JPH098332A - モノリシックアセンブリ - Google Patents
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- JPH098332A JPH098332A JP8160355A JP16035596A JPH098332A JP H098332 A JPH098332 A JP H098332A JP 8160355 A JP8160355 A JP 8160355A JP 16035596 A JP16035596 A JP 16035596A JP H098332 A JPH098332 A JP H098332A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 縦型の高速ダイオードと少なくとも１つの付
加的な縦型コンポーネントとのモノリシックアセンブリ
を提供する。 【解決手段】 一方の表面にはＮ+ 型の連続的な領域
（５）が形成され、他方の表面にはＰ+ 型の不連続な領
域（６）が形成されるＮ型の基板（１）によって高速ダ
イオードが形成される。アセンブリの下表面は単一のメ
タライゼーション（Ｃ）によって被覆される。他方の縦
型コンポーネントは、たとえばダイオードである。
加的な縦型コンポーネントとのモノリシックアセンブリ
を提供する。 【解決手段】 一方の表面にはＮ+ 型の連続的な領域
（５）が形成され、他方の表面にはＰ+ 型の不連続な領
域（６）が形成されるＮ型の基板（１）によって高速ダ
イオードが形成される。アセンブリの下表面は単一のメ
タライゼーション（Ｃ）によって被覆される。他方の縦
型コンポーネントは、たとえばダイオードである。
Description
【０００１】
【発明の分野】この発明は、少なくとも１つの縦型の高
速ダイオードと、少なくとも１つの他の縦型コンポーネ
ントであって支持体にはんだ付けされる均一のメタライ
ゼーションに対応する、縦型のダイオードと共通の端子
を有するもの、とを含む、半導体コンポーネントのモノ
リシックアセンブリに関する。
速ダイオードと、少なくとも１つの他の縦型コンポーネ
ントであって支持体にはんだ付けされる均一のメタライ
ゼーションに対応する、縦型のダイオードと共通の端子
を有するもの、とを含む、半導体コンポーネントのモノ
リシックアセンブリに関する。
【０００２】この発明は、より特定的には他方のコンポ
ーネントがダイオードであり、異なる速度のダイオード
が単一のモノリシックコンポーネントに集積されること
が所望される場合に関する。
ーネントがダイオードであり、異なる速度のダイオード
が単一のモノリシックコンポーネントに集積されること
が所望される場合に関する。
【０００３】
【関連技術の説明】たとえば、図１および図２に示され
るように、２つのダイオードＤ１およびＤ２は、末端子
ＡとＢおよび中間端子Ｃにアクセス可能であるよう直列
にアセンブルされることが多い。これらの直列のダイオ
ードは異なる機能を有する。図２に例示されるテレビ走
査回路の場合においては、ダイオードＤ１は高速変調ダ
イオード（すなわちオンからオフ状態へ迅速に切換わる
ダイオード）でなければならず、ダイオードＤ２はダン
ピング機能を有する。ダイオードＤ２は低い順方向電圧
降下と、オンにされたときの低電圧サージと、実際上は
０の逆電流とを従来的に有するはずである。加熱を避け
るようヒートシンク支持体上にダイオードがアセンブル
されてもよいように、モノリシックコンポーネントに形
成される２つのコンポーネントと、下表面のメタライゼ
ーションに対応する共通の端子Ｃとを有することが所望
される。
るように、２つのダイオードＤ１およびＤ２は、末端子
ＡとＢおよび中間端子Ｃにアクセス可能であるよう直列
にアセンブルされることが多い。これらの直列のダイオ
ードは異なる機能を有する。図２に例示されるテレビ走
査回路の場合においては、ダイオードＤ１は高速変調ダ
イオード（すなわちオンからオフ状態へ迅速に切換わる
ダイオード）でなければならず、ダイオードＤ２はダン
ピング機能を有する。ダイオードＤ２は低い順方向電圧
降下と、オンにされたときの低電圧サージと、実際上は
０の逆電流とを従来的に有するはずである。加熱を避け
るようヒートシンク支持体上にダイオードがアセンブル
されてもよいように、モノリシックコンポーネントに形
成される２つのコンポーネントと、下表面のメタライゼ
ーションに対応する共通の端子Ｃとを有することが所望
される。
【０００４】従来は、ダイオードＤ１およびＤ２の両方
は従来のＰＩＮ構成の形で実現され、固有の利点および
欠点を有する。それらは、低い逆漏れ電流と、それらを
通って流れる電流密度によって０．８から１．５ボルト
まで変化する順方向電圧降下とを有する。このため、Ｐ
ＩＮダイオードはダイオードＤ２のようなダイオードを
構成するためにうまく適合される。ダイオードＤ１に所
望される要件に対応し、かつ必要であればある程度まで
ダイオードＤ２に所望される要件にも対応する非常に速
いダイオードを得るためには、たとえば金または白金の
ような金属不純物の拡散によって、または重粒子の電子
放射によって、基板内に欠陥を生成しなければならな
