollektor van de transistor een diode geschakeld is waarvan een eerste zone gevormd wordt door een deel van het gebied van het eerste geleidingstype en waarvan de tweede zone van het 15 tweede geleidingstype aan het oppervlak grenst en aansluit op de emittermetallisering.
Een dergelijke halfgeleiderinrichting kan bijvoorbeeld als schakeltransistor dienen in schakelingen voor horizontale afbuiging in televisie-ontvangers. De tussen de emitter en de kollektor van de tran-20 sistor geschakelde diode - ook wel efficiency diode genoemd - dient hierbij in het bijzonder on de lineariteit van de schakeling te vergroten.
Uit de ter visie gelegde Nederlandse Octrooiaanvrage Nr.
78.03.706 is een halfgeleiderinrichting van de In de aanhef genoemde soort bekend waarbij de aan het oppervlak grenzende tweede zone van de 25 diode naast de transistor in het halfgeleiderlichaam is gelegen en aansluit qp een aparte tak van de emittermetallisering. De tweede zone van de diode en de basiszone van de transistor zijn een deel van eenzelfde halfgeleidergebied van het tweede geleidingstype. In dit gebied is tussen de tweede zone van de diode en de basiszone van de transistor een 30 scheidingsweerstand aangebracht die voorkcmt dat via dat halfgeleidergebied en via de onittermetallisering - die zowel met de tweede zone van de diode als met de emitterzone van de transistor verbonden is - de basis-emitter-overgang van de transistor althans plaatselijk praktisch wordt 8 0 05 9 9 5 t « / > EHN 9877 2 kortgesloten. ..........
Een bezwaar van de bekende beschreven halfgeleiderinrichting is, dat de diode en zijn scheidingsweerstand naast de transistor in het half-geleiderlichaam aanwezig zijn. Dit kost een deel van het oppervlak van 5 het halfgeleiderlichaam, dat nu niet benut kan worden voor de vorming van de transistor. Hierdoor is het vermogen dat door de transistor geschakeld kan worden kleiner dan wanneer dit oppervlak wel benut was voor de vorming van de transistor.
De uitvinding beoogt onder meer een halfgeleiderinrichting met 10 een bipolaire transistor en een efficiency diode van de beschreven soort te verschaffen waarbij genoemd bezwaar is ondervangen.
De uitvinding berust onder meer qp het inzicht, dat het beoogde doel kan worden bereikt door de diode qp te nemen in de trans is tor s truk-tuur.
15 Een halfgeleiderinrichting van de in de aanhef beschreven soort is volgens de uitvinding daardoor gekenmerkt, dat de tweede zone van de diode geheel door de eerste zone omgeven is en in projéktie geheel binnen de emitteraansluitelektrode is gelegen, waarbij de emitteraansluitelek-trode via een kontaktvenster in de isolerende laag qp de tweede zone aan-20 sluit. De diode is nu in zijn geheel onder de emitteraansluitelektrode aangebracht en daarmede opgencmen in de trans istorstruktuur. Dit kost geen extra deel van het oppervlak van het halfgeleiderlichaam, dat daarom optimaal benut kan worden voor de vorming van de transistor. De eerste zone van de diode is tassen de tweede zone van de diode en de basiszone 25 van de transistor aanwezig. Dit betekent dat tussen de tweede zone van de diode en de basiszone van de transistor in de bedrijfstoestand een gesperde p-n-overgang aanwezig is. Hierdoor is een kortsluiting van de ba-sisemitterovergang van de transistor via het halfgeleiderlichaam en de emittermetallisering voorkomen. De scheiding tussen de tweede zone van de 30 diode en de basiszone van de transistor is op deze wijze zeer efficiënt en kost bovendien zo weinig ruimte dat de diode samen met deze scheiding geheel onder de emitteraansluitelektrode kan worden aangebracht. Een scheidingsweerstand zoals in de bekende beschreven halfgeleiderinrichting is door de maatregel volgens de uitvinding geheel overbodig.
