RU97120995A - Способ изготовления термоэлектрического модуля - Google Patents
Способ изготовления термоэлектрического модуляInfo
- Publication number
- RU97120995A RU97120995A RU97120995/28A RU97120995A RU97120995A RU 97120995 A RU97120995 A RU 97120995A RU 97120995/28 A RU97120995/28 A RU 97120995/28A RU 97120995 A RU97120995 A RU 97120995A RU 97120995 A RU97120995 A RU 97120995A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- contacts
- substrate
- matrix
- thermoelectric
- named
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 35
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 25
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims 6
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 claims 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 claims 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N al2o3 Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000002991 molded plastic Substances 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims 1
Claims (37)
1. Способ изготовления термоэлектрического модуля, при котором названный модуль изготовляют из множества термоэлектрических кристаллов, образующих матрицу между первой и второй подложками, выполненными из диэлектрика, отличающийся тем, что матрицу включают последовательно в электрическую цепь таким образом, чтобы нагревать поверхность первой подложки и охлаждать поверхность второй подложки в результате действия электротермического эффекта Пельтье, возникающего в термоэлектрических кристаллах, при этом в названном способе применяют множество продолговатых термоэлектрических брусков р-типа и n-типа, которые разделяют на названные термоэлектрические кристаллы, и первую токопроводящую подложку со множеством первых контактов, образующих матрицу, при этом соседние первые контакты, образующие ряд матрицы, взаимосвязаны соответственно горизонтальными перемычками, в то время как в направлении расположения колонки эти названные первые контакты разделены между собой; при этом названный способ включает следующие этапы: соединяют названную первую токопроводящую плату с названной первой подложкой для фиксации первой проводящей платы с помощью названной первой подложки; размещают множество названных продолговатых термоэлектрических брусков р-типа и n-типа на названных первых контактах по названным рядам таким образом, чтобы по направлению расположения колонки матрицы бруски р-типа чередовались с брусками n-типа с интервалом между ними; соединяют одну грань каждого термоэлектрического бруска с названными первыми контактами, образующими ряд; режут каждый продолговатый термоэлектрический брусок на названные термоэлектрические кристаллы, а также одновременную режут названные горизонтальные перемычки, чтобы распределить получаемые термоэлектрические кристаллы по индивидуальным первым контактам; размещают множество вторых контактов на названных кристаллах напротив первых контактов для получения последовательно включенного электрического контура, состоящего из названных кристаллов в сочетании с названными первыми контактами, и соединяют вторые подложки, в которых установлены названные вторые контакты, с названной первой подложкой для образования между ними соединения.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что названную первую подложку изготовляют из керамического материала, на котором установлена названная первая токопроводящая плата.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что названную первую подложку изготовляют из диэлектрического пластика, в который залита названная первая токопроводящая плата, при этом названные первые контакты выходят на одну сторону названной первой подложки.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что названный термоэлектрический брусок выполняют с противолежащими верхней и нижней гранями, с противолежащими боковыми гранями и противолежащими торцами, при этом названный термоэлектрический брусок имеет плоскости спайности, проходящие, в основном, вдоль названных противолежащих боковых граней, названные верхняя и нижняя грани расположенные, в основном, перпендикулярно названным плоскостям спайности, соединены соответственно с названными первыми и вторыми контактами.
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что операцию резки названных термоэлектрических брусков осуществляют в перпендикулярном направлении, относительно названных плоскостей спайности.
6. Способ по п. 2, отличающийся тем, что множество названных термоэлектрических брусков с помощью диэлектрика, ранее нанесенного на названные первые контакты, соединяют в единую структуру.
7. Способ по п. 2, отличающийся тем, что названные горизонтальные перемычки, после их размещения на названной первой подложке, фиксируют на некотором расстоянии от противоположной стороны названной первой подложки, чтобы осталось свободное пространство.
8. Способ по п. 2, отличающийся тем, что названную первую подложку изготавливают из оксида алюминия и названную первую токопроводящую плату изготавливают из меди или медного сплава, чтобы названные первые контакты и названные горизонтальные перемычки изготавливались как единое целое, названную первую токопроводящую плату соединяют с названной первой подложкой методом прямого соединения меди.
9. Способ по п. 8, отличающийся тем, что названную первую токопроводящую плату выполняют как единую структуру, в состав которой входит рамка, окружающая матрицу первых контактов и соединенная с ней воедино, при этом помимо названных первых контактов названную рамку соединяют методом прямого соединения с названной первой подложкой.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что толщину названной рамки выбирают меньше толщины названных первых контактов.
11. Способ по п. 2, отличающийся тем, что названную первую токопроводящую плату соединяют с каждой из противоположных сторон названной первой подложки для того, чтобы матрица названных термоэлектрических кристаллов была образована первыми контактами каждой названной первой токопроводящей платы для создания двух цепей последовательно соединенных названных термоэлектрических кристаллов, при этом названные первые токопроводящие платы с противоположных сторон первой подложки снабжают электрическими выводами, способными компенсировать температурные расширения, которые расположены с одного конца первой подложки в непосредственной близости друг к другу, таким образом, что две цепи последовательно включенных элементов соединяются друг с другом посредством этих электрических выводов, способных компенсировать температурные расширения.
12. Способ по п. 1, отличающийся тем, что названную первую токопроводящую плату выполняют как единое целое с матрицей первых контактов и перемычками, обеспечивающими неразъемное соединение первых контактов, названных перемычек, состоящих из названных горизонтальных перемычек, обеспечивающих соединение первых контактов вдоль направления распространения ряда матрицы, и вертикальных перемычек, обеспечивающих соединение двух соседних первых контактов, расположенных парами в направлении распространения колонки матрицы, при этом названные пары первых контактов выполняют взаимосвязанными названными вертикальными перемычками в одну колонку матрицы со смещением относительно пар взаимосвязанных первых контактов в соседних колонках матрицы таким образом, что первые контакты матрицы взаимосвязаны названными горизонтальными и вертикальными перемычками, при этом толщина названных горизонтальных и вертикальных перемычек меньше толщины названных первых контактов.
13. Способ по п. 8, отличающийся тем, что названные горизонтальные перемычки выполняют с углублением для поглощения температурных напряжений, возникающих на первой токопроводящей плате, когда названная первая токопроводящая плата соединяется с первой подложкой.
14. Способ по п. 12, отличающийся тем, что названная вертикальная перемычка образует углубление по отношению к соседним первым контактам для поглощения температурных напряжений, возникающих в первых контактах.
15. Способ по п.12, отличающийся тем, что названную первую токопроводящую плату выполняют в виде двух матриц названных первых контактов, при этом названные матрицы разделяют прорезью в названной первой токопроводящей плате в направлении распространения ряда.
16. Способ по п. 12, отличающийся тем, что названные горизонтальные бруски уменьшенной толщины выполняют заподлицо с верхней поверхностью соседних первых контактов, на которые устанавливают названный термоэлектрический брусок таким образом, чтобы в ряду матрицы образовать углубление, открытое книзу, между соседними первыми контактами.
17. Способ по п. 12, отличающийся тем, что названные вертикальные бруски уменьшенной толщины выполняют заподлицо с нижней поверхностью соседних первых контактов, с которыми соединяется названная первая подложка таким образом, чтобы образовать углубление, открытое кверху, между соседними первыми контактами.
18. Способ по п. 3, отличающийся тем, что названную первую токопроводящую плату выполняют как единое целое с матрицей первых контактов и перемычками, обеспечивающими неразъемное соединение первых контактов названных перемычек, состоящих из названных горизонтальных перемычек, обеспечивающих соединение первых контактов вдоль направления распространения ряда матрицы, и вертикальных перемычек, обеспечивающих соединение двух соседних первых контактов, расположенных парами в направлении распространения колонки матрицы, при этом названные пары первых контактов выполняют взаимосвязанными названными вертикальными перемычками в одну колонку матрицы со смещением относительно пар взаимосвязанных первых контактов в соседних колонках матрицы таким образом, что первые контакты матрицы взаимосвязаны названными горизонтальными и вертикальными перемычками, при этом названный пластик образует между рядами первых контактов, а также между соседними парами первых контактов, расположенных вдоль колонки матрицы, промежутки, заполненные первой подложкой.
19. Способ по п. 12, отличающийся тем, что названную первую токопроводящую плату выполняют как единое целое с электрическим выводом для подключения к внешнему источнику тока, помимо названных первых контактов и названных горизонтальных и вертикальных перемычек.
20. Способ по п. 19, отличающийся тем, что названный электрический вывод через множество удаляемых соединений на разных участках матрицы имеет неразъемное соединение с матрицей первых контактов так, что количество термоэлектрических кристаллов, включенных последовательно, может изменяться по выбору путем сохранения одного соединения, после удаления всех остальных.
21. Способ по п. 12, отличающийся тем, что названную первую токопроводящую плату выполняют как единое целое, включая рамку, которая охватывает матрицу названных контактов и взаимосвязана с ней.
22. Способ по п. 21, отличающийся тем, что названную рамку тоньше первых контактов и выполняют заподлицо с нижней поверхностью первых контактов, на которой первые контакты соединяют с названной первой подложкой.
23. Способ по п. 21, отличающийся тем, что в названной рамке предусматривают участок для установки на него температурного датчика для термоэлектрического модуля.
24. Способ по п. 3, отличающийся тем, что названные первые контакты выполняют выходящими на противоположные стороны первой литой пластиковой подложки, при этом сохраняются достаточно равные расстояния от первых контактов до первой подложки.
25. Способ по п.2, отличающийся тем, что вторые контакты выполняют как единое целое со второй токопроводящей платой, которую заливают во вторую плату из диэлектрического пластика.
26. Способ по п. 3, отличающийся тем, что названные вторые контакты выполняют как единое целое со второй токопроводящей платой, которую устанавливают на второй керамической подложке.
27. Способ по п. 1, отличающийся тем, что названные вторые контакты выполняют как единое целое со второй токопроводящей платой, конфигурацию которой выполняют идентично конфигурации первой токопроводящей платы.
28. Способ по п. 1, отличающийся тем, что поверхность названного термоэлектрического бруска, соединенная с первыми контактами, покрывают наплавкой из, по крайней мере, одного материала, выбранного из группы, в состав которой входят: Sn, Bi, Ag и Au.
29. Способ по п. 1, отличающийся тем, что поверхность названного термоэлектрического бруска, соединенная с первыми контактами, покрывают наплавкой из меди.
30. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между первой и второй подложками устанавливают узел уплотнения для герметизации цепи последовательно соединенных термоэлектрических кристаллов и связанных с ними первых и вторых контактов.
31. Способ по п. 30, отличающийся тем, что названные вторые контакты выполняют как единое целое со второй токопроводящей платой, при этом каждую из названных первой и второй токопроводящих плат выполняют как единое целое, включая первую и вторую рамки, которые окружают каждую матрицу первых и вторых контактов, при этом первую и вторую рамки соединяют с противоположными сторонами названного узла уплотнения.
32. Способ по п.31, отличающийся тем, что на противоположные поверхности названного узла уплотнения наносят покрытие для сварки, соответственно для названных первой и второй рамок первой и второй токопроводящих плат.
33. Способ по п. 30, отличающийся тем, что названный узел уплотнения отливают вместе с одной из подложек (первой или второй), которую изготовляют из диэлектрического пластика.
34. Способ по п. 30, отличающийся тем, что названные вторые контакты выполняют как единое целое со второй токопроводящей платой, при этом каждая из названных первой и второй токопроводящих плат включает электрический вывод для подключения к внешнему источнику тока, расположенный снаружи названного узла уплотнения.
35. Способ по п.11, отличающийся тем, что вторые контакты соединяют с термоэлектрическими кристаллами на первых контактах каждой из противоположных сторон названной первой керамической подложки, при этом названный второй контакт заливают во вторую подложку из диэлектрического пластика.
36. Способ по п. 35, отличающийся тем, что каждый из названных вторых подложек из диэлектрического пластика отливают как единое целое, включая узел уплотнения, окружающий цепь из термоэлектрических кристаллов на названной первой подложке, при этом названный узел уплотнения устанавливают между первой подложкой и каждой из вторых подложек таким образом, чтобы закрепить периметр первой подложки между противолежащими узлами уплотнения.
37. Способ по п. 1, отличающийся тем, что ширину термоэлектрического бруска выполняют меньшим соответствующей ширины названных первых контактов.
Applications Claiming Priority (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPP08-133996 | 1996-05-28 | ||
JPP08-133997 | 1996-05-28 | ||
JPP08-157675 | 1996-05-28 | ||
JP8157675A JPH09321354A (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 金属パターンプレート |
JP15767796A JP3956405B2 (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 熱電モジュールの製造方法 |
JP8133997A JPH09321352A (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 熱電モジュール |
JPPO8-133996 | 1996-05-28 | ||
JPPO8-157675 | 1996-05-28 | ||
JPP08-157677 | 1996-05-28 | ||
JPPO8-157677 | 1996-05-28 | ||
JP8133996A JPH09321351A (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 電極プレート |
JPPO8-133997 | 1996-05-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU97120995A true RU97120995A (ru) | 2000-01-10 |
RU2154325C2 RU2154325C2 (ru) | 2000-08-10 |
Family
ID=27471796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU97120995/28A RU2154325C2 (ru) | 1996-05-28 | 1997-05-27 | Способ изготовления термоэлектрического модуля |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5950067A (ru) |
EP (1) | EP0843366B1 (ru) |
CN (1) | CN1104746C (ru) |
DE (1) | DE69735589T2 (ru) |
RU (1) | RU2154325C2 (ru) |
WO (1) | WO1997045882A1 (ru) |
Families Citing this family (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0827215A3 (en) * | 1996-08-27 | 2000-09-20 | Kubota Corporation | Thermoelectric modules and thermoelectric elements |
KR100299411B1 (ko) * | 1997-01-09 | 2001-09-06 | 이마이 기요스케 | 열전재료로제조된잉곳플레이트 |
JP3982080B2 (ja) | 1997-12-05 | 2007-09-26 | 松下電工株式会社 | 熱電モジュールの製造法と熱電モジュール |
JP3255629B2 (ja) * | 1999-11-26 | 2002-02-12 | モリックス株式会社 | 熱電素子 |
JP3462469B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2003-11-05 | Smc株式会社 | 円形冷却プレート用異形サーモモジュール及びそれを用いた円形冷却プレート |
US6623514B1 (en) * | 2001-08-01 | 2003-09-23 | Origin Medsystems, Inc. | Method of cooling an organ |
JP4161572B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2008-10-08 | ヤマハ株式会社 | 熱電モジュール |
JP3804629B2 (ja) * | 2002-04-25 | 2006-08-02 | ヤマハ株式会社 | 熱電装置用パッケージ |
WO2004049463A1 (en) * | 2002-11-25 | 2004-06-10 | Nextreme Thermal Solutions | Trans-thermoelectric device |
US7205675B2 (en) * | 2003-01-29 | 2007-04-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-fabricated device with thermoelectric device and method of making |
US7399681B2 (en) * | 2003-02-18 | 2008-07-15 | Corning Incorporated | Glass-based SOI structures |
US7176528B2 (en) * | 2003-02-18 | 2007-02-13 | Corning Incorporated | Glass-based SOI structures |
US6967149B2 (en) * | 2003-11-20 | 2005-11-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Storage structure with cleaved layer |
US20060000215A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-05 | Kremen Stanley H | Encapsulated radiometric engine |
US7531739B1 (en) | 2004-10-15 | 2009-05-12 | Marlow Industries, Inc. | Build-in-place method of manufacturing thermoelectric modules |
US7587901B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-09-15 | Amerigon Incorporated | Control system for thermal module in vehicle |
CN100405625C (zh) * | 2005-07-18 | 2008-07-23 | 财团法人工业技术研究院 | 制作微型热电元件的方法及其整合热电元件的结构 |
US20070101737A1 (en) | 2005-11-09 | 2007-05-10 | Masao Akei | Refrigeration system including thermoelectric heat recovery and actuation |
US20070264796A1 (en) * | 2006-05-12 | 2007-11-15 | Stocker Mark A | Method for forming a semiconductor on insulator structure |
US8222511B2 (en) | 2006-08-03 | 2012-07-17 | Gentherm | Thermoelectric device |
US20080087316A1 (en) | 2006-10-12 | 2008-04-17 | Masa Inaba | Thermoelectric device with internal sensor |
DE102007063616B4 (de) * | 2007-02-26 | 2014-05-22 | Micropelt Gmbh | Verfahren zum Herstellen von thermoelektrischen Bauelementen und thermoelektrische Bauelemente |
US20090000652A1 (en) * | 2007-06-26 | 2009-01-01 | Nextreme Thermal Solutions, Inc. | Thermoelectric Structures Including Bridging Thermoelectric Elements |
EP2181460A4 (en) | 2007-08-21 | 2013-09-04 | Univ California | NANOSTRUCTURES WITH THERMOELECTRIC HIGH PERFORMANCE CHARACTERISTICS |
WO2009036077A1 (en) | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Amerigon, Inc. | Operational control schemes for ventilated seat or bed assemblies |
JP5225056B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2013-07-03 | 京セラ株式会社 | 熱電モジュール |
KR20170064568A (ko) | 2008-02-01 | 2017-06-09 | 젠썸 인코포레이티드 | 열전 소자용 응결 센서 및 습도 센서 |
AU2009270757B2 (en) | 2008-07-18 | 2016-05-12 | Gentherm Incorporated | Climate controlled bed assembly |
RU2402111C2 (ru) | 2008-07-18 | 2010-10-20 | Общество С Ограниченной Ответственностью Научно-Производственное Объединение "Кристалл" | Кристаллическая пластина, прямоугольный брусок, компонент для производства термоэлектрических модулей и способ получения кристаллической пластины |
TWI405361B (zh) * | 2008-12-31 | 2013-08-11 | Ind Tech Res Inst | 熱電元件及其製程、晶片堆疊結構及晶片封裝結構 |
US20100243018A1 (en) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | California Institute Of Technology | Metallization for zintl-based thermoelectric devices |
US8525016B2 (en) * | 2009-04-02 | 2013-09-03 | Nextreme Thermal Solutions, Inc. | Thermoelectric devices including thermoelectric elements having off-set metal pads and related structures, methods, and systems |
JP2010251485A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Sony Corp | 熱電装置、熱電装置の製造方法、熱電装置の制御システム及び電子機器 |
US8905968B2 (en) | 2009-04-29 | 2014-12-09 | Encephalon Technologies, Llc | System for cooling and pressurizing fluid |
US8193439B2 (en) * | 2009-06-23 | 2012-06-05 | Laird Technologies, Inc. | Thermoelectric modules and related methods |
US20110030754A1 (en) * | 2009-08-06 | 2011-02-10 | Laird Technologies, Inc. | Thermoelectric modules and related methods |
CN101783386B (zh) * | 2009-11-10 | 2012-12-26 | 上海申和热磁电子有限公司 | 无钎焊层、热耦合面高绝缘、低热阻热电模块的制造方法 |
US9601677B2 (en) * | 2010-03-15 | 2017-03-21 | Laird Durham, Inc. | Thermoelectric (TE) devices/structures including thermoelectric elements with exposed major surfaces |
US9240328B2 (en) | 2010-11-19 | 2016-01-19 | Alphabet Energy, Inc. | Arrays of long nanostructures in semiconductor materials and methods thereof |
US8736011B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-05-27 | Alphabet Energy, Inc. | Low thermal conductivity matrices with embedded nanostructures and methods thereof |
US8649179B2 (en) | 2011-02-05 | 2014-02-11 | Laird Technologies, Inc. | Circuit assemblies including thermoelectric modules |
US9685599B2 (en) | 2011-10-07 | 2017-06-20 | Gentherm Incorporated | Method and system for controlling an operation of a thermoelectric device |
US9989267B2 (en) | 2012-02-10 | 2018-06-05 | Gentherm Incorporated | Moisture abatement in heating operation of climate controlled systems |
US9051175B2 (en) | 2012-03-07 | 2015-06-09 | Alphabet Energy, Inc. | Bulk nano-ribbon and/or nano-porous structures for thermoelectric devices and methods for making the same |
US20130239591A1 (en) * | 2012-03-16 | 2013-09-19 | Raytheon Company | Thermal electric cooler and method |
US9257627B2 (en) * | 2012-07-23 | 2016-02-09 | Alphabet Energy, Inc. | Method and structure for thermoelectric unicouple assembly |
ITMO20120262A1 (it) * | 2012-10-25 | 2014-04-26 | Ancora Spa | Attrezzatura per il taglio di lastre di materiale ceramico |
US9082930B1 (en) | 2012-10-25 | 2015-07-14 | Alphabet Energy, Inc. | Nanostructured thermolectric elements and methods of making the same |
US9662962B2 (en) | 2013-11-05 | 2017-05-30 | Gentherm Incorporated | Vehicle headliner assembly for zonal comfort |
US10566515B2 (en) | 2013-12-06 | 2020-02-18 | Sridhar Kasichainula | Extended area of sputter deposited N-type and P-type thermoelectric legs in a flexible thin-film based thermoelectric device |
US10141492B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-11-27 | Nimbus Materials Inc. | Energy harvesting for wearable technology through a thin flexible thermoelectric device |
US20180090660A1 (en) | 2013-12-06 | 2018-03-29 | Sridhar Kasichainula | Flexible thin-film based thermoelectric device with sputter deposited layer of n-type and p-type thermoelectric legs |
US11024789B2 (en) | 2013-12-06 | 2021-06-01 | Sridhar Kasichainula | Flexible encapsulation of a flexible thin-film based thermoelectric device with sputter deposited layer of N-type and P-type thermoelectric legs |
US10290794B2 (en) | 2016-12-05 | 2019-05-14 | Sridhar Kasichainula | Pin coupling based thermoelectric device |
US10367131B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-07-30 | Sridhar Kasichainula | Extended area of sputter deposited n-type and p-type thermoelectric legs in a flexible thin-film based thermoelectric device |
KR102051617B1 (ko) | 2014-02-14 | 2019-12-03 | 젠썸 인코포레이티드 | 전도식 대류식 기온 제어 시트 |
US9691849B2 (en) | 2014-04-10 | 2017-06-27 | Alphabet Energy, Inc. | Ultra-long silicon nanostructures, and methods of forming and transferring the same |
EP3218942B1 (en) | 2014-11-14 | 2020-02-26 | Charles J. Cauchy | Heating and cooling technologies |
US11639816B2 (en) | 2014-11-14 | 2023-05-02 | Gentherm Incorporated | Heating and cooling technologies including temperature regulating pad wrap and technologies with liquid system |
US11857004B2 (en) | 2014-11-14 | 2024-01-02 | Gentherm Incorporated | Heating and cooling technologies |
US11283000B2 (en) | 2015-05-14 | 2022-03-22 | Nimbus Materials Inc. | Method of producing a flexible thermoelectric device to harvest energy for wearable applications |
US11276810B2 (en) | 2015-05-14 | 2022-03-15 | Nimbus Materials Inc. | Method of producing a flexible thermoelectric device to harvest energy for wearable applications |
CN106482385B (zh) * | 2015-08-31 | 2019-05-28 | 华为技术有限公司 | 一种热电制冷模组、光器件及光模组 |
KR101806677B1 (ko) | 2016-03-29 | 2017-12-07 | 현대자동차주식회사 | 열전모듈 제조장치 |
JP6607448B2 (ja) * | 2016-06-21 | 2019-11-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 熱電変換器 |
JP6731810B2 (ja) * | 2016-07-29 | 2020-07-29 | アイシン高丘株式会社 | 熱電モジュールおよびその製造方法 |
DE102017201294A1 (de) * | 2017-01-27 | 2018-08-02 | Mahle International Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Peltierelementen sowie eines thermoelektrischen Wärmeübertragers |
JP6909062B2 (ja) * | 2017-06-14 | 2021-07-28 | 株式会社Kelk | 熱電モジュール |
JP6704378B2 (ja) * | 2017-08-07 | 2020-06-03 | 株式会社三五 | 熱電発電モジュール及び当該熱電発電モジュールを含む熱電発電ユニット |
US20200035898A1 (en) | 2018-07-30 | 2020-01-30 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric device having circuitry that facilitates manufacture |
US11152557B2 (en) | 2019-02-20 | 2021-10-19 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric module with integrated printed circuit board |
CN113241399B (zh) * | 2021-05-10 | 2022-07-26 | 北京航空航天大学 | 基于脉冲激光直写技术的高密度热电厚膜器件及制法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB876294A (en) * | 1958-02-20 | 1961-08-30 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to the manufacture of thermoelectric devices |
FR1297155A (fr) * | 1961-04-18 | 1962-06-29 | Alsacienne Constr Meca | Procédé pour l'obtention de thermocouples |
GB1126092A (en) * | 1966-09-02 | 1968-09-05 | Mining & Chemical Products Ltd | Thermoelectric device |
GB1303833A (ru) * | 1970-01-30 | 1973-01-24 | ||
GB1303835A (ru) * | 1970-01-30 | 1973-01-24 | ||
YU213671A (en) * | 1971-06-02 | 1982-06-18 | Hoffmann Harald Wolff Kg | Thermoelectric peltier-battery |
US3959324A (en) * | 1972-04-26 | 1976-05-25 | The Procter & Gamble Company | Alkyltin cyclopropylcarbinylsulfonate |
FR2206034A5 (ru) * | 1972-11-09 | 1974-05-31 | Cit Alcatel | |
FR2261639B1 (ru) * | 1974-02-15 | 1976-11-26 | Cit Alcatel | |
FR2261638B1 (ru) * | 1974-02-15 | 1976-11-26 | Cit Alcatel | |
IT1042975B (it) * | 1975-09-30 | 1980-01-30 | Snam Progetti | Metodo per la costruzione di un modulo termoelettrico e modulo cosi ottenuto |
US4493939A (en) * | 1983-10-31 | 1985-01-15 | Varo, Inc. | Method and apparatus for fabricating a thermoelectric array |
FI69944C (fi) * | 1984-06-27 | 1986-05-26 | Kone Oy | Saett att placera drosslar med luftkaerna |
JPH0410703Y2 (ru) * | 1986-03-28 | 1992-03-17 | ||
JPS62178555U (ru) * | 1986-04-30 | 1987-11-12 | ||
JPS63110680A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-16 | Saamobonitsuku:Kk | 熱発電装置 |
JPH06169109A (ja) * | 1992-02-19 | 1994-06-14 | Nippon Inter Electronics Corp | 熱電素子 |
US5434744A (en) * | 1993-10-22 | 1995-07-18 | Fritz; Robert E. | Thermoelectric module having reduced spacing between semiconductor elements |
JPH0864875A (ja) * | 1994-08-25 | 1996-03-08 | Sharp Corp | 熱電変換装置の製造方法 |
JPH09199766A (ja) * | 1995-11-13 | 1997-07-31 | Ngk Insulators Ltd | 熱電気変換モジュールの製造方法 |
-
1997
- 1997-05-27 WO PCT/JP1997/001797 patent/WO1997045882A1/ja active IP Right Grant
- 1997-05-27 RU RU97120995/28A patent/RU2154325C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1997-05-27 EP EP97922202A patent/EP0843366B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-27 CN CN97190403A patent/CN1104746C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-27 DE DE69735589T patent/DE69735589T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 US US08/973,095 patent/US5950067A/en not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU97120995A (ru) | Способ изготовления термоэлектрического модуля | |
RU2154325C2 (ru) | Способ изготовления термоэлектрического модуля | |
KR100330208B1 (ko) | 반도체소자간의공간을줄인개선된열전모듈 | |
US7888592B2 (en) | Bypass diode for photovoltaic cells | |
KR101420877B1 (ko) | 리드프레임 패널 | |
JP2000049391A (ja) | 熱電モジュールの製造法と熱電モジュール | |
EP2254206A1 (en) | Optical module | |
JPH0955535A (ja) | 面実装型led素子及びその製造方法 | |
RU2190284C2 (ru) | Двусторонний электронный прибор | |
JP3956405B2 (ja) | 熱電モジュールの製造方法 | |
KR100764393B1 (ko) | 고출력 어레이형 반도체 레이저 장치 제조방법 | |
JPH1187787A (ja) | 熱電モジュールの製造方法 | |
JP2003031859A (ja) | ペルチェモジュールおよびその製造方法 | |
JPH05308477A (ja) | 発光半導体チップを使用したライン型光源装置 | |
RU2757055C1 (ru) | Двумерная матрица лазерных диодов и способ её сборки | |
JP2004153243A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2002111084A (ja) | 熱電モジュールの製造方法 | |
JPH0557756B2 (ru) | ||
JPS6225067A (ja) | サ−マルヘツドの電極形成方法 | |
RU2173493C2 (ru) | Термоэлектрический модуль и способ его изготовления | |
JPS5717146A (en) | Wiring for semiconductor element | |
JP3493390B2 (ja) | 熱電モジュールの製造方法 | |
RU5293U1 (ru) | Многоэлементный излучатель (варианты) | |
JPH08139370A (ja) | 熱電変換装置の製造方法 | |
JP4826309B2 (ja) | サーモモジュールおよびサーモモジュールの製造方法 |