RU97120995A - Способ изготовления термоэлектрического модуля - Google Patents

Способ изготовления термоэлектрического модуля

Info

Publication number
RU97120995A
RU97120995A RU97120995/28A RU97120995A RU97120995A RU 97120995 A RU97120995 A RU 97120995A RU 97120995/28 A RU97120995/28 A RU 97120995/28A RU 97120995 A RU97120995 A RU 97120995A RU 97120995 A RU97120995 A RU 97120995A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
contacts
substrate
matrix
thermoelectric
named
Prior art date
Application number
RU97120995/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2154325C2 (ru
Inventor
Маегава Нобутеру
Окада Нироаки
Цузаки Мичимаса
Сакаи Иури
Шимода Кацуиоши
Комацу Теруаки
Мюрасе Шиния
Инуе Хироики
Сагава Масауики
Original Assignee
Мацушита Электрик Уорк, Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP8157675A external-priority patent/JPH09321354A/ja
Priority claimed from JP15767796A external-priority patent/JP3956405B2/ja
Priority claimed from JP8133997A external-priority patent/JPH09321352A/ja
Priority claimed from JP8133996A external-priority patent/JPH09321351A/ja
Application filed by Мацушита Электрик Уорк, Лтд. filed Critical Мацушита Электрик Уорк, Лтд.
Publication of RU97120995A publication Critical patent/RU97120995A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2154325C2 publication Critical patent/RU2154325C2/ru

Links

Claims (37)

1. Способ изготовления термоэлектрического модуля, при котором названный модуль изготовляют из множества термоэлектрических кристаллов, образующих матрицу между первой и второй подложками, выполненными из диэлектрика, отличающийся тем, что матрицу включают последовательно в электрическую цепь таким образом, чтобы нагревать поверхность первой подложки и охлаждать поверхность второй подложки в результате действия электротермического эффекта Пельтье, возникающего в термоэлектрических кристаллах, при этом в названном способе применяют множество продолговатых термоэлектрических брусков р-типа и n-типа, которые разделяют на названные термоэлектрические кристаллы, и первую токопроводящую подложку со множеством первых контактов, образующих матрицу, при этом соседние первые контакты, образующие ряд матрицы, взаимосвязаны соответственно горизонтальными перемычками, в то время как в направлении расположения колонки эти названные первые контакты разделены между собой; при этом названный способ включает следующие этапы: соединяют названную первую токопроводящую плату с названной первой подложкой для фиксации первой проводящей платы с помощью названной первой подложки; размещают множество названных продолговатых термоэлектрических брусков р-типа и n-типа на названных первых контактах по названным рядам таким образом, чтобы по направлению расположения колонки матрицы бруски р-типа чередовались с брусками n-типа с интервалом между ними; соединяют одну грань каждого термоэлектрического бруска с названными первыми контактами, образующими ряд; режут каждый продолговатый термоэлектрический брусок на названные термоэлектрические кристаллы, а также одновременную режут названные горизонтальные перемычки, чтобы распределить получаемые термоэлектрические кристаллы по индивидуальным первым контактам; размещают множество вторых контактов на названных кристаллах напротив первых контактов для получения последовательно включенного электрического контура, состоящего из названных кристаллов в сочетании с названными первыми контактами, и соединяют вторые подложки, в которых установлены названные вторые контакты, с названной первой подложкой для образования между ними соединения.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что названную первую подложку изготовляют из керамического материала, на котором установлена названная первая токопроводящая плата.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что названную первую подложку изготовляют из диэлектрического пластика, в который залита названная первая токопроводящая плата, при этом названные первые контакты выходят на одну сторону названной первой подложки.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что названный термоэлектрический брусок выполняют с противолежащими верхней и нижней гранями, с противолежащими боковыми гранями и противолежащими торцами, при этом названный термоэлектрический брусок имеет плоскости спайности, проходящие, в основном, вдоль названных противолежащих боковых граней, названные верхняя и нижняя грани расположенные, в основном, перпендикулярно названным плоскостям спайности, соединены соответственно с названными первыми и вторыми контактами.
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что операцию резки названных термоэлектрических брусков осуществляют в перпендикулярном направлении, относительно названных плоскостей спайности.
