JP2003031859A - ペルチェモジュールおよびその製造方法 - Google Patents
ペルチェモジュールおよびその製造方法Info
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加工が容易でかつ小型化が可能なペルチェモ
ジュールを提供する。 【解決手段】 複数のペルチェ素子２３と、これらペル
チェ素子２３を電気的に直列接続するためにペルチェ素
子２３の両端にそれぞれ配置された電極２４と、この電
極２４を介してペルチェ素子２３を挟持するように配置
された上側基板２５と下側基板２６と、電極２４に電流
を供給するための２個の柱状電極２７、２７とを備え、
上側基板２５に切り欠き部２５ａが１箇所形成され、２
個の柱状電極２７、２７の一方の端部が下側基板２６に
配置された電極２４、２４にほぼ垂直に立てられ、これ
に接合され、２個の柱状電極２７、２７の電極２４、２
４に接合されていない端部が切り欠き部２５ａ内に収容
されているペルチェモジュール。
ジュールを提供する。 【解決手段】 複数のペルチェ素子２３と、これらペル
チェ素子２３を電気的に直列接続するためにペルチェ素
子２３の両端にそれぞれ配置された電極２４と、この電
極２４を介してペルチェ素子２３を挟持するように配置
された上側基板２５と下側基板２６と、電極２４に電流
を供給するための２個の柱状電極２７、２７とを備え、
上側基板２５に切り欠き部２５ａが１箇所形成され、２
個の柱状電極２７、２７の一方の端部が下側基板２６に
配置された電極２４、２４にほぼ垂直に立てられ、これ
に接合され、２個の柱状電極２７、２７の電極２４、２
４に接合されていない端部が切り欠き部２５ａ内に収容
されているペルチェモジュール。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ペルチェ効果を利
用したペルチェモジュールに関する。
用したペルチェモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来のペルチェモジュールの一
例を示す斜視図である。この例のペルチェモジュール
は、直方体のｐ型半導体素子１と直方体のｎ型半導体素
子２からなるペルチェ素子３と、これらを接続する電極
４と、電極４を介してペルチェ素子３を挟持する上側基
板５および下側基板６と、電極４に電流を供給するため
の柱状電極７、７から概略構成されている。また、ペル
チェ素子３を構成するｐ型半導体素子１とｎ型半導体素
子２が、一定の間隔を空けて交互に配置されており、こ
れらがその両端部で電極４を介して直列に接続されてい
る。また、下側基板６が、上側基板５よりも若干長めに
形成されている。そして、柱状電極７、７がそれぞれ、
下側基板６の上側基板５よりも長い部分に設けられた電
極４、４上に接合され、電極４、４を介してペルチェ素
子３に接続されている。
例を示す斜視図である。この例のペルチェモジュール
は、直方体のｐ型半導体素子１と直方体のｎ型半導体素
子２からなるペルチェ素子３と、これらを接続する電極
４と、電極４を介してペルチェ素子３を挟持する上側基
板５および下側基板６と、電極４に電流を供給するため
の柱状電極７、７から概略構成されている。また、ペル
チェ素子３を構成するｐ型半導体素子１とｎ型半導体素
子２が、一定の間隔を空けて交互に配置されており、こ
れらがその両端部で電極４を介して直列に接続されてい
る。また、下側基板６が、上側基板５よりも若干長めに
形成されている。そして、柱状電極７、７がそれぞれ、
下側基板６の上側基板５よりも長い部分に設けられた電
極４、４上に接合され、電極４、４を介してペルチェ素
子３に接続されている。
【０００３】図８は、従来のペルチェモジュールの他の
例を示す斜視図である。この例のペルチェモジュール
は、直方体のｐ型半導体素子８と直方体のｎ型半導体素
子９からなるペルチェ素子１０と、これらを接続する電
極１１と、電極１１を介してペルチェ素子１０を挟持す
る上側基板１２および下側基板１３と、電極１１に電流
を供給するための柱状電極１４、１４から概略構成され
ている。また、ペルチェ素子１０を構成するｐ型半導体
素子８とｎ型半導体素子９が、一定の間隔を空けて交互
に配置されており、これらがその両端部で電極１１を介
して直列に接続されている。また、柱状電極１４、１４
がそれぞれ、その一方の端部で、下側基板１３の隣合う
２つの隅部に設けられた電極１１、１１上に立てられ
て、接合され、電極１１、１１を介してペルチェ素子１
０に接続されている。また、柱状電極１４、１４の電極
１１、１１に接合されていない端部がそれぞれ、上基板
１２の隣合う２つの隅部に離れて形成された開口部１
５、１５に保持されている。
例を示す斜視図である。この例のペルチェモジュール
は、直方体のｐ型半導体素子８と直方体のｎ型半導体素
子９からなるペルチェ素子１０と、これらを接続する電
極１１と、電極１１を介してペルチェ素子１０を挟持す
る上側基板１２および下側基板１３と、電極１１に電流
を供給するための柱状電極１４、１４から概略構成され
ている。また、ペルチェ素子１０を構成するｐ型半導体
素子８とｎ型半導体素子９が、一定の間隔を空けて交互
に配置されており、これらがその両端部で電極１１を介
して直列に接続されている。また、柱状電極１４、１４
がそれぞれ、その一方の端部で、下側基板１３の隣合う
２つの隅部に設けられた電極１１、１１上に立てられ
て、接合され、電極１１、１１を介してペルチェ素子１
０に接続されている。また、柱状電極１４、１４の電極
１１、１１に接合されていない端部がそれぞれ、上基板
１２の隣合う２つの隅部に離れて形成された開口部１
５、１５に保持されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示したペルチェモジュールでは、柱状電極７を設けるた
めに、下側基板６が上側基板５よりも長く形成されてい
る。このように下側基板６が上側基板５よりも長く形成
されていれば、その分だけペルチェモジュールの大きさ
が大きくなる。また、この例のペルチェモジュールで
は、柱状電極７が露出している上に、その一方の端部が
下側基板６にのみ接合されている。したがって、このペ
ルチェモジュールを半導体装置などに実装する際に、柱
状電極７に衝撃が加えられると、柱状電極７が倒れた
り、曲がったりして損傷することがあった。
示したペルチェモジュールでは、柱状電極７を設けるた
めに、下側基板６が上側基板５よりも長く形成されてい
る。このように下側基板６が上側基板５よりも長く形成
されていれば、その分だけペルチェモジュールの大きさ
が大きくなる。また、この例のペルチェモジュールで
は、柱状電極７が露出している上に、その一方の端部が
下側基板６にのみ接合されている。したがって、このペ
ルチェモジュールを半導体装置などに実装する際に、柱
状電極７に衝撃が加えられると、柱状電極７が倒れた
り、曲がったりして損傷することがあった。
【０００５】また、図８に示したペルチェモジュールで
は、１つの開口部１５に１つの柱状電極１４が保持され
るから、上側基板１２には、柱状電極１４と同数の開口
部１５が形成されなければならない。したがって、この
例のペルチェモジュールの製造においては、開口部１５
を形成する工程や、開口部１５に柱状電極１４を保持す
る工程が多く、複雑となり、不経済であった。
は、１つの開口部１５に１つの柱状電極１４が保持され
るから、上側基板１２には、柱状電極１４と同数の開口
部１５が形成されなければならない。したがって、この
例のペルチェモジュールの製造においては、開口部１５
を形成する工程や、開口部１５に柱状電極１４を保持す
る工程が多く、複雑となり、不経済であった。
【０００６】本発明は、前記事情に鑑みてなされたもの
で、加工が容易でかつ小型化が可能なペルチェモジュー
ルを提供することを課題とする。
で、加工が容易でかつ小型化が可能なペルチェモジュー
ルを提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題は、複数のペル
チェ素子と、これらペルチェ素子を電気的に直列接続す
るために前記ペルチェ素子の両端にそれぞれ配置された
電極と、該電極を介して前記ペルチェ素子を挟持するよ
うに配置された一対の基板と、前記電極に電流を供給す
るための２個の柱状電極とを備え、前記基板の一方に切
り欠き部または開口部が１箇所形成され、前記２個の柱
状電極の一方の端部が前記基板の他方に配置された電極
上に立てられ、前記２個の柱状電極の他方の端部が前記
切り欠き部または開口部内に収容されているペルチェモ
ジュールによって解決できる。また、前記課題は、複数
のペルチェ素子と、これらペルチェ素子を２以上のユニ
ットに区画して各ユニットのペルチェ素子を電気的に直
列接続するために前記ペルチェ素子の両端にそれぞれ配
置された電極と、該電極を介して前記ペルチェ素子を挟
持するように配置された一対の基板と、前記電極に電流
を供給するための偶数個の柱状電極とを備え、前記基板
の一方に切り欠き部または開口部が１箇所形成され、前
記偶数個の柱状電極の一方の端部が前記基板の他方に配
置された電極上に立てられ、前記偶数個の柱状電極の他
方の端部が前記切り欠き部または開口部内に収容されて
いるペルチェモジュールによって解決できる。
チェ素子と、これらペルチェ素子を電気的に直列接続す
るために前記ペルチェ素子の両端にそれぞれ配置された
電極と、該電極を介して前記ペルチェ素子を挟持するよ
うに配置された一対の基板と、前記電極に電流を供給す
るための２個の柱状電極とを備え、前記基板の一方に切
り欠き部または開口部が１箇所形成され、前記２個の柱
状電極の一方の端部が前記基板の他方に配置された電極
上に立てられ、前記２個の柱状電極の他方の端部が前記
切り欠き部または開口部内に収容されているペルチェモ
ジュールによって解決できる。また、前記課題は、複数
のペルチェ素子と、これらペルチェ素子を２以上のユニ
ットに区画して各ユニットのペルチェ素子を電気的に直
列接続するために前記ペルチェ素子の両端にそれぞれ配
置された電極と、該電極を介して前記ペルチェ素子を挟
持するように配置された一対の基板と、前記電極に電流
を供給するための偶数個の柱状電極とを備え、前記基板
の一方に切り欠き部または開口部が１箇所形成され、前
記偶数個の柱状電極の一方の端部が前記基板の他方に配
置された電極上に立てられ、前記偶数個の柱状電極の他
方の端部が前記切り欠き部または開口部内に収容されて
いるペルチェモジュールによって解決できる。
【０００８】前記切り欠き部が前記基板の短辺側で長方
形に形成され、該長方形の長辺は前記基板の短辺と平行
であることが好ましい。前記切り欠き部が前記基板の短
辺側で長方形に形成され、該長方形の長辺は前記基板の
短辺と垂直であることが好ましい。前記切り欠き部が前
記基板の四隅の１箇所で長方形に形成され、該長方形の
長辺は前記基板の短辺と垂直であることが好ましい。前
記開口部が前記基板の短辺側の端部付近で長方形に形成
され、該長方形の長辺は前記基板の短辺と平行であるこ
とが好ましい。
形に形成され、該長方形の長辺は前記基板の短辺と平行
であることが好ましい。前記切り欠き部が前記基板の短
辺側で長方形に形成され、該長方形の長辺は前記基板の
短辺と垂直であることが好ましい。前記切り欠き部が前
記基板の四隅の１箇所で長方形に形成され、該長方形の
長辺は前記基板の短辺と垂直であることが好ましい。前
記開口部が前記基板の短辺側の端部付近で長方形に形成
され、該長方形の長辺は前記基板の短辺と平行であるこ
とが好ましい。
【０００９】また、前記課題は、２枚の基板間に複数の
ペルチェ素子が挟持され、いずれか一方の基板に切り欠
き部または開口部が形成され、前記ペルチェ素子に電流
を供給する偶数個の柱状電極の一端が上記切り欠き部ま
たは開口部に収容された構造のペルチェモジュールを製
造する際、焼結すると基板となるシートを打ち抜き加工
し、基板の切り欠き部または開口部を形成するペルチェ
モジュールの製造方法によって解決できる。また、前記
課題は、２枚の基板間に複数のペルチェ素子が挟持さ
れ、いずれか一方の基板に切り欠き部または開口部が形
成され、前記ペルチェ素子に電流を供給する偶数個の柱
状電極の一端が上記切り欠き部または開口部に収容され
た構造のペルチェモジュールを製造する際、焼結した基
板を切断加工し、基板の切り欠き部または開口部を形成
するペルチェモジュールの製造方法によって解決でき
る。
ペルチェ素子が挟持され、いずれか一方の基板に切り欠
き部または開口部が形成され、前記ペルチェ素子に電流
を供給する偶数個の柱状電極の一端が上記切り欠き部ま
たは開口部に収容された構造のペルチェモジュールを製
造する際、焼結すると基板となるシートを打ち抜き加工
し、基板の切り欠き部または開口部を形成するペルチェ
モジュールの製造方法によって解決できる。また、前記
課題は、２枚の基板間に複数のペルチェ素子が挟持さ
れ、いずれか一方の基板に切り欠き部または開口部が形
成され、前記ペルチェ素子に電流を供給する偶数個の柱
状電極の一端が上記切り欠き部または開口部に収容され
た構造のペルチェモジュールを製造する際、焼結した基
板を切断加工し、基板の切り欠き部または開口部を形成
するペルチェモジュールの製造方法によって解決でき
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
図１は、本発明のペルチェモジュールの第１の例の主要
部を示す斜視図である。また、図２は、図１に示したペ
ルチェモジュールの第１の例を示す平面図である。この
例のペルチェモジュールは、直方体のｐ型半導体素子２
１と直方体のｎ型半導体素子２２からなるペルチェ素子
２３と、これらを接続する電極２４と、電極２４を介し
てペルチェ素子２３を挟持する上側基板２５および下側
基板２６と、電極２４に電流を供給するための柱状電極
２７、２７から概略構成されている。また、ペルチェ素
子２３を構成するｐ型半導体素子２１とｎ型半導体素子
２２が、一定の間隔を空けて交互に配置されており、こ
れらがその両端部で電極２４を介して直列に接続されて
いる。また、上側基板２５には、切り欠き部２５ａが１
箇所、上側基板２５の短辺側で長方形に形成されてお
り、この切り欠き部２５ａをなす長方形の長辺は上側基
板２５の短辺と平行になっている。さらに、柱状電極２
７、２７がそれぞれ、その一方の端部で、下側基板２６
に配置された電極２４、２４にほぼ垂直に立てられ、こ
れに接合されており、電極２４、２４を介してペルチェ
素子２３に接続されている。また、柱状電極２７、２７
の下側基板２６に設けられた電極２４、２４に接続され
ていない端部がそれぞれ、切り欠き部２５ａ内に、上側
基板２５の短辺方向に平行に並列されて収容されてい
る。
図１は、本発明のペルチェモジュールの第１の例の主要
部を示す斜視図である。また、図２は、図１に示したペ
ルチェモジュールの第１の例を示す平面図である。この
例のペルチェモジュールは、直方体のｐ型半導体素子２
１と直方体のｎ型半導体素子２２からなるペルチェ素子
２３と、これらを接続する電極２４と、電極２４を介し
てペルチェ素子２３を挟持する上側基板２５および下側
基板２６と、電極２４に電流を供給するための柱状電極
２７、２７から概略構成されている。また、ペルチェ素
子２３を構成するｐ型半導体素子２１とｎ型半導体素子
２２が、一定の間隔を空けて交互に配置されており、こ
れらがその両端部で電極２４を介して直列に接続されて
いる。また、上側基板２５には、切り欠き部２５ａが１
箇所、上側基板２５の短辺側で長方形に形成されてお
り、この切り欠き部２５ａをなす長方形の長辺は上側基
板２５の短辺と平行になっている。さらに、柱状電極２
７、２７がそれぞれ、その一方の端部で、下側基板２６
に配置された電極２４、２４にほぼ垂直に立てられ、こ
れに接合されており、電極２４、２４を介してペルチェ
素子２３に接続されている。また、柱状電極２７、２７
の下側基板２６に設けられた電極２４、２４に接続され
ていない端部がそれぞれ、切り欠き部２５ａ内に、上側
基板２５の短辺方向に平行に並列されて収容されてい
る。
【００１１】ペルチェ素子２３は、直方体のｐ型半導体
素子２１とｎ型半導体素子２２が一定の間隔をあけて、
交互に配置されたものである。ｐ型半導体素子２１は、
Ｓｂ 2Ｔｅ3−Ｂｉ2Ｔｅ3合金などで形成されており、ｎ
型半導体素子２２はＢｉ2Ｔｅ3−Ｂｉ2Ｓｅ3合金などで
形成されている。電極２４は、銅などからなる導電性金
属薄膜などで形成されている。上側基板２５および下側
基板２６は、アルミナ、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、
炭化ケイ素（ＳｉＣ）などからなるセラミックス基板で
形成されている。また、柱状電極２７としては、銅、銅
合金、銅−タングステン合金、アルミニウムなどの金
属、もしくはアルミナなどのセラミックス材料からなる
基材の周囲に、厚さ３μｍ程度のニッケルからなる被膜
を形成した後、さらにこの被膜の上に厚さ１μｍ程度の
金からなる被膜を形成したものが好ましく用いられる。
また、柱状電極２７の形状は四角柱、円柱などの柱状で
あれば特に限定されるものではないが、上述のように切
り欠き部２５ａが長方形でるから、柱状電極２７の形状
が四角柱であれば切り欠き部２５ａに無駄な空間が生じ
ることがないので、好ましい。
素子２１とｎ型半導体素子２２が一定の間隔をあけて、
交互に配置されたものである。ｐ型半導体素子２１は、
Ｓｂ 2Ｔｅ3−Ｂｉ2Ｔｅ3合金などで形成されており、ｎ
型半導体素子２２はＢｉ2Ｔｅ3−Ｂｉ2Ｓｅ3合金などで
形成されている。電極２４は、銅などからなる導電性金
属薄膜などで形成されている。上側基板２５および下側
基板２６は、アルミナ、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、
炭化ケイ素（ＳｉＣ）などからなるセラミックス基板で
形成されている。また、柱状電極２７としては、銅、銅
合金、銅−タングステン合金、アルミニウムなどの金
属、もしくはアルミナなどのセラミックス材料からなる
基材の周囲に、厚さ３μｍ程度のニッケルからなる被膜
を形成した後、さらにこの被膜の上に厚さ１μｍ程度の
金からなる被膜を形成したものが好ましく用いられる。
また、柱状電極２７の形状は四角柱、円柱などの柱状で
あれば特に限定されるものではないが、上述のように切
り欠き部２５ａが長方形でるから、柱状電極２７の形状
が四角柱であれば切り欠き部２５ａに無駄な空間が生じ
ることがないので、好ましい。
【００１２】この例のペルチェモジュールにあっては、
上側基板２５に切り欠き部２５ａを設けたことにより、
柱状電極２７を設けるために、下側基板２６を上側基板
２５よりも長く形成する必要がないから、小型化が可能
となる。また、柱状電極２７、２７が露出していないか
ら、ペルチェモジュールを半導体装置などに実装する際
に、柱状電極２７、２７に衝撃が加えられて、これらが
倒れたり、曲がったりして損傷することがない。また、
上側基板２５には、切り欠き部２５ａが１箇所のみ設け
られ、この中に柱状電極２７、２７の端部が収容されて
いる。したがって、柱状電極２７と同数の切り欠き部２
５ａを設ける必要がなく、一度の加工で切り欠き部２５
ａを形成することができるから、その形成が容易である
上に、形成の工程が簡略化されるから、製造コストを低
減することができる。また、切り欠き部２５ａを、上側
基板２５の短辺側の中央部に設ければ、ペルチェモジュ
ールを構成する他の部材を左右均等に配置することがで
きる。その結果として、無駄な部分を省くことができ、
ペルチェモジュールを小型化することができるので好ま
しい。
上側基板２５に切り欠き部２５ａを設けたことにより、
柱状電極２７を設けるために、下側基板２６を上側基板
２５よりも長く形成する必要がないから、小型化が可能
となる。また、柱状電極２７、２７が露出していないか
ら、ペルチェモジュールを半導体装置などに実装する際
に、柱状電極２７、２７に衝撃が加えられて、これらが
倒れたり、曲がったりして損傷することがない。また、
上側基板２５には、切り欠き部２５ａが１箇所のみ設け
られ、この中に柱状電極２７、２７の端部が収容されて
いる。したがって、柱状電極２７と同数の切り欠き部２
５ａを設ける必要がなく、一度の加工で切り欠き部２５
ａを形成することができるから、その形成が容易である
上に、形成の工程が簡略化されるから、製造コストを低
減することができる。また、切り欠き部２５ａを、上側
基板２５の短辺側の中央部に設ければ、ペルチェモジュ
ールを構成する他の部材を左右均等に配置することがで
きる。その結果として、無駄な部分を省くことができ、
ペルチェモジュールを小型化することができるので好ま
しい。
【００１３】また、上側基板２５の切り欠き部２５ａ
は、焼結するとセラミックス基板となるシートを打ち抜
き加工して形成するか、または、焼結したセラミックス
基板を、レーザ、切断機などにより切断加工して形成す
る。
は、焼結するとセラミックス基板となるシートを打ち抜
き加工して形成するか、または、焼結したセラミックス
基板を、レーザ、切断機などにより切断加工して形成す
る。
【００１４】また、柱状電極２７の長さは、電極２４に
接合されていない側の端部が、切り欠き部２５ａ内に収
容されていれば特に限定されない。例えば、柱状電極２
７の端面２７ａが、上側基板２５の表面と面一となって
いるか、または上側基板２５の表面よりも突出している
か、あるいは上側基板２５の表面より下の位置となって
いてもよい。柱状電極２７の端面２７ａが、上側基板２
５の表面と面一であれば、余分な突出部分がなくなり、
ペルチェモジュールをより小型化することができるので
好ましい。
接合されていない側の端部が、切り欠き部２５ａ内に収
容されていれば特に限定されない。例えば、柱状電極２
７の端面２７ａが、上側基板２５の表面と面一となって
いるか、または上側基板２５の表面よりも突出している
か、あるいは上側基板２５の表面より下の位置となって
いてもよい。柱状電極２７の端面２７ａが、上側基板２
５の表面と面一であれば、余分な突出部分がなくなり、
ペルチェモジュールをより小型化することができるので
好ましい。
【００１５】また、柱状電極２７と上側基板２５との間
には、隙間が開いていてもよいし、また、両者が接して
いてもよい。柱状電極２７と上側基板２５との間に隙間
が開いていれば、温調側（吸熱側）である上側基板２５
に柱状電極２７から熱が伝わることを防止することがで
き、より熱効率のよいものとすることができる。両者が
接するようにすれば、柱状電極２７の取り付け時に、上
側基板２５が基準面となり、柱状電極２７を精度よく取
り付けることができる。
には、隙間が開いていてもよいし、また、両者が接して
いてもよい。柱状電極２７と上側基板２５との間に隙間
が開いていれば、温調側（吸熱側）である上側基板２５
に柱状電極２７から熱が伝わることを防止することがで
き、より熱効率のよいものとすることができる。両者が
接するようにすれば、柱状電極２７の取り付け時に、上
側基板２５が基準面となり、柱状電極２７を精度よく取
り付けることができる。
【００１６】また、柱状電極２７の側面２７ｂが、アル
ミナ、シリカなどの断熱材で被覆されていてもよい。さ
らに、柱状電極２７の端面２７ａがワイヤボンディング
配線によって電線と接続された後、この端面２７ａが断
熱材で被覆されてもよい。このように柱状電極２７の端
面２７ａおよび側面２７ｂを断熱材で被覆することによ
り、温調側（吸熱側）である上側基板２５側における柱
状電極２７からの放熱をより一層防止することができ、
より一層熱効率のよいものとすることができる。
ミナ、シリカなどの断熱材で被覆されていてもよい。さ
らに、柱状電極２７の端面２７ａがワイヤボンディング
配線によって電線と接続された後、この端面２７ａが断
熱材で被覆されてもよい。このように柱状電極２７の端
面２７ａおよび側面２７ｂを断熱材で被覆することによ
り、温調側（吸熱側）である上側基板２５側における柱
状電極２７からの放熱をより一層防止することができ、
より一層熱効率のよいものとすることができる。
【００１７】柱状電極２７は、通常、ペルチェ素子２３
への電流の入力用電極１個および出力用電極１個の一対
から構成されている。ところで、１個のペルチェモジュ
ール内に２個の回路が形成されている場合には、二対の
電流供給用電極１５が設けられており、ペルチェモジュ
ール内に形成された回路の数に応じて、柱状電極２７の
数が決定される。なお、柱状電極２７の数に応じて、上
側基板２５の切り欠き部２５ａの大きさが決定される
が、切り欠き部２５ａが形成されるのは上側基板２５の
１箇所である。
への電流の入力用電極１個および出力用電極１個の一対
から構成されている。ところで、１個のペルチェモジュ
ール内に２個の回路が形成されている場合には、二対の
電流供給用電極１５が設けられており、ペルチェモジュ
ール内に形成された回路の数に応じて、柱状電極２７の
数が決定される。なお、柱状電極２７の数に応じて、上
側基板２５の切り欠き部２５ａの大きさが決定される
が、切り欠き部２５ａが形成されるのは上側基板２５の
１箇所である。
【００１８】また、柱状電極２７は、入力用電極と出力
用電極が独立して設けられていても、両者がアルミナ、
ガラスなどの絶縁体を介して一体となっていてもよい。
入力用電極と出力用電極が一体となっていれば、柱状電
極２７は小型化されるから、上側基板２５の切り欠き部
２５ａも小さくすることができる。その結果として、ペ
ルチェモジュールをより小型化することができるので好
ましい。
用電極が独立して設けられていても、両者がアルミナ、
ガラスなどの絶縁体を介して一体となっていてもよい。
入力用電極と出力用電極が一体となっていれば、柱状電
極２７は小型化されるから、上側基板２５の切り欠き部
２５ａも小さくすることができる。その結果として、ペ
ルチェモジュールをより小型化することができるので好
ましい。
【００１９】また、この例のペルチェモジュールでは、
図２において破線で示したペルチェ素子形成領域２８内
に、ペルチェ素子２３および電極２４が設けられてい
る。この図からも分かるように、柱状電極２７を上側基
板２５の切り欠き部２５ａ内の１箇所にまとめて収容す
ることにより、上側基板２５および下側基板２６に無駄
な領域が存在することなくペルチェ素子２３を配置する
ことができるから、上側基板２５および下側基板２６を
有効に利用することができる。
図２において破線で示したペルチェ素子形成領域２８内
に、ペルチェ素子２３および電極２４が設けられてい
る。この図からも分かるように、柱状電極２７を上側基
板２５の切り欠き部２５ａ内の１箇所にまとめて収容す
ることにより、上側基板２５および下側基板２６に無駄
な領域が存在することなくペルチェ素子２３を配置する
ことができるから、上側基板２５および下側基板２６を
有効に利用することができる。
【００２０】図３は、本発明のペルチェモジュールの第
２の例を示す平面図である。この例のペルチェモジュー
ルと前記第１の例のペルチェモジュールとが異なるとこ
ろは、上側基板３５には、開口部３５ａが１箇所、上側
基板３５の短辺側の端部付近で長方形に形成され、この
開口部３５ａをなす長方形の長辺は上側基板３５の短辺
と平行となっており、柱状電極３７、３７の図示略の下
側基板に設けられた電極（図示略）に接合されていな側
の端部が、開口部３５ａ内に、上側基板３５の短辺方向
に平行に並列されて収容されている点である。この例の
ペルチェモジュールにあっては、柱状電極３７、３７の
端部の周囲が上側基板３５で囲まれているから、柱状電
極３７、３７が保護される。したがって、ペルチェモジ
ュールを半導体装置などに実装する際に、柱状電極３
７、３７に衝撃が加えられて、これらが倒れたり、曲が
ったりして損傷することがない。また、上側基板３５に
は、開口部３５ａが１箇所のみ形成されるから、その形
成は容易である上に、工程が簡略化されるから、製造コ
ストを低減することができる。また、この例のペルチェ
モジュールでは、ペルチェ素子形成領域３８内に、ペル
チェ素子が取り付けられているから、上側基板３５およ
び図示略の下側基板に無駄な領域が存在するはことな
い。
２の例を示す平面図である。この例のペルチェモジュー
ルと前記第１の例のペルチェモジュールとが異なるとこ
ろは、上側基板３５には、開口部３５ａが１箇所、上側
基板３５の短辺側の端部付近で長方形に形成され、この
開口部３５ａをなす長方形の長辺は上側基板３５の短辺
と平行となっており、柱状電極３７、３７の図示略の下
側基板に設けられた電極（図示略）に接合されていな側
の端部が、開口部３５ａ内に、上側基板３５の短辺方向
に平行に並列されて収容されている点である。この例の
ペルチェモジュールにあっては、柱状電極３７、３７の
端部の周囲が上側基板３５で囲まれているから、柱状電
極３７、３７が保護される。したがって、ペルチェモジ
ュールを半導体装置などに実装する際に、柱状電極３
７、３７に衝撃が加えられて、これらが倒れたり、曲が
ったりして損傷することがない。また、上側基板３５に
は、開口部３５ａが１箇所のみ形成されるから、その形
成は容易である上に、工程が簡略化されるから、製造コ
ストを低減することができる。また、この例のペルチェ
モジュールでは、ペルチェ素子形成領域３８内に、ペル
チェ素子が取り付けられているから、上側基板３５およ
び図示略の下側基板に無駄な領域が存在するはことな
い。
【００２１】図４は、本発明のペルチェモジュールの第
３の例を示す平面図である。この例のペルチェモジュー
ルと前記第１の例のペルチェモジュールとが異なるとこ
ろは、上側基板４５には、切り欠き部４５ａが１箇所、
上側基板４５の短辺側で長方形に形成され、この切り欠
き部４５ａをなす長方形の長辺は上側基板４５の短辺と
垂直となっており、柱状電極４７、４７の図示略の下側
基板に設けられた電極（図示略）に接合されていな側の
端部が、切り欠き部４５ａ内に、上側基板４５の長辺方
向に平行に並列されて収容されている点である。この例
のペルチェモジュールにあっては、柱状電極４７、４７
が、上側基板４５の長辺方向に並列に配置されているか
ら、柱状電極４７、４７の端面４７ａ、４７ａに取り付
けられるワイヤボンディング配線が交差することがな
い。また、上側基板４５には、開口部４５ａが１箇所の
み形成されるから、その形成は容易である上に、工程が
簡略化されるから、製造コストを低減することができ
る。また、この例のペルチェモジュールでは、ペルチェ
素子形成領域４８内に、ペルチェ素子が取り付けられて
いるから、上側基板４５および図示略の下側基板に無駄
な領域が存在するはことない。
３の例を示す平面図である。この例のペルチェモジュー
ルと前記第１の例のペルチェモジュールとが異なるとこ
ろは、上側基板４５には、切り欠き部４５ａが１箇所、
上側基板４５の短辺側で長方形に形成され、この切り欠
き部４５ａをなす長方形の長辺は上側基板４５の短辺と
垂直となっており、柱状電極４７、４７の図示略の下側
基板に設けられた電極（図示略）に接合されていな側の
端部が、切り欠き部４５ａ内に、上側基板４５の長辺方
向に平行に並列されて収容されている点である。この例
のペルチェモジュールにあっては、柱状電極４７、４７
が、上側基板４５の長辺方向に並列に配置されているか
ら、柱状電極４７、４７の端面４７ａ、４７ａに取り付
けられるワイヤボンディング配線が交差することがな
い。また、上側基板４５には、開口部４５ａが１箇所の
み形成されるから、その形成は容易である上に、工程が
簡略化されるから、製造コストを低減することができ
る。また、この例のペルチェモジュールでは、ペルチェ
素子形成領域４８内に、ペルチェ素子が取り付けられて
いるから、上側基板４５および図示略の下側基板に無駄
な領域が存在するはことない。
【００２２】図５は、本発明のペルチェモジュールの第
４の例を示す平面図である。この例のペルチェモジュー
ルと前記第１の例のペルチェモジュールとが異なるとこ
ろは、上側基板５５には、切り欠き部５５ａが１箇所、
上側基板５５の四隅の１箇所で長方形に形成され、この
切り欠き部５５ａをなす長方形の長辺は上側基板５５の
短辺と垂直となっており、柱状電極５７、５７の図示略
の下側基板に設けられた電極（図示略）に接合されてい
な側の端部が、開口部５５ａ内に、上側基板５５の長辺
方向に平行に並列されて収容されている点である。この
例のペルチェモジュールにあっては、柱状電極５７、５
７が、上側基板５５の長辺方向に並列に配置されている
から、柱状電極５７、５７の端面５７ａ、５７ａに取り
付けられるワイヤボンディング配線が交差することがな
い。また、切り欠き部５５ａが、上側基板５５の四隅の
１箇所を打ち抜き加工や切断加工して形成するものであ
るから、加工が容易で、工程が簡略化されるから、製造
コストを低減することができる。また、この例のペルチ
ェモジュールでは、ペルチェ素子形成領域５８内に、ペ
ルチェ素子が取り付けられているから、上側基板５５お
よび図示略の下側基板に無駄な領域が存在するはことな
い。
４の例を示す平面図である。この例のペルチェモジュー
ルと前記第１の例のペルチェモジュールとが異なるとこ
ろは、上側基板５５には、切り欠き部５５ａが１箇所、
上側基板５５の四隅の１箇所で長方形に形成され、この
切り欠き部５５ａをなす長方形の長辺は上側基板５５の
短辺と垂直となっており、柱状電極５７、５７の図示略
の下側基板に設けられた電極（図示略）に接合されてい
な側の端部が、開口部５５ａ内に、上側基板５５の長辺
方向に平行に並列されて収容されている点である。この
例のペルチェモジュールにあっては、柱状電極５７、５
７が、上側基板５５の長辺方向に並列に配置されている
から、柱状電極５７、５７の端面５７ａ、５７ａに取り
付けられるワイヤボンディング配線が交差することがな
い。また、切り欠き部５５ａが、上側基板５５の四隅の
１箇所を打ち抜き加工や切断加工して形成するものであ
るから、加工が容易で、工程が簡略化されるから、製造
コストを低減することができる。また、この例のペルチ
ェモジュールでは、ペルチェ素子形成領域５８内に、ペ
ルチェ素子が取り付けられているから、上側基板５５お
よび図示略の下側基板に無駄な領域が存在するはことな
い。
【００２３】図６は、本発明のペルチェモジュールの第
５の例を示す平面図である。この例のペルチェモジュー
ルと前記第１の例のペルチェモジュールとが異なるとこ
ろは、まず、上側基板６５には、切り欠き部６５ａが１
箇所、上側基板６５の短辺側で長方形に形成され、この
切り欠き部６５ａをなす長方形の長辺は上側基板６５の
短辺と平行となっており、第１の柱状電極６７、６７お
よび第２の柱状電極６８、６８の図示略の下側基板に設
けられた電極（図示略）に接合されていな側の端部が、
切り欠き部６５ａ内に、上側基板６５の短辺方向に平行
に並列されて収容されている点である。また、図６中
で、上側基板６５の中央に引かれた破線を境にして、２
つのペルチェ素子形成領域が設けられている。第１のペ
ルチェ素子形成領域６９ａに設けられたペルチェ素子に
は、第１の柱状電極６７、６７から電流が供給され、第
２のペルチェ素子形成領域６９ｂに設けられたペルチェ
素子には、第２の柱状電極６８、６８から電流が供給さ
れるようになっている点である。この例のペルチェモジ
ュールにあっては、モジュール内に複数のペルチェ素子
（図示略）と、上側基板６５および下側基板（図示略）
に設けられた電極（図示略）と、第１の柱状電極６７、
６７または第２の柱状電極６８、６８からなる２個のユ
ニットが形成されている。これら２個のユニットは、そ
れぞれ独立に温調することが可能となっている。したが
って、この例のペルチェモジュールに接する２個の装置
をそれぞれ、異なる温度範囲に温度調節する場合、２個
のペルチェモジュールを別々に設ける必要がなくなるか
ら、ペルチェモジュールの小型化、さらにはこれが用い
られる装置の小型化を図ることができる。
５の例を示す平面図である。この例のペルチェモジュー
ルと前記第１の例のペルチェモジュールとが異なるとこ
ろは、まず、上側基板６５には、切り欠き部６５ａが１
箇所、上側基板６５の短辺側で長方形に形成され、この
切り欠き部６５ａをなす長方形の長辺は上側基板６５の
短辺と平行となっており、第１の柱状電極６７、６７お
よび第２の柱状電極６８、６８の図示略の下側基板に設
けられた電極（図示略）に接合されていな側の端部が、
切り欠き部６５ａ内に、上側基板６５の短辺方向に平行
に並列されて収容されている点である。また、図６中
で、上側基板６５の中央に引かれた破線を境にして、２
つのペルチェ素子形成領域が設けられている。第１のペ
ルチェ素子形成領域６９ａに設けられたペルチェ素子に
は、第１の柱状電極６７、６７から電流が供給され、第
２のペルチェ素子形成領域６９ｂに設けられたペルチェ
素子には、第２の柱状電極６８、６８から電流が供給さ
れるようになっている点である。この例のペルチェモジ
ュールにあっては、モジュール内に複数のペルチェ素子
（図示略）と、上側基板６５および下側基板（図示略）
に設けられた電極（図示略）と、第１の柱状電極６７、
６７または第２の柱状電極６８、６８からなる２個のユ
ニットが形成されている。これら２個のユニットは、そ
れぞれ独立に温調することが可能となっている。したが
って、この例のペルチェモジュールに接する２個の装置
をそれぞれ、異なる温度範囲に温度調節する場合、２個
のペルチェモジュールを別々に設ける必要がなくなるか
ら、ペルチェモジュールの小型化、さらにはこれが用い
られる装置の小型化を図ることができる。
【００２４】なお、上記第５の例のように、複数のユニ
ットを設けたペルチェモジュールにおいても、上側基板
６５の切り欠き部または開口部を、上述の第２ないし第
４の例に示したペルチェモジュールの切り欠き部または
開口部ように形成してもよい。
ットを設けたペルチェモジュールにおいても、上側基板
６５の切り欠き部または開口部を、上述の第２ないし第
４の例に示したペルチェモジュールの切り欠き部または
開口部ように形成してもよい。
【００２５】以下、本発明のペルチェモジュールの製造
方法を、図１および図２を用いて説明する。まず、アル
ミナ、窒化アルミニウム、炭化ケイ素などのセラミック
ス原料粉末にポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂
などのバインダーおよび有機溶媒を添加し、これらを混
練してスラリーを作製する。次に、このスラリーを用い
て、所定の厚さのシートを成形する。次に、このシート
に打ち抜きなどの半導体装置加工を施し、上側基板２５
の切り欠き部２５ａとなる部分を形成する。次に、切り
欠き部２５ａとなる部分が形成されたシートを、焼結炉
を用いて、１５００〜２０００℃で、０．５〜５時間焼
結し、上側基板２５を得る。また、上側基板２５と同様
に、上記のスラリーからなるシートを焼結して、下側基
板２６を得る。
方法を、図１および図２を用いて説明する。まず、アル
ミナ、窒化アルミニウム、炭化ケイ素などのセラミック
ス原料粉末にポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂
などのバインダーおよび有機溶媒を添加し、これらを混
練してスラリーを作製する。次に、このスラリーを用い
て、所定の厚さのシートを成形する。次に、このシート
に打ち抜きなどの半導体装置加工を施し、上側基板２５
の切り欠き部２５ａとなる部分を形成する。次に、切り
欠き部２５ａとなる部分が形成されたシートを、焼結炉
を用いて、１５００〜２０００℃で、０．５〜５時間焼
結し、上側基板２５を得る。また、上側基板２５と同様
に、上記のスラリーからなるシートを焼結して、下側基
板２６を得る。
【００２６】次に、上側基板２５と下側基板２６のペル
チェモジュールの内面側となる面に、ペルチェ素子２３
および柱状電極２７を接合するための電極２４を所定の
回路パターンに形成する。電極２４の形成方法は、金属
のメッキまたはエッチングにより行なわれる。次に、あ
らかじめ用意しておいた、直方体のｐ型半導体素子２１
とｎ型半導体素子２２が一定の間隔を空けて配置された
構造のペルチェ素子２３を、電極２４を介して交互に接
続されるように、下側基板２６の電極２４にはんだペー
ストを介して接合し、ペルチェ素子形成領域２８内に配
置する。例えば、ｐ型半導体素子２１とｎ型半導体素子
２２がマトリックスをなすように配置される。次に、上
側基板２５に設けられた電極２４にもはんだペーストを
塗布し、電極２４が下側基板２６と同様にペルチェ素子
２３に接続されるように、上側基板２５をペルチェ素子
２３に重ね合せる。
チェモジュールの内面側となる面に、ペルチェ素子２３
および柱状電極２７を接合するための電極２４を所定の
回路パターンに形成する。電極２４の形成方法は、金属
のメッキまたはエッチングにより行なわれる。次に、あ
らかじめ用意しておいた、直方体のｐ型半導体素子２１
とｎ型半導体素子２２が一定の間隔を空けて配置された
構造のペルチェ素子２３を、電極２４を介して交互に接
続されるように、下側基板２６の電極２４にはんだペー
ストを介して接合し、ペルチェ素子形成領域２８内に配
置する。例えば、ｐ型半