35 Een voorkeursuitvoering van de halfgeleiderinrichting volgens de uitvinding heeft als kenmerk, dat de rand van de tweede zone van de diode op een zo kleine afstand van de basiszone van de transistor is gelegen, dat in de bedrijf stoestand de uitputtingszones van de kollektor- 8 0 05 9 9 5
C
S N * EHN 9877 3 basis-overgang van de transistor en van de p-n-overgang van de diode in elkaar overgaan. Hierdoor is bereikt, dat de. aeguipotentiaalvlakken in het halfgeleidergebied van het eerste geleidingstype door de aanwezigheid van de diode praktisch niet verstoord worden. Hierdoor zou de door-5 slagspanning van de halfgeleider inrichting nadelig beïnvloed kunnen worden.
Een eenvoudig te maken halfgeleider inrichting van de in de aanhef beschreven soort heeft volgens de uitvinding als kenmerk, dat de tweede zone van de diode zich uitstrekt tot praktisch dezelfde diepte als 10 de basiszone van de transistor. De tweede zone van de diode en de basiszone van de transistor kunnen nu in één en dezelfde bewerking - bijvoorbeeld door diffusie - in het halfgeleiderlichaam worden gevormd. Hierdoor is het aantal extra processtappen dat nodig is voor de vervaardiging van een efficiency diode in de halfgeleider inrichting met transistor beperkt.
15 De uitvinding wordt in het navolgende bij wijze van voorbeeld, nader toegelicht aan de hand van de tekening. In de tekening toont: f ig. 1 schematisch een bovenaanzicht van een halfgeleider inrichting volgens de uitvinding, fig. 2 een dwarsdoorsnede van de half geleider inrichting volgens 20 de lijn ÏI-II in fig. 1, fig. 3 een dwarsdoorsnede van de halfgeleiderinrichting volgens de lijn III-III in fig. 1 en fig. 4 een dwarsdoorsnede van de halfgeleiderinrichting. volgens de lijn IV-IV in fig. 1.
25 De figuren zijn schematisch en niet op schaal getekend waarbij ter wille van de duidelijkheid, in de dwarsdoorsneden in het bijzonder de afmetingen in de dikterichting sterk zijn overdreven. Halfgeleiderzo-nes van hetzelfde geleidingstype zijn in dezelfde richting gearceerd; in de figuren zijn overeenkomstige delen met dezelfde verwijzingscijfers 30 aangeduid.
De halfgeleiderinrichting volgens de fig. 1 tot en met 4 bevat een halfgeleiderlichaam 1 met een bipolaire transistor. Het halfgeleiderlichaam 1, van een geschikt halfgeleidermateriaal zoals silicium bevat een halfgeleidergebied 2 van een eerste geleidingstype, in dit voorbeeld 35 n-type met een relatief lage doteringsconcentratie van circa 10 ”14 atomen per cc en met een dikte van bijvoorbeeld 90^um. Het halfgeleidergebied 2 is door middel van een n-type zone 3 met een relatief hoge doteringsconcentratie van bijvoorbeeld 1Q20 atomen per cc en met een dikte van bij- 8005995 EHN 9877 4 o voorbeeld 7^,mn met een elektrolaag 4 verbonden.
De bipolaire transistor bevat een koliektorzone die wordt gevormd door dat deel van het halfgeleidergebied 2 dat grenst aan een basiszone 5 van het tweede, tegengestelde geleidingstype - in dit voor-5 beeld dos p-type - met een dikte van bijvoorbeeld 30yUm. De basiszone 5 grenst qp zijn beurt weer aan een gedeeltelijk met een isolerende laag 6 - van bijvoorbeeld siliciumoxyde - bedekt qppervlak 7 van het halfgeleider lichaam 1. De basiszone 5 is door een basiskontaktvenster 8 in een isolerende laag 6 aangesloten op een basismetallisering 9 van bijvoorbeeld 10 aluminium waarvan in fig. 1 door middel van de stippellijnen 10 de randen zijn aangegeven. In de basiszone 5 is een emitterzone 11 van het eerste geleidingstype - hier dus n-type - met een dikte van bijvoorbeeld Ίjum ingebed die een aantal strookvormige emittergebieden 12 - ook wel emit-tervingers genoemd - bevat. De emitterzone 11 - met de emittervingers 12 15 - is via een emitterkontaktvenster 13 in de isolerende laag 6 verbonden met een emittermetallisering 14 waarvan in fig. 1 door middel van de stippellijn 15 de randen zijn aangegeven. De emittermetallisering 14 bevat een emitteraansluiteléktrode 16 die hier verbonden is met een duidelijkheidshalve slechts in fig. 3 aangegeven aansluitgeleider 17. De emitter-20 aansluitelektrode 16 bezit een relatief groot oppervlak ; in dit voorbeeld is deze strookvormig met in het midden een breedte van circa 500^um. Hierdoor is een kontaktering op een relatief groot oppervlak mogelijk, zodat de aansluitgeleider 17 bij massafabrikage van de halfgeleiderinrichting machinaal kan worden aangebracht.