6. Способ по п. 2, отличающийся тем, что множество названных термоэлектрических брусков с помощью диэлектрика, ранее нанесенного на названные первые контакты, соединяют в единую структуру.
7. Способ по п. 2, отличающийся тем, что названные горизонтальные перемычки, после их размещения на названной первой подложке, фиксируют на некотором расстоянии от противоположной стороны названной первой подложки, чтобы осталось свободное пространство.
8. Способ по п. 2, отличающийся тем, что названную первую подложку изготавливают из оксида алюминия и названную первую токопроводящую плату изготавливают из меди или медного сплава, чтобы названные первые контакты и названные горизонтальные перемычки изготавливались как единое целое, названную первую токопроводящую плату соединяют с названной первой подложкой методом прямого соединения меди.
9. Способ по п. 8, отличающийся тем, что названную первую токопроводящую плату выполняют как единую структуру, в состав которой входит рамка, окружающая матрицу первых контактов и соединенная с ней воедино, при этом помимо названных первых контактов названную рамку соединяют методом прямого соединения с названной первой подложкой.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что толщину названной рамки выбирают меньше толщины названных первых контактов.
11. Способ по п. 2, отличающийся тем, что названную первую токопроводящую плату соединяют с каждой из противоположных сторон названной первой подложки для того, чтобы матрица названных термоэлектрических кристаллов была образована первыми контактами каждой названной первой токопроводящей платы для создания двух цепей последовательно соединенных названных термоэлектрических кристаллов, при этом названные первые токопроводящие платы с противоположных сторон первой подложки снабжают электрическими выводами, способными компенсировать температурные расширения, которые расположены с одного конца первой подложки в непосредственной близости друг к другу, таким образом, что две цепи последовательно включенных элементов соединяются друг с другом посредством этих электрических выводов, способных компенсировать температурные расширения.
12. Способ по п. 1, отличающийся тем, что названную первую токопроводящую плату выполняют как единое целое с матрицей первых контактов и перемычками, обеспечивающими неразъемное соединение первых контактов, названных перемычек, состоящих из названных горизонтальных перемычек, обеспечивающих соединение первых контактов вдоль направления распространения ряда матрицы, и вертикальных перемычек, обеспечивающих соединение двух соседних первых контактов, расположенных парами в направлении распространения колонки матрицы, при этом названные пары первых контактов выполняют взаимосвязанными названными вертикальными перемычками в одну колонку матрицы со смещением относительно пар взаимосвязанных первых контактов в соседних колонках матрицы таким образом, что первые контакты матрицы взаимосвязаны названными горизонтальными и вертикальными перемычками, при этом толщина названных горизонтальных и вертикальных перемычек меньше толщины названных первых контактов.
13. Способ по п. 8, отличающийся тем, что названные горизонтальные перемычки выполняют с углублением для поглощения температурных напряжений, возникающих на первой токопроводящей плате, когда названная первая токопроводящая плата соединяется с первой подложкой.
14. Способ по п. 12, отличающийся тем, что названная вертикальная перемычка образует углубление по отношению к соседним первым контактам для поглощения температурных напряжений, возникающих в первых контактах.
15. Способ по п.12, отличающийся тем, что названную первую токопроводящую плату выполняют в виде двух матриц названных первых контактов, при этом названные матрицы разделяют прорезью в названной первой токопроводящей плате в направлении распространения ряда.
16. Способ по п. 12, отличающийся тем, что названные горизонтальные бруски уменьшенной толщины выполняют заподлицо с верхней поверхностью соседних первых контактов, на которые устанавливают названный термоэлектрический брусок таким образом, чтобы в ряду матрицы образовать углубление, открытое книзу, между соседними первыми контактами.
17. Способ по п. 12, отличающийся тем, что названные вертикальные бруски уменьшенной толщины выполняют заподлицо с нижней поверхностью соседних первых контактов, с которыми соединяется названная первая подложка таким образом, чтобы образовать углубление, открытое кверху, между соседними первыми контактами.
