RU98104020A

RU98104020A - Оптический полупроводниковый элемент и способ его изготовления (варианты), оптический полупроводниковый элемент на основе ii оксида (варианты) и способ его изготовления (варианты)

Info

Publication number: RU98104020A
Application number: RU98104020/28A
Authority: RU
Inventors: Кавасаки Масаси; Коинума Хидеоми; Охтомо Акира; Сегава Юсабуро; Ясуда Такаси
Original assignee: Джапан Сайенс энд Текнолоджи Корпорейшн
Priority date: 1997-03-07
Filing date: 1998-03-05
Publication date: 2000-01-10

Claims

1. Оптический полупроводниковый элемент, отличающийся тем, что содержит пленку, содержащую ZnO, которая используется как светоизлучающий слой.

2. Оптический полупроводниковый элемент по п. 1, отличающийся тем, что межзеренные границы, существующие в тонкой пленке, выполнены с возможностью использования как резонаторов и создания лазерной генерации за счет экситона или электронно-дырочной плазмы.

3. Оптический полупроводниковый элемент по любому из пп. 1 и 2, отличающийся тем, что тонкая пленка является тонкой пленкой гексагональных ZnO нанокристаллов.

4. Оптический полупроводниковый элемент по п. 3, отличающийся тем, что тонкая пленка гексагональных кристаллов ZnO формируется за счет использования способа лазерной молекулярно-пучковой эпитаксии (МВЕ).

5. Оптический полупроводниковый элемент по п. 1, отличающийся тем, что содержит флуоресцентный слой, который выполнен с возможностью возбуждения ультрафиолетовым или синим излучением светоизлучающего слоя для генерации света и с возможностью получения излучения видимого света.

6. Способ изготовления оптического полупроводникового элемента, отличающийся тем, что тонкую пленку, содержащую ZnO, которую используют как светоизлучающий слой, формируют на подложке с-поверхности сапфира за счет лазерной молекулярно-пучковой эпитаксии.

7. Способ изготовления оптического полупроводникового элемента, отличающийся тем, что формирование тонкой пленки, содержащей ZnO, на подложке с-поверхности сапфира осуществляют за счет двух отдельных стадий формирования ядер, когда определяется размер и плотность нанокристаллов, и выращивания ядер.

8. Оптический полупроводниковый элемент на основе II-оксида, отличающийся тем, что содержит тонкую пленку оксида цинка, содержащую магний в состоянии твердого раствора и смешанной фазы.

9. Оптический полупроводниковый элемент по п. 8, отличающийся тем, что используется модуляция полосы тонкой пленки оксида цинка, зависящая от наличия магния в состоянии твердого раствора или смешанной фазы.

10. Оптический полупроводниковый элемент на основе II-оксида, отличающийся тем, что содержит пленку оксида цинка, содержащую кадмий в состоянии твердого раствора или смешанной фазы.

11. Оптический полупроводниковый элемент по п. 9, отличающийся тем, что используется модуляция полосы тонкой пленки оксида цинка, зависящая от наличия кадмия в состоянии твердого раствора или смешанной фазы.

12. Оптический полупроводниковый элемент по любому из пп. 8 и 9, отличающийся тем, что содержит флуоресцентный слой, который выполнен с возможностью возбуждения ультрафиолетовым или синим излучением светоизлучающего слоя для генерации видимого света, и с возможностью получения цветного изображения или освещения.

13. Оптический полупроводниковый элемент по любому из пп. 8 и 9, отличающийся тем, что имеет двойную гетероструктуру, в которой тонкая пленка оксида цинка, служащая как светоизлучающий слой, располагается между тонкими пленками оксида цинка, каждая из которых содержит магний в состоянии твердого раствора и служит как локализатор носителей и оболочка.

14. Способ изготовления оптического полупроводникового элемента на основе II-оксида, отличающийся тем, что тонкую пленку оксида цинка, содержащую магний в состоянии твердого раствора, формируют на подложке за счет лазерной молекулярно-пучковой эпитаксии.

15. Способ изготовления оптического полупроводникового элемента на основе II-оксида, отличающийся тем, что тонкую пленку оксида цинка, содержащую кадмий в состоянии твердого раствора, формируют на подложке за счет лазерной молекулярно-пучковой эпитаксии.

16. Оптический полупроводниковый элемент, отличающийся тем, что содержит тонкую пленку AlCuO₂, которая используется как промежуточный слой, расположенный между слоем оксида цинка р-типа и электродом.