い。
は従来のＰＩＮ構成の形で実現され、固有の利点および
欠点を有する。それらは、低い逆漏れ電流と、それらを
通って流れる電流密度によって０．８から１．５ボルト
まで変化する順方向電圧降下とを有する。このため、Ｐ
ＩＮダイオードはダイオードＤ２のようなダイオードを
構成するためにうまく適合される。ダイオードＤ１に所
望される要件に対応し、かつ必要であればある程度まで
ダイオードＤ２に所望される要件にも対応する非常に速
いダイオードを得るためには、たとえば金または白金の
ような金属不純物の拡散によって、または重粒子の電子
放射によって、基板内に欠陥を生成しなければならな
い。
【０００５】この最後の特徴、すなわち欠陥を生成する
必要性は、集積回路の単一のチップ上で、このようなプ
ロセスにさらされない他のコンポーネントとこれらの構
造に互換性を持たせることを困難にする。より特定的に
は、金拡散がダイオードの速度を増加させるよう用いら
れるとき、金の高拡散速度のために、金拡散の拡張を限
定することが実際には不可能である。
必要性は、集積回路の単一のチップ上で、このようなプ
ロセスにさらされない他のコンポーネントとこれらの構
造に互換性を持たせることを困難にする。より特定的に
は、金拡散がダイオードの速度を増加させるよう用いら
れるとき、金の高拡散速度のために、金拡散の拡張を限
定することが実際には不可能である。
【０００６】異なる速度を有する理想的なダイオードを
得るために、先行技術においてさまざまなトレードオフ
が試みられてきた。しかし、要件が厳密過ぎると、別個
のディスクリートなダイオードを用いなければならな
い。実際に、もし金または白金が迅速なダイオードを形
成するために用いられるならば、この拡散はコンポーネ
ント全体に拡がり、両ダイオードは最終的に同じ速度を
有することとなる。また、放射にさらされる区域を限定
することが困難である。
得るために、先行技術においてさまざまなトレードオフ
が試みられてきた。しかし、要件が厳密過ぎると、別個
のディスクリートなダイオードを用いなければならな
い。実際に、もし金または白金が迅速なダイオードを形
成するために用いられるならば、この拡散はコンポーネ
ント全体に拡がり、両ダイオードは最終的に同じ速度を
有することとなる。また、放射にさらされる区域を限定
することが困難である。
【０００７】
【発明の概要】この発明の目的は、縦型の高速ダイオー
ドを、他の縦型半導体素子、たとえばダンパダイオード
とアセンブリする新しいモノリシック構成を提供するこ
とである。
ドを、他の縦型半導体素子、たとえばダンパダイオード
とアセンブリする新しいモノリシック構成を提供するこ
とである。
【０００８】この発明の別の目的は、高速ダイオードお
よび他の半導体素子が、コンポーネントの下表面に対応
し、支持体にはんだ付けされ得る共通の電極を有するア
センブリを提供することである。
よび他の半導体素子が、コンポーネントの下表面に対応
し、支持体にはんだ付けされ得る共通の電極を有するア
センブリを提供することである。
【０００９】これらの目的を達成するために、この発明
は縦型の高速ダイオードと少なくとも１つの付加的な縦
型のコンポーネントをモノリシックにアセンブリし、高
速ダイオードは、その一方の表面にはＮ+ 型の連続した
領域が形成され、その他方の表面にはＰ+ 型の不連続な
領域が形成されるＮ型の基板によって形成され、アセン
ブリの下表面が単一のメタライゼーションによって被覆
されている。
は縦型の高速ダイオードと少なくとも１つの付加的な縦
型のコンポーネントをモノリシックにアセンブリし、高
速ダイオードは、その一方の表面にはＮ+ 型の連続した
領域が形成され、その他方の表面にはＰ+ 型の不連続な
領域が形成されるＮ型の基板によって形成され、アセン
ブリの下表面が単一のメタライゼーションによって被覆
されている。
【００１０】この発明の実施例によると、高速ダイオー
ドのＰ+ 型の不連続な領域がアセンブリの下表面にある
とき、高速ダイオードは分離壁で囲まれる。
ドのＰ+ 型の不連続な領域がアセンブリの下表面にある
とき、高速ダイオードは分離壁で囲まれる。
【００１１】この発明の実施例によると、他方の縦型コ
ンポーネントは接合ダイオードである。
ンポーネントは接合ダイオードである。
【００１２】この発明の実施例によると、他方の縦型コ
ンポーネントは第１のダイオードと同じ型のダイオード
であるが、異なった特徴を有する。たとえば２つのダイ
オードのＰ+ 型の不連続な領域は異なった割合を有す
る。
ンポーネントは第１のダイオードと同じ型のダイオード
であるが、異なった特徴を有する。たとえば２つのダイ
オードのＰ+ 型の不連続な領域は異なった割合を有す
る。
【００１３】この発明の実施例によると、モノリシック
アセンブリはさらに金属不純物の放射または拡散のよう
な、キャリア寿命減少プロセスの結果として生じる。
アセンブリはさらに金属不純物の放射または拡散のよう
な、キャリア寿命減少プロセスの結果として生じる。
【００１４】発明の、前述のおよび他の目的、特徴、局
面および利点は添付の図面と関連して読まれると、この