25 De basiszone 5 en de emitterzone 11 met zijn emittervingers 12 vormen een p-n-overgang die aan het oppervlak 7 eindigt volgens een lijn die in fig. 1 met het verwijzingscijfer 18 is aangegeven.
Tussen de emitter en de kollektor van de transistor, dat wil zeggen tussen de emittermetallisering 14, 16 en de elektrodelaag 4 is een 30 diode geschakeld,, waarvan een eerste zone gevormd wordt door een deel 19 van het gebied van het eerste geleidingstype 2 en waarvan de tweede zone 20 van het tweede geleidingstype aan het oppervlak 7 grenst en aansluit op de anittermetallisering 14, 16.
Volgens de uitvinding is de tweede zone 20 van de diode geheel 35 door de eerste zone 19 omgeven en is deze in projéktie geheel binnen de emitteraansluiteléktrode 16 gelegen. De emitteraansluiteléktrode 16 is via een kontaktvenster 21 in de isolerende laag 6 op de tweede zone 20 aangesloten. De diode is hierdoor geheel onder de emitter aans luitelektro- 8 0 05 9 9 5 PHN 9877 5 * de 16 aangebracht. Dit kost geen extra deel van het oppervlak 7 van het halfgeleiderlichaam 1, dat daarati optimaal benut kan worden voor de vorming van de transistor 11, 12, 5 en 2. De eerste zone 19 van de diode is tussen de tweede zone 20 van de diode en de basiszone 5 van de transistor 5 aanwezig. Dit betekent dat tussen de tweede zone 20 en de basiszone 5 in de bedrijfstoestand een gesperde p-n-overgang aanwezig is. Hierdoor is een korsluiting van de basis-emitter-overgang van de transistor via het half geleiderlichaam en de emittenretallisering 14, 16 voorkomen. Deze scheiding tussen de tweede zone 20 en de basiszone 5 is zeer efficiënt 10 en kost bovendien zo weinig ruimte dat de diode 19, 20 samen met deze scheiding geheel onder de emitteraansluitelektrode 16 kan worden aangebracht.
De rand 22 van de tweede zone 20 van de diode is op een zo kleine afstand van de rand 23 van de basiszone 5 gelegen, dat in de bedrijfs-15 toestand de schematisch met stippellijnen 24 aangeduide uitputtings zones van de kollektor-basis-overgang (2, 5) van de transistor en van de p-n-overgang (19, 20) van de diode in elkaar overgaan. Hierdoor is bereikt, dat tijdens bedrijf de aeguipotentiaalvlakken in het halfgeleidergebied 2 van het eerste geleidingstype door de aanwezigheid van de diode 19, 20 20 praktisch niet verstoord worden. Hierdoor zou de doorslagspanning van de halfgeleider inrichting nadelig beïnvloed kunnen worden. De afstand tussen de randen 22 en 23 is hierbij circa 80^,um.
De tweede zone 20 van de diode strekt zich tot praktisch dezelfde diepte als de basiszone 5 van de transistor uit. Beide.zones 20 en 5 kunnen daarom in één en dezelfde bewerking bijvoorbeeld door diffusie worden gevormd. Hierdoor is het aantal extra processtappen dat nodig is voor de vervaardiging van de diode (19, 20) in de half geleider inrichting beperkt.