18. Способ по п. 3, отличающийся тем, что названную первую токопроводящую плату выполняют как единое целое с матрицей первых контактов и перемычками, обеспечивающими неразъемное соединение первых контактов названных перемычек, состоящих из названных горизонтальных перемычек, обеспечивающих соединение первых контактов вдоль направления распространения ряда матрицы, и вертикальных перемычек, обеспечивающих соединение двух соседних первых контактов, расположенных парами в направлении распространения колонки матрицы, при этом названные пары первых контактов выполняют взаимосвязанными названными вертикальными перемычками в одну колонку матрицы со смещением относительно пар взаимосвязанных первых контактов в соседних колонках матрицы таким образом, что первые контакты матрицы взаимосвязаны названными горизонтальными и вертикальными перемычками, при этом названный пластик образует между рядами первых контактов, а также между соседними парами первых контактов, расположенных вдоль колонки матрицы, промежутки, заполненные первой подложкой.
19. Способ по п. 12, отличающийся тем, что названную первую токопроводящую плату выполняют как единое целое с электрическим выводом для подключения к внешнему источнику тока, помимо названных первых контактов и названных горизонтальных и вертикальных перемычек.
20. Способ по п. 19, отличающийся тем, что названный электрический вывод через множество удаляемых соединений на разных участках матрицы имеет неразъемное соединение с матрицей первых контактов так, что количество термоэлектрических кристаллов, включенных последовательно, может изменяться по выбору путем сохранения одного соединения, после удаления всех остальных.
21. Способ по п. 12, отличающийся тем, что названную первую токопроводящую плату выполняют как единое целое, включая рамку, которая охватывает матрицу названных контактов и взаимосвязана с ней.
22. Способ по п. 21, отличающийся тем, что названную рамку тоньше первых контактов и выполняют заподлицо с нижней поверхностью первых контактов, на которой первые контакты соединяют с названной первой подложкой.
23. Способ по п. 21, отличающийся тем, что в названной рамке предусматривают участок для установки на него температурного датчика для термоэлектрического модуля.
24. Способ по п. 3, отличающийся тем, что названные первые контакты выполняют выходящими на противоположные стороны первой литой пластиковой подложки, при этом сохраняются достаточно равные расстояния от первых контактов до первой подложки.
25. Способ по п.2, отличающийся тем, что вторые контакты выполняют как единое целое со второй токопроводящей платой, которую заливают во вторую плату из диэлектрического пластика.
26. Способ по п. 3, отличающийся тем, что названные вторые контакты выполняют как единое целое со второй токопроводящей платой, которую устанавливают на второй керамической подложке.
27. Способ по п. 1, отличающийся тем, что названные вторые контакты выполняют как единое целое со второй токопроводящей платой, конфигурацию которой выполняют идентично конфигурации первой токопроводящей платы.
28. Способ по п. 1, отличающийся тем, что поверхность названного термоэлектрического бруска, соединенная с первыми контактами, покрывают наплавкой из, по крайней мере, одного материала, выбранного из группы, в состав которой входят: Sn, Bi, Ag и Au.
29. Способ по п. 1, отличающийся тем, что поверхность названного термоэлектрического бруска, соединенная с первыми контактами, покрывают наплавкой из меди.
30. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между первой и второй подложками устанавливают узел уплотнения для герметизации цепи последовательно соединенных термоэлектрических кристаллов и связанных с ними первых и вторых контактов.
31. Способ по п. 30, отличающийся тем, что названные вторые контакты выполняют как единое целое со второй токопроводящей платой, при этом каждую из названных первой и второй токопроводящих плат выполняют как единое целое, включая первую и вторую рамки, которые окружают каждую матрицу первых и вторых контактов, при этом первую и вторую рамки соединяют с противоположными сторонами названного узла уплотнения.
32. Способ по п.31, отличающийся тем, что на противоположные поверхности названного узла уплотнения наносят покрытие для сварки, соответственно для названных первой и второй рамок первой и второй токопроводящих плат.
33. Способ по п. 30, отличающийся тем, что названный узел уплотнения отливают вместе с одной из подложек (первой или второй), которую изготовляют из диэлектрического пластика.
34. Способ по п. 30, отличающийся тем, что названные вторые контакты выполняют как единое целое со второй токопроводящей платой, при этом каждая из названных первой и второй токопроводящих плат включает электрический вывод для подключения к внешнему источнику тока, расположенный снаружи названного узла уплотнения.
35. Способ по п.11, отличающийся тем, что вторые контакты соединяют с термоэлектрическими кристаллами на первых контактах каждой из противоположных сторон названной первой керамической подложки, при этом названный второй контакт заливают во вторую подложку из диэлектрического пластика.
36. Способ по п. 35, отличающийся тем, что каждый из названных вторых подложек из диэлектрического пластика отливают как единое целое, включая узел уплотнения, окружающий цепь из термоэлектрических кристаллов на названной первой подложке, при этом названный узел уплотнения устанавливают между первой подложкой и каждой из вторых подложек таким образом, чтобы закрепить периметр первой подложки между противолежащими узлами уплотнения.
37. Способ по п. 1, отличающийся тем, что ширину термоэлектрического бруска выполняют меньшим соответствующей ширины названных первых контактов.
RU97120995/28A 1996-05-28 1997-05-27 Способ изготовления термоэлектрического модуля RU2154325C2 (ru)

Applications Claiming Priority (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPP08-133996 1996-05-28
JPP08-133997 1996-05-28
JPP08-157675 1996-05-28
JP8157675A JPH09321354A (ja) 1996-05-28 1996-05-28 金属パターンプレート
JP15767796A JP3956405B2 (ja) 1996-05-28 1996-05-28 熱電モジュールの製造方法
JP8133997A JPH09321352A (ja) 1996-05-28 1996-05-28 熱電モジュール
JPPO8-133996 1996-05-28
JPPO8-157675 1996-05-28
JPP08-157677 1996-05-28
JPPO8-157677 1996-05-28
JP8133996A JPH09321351A (ja) 1996-05-28 1996-05-28 電極プレート
JPPO8-133997 1996-05-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU97120995A true RU97120995A (ru) 2000-01-10
RU2154325C2 RU2154325C2 (ru) 2000-08-10

Family

ID=27471796

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU97120995/28A RU2154325C2 (ru) 1996-05-28 1997-05-27 Способ изготовления термоэлектрического модуля

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5950067A (ru)
EP (1) EP0843366B1 (ru)
CN (1) CN1104746C (ru)
DE (1) DE69735589T2 (ru)
RU (1) RU2154325C2 (ru)
WO (1) WO1997045882A1 (ru)

Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0827215A3 (en) * 1996-08-27 2000-09-20 Kubota Corporation Thermoelectric modules and thermoelectric elements
KR100299411B1 (ko) * 1997-01-09 2001-09-06 이마이 기요스케 열전재료로제조된잉곳플레이트
JP3982080B2 (ja) 1997-12-05 2007-09-26 松下電工株式会社 熱電モジュールの製造法と熱電モジュール
JP3255629B2 (ja) * 1999-11-26 2002-02-12 モリックス株式会社 熱電素子
JP3462469B2 (ja) * 2000-12-15 2003-11-05 Smc株式会社 円形冷却プレート用異形サーモモジュール及びそれを用いた円形冷却プレート
US6623514B1 (en) * 2001-08-01 2003-09-23 Origin Medsystems, Inc. Method of cooling an organ
JP4161572B2 (ja) * 2001-12-27 2008-10-08 ヤマハ株式会社 熱電モジュール
JP3804629B2 (ja) * 2002-04-25 2006-08-02 ヤマハ株式会社 熱電装置用パッケージ
WO2004049463A1 (en) * 2002-11-25 2004-06-10 Nextreme Thermal Solutions Trans-thermoelectric device
US7205675B2 (en) * 2003-01-29 2007-04-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-fabricated device with thermoelectric device and method of making
US7399681B2 (en) * 2003-02-18 2008-07-15 Corning Incorporated Glass-based SOI structures
US7176528B2 (en) * 2003-02-18 2007-02-13 Corning Incorporated Glass-based SOI structures
US6967149B2 (en) * 2003-11-20 2005-11-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Storage structure with cleaved layer
US20060000215A1 (en) * 2004-07-01 2006-01-05 Kremen Stanley H Encapsulated radiometric engine
US7531739B1 (en) 2004-10-15 2009-05-12 Marlow Industries, Inc. Build-in-place method of manufacturing thermoelectric modules
US7587901B2 (en) 2004-12-20 2009-09-15 Amerigon Incorporated Control system for thermal module in vehicle
CN100405625C (zh) * 2005-07-18 2008-07-23 财团法人工业技术研究院 制作微型热电元件的方法及其整合热电元件的结构
US20070101737A1 (en) 2005-11-09 2007-05-10 Masao Akei Refrigeration system including thermoelectric heat recovery and actuation
US20070264796A1 (en) * 2006-05-12 2007-11-15 Stocker Mark A Method for forming a semiconductor on insulator structure
US8222511B2 (en) 2006-08-03 2012-07-17 Gentherm Thermoelectric device
US20080087316A1 (en) 2006-10-12 2008-04-17 Masa Inaba Thermoelectric device with internal sensor
DE102007063616B4 (de) * 2007-02-26 2014-05-22 Micropelt Gmbh Verfahren zum Herstellen von thermoelektrischen Bauelementen und thermoelektrische Bauelemente
US20090000652A1 (en) * 2007-06-26 2009-01-01 Nextreme Thermal Solutions, Inc. Thermoelectric Structures Including Bridging Thermoelectric Elements
EP2181460A4 (en) 2007-08-21 2013-09-04 Univ California NANOSTRUCTURES WITH THERMOELECTRIC HIGH PERFORMANCE CHARACTERISTICS
WO2009036077A1 (en) 2007-09-10 2009-03-19 Amerigon, Inc. Operational control schemes for ventilated seat or bed assemblies
JP5225056B2 (ja) * 2008-01-29 2013-07-03 京セラ株式会社 熱電モジュール
KR20170064568A (ko) 2008-02-01 2017-06-09 젠썸 인코포레이티드 열전 소자용 응결 센서 및 습도 센서
AU2009270757B2 (en) 2008-07-18 2016-05-12 Gentherm Incorporated Climate controlled bed assembly
RU2402111C2 (ru) 2008-07-18 2010-10-20 Общество С Ограниченной Ответственностью Научно-Производственное Объединение "Кристалл" Кристаллическая пластина, прямоугольный брусок, компонент для производства термоэлектрических модулей и способ получения кристаллической пластины
TWI405361B (zh) * 2008-12-31 2013-08-11 Ind Tech Res Inst 熱電元件及其製程、晶片堆疊結構及晶片封裝結構
US20100243018A1 (en) * 2009-03-27 2010-09-30 California Institute Of Technology Metallization for zintl-based thermoelectric devices
US8525016B2 (en) * 2009-04-02 2013-09-03 Nextreme Thermal Solutions, Inc. Thermoelectric devices including thermoelectric elements having off-set metal pads and related structures, methods, and systems
JP2010251485A (ja) * 2009-04-15 2010-11-04 Sony Corp 熱電装置、熱電装置の製造方法、熱電装置の制御システム及び電子機器
US8905968B2 (en) 2009-04-29 2014-12-09 Encephalon Technologies, Llc System for cooling and pressurizing fluid
US8193439B2 (en) * 2009-06-23 2012-06-05 Laird Technologies, Inc. Thermoelectric modules and related methods
US20110030754A1 (en) * 2009-08-06 2011-02-10 Laird Technologies, Inc. Thermoelectric modules and related methods
CN101783386B (zh) * 2009-11-10 2012-12-26 上海申和热磁电子有限公司 无钎焊层、热耦合面高绝缘、低热阻热电模块的制造方法
US9601677B2 (en) * 2010-03-15 2017-03-21 Laird Durham, Inc. Thermoelectric (TE) devices/structures including thermoelectric elements with exposed major surfaces
US9240328B2 (en) 2010-11-19 2016-01-19 Alphabet Energy, Inc. Arrays of long nanostructures in semiconductor materials and methods thereof
US8736011B2 (en) 2010-12-03 2014-05-27 Alphabet Energy, Inc. Low thermal conductivity matrices with embedded nanostructures and methods thereof
US8649179B2 (en) 2011-02-05 2014-02-11 Laird Technologies, Inc. Circuit assemblies including thermoelectric modules
US9685599B2 (en) 2011-10-07 2017-06-20 Gentherm Incorporated Method and system for controlling an operation of a thermoelectric device
US9989267B2 (en) 2012-02-10 2018-06-05 Gentherm Incorporated Moisture abatement in heating operation of climate controlled systems
US9051175B2 (en) 2012-03-07 2015-06-09 Alphabet Energy, Inc. Bulk nano-ribbon and/or nano-porous structures for thermoelectric devices and methods for making the same
US20130239591A1 (en) * 2012-03-16 2013-09-19 Raytheon Company Thermal electric cooler and method
US9257627B2 (en) * 2012-07-23 2016-02-09 Alphabet Energy, Inc. Method and structure for thermoelectric unicouple assembly
ITMO20120262A1 (it) * 2012-10-25 2014-04-26 Ancora Spa Attrezzatura per il taglio di lastre di materiale ceramico
US9082930B1 (en) 2012-10-25 2015-07-14 Alphabet Energy, Inc. Nanostructured thermolectric elements and methods of making the same
US9662962B2 (en) 2013-11-05 2017-05-30 Gentherm Incorporated Vehicle headliner assembly for zonal comfort
US10566515B2 (en) 2013-12-06 2020-02-18 Sridhar Kasichainula Extended area of sputter deposited N-type and P-type thermoelectric legs in a flexible thin-film based thermoelectric device
US10141492B2 (en) 2015-05-14 2018-11-27 Nimbus Materials Inc. Energy harvesting for wearable technology through a thin flexible thermoelectric device
US20180090660A1 (en) 2013-12-06 2018-03-29 Sridhar Kasichainula Flexible thin-film based thermoelectric device with sputter deposited layer of n-type and p-type thermoelectric legs
US11024789B2 (en) 2013-12-06 2021-06-01 Sridhar Kasichainula Flexible encapsulation of a flexible thin-film based thermoelectric device with sputter deposited layer of N-type and P-type thermoelectric legs
US10290794B2 (en) 2016-12-05 2019-05-14 Sridhar Kasichainula Pin coupling based thermoelectric device
US10367131B2 (en) 2013-12-06 2019-07-30 Sridhar Kasichainula Extended area of sputter deposited n-type and p-type thermoelectric legs in a flexible thin-film based thermoelectric device
KR102051617B1 (ko) 2014-02-14 2019-12-03 젠썸 인코포레이티드 전도식 대류식 기온 제어 시트
US9691849B2 (en) 2014-04-10 2017-06-27 Alphabet Energy, Inc. Ultra-long silicon nanostructures, and methods of forming and transferring the same
EP3218942B1 (en) 2014-11-14 2020-02-26 Charles J. Cauchy Heating and cooling technologies
US11639816B2 (en) 2014-11-14 2023-05-02 Gentherm Incorporated Heating and cooling technologies including temperature regulating pad wrap and technologies with liquid system
US11857004B2 (en) 2014-11-14 2024-01-02 Gentherm Incorporated Heating and cooling technologies
US11283000B2 (en) 2015-05-14 2022-03-22 Nimbus Materials Inc. Method of producing a flexible thermoelectric device to harvest energy for wearable applications
US11276810B2 (en) 2015-05-14 2022-03-15 Nimbus Materials Inc. Method of producing a flexible thermoelectric device to harvest energy for wearable applications
CN106482385B (zh) * 2015-08-31 2019-05-28 华为技术有限公司 一种热电制冷模组、光器件及光模组
KR101806677B1 (ko) 2016-03-29 2017-12-07 현대자동차주식회사 열전모듈 제조장치
JP6607448B2 (ja) * 2016-06-21 2019-11-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 熱電変換器
JP6731810B2 (ja) * 2016-07-29 2020-07-29 アイシン高丘株式会社 熱電モジュールおよびその製造方法
DE102017201294A1 (de) * 2017-01-27 2018-08-02 Mahle International Gmbh Verfahren zum Herstellen von Peltierelementen sowie eines thermoelektrischen Wärmeübertragers
JP6909062B2 (ja) * 2017-06-14 2021-07-28 株式会社Kelk 熱電モジュール
JP6704378B2 (ja) * 2017-08-07 2020-06-03 株式会社三五 熱電発電モジュール及び当該熱電発電モジュールを含む熱電発電ユニット
US20200035898A1 (en) 2018-07-30 2020-01-30 Gentherm Incorporated Thermoelectric device having circuitry that facilitates manufacture
US11152557B2 (en) 2019-02-20 2021-10-19 Gentherm Incorporated Thermoelectric module with integrated printed circuit board
CN113241399B (zh) * 2021-05-10 2022-07-26 北京航空航天大学 基于脉冲激光直写技术的高密度热电厚膜器件及制法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB876294A (en) * 1958-02-20 1961-08-30 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to the manufacture of thermoelectric devices
FR1297155A (fr) * 1961-04-18 1962-06-29 Alsacienne Constr Meca Procédé pour l'obtention de thermocouples
GB1126092A (en) * 1966-09-02 1968-09-05 Mining & Chemical Products Ltd Thermoelectric device
GB1303833A (ru) * 1970-01-30 1973-01-24
GB1303835A (ru) * 1970-01-30 1973-01-24
YU213671A (en) * 1971-06-02 1982-06-18 Hoffmann Harald Wolff Kg Thermoelectric peltier-battery
US3959324A (en) * 1972-04-26 1976-05-25 The Procter & Gamble Company Alkyltin cyclopropylcarbinylsulfonate
FR2206034A5 (ru) * 1972-11-09 1974-05-31 Cit Alcatel
FR2261639B1 (ru) * 1974-02-15 1976-11-26 Cit Alcatel
FR2261638B1 (ru) * 1974-02-15 1976-11-26 Cit Alcatel
IT1042975B (it) * 1975-09-30 1980-01-30 Snam Progetti Metodo per la costruzione di un modulo termoelettrico e modulo cosi ottenuto
US4493939A (en) * 1983-10-31 1985-01-15 Varo, Inc. Method and apparatus for fabricating a thermoelectric array
FI69944C (fi) * 1984-06-27 1986-05-26 Kone Oy Saett att placera drosslar med luftkaerna
JPH0410703Y2 (ru) * 1986-03-28 1992-03-17
JPS62178555U (ru) * 1986-04-30 1987-11-12
JPS63110680A (ja) * 1986-10-28 1988-05-16 Saamobonitsuku:Kk 熱発電装置
JPH06169109A (ja) * 1992-02-19 1994-06-14 Nippon Inter Electronics Corp 熱電素子
US5434744A (en) * 1993-10-22 1995-07-18 Fritz; Robert E. Thermoelectric module having reduced spacing between semiconductor elements
JPH0864875A (ja) * 1994-08-25 1996-03-08 Sharp Corp 熱電変換装置の製造方法
JPH09199766A (ja) * 1995-11-13 1997-07-31 Ngk Insulators Ltd 熱電気変換モジュールの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU97120995A (ru) Способ изготовления термоэлектрического модуля
RU2154325C2 (ru) Способ изготовления термоэлектрического модуля
KR100330208B1 (ko) 반도체소자간의공간을줄인개선된열전모듈
US7888592B2 (en) Bypass diode for photovoltaic cells
KR101420877B1 (ko) 리드프레임 패널
JP2000049391A (ja) 熱電モジュールの製造法と熱電モジュール
EP2254206A1 (en) Optical module
JPH0955535A (ja) 面実装型led素子及びその製造方法
RU2190284C2 (ru) Двусторонний электронный прибор
JP3956405B2 (ja) 熱電モジュールの製造方法
KR100764393B1 (ko) 고출력 어레이형 반도체 레이저 장치 제조방법
JPH1187787A (ja) 熱電モジュールの製造方法
JP2003031859A (ja) ペルチェモジュールおよびその製造方法
JPH05308477A (ja) 発光半導体チップを使用したライン型光源装置
RU2757055C1 (ru) Двумерная матрица лазерных диодов и способ её сборки
JP2004153243A (ja) 電力用半導体装置
JP2002111084A (ja) 熱電モジュールの製造方法
JPH0557756B2 (ru)
JPS6225067A (ja) サ−マルヘツドの電極形成方法
RU2173493C2 (ru) Термоэлектрический модуль и способ его изготовления
JPS5717146A (en) Wiring for semiconductor element
JP3493390B2 (ja) 熱電モジュールの製造方法
RU5293U1 (ru) Многоэлементный излучатель (варианты)
JPH08139370A (ja) 熱電変換装置の製造方法
JP4826309B2 (ja) サーモモジュールおよびサーモモジュールの製造方法