発明の以下の詳細な説明から明らかになるだろう。
面および利点は添付の図面と関連して読まれると、この
発明の以下の詳細な説明から明らかになるだろう。
【００１５】
【詳細な説明】図３は２つのダイオードＤ１およびＤ２
のアセンブリを表わし、図１におけるように、ダイオー
ドＤ１は高速ダイオードであり、そのアノードによって
ダイオードＤ２のカソードに接続される。アセンブリは
Ｎ型の基板１上に構成される。ダイオードＤ２は、その
上表面にＰ型の領域２を、かつその下表面に濃くドープ
されたＮ型領域３を含む従来のＰＩＮダイオードであ
る。図３の左部分はＰＮ接合とショットキーコンタクト
結合するダイオードを表わす。このようなダイオードは
Ｂ．Ｊ．バリガ（B. J. Baliga）によって説明されてい
る（ＩＥＥＥ電子デバイスレター、ＥＤＬ−５巻、第６
号の１９８４年６月（IEEE Electron DeviceLetters, v
ol. EDL-5, No.6, JUNE 1984 ））。これらのダイオー
ドは低い逆漏れ電流と、従来のＰＩＮダイオードより低
い順方向電圧降下の両方を有する。このダイオードは基
板の上表面にＮ+ 型のカソード領域５を含み基板の下表
面にアパーチャ７によって遮られたＰ+ 型の領域６を含
む。少なくともコンポーネントの周辺部に沿ったこのダ
イオードの周辺部は、たとえば基板の下および上表面か
らの深い拡散によって形成される濃くドープされたＰ型
の領域８によって囲まれる。コンポーネントの下表面は
ダイオードＤ１のアノードおよびダイオードＤ２のカソ
ードを構成するメタライゼーションＣによって被覆され
る。メタライゼーションは、領域６でオーミックコンタ
クトを、かつアパーチャ７に現われる基板Ｎの部分でシ
ョットキーコンタクトを形成する。領域２はメタライゼ
ーションＡによって被覆され、領域５はメタライゼーシ
ョンＢによって被覆される。メタライゼーションＡ、
Ｂ、Ｃは図１の端子Ａ、Ｂ、Ｃにそれぞれ対応する。コ
ンポーネントの上表面で、メタライゼーションＡおよび
Ｂに接触する領域の外部は、通常はシリコンオキサイド
層である絶縁層９によって被覆される。
のアセンブリを表わし、図１におけるように、ダイオー
ドＤ１は高速ダイオードであり、そのアノードによって
ダイオードＤ２のカソードに接続される。アセンブリは
Ｎ型の基板１上に構成される。ダイオードＤ２は、その
上表面にＰ型の領域２を、かつその下表面に濃くドープ
されたＮ型領域３を含む従来のＰＩＮダイオードであ
る。図３の左部分はＰＮ接合とショットキーコンタクト
結合するダイオードを表わす。このようなダイオードは
Ｂ．Ｊ．バリガ（B. J. Baliga）によって説明されてい
る（ＩＥＥＥ電子デバイスレター、ＥＤＬ−５巻、第６
号の１９８４年６月（IEEE Electron DeviceLetters, v
ol. EDL-5, No.6, JUNE 1984 ））。これらのダイオー
ドは低い逆漏れ電流と、従来のＰＩＮダイオードより低
い順方向電圧降下の両方を有する。このダイオードは基
板の上表面にＮ+ 型のカソード領域５を含み基板の下表
面にアパーチャ７によって遮られたＰ+ 型の領域６を含
む。少なくともコンポーネントの周辺部に沿ったこのダ
イオードの周辺部は、たとえば基板の下および上表面か
らの深い拡散によって形成される濃くドープされたＰ型
の領域８によって囲まれる。コンポーネントの下表面は
ダイオードＤ１のアノードおよびダイオードＤ２のカソ
ードを構成するメタライゼーションＣによって被覆され
る。メタライゼーションは、領域６でオーミックコンタ
クトを、かつアパーチャ７に現われる基板Ｎの部分でシ
ョットキーコンタクトを形成する。領域２はメタライゼ
ーションＡによって被覆され、領域５はメタライゼーシ
ョンＢによって被覆される。メタライゼーションＡ、
Ｂ、Ｃは図１の端子Ａ、Ｂ、Ｃにそれぞれ対応する。コ
ンポーネントの上表面で、メタライゼーションＡおよび
Ｂに接触する領域の外部は、通常はシリコンオキサイド
層である絶縁層９によって被覆される。
【００１６】ショットキーコンタクトを形成する例示の
メタライゼーションは、アルミニウムまたは、たとえば
白金、ニッケル、モリブデンまたはそれらの混合物また
は同じ機能を提供する他の金属のシリサイドを含む。上
表面のコンタクトについては、シリサイドはＴｉＷまた
はＴｉＮおよびアルミニウムのような、拡散バリアとし
て働く層によって被覆され得る。下表面のコンタクトに
ついては、最後の層ははんだ付けに耐えなければなら
ず、たとえばＮｉＡｕまたはＮｉＡｇである。もし始め
の層がシリサイドならば、拡散バリアとして働く中間層
が設けられてもよい。
メタライゼーションは、アルミニウムまたは、たとえば
白金、ニッケル、モリブデンまたはそれらの混合物また
は同じ機能を提供する他の金属のシリサイドを含む。上
表面のコンタクトについては、シリサイドはＴｉＷまた
はＴｉＮおよびアルミニウムのような、拡散バリアとし
て働く層によって被覆され得る。下表面のコンタクトに
ついては、最後の層ははんだ付けに耐えなければなら
ず、たとえばＮｉＡｕまたはＮｉＡｇである。もし始め
の層がシリサイドならば、拡散バリアとして働く中間層
が設けられてもよい。
【００１７】この構成は、下のメタライゼーションＣに
よって支持体上にはんだ付けされ得ることに注目すべき
である。実際に、たとえはんだ付けがコンポーネントの
横型部分に重なったとしても、Ｐ型の絶縁層８のため
に、この重なりは短絡回路を引き起こさない。
よって支持体上にはんだ付けされ得ることに注目すべき
である。実際に、たとえはんだ付けがコンポーネントの
横型部分に重なったとしても、Ｐ型の絶縁層８のため
に、この重なりは短絡回路を引き起こさない。
【００１８】図４は図２の回路を実現する構成を表わ
す。この場合において、ダイオードＤ２はチップの上表
面に接合端末を接続するＰ型の分離壁１０によって囲ま
れるウェルに形成される。ダイオードＤ２の下表面はＰ
型の領域１１によって被覆され、その上表面はメタライ
ゼーションＢによって被覆されるＮ型の領域１２を含
む。ダイオードＤ１は図３に例示されたダイオードと対
称であり、下表面にＮ+ 型の領域１４を、かつ上表面に
アパーチャ１６によって遮られ、メタライゼーションＡ
によって被覆されるＰ型の領域１５を含む。ダイオード
の下表面は均一のメタライゼーションＣによって被覆さ
れる。この場合において、分離壁１０の存在のために、
構成はいかなるリスクも招くことなしに支持体上にまた
はんだ付けされ得る。
す。この場合において、ダイオードＤ２はチップの上表
面に接合端末を接続するＰ型の分離壁１０によって囲ま
れるウェルに形成される。ダイオードＤ２の下表面はＰ
型の領域１１によって被覆され、その上表面はメタライ
ゼーションＢによって被覆されるＮ型の領域１２を含
む。ダイオードＤ１は図３に例示されたダイオードと対
称であり、下表面にＮ+ 型の領域１４を、かつ上表面に
アパーチャ１６によって遮られ、メタライゼーションＡ
によって被覆されるＰ型の領域１５を含む。ダイオード
の下表面は均一のメタライゼーションＣによって被覆さ
れる。この場合において、分離壁１０の存在のために、
構成はいかなるリスクも招くことなしに支持体上にまた
はんだ付けされ得る。
【００１９】図５は２つのショットキー／バイポーラ型
ダイオードをアセンブルする構成を表わす。図５の左部
分は図３の左部分に対応し、図５の右部分は図４の右部
分に対応する。異なった特徴を有するダイオードは各ダ
イオードの設計および構成を適当に選択することにより
得られる。実際に、（総面積が一定であれば）ショット
キーコンタクトを含む面積の増加またはそれらの注入を
最小にする拡散区域の設計は、ダイオードの速度を増加
させる。
ダイオードをアセンブルする構成を表わす。図５の左部
分は図３の左部分に対応し、図５の右部分は図４の右部
分に対応する。異なった特徴を有するダイオードは各ダ
イオードの設計および構成を適当に選択することにより
得られる。実際に、（総面積が一定であれば）ショット
キーコンタクトを含む面積の増加またはそれらの注入を
最小にする拡散区域の設計は、ダイオードの速度を増加
させる。
【００２０】上述の説明は、少なくとも１つがショット
キー／バイポーラ型である、２つのダイオードの選択が
いかにして異なった速度を有するダイオードを提供する
かを示した。さらに、欠陥（金属拡散または放射）の生
成は２つのダイオードの速度を増加させ、それらの間の
速度の差を維持するために達成され得る。
キー／バイポーラ型である、２つのダイオードの選択が
いかにして異なった速度を有するダイオードを提供する
かを示した。さらに、欠陥（金属拡散または放射）の生
成は２つのダイオードの速度を増加させ、それらの間の
速度の差を維持するために達成され得る。
【００２１】このように、この発明の根本的な局面は縦
型コンポーネントのアセンブリにあり、そのうち１つは
ショットキー／バイポーラダイオードであり、縦型の構
成の少なくとも一方はコンポーネントの下表面によるは
んだ付けを可能にするよう分離壁によって囲まれる。他
方の縦型コンポーネントで、ショットキー／バイポーラ
ダイオードでない方は、いかなる所望される縦型コンポ
ーネント、たとえばサイリスタであり得る。
型コンポーネントのアセンブリにあり、そのうち１つは
ショットキー／バイポーラダイオードであり、縦型の構
成の少なくとも一方はコンポーネントの下表面によるは
んだ付けを可能にするよう分離壁によって囲まれる。他
方の縦型コンポーネントで、ショットキー／バイポーラ
ダイオードでない方は、いかなる所望される縦型コンポ
ーネント、たとえばサイリスタであり得る。
【００２２】したがって、この発明の少なくとも１つの
例示的な実施例を説明したが、さまざまな代替、修正お
よび改善が当業者には容易に生ずるであろう。このよう
な代替、修正および改善は、この発明の精神および範囲
内に意図されるものである。したがって、前述の説明は
例としてされるだけであり、限定を意図するものではな
い。この発明は前掲の請求の範囲およびその均等物にお
いて規定されるように限定されるだけである。
例示的な実施例を説明したが、さまざまな代替、修正お
よび改善が当業者には容易に生ずるであろう。このよう
な代替、修正および改善は、この発明の精神および範囲
内に意図されるものである。したがって、前述の説明は
例としてされるだけであり、限定を意図するものではな
い。この発明は前掲の請求の範囲およびその均等物にお
いて規定されるように限定されるだけである。
【図１】この発明が実現しようとするアセンブリを表わ
す図である。
す図である。
【図２】この発明が実現しようとするアセンブリを表わ
す図である。
す図である。
【図３】図１に対応し、単一のコンポーネントとして別
のダイオードを有する高速ダイオードのこの発明に従っ
たアセンブリの第１の例の断面図である。
のダイオードを有する高速ダイオードのこの発明に従っ
たアセンブリの第１の例の断面図である。
【図４】図２に対応し、単一のコンポーネントとして別
のダイオードを有する高速ダイオードのこの発明に従っ
たアセンブリの第２の例の断面図である。
のダイオードを有する高速ダイオードのこの発明に従っ
たアセンブリの第２の例の断面図である。
【図５】別のダイオードを有する高速ダイオードのこの
発明に従ったアセンブリのさらなる例の断面図である。
発明に従ったアセンブリのさらなる例の断面図である。
１ Ｎ型の基板 ５ Ｎ+ 型の連続的な領域 ６ Ｐ+ 型の不連続な領域 １４ Ｎ+ 型の連続的な領域 １５ Ｐ+ 型の不連続な領域 Ｃ 単一のメタライゼーション
Claims (6)
- 【請求項１】 縦型の高速ダイオードと少なくとも１つ
の付加的な縦型コンポーネントとのモノリシックアセン
ブリであって、前記高速ダイオードは、その一方の表面
にはＮ+ 型の連続的な領域（５，１４）が形成され、そ
の他方の表面にはＰ+ 型の不連続な領域（６，１５）が
形成されるＮ型の基板（１）によって形成され、前記ア
センブリの下表面は単一のメタライゼーション（Ｃ）に
よって被覆される、モノリシックアセンブリ。 - 【請求項２】 前記高速ダイオードの前記Ｐ+ 型の不連
続な領域が前記アセンブリの下表面にあるとき、前記高
速ダイオードが分離壁（８）よって囲まれる、請求項１
に記載のモノリシックアセンブリ。 - 【請求項３】 他方の縦型コンポーネントが接合ダイオ
ードである、請求項１に記載のモノリシックアセンブ
リ。 - 【請求項４】 他方の縦型コンポーネントが第１のダイ
オードと同じ型のダイオードであるが異なった特徴を有
する、請求項１に記載のモノリシックアセンブリ。 - 【請求項５】 ２つのダイオードのＰ+ 型の不連続な領
域（６，１５）が異なった割合を有する、請求項４に記
載のモノリシックアセンブリ。 - 【請求項６】 前記モノリシックアセンブリが、金属不
純物の放射または拡散のような、キャリア寿命減少プロ
セスから結果として生じる、請求項１〜５のいずれかに
記載のモノリシックアセンブリ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9507737 | 1995-06-22 | ||
| FR9507737A FR2735907B1 (fr) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | Assemblage monolitique de composants semiconducteurs incluant une diode rapide |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098332A true JPH098332A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=9480446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8160355A Withdrawn JPH098332A (ja) | 1995-06-22 | 1996-06-21 | モノリシックアセンブリ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020020893A1 (ja) |
| EP (1) | EP0750346B1 (ja) |
| JP (1) | JPH098332A (ja) |
| DE (1) | DE69609905T2 (ja) |
| FR (1) | FR2735907B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10529709B2 (en) | 2016-01-05 | 2020-01-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Silicon carbide semiconductor device having high breakdown voltage and low on resistance |
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|---|---|---|---|---|
| JP2002289879A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Toshiba Corp | ダイオード |
| US7057256B2 (en) | 2001-05-25 | 2006-06-06 | President & Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
| US7442629B2 (en) | 2004-09-24 | 2008-10-28 | President & Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
| FR2832547A1 (fr) * | 2001-11-21 | 2003-05-23 | St Microelectronics Sa | Procede de realisation d'une diode schottky sur substrat de carbure de silicium |
| US8120023B2 (en) | 2006-06-05 | 2012-02-21 | Udt Sensors, Inc. | Low crosstalk, front-side illuminated, back-side contact photodiode array |
| US8519503B2 (en) | 2006-06-05 | 2013-08-27 | Osi Optoelectronics, Inc. | High speed backside illuminated, front side contact photodiode array |
| US8686529B2 (en) | 2010-01-19 | 2014-04-01 | Osi Optoelectronics, Inc. | Wavelength sensitive sensor photodiodes |
| US7709921B2 (en) | 2008-08-27 | 2010-05-04 | Udt Sensors, Inc. | Photodiode and photodiode array with improved performance characteristics |
| US7622753B2 (en) * | 2005-08-31 | 2009-11-24 | Stmicroelectronics S.A. | Ignition circuit |
| US9178092B2 (en) | 2006-11-01 | 2015-11-03 | Osi Optoelectronics, Inc. | Front-side illuminated, back-side contact double-sided PN-junction photodiode arrays |
| US8212327B2 (en) * | 2008-03-06 | 2012-07-03 | Sionyx, Inc. | High fill-factor laser-treated semiconductor device on bulk material with single side contact scheme |
| CN102217082B (zh) | 2008-09-15 | 2013-12-04 | Osi光电子股份有限公司 | 具有浅n+层的薄有源层鱼骨形光敏二极管及其制造方法 |
| DE102008049664B3 (de) * | 2008-09-30 | 2010-02-11 | Infineon Technologies Austria Ag | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers mit einem graduellen pn-Übergang |
| JP2010098189A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US8399909B2 (en) | 2009-05-12 | 2013-03-19 | Osi Optoelectronics, Inc. | Tetra-lateral position sensing detector |
| US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US8692198B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-04-08 | Sionyx, Inc. | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| CN103081128B (zh) | 2010-06-18 | 2016-11-02 | 西奥尼克斯公司 | 高速光敏设备及相关方法 |
| US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| WO2013010127A2 (en) | 2011-07-13 | 2013-01-17 | Sionyx, Inc. | Biometric imaging devices and associated methods |
| US9064764B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-06-23 | Sionyx, Inc. | Pixel isolation elements, devices, and associated methods |
| US8912615B2 (en) | 2013-01-24 | 2014-12-16 | Osi Optoelectronics, Inc. | Shallow junction photodiode for detecting short wavelength light |
| WO2014127376A2 (en) | 2013-02-15 | 2014-08-21 | Sionyx, Inc. | High dynamic range cmos image sensor having anti-blooming properties and associated methods |
| US9939251B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-10 | Sionyx, Llc | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
| WO2014209421A1 (en) | 2013-06-29 | 2014-12-31 | Sionyx, Inc. | Shallow trench textured regions and associated methods |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5635473A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | P-n junction type rectifying diode |
| JPS6074677A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Toshiba Corp | 複合型サイリスタ |
| JPS60219776A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | シリ−ズダイオ−ド |
| JPS62179756A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| FR2708145B1 (fr) * | 1993-07-21 | 1995-10-06 | Sgs Thomson Microelectronics | Composant monolithique comprenant une diode de protection en parallèle avec une pluralité de paires de diodes en série. |
-
1995
- 1995-06-22 FR FR9507737A patent/FR2735907B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-06-06 US US08/659,422 patent/US20020020893A1/en not_active Abandoned
- 1996-06-18 DE DE69609905T patent/DE69609905T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-18 EP EP96410074A patent/EP0750346B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-21 JP JP8160355A patent/JPH098332A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10529709B2 (en) | 2016-01-05 | 2020-01-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Silicon carbide semiconductor device having high breakdown voltage and low on resistance |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69609905T2 (de) | 2001-01-18 |
| EP0750346A1 (fr) | 1996-12-27 |
| FR2735907B1 (fr) | 1997-09-05 |
| US20020020893A1 (en) | 2002-02-21 |
| EP0750346B1 (fr) | 2000-08-23 |
| DE69609905D1 (de) | 2000-09-28 |
| FR2735907A1 (fr) | 1996-12-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030902 |