Cm doorslag aan de randen van het halfgeleiderlichaam 1 tegen 30 te gaan is dit op gebruikelijke wijze voorzien van een met passivatie- glas 25 gevulde groef 26 en een zogenaamde channel-stqpperzone 27 van het eerste geleidingstype met een diepte die vrijwel gelijk is aan die van de emittergebieden 11 en 12. Deze channel-stqpperzone 28 is door een kon- taktvenster 28 verbonden met een metallisering 29.
35
De in het voorgaande beschreven halfgeleiderinrichting kan geheel met behulp van in de halfgeleidertechniek gebruikelijke methoden worden vervaardigd.
Het zal verder duidelijk zijn dat de uitvinding niet beperkt 8005995 PHN 9877 6 is tot het gegeven uitvoeringsvoorbeeld van één enkele transistor op een halfgeleiderlichaam, maar dat binnen het kader van de uitvinding voor de vakman vele variaties mogelijk zijn. Zo kan de uitvinding worden toegepast op transistoren die deel uitmaken van een geïntegreerde schakeling 5 zoals bijvoorbeeld een darlington-schakeling. Zo kan in het uitvoerings-voorbeeld het geleidingstype van alle halfgeleiderzones en -gebieden (tegelijkertijd) door het tegengestelde type worden vervangen. Zo kan in plaats van silicium een ander halfgeleidermateriaal worden toegepast zoals germanium of een III-V-verbinding zoals galliumarsenide. Zo kan in 10 plaats van siliciumoxyde een andere/ bijvoorbeeld van organische lak vervaardigde, isolerende laag worden toegepast en zo kunnen in plaats van aluminium andere metalen zoals wolfram of chroom worden toegepast voor de metallisering.
15 20 25 30 35 8005585
Claims (3)
1. Halfgeleiderinrichting bevattende een halfgeleiderlichaam met . een bipolaire transistor bevattende een kollektorzone die gevonrd wordt door althans een deel van een halfgeleidergebied van een eerste geleidingstype, een aan de kollektorzone en aan een gedeeltelijk met een iso-5 lerende laag bedekt oppervlak van het halfgeleiderlichaam grenzende basiszone van het tweede, tegengestelde geleidingstype die via een basis-kontaktvenster in de isolerende laag aansluit op een basismetallisering en een in de basiszone ingebedde emitterzone van het eerste geleidingstype die via een emitterkontaktvenster in de isolerende laag aansluit op 10 een emittermetallisering met een emitteraansluitelèktrode die verbindbaar is met een aansluitgeleider, waarbij tussen de emitter en de kollék-tor van de transistor een diode geschakeld is waarvan een eerste zone gevormd wordt door een deel van het gebied van het eerste geleidingstype en waarvan de tweede zone van het tweede geleidingstype aan het oppervlak 15 grenst en aansluit op de emittermetallisering, met het kenmerk, dat de tweede zone van de diode geheel door de eerste zone cmgeven is en in pro-jektie geheel binnen de emitteraansluitelektrode is gelegen, waarbij de emitteraansluitelektrode via een kontaktvenster in de isolerende laag op de tweede zone aansluit. 20
2. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de rand van de tweede zone van de diode op een zo kleine afstand van de basiszone van de transistor is gelegen, dat in de bedrijfstoestand de uitputtingszones van de kollektor-basis-overgang van de transistor en van de p-n-overgang van de diode in elkaar, overgaan. 25
3. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 1 of 2, met het ken merk, dat de tweede zone van de diode zich uitstrekt tot praktisch dezelfde diepte als de basiszone van de transistor. 30 35 8005905
Priority Applications (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8005995A NL8005995A (nl) | 1980-11-03 | 1980-11-03 | Halfgeleiderinrichting. |
| US06/310,581 US4530000A (en) | 1980-11-03 | 1981-10-13 | Bipolar transistor with protective diode in collector |
| DE3142644A DE3142644C2 (de) | 1980-11-03 | 1981-10-28 | Halbleiteranordnung mit in einem Halbleiterkörper angeordneten Bipolartransistor und Diode |
| SE8106377D SE8106377L (sv) | 1980-11-03 | 1981-10-29 | Halvledaranordning |
| SE8106377A SE457395B (sv) | 1980-11-03 | 1981-10-29 | Halvledaranordning innefattande en halvledarkropp med en bipolaer transistor |
| CA000389056A CA1173568A (en) | 1980-11-03 | 1981-10-29 | Semiconductor device |
| AU76994/81A AU545211B2 (en) | 1980-11-03 | 1981-10-30 | Bipolar transistors |
| GB8132751A GB2086655B (en) | 1980-11-03 | 1981-10-30 | Bipolar transistor with integrated diode |
| FR8120434A FR2493603B1 (fr) | 1980-11-03 | 1981-10-30 | Dispositif semiconducteur |
| IT24803/81A IT1139664B (it) | 1980-11-03 | 1981-10-30 | Dispositivo semiconduttore |
| JP56173170A JPS57106075A (en) | 1980-11-03 | 1981-10-30 | Semiconductor device |
| AT0468281A AT386907B (de) | 1980-11-03 | 1981-11-02 | Halbleiteranordnung mit in einem hableiterkoerper angeordneten bipolartransistor und diode |
| JP1990087079U JPH0336132U (nl) | 1980-11-03 | 1990-08-22 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8005995 | 1980-11-03 | ||
| NL8005995A NL8005995A (nl) | 1980-11-03 | 1980-11-03 | Halfgeleiderinrichting. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8005995A true NL8005995A (nl) | 1982-06-01 |
Family
ID=19836098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8005995A NL8005995A (nl) | 1980-11-03 | 1980-11-03 | Halfgeleiderinrichting. |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4530000A (nl) |
| JP (2) | JPS57106075A (nl) |
| AT (1) | AT386907B (nl) |
| AU (1) | AU545211B2 (nl) |
| CA (1) | CA1173568A (nl) |
| DE (1) | DE3142644C2 (nl) |
| FR (1) | FR2493603B1 (nl) |
| GB (1) | GB2086655B (nl) |
| IT (1) | IT1139664B (nl) |
| NL (1) | NL8005995A (nl) |
| SE (2) | SE8106377L (nl) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3331631A1 (de) * | 1982-09-01 | 1984-03-01 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Halbleiter-bauelement |
| JPS60154552A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| JPS6165762U (nl) * | 1984-10-03 | 1986-05-06 | ||
| JPH0770539B2 (ja) * | 1985-02-01 | 1995-07-31 | サンケン電気株式会社 | トランジスタ |
| CH668505A5 (de) * | 1985-03-20 | 1988-12-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | Halbleiterbauelement. |
| JPH0654796B2 (ja) * | 1986-07-14 | 1994-07-20 | 株式会社日立製作所 | 複合半導体装置 |
| US4974260A (en) * | 1989-06-02 | 1990-11-27 | Eastman Kodak Company | Apparatus for identifying and correcting unrecognizable characters in optical character recognition machines |
| GB2239986A (en) * | 1990-01-10 | 1991-07-17 | Philips Electronic Associated | A semiconductor device with increased breakdown voltage |
| EP0681319B1 (en) * | 1994-04-15 | 2002-10-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6004840A (en) * | 1994-04-15 | 1999-12-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of fabricating a semiconductor device comprising a MOS portion and a bipolar portion |
| US6839305B2 (en) * | 2001-02-16 | 2005-01-04 | Neil Perlman | Habit cessation aide |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2206353A1 (de) * | 1971-02-11 | 1972-10-26 | Motorola Inc., Franklin Park, 111. (V.StA.) | Integrierter Transistor und Emitter-Kollektor-Diode |
| US3936863A (en) * | 1974-09-09 | 1976-02-03 | Rca Corporation | Integrated power transistor with ballasting resistance and breakdown protection |
| JPS5138289U (nl) * | 1974-09-13 | 1976-03-22 | ||
| FR2302594A1 (fr) * | 1975-02-28 | 1976-09-24 | Radiotechnique Compelec | Dispositif semi-conducteur integre |
| US4017882A (en) * | 1975-12-15 | 1977-04-12 | Rca Corporation | Transistor having integrated protection |
| DE2718644C2 (de) * | 1977-04-27 | 1979-07-12 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | Monolithisch' integrierte Halbleiterdiodenanordnung und deren Verwendung als Gehörschutzgleichrichter |
| NL184185C (nl) * | 1978-04-07 | 1989-05-01 | Philips Nv | Darlingtonschakeling met een geintegreerde halfgeleiderdiode. |
| JPS5559767A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-06 | Hitachi Ltd | Semiconductor device, method of fabricating the same and application thereof |
| JPS5559769A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-06 | Nec Corp | Switching transistor |
-
1980
- 1980-11-03 NL NL8005995A patent/NL8005995A/nl not_active Application Discontinuation
-
1981
- 1981-10-13 US US06/310,581 patent/US4530000A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-10-28 DE DE3142644A patent/DE3142644C2/de not_active Expired
- 1981-10-29 CA CA000389056A patent/CA1173568A/en not_active Expired
- 1981-10-29 SE SE8106377D patent/SE8106377L/xx not_active Application Discontinuation
- 1981-10-29 SE SE8106377A patent/SE457395B/sv not_active IP Right Cessation
- 1981-10-30 IT IT24803/81A patent/IT1139664B/it active
- 1981-10-30 JP JP56173170A patent/JPS57106075A/ja active Pending
- 1981-10-30 FR FR8120434A patent/FR2493603B1/fr not_active Expired
- 1981-10-30 AU AU76994/81A patent/AU545211B2/en not_active Ceased
- 1981-10-30 GB GB8132751A patent/GB2086655B/en not_active Expired
- 1981-11-02 AT AT0468281A patent/AT386907B/de not_active IP Right Cessation
-
1990
- 1990-08-22 JP JP1990087079U patent/JPH0336132U/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE8106377L (sv) | 1982-05-04 |
| AU545211B2 (en) | 1985-07-04 |
| IT1139664B (it) | 1986-09-24 |
| DE3142644A1 (de) | 1982-06-24 |
| ATA468281A (de) | 1988-03-15 |
| DE3142644C2 (de) | 1986-09-11 |
| JPH0336132U (nl) | 1991-04-09 |
| GB2086655B (en) | 1984-04-18 |
| JPS57106075A (en) | 1982-07-01 |
| SE457395B (sv) | 1988-12-19 |
| GB2086655A (en) | 1982-05-12 |
| AT386907B (de) | 1988-11-10 |
| IT8124803A0 (it) | 1981-10-30 |
| AU7699481A (en) | 1982-05-13 |
| FR2493603B1 (fr) | 1986-06-20 |
| CA1173568A (en) | 1984-08-28 |
| US4530000A (en) | 1985-07-16 |
| FR2493603A1 (fr) | 1982-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1044817A (en) | Integrated circuit and method for fabrication thereof | |
| US3373323A (en) | Planar semiconductor device with an incorporated shield member reducing feedback capacitance | |
| JPH098332A (ja) | モノリシックアセンブリ | |
| KR930004815B1 (ko) | 래치 엎을 방지한 Bi-CMOS 반도체 장치 | |
| NL8005995A (nl) | Halfgeleiderinrichting. | |
| JPH0358187B2 (nl) | ||
| US4156246A (en) | Combined ohmic and Schottky output transistors for logic circuit | |
| US3590345A (en) | Double wall pn junction isolation for monolithic integrated circuit components | |
| US4356503A (en) | Latching transistor | |
| US4649411A (en) | Gallium arsenide bipolar ECL circuit structure | |
| US4288807A (en) | Darlington circuit having an improved diode drain | |
| US5055905A (en) | Semiconductor device | |
| US4069494A (en) | Inverter circuit arrangements | |
| EP0041363B1 (en) | Schmitt trigger circuit with a hysteresis characteristic | |
| JPH11509048A (ja) | 抵抗素子が設けられている半導体デバイス | |
| US4125853A (en) | Integrated circuit transistor | |
| US4709159A (en) | Capacitance multiplier circuit | |
| US5350935A (en) | Semiconductor device with improved turn-off capability | |
| US4205333A (en) | Lateral transistor with multi-base contacts | |
| EP0081642A2 (en) | Multicellular thyristor | |
| US4595942A (en) | Integrated circuit | |
| JPS624864B2 (nl) | ||
| KR920003011B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| NL8702671A (nl) | Laterale hoogspanningstransistor. | |
| US5111268A (en) | Semiconductor device with improved turn-off capability |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |