RU98101113A

RU98101113A - Корпус для монтажа кристалла интегральной схемы и способ ее монтажа

Info

Publication number: RU98101113A
Application number: RU98101113/28A
Authority: RU
Inventors: Уэсли Макквэрри Стефен; Расселл Сторр Уэйн; Уоррен Уилсон Джеймс
Original assignee: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн
Priority date: 1997-01-15
Filing date: 1998-01-14
Publication date: 1999-10-10

Claims

1. Корпус для монтажа кристалла интегральной схемы на схемную плату или что-либо подобное, включающий кристаллодержатель, содержащий металлическую подложку и имеющий первую и вторую противоположные лицевые поверхности, отличающийся тем, что содержит диэлектрическое покрытие, по крайней мере, на одной из лицевых поверхностей толщиной менее чем около 20 микрон, электрические схемы, расположенные на диэлектрическом покрытии, имеющие монтажные площадки кристалла, контактные площадки и схемные дорожки, соединяющие монтажные площадки кристалла с контактными площадками, кристалл интегральной схемы, смонтированный на одной лицевой поверхности подложки, причем кристалл интегральной схемы имеет контакты ввода-вывода, электрические соединения, соединяющие контакты ввода-вывода на интегральной схеме с монтажными площадками кристалла, и электрические выводы, отходящие от контактных площадок для выдачи сигналов ввода-вывода на кристалл интегральной схемы и из него.

2. Корпус по п. 1, отличающийся тем, что материалом диэлектрического покрытия является полиимид.

3. Корпус по п. 1 или 2, отличающийся тем, что кристалл интегральной схемы соединен с монтажными площадками кристалла проволочными соединениями или межсоединениями, полученными путем монтажа методом перевернутого кристалла.

4. Корпус по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что металлическая подложка включает в себя слой меди, а кристалл интегральной схемы имеет толщину не более, чем около 20 милc (508 мкм).

5. Корпус по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что диэлектрик имеет диэлектрическую постоянную от около 3,5 до около 4,0.

6. Корпус по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что толщина слоя диэлектрика не превышает около 6 микрон.

7. Корпус по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что металлическая подложка выполнена из меди, плакированной хромом.

8. Корпус по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что диэлектрик нанесен на обеих лицевых поверхностях подложки, а электрические схемы выполнены на обеих лицевых поверхностях подложки, и на обеих лицевых поверхностях подложки смонтирован кристалл интегральной схемы.

9. Корпус по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что к кристаллодержателю прикреплен теплоотвод.

10. Корпус по п. 9, отличающийся тем, что теплоотвод прикреплен к поверхности подложки, на которой прикреплен кристалл.

11. Корпус по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что к электрическим выводам прикреплена схемная плата или что-либо подобное.

12. Способ монтажа кристалла интегральной схемы, заключающийся в том, что обеспечивают наличие кристаллодержателя, включающего в себя металлическую подложку и имеющего первую и вторую противоположные поверхности, отличающийся тем, что наносят диэлектрическое покрытие, по крайней мере, на одну из лицевых поверхностей толщиной менее чем около 20 микрон, обеспечивают наличие электрических схем на диэлектрическом покрытии, имеющих монтажные площадки кристалла, контактные площадки и схемные дорожки, соединяющие монтажные площадки кристалла с контактными площадками, обеспечивают наличие кристалла интегральной схемы, имеющего контакты ввода-вывода, монтируют кристалл интегральной схемы на одной лицевой поверхности с электрическими соединениями, соединяющими контакты ввода-вывода с монтажными площадками кристалла, соединяют электрические выводы из контактных площадок для выдачи сигналов ввода-вывода на кристалл интегральной схемы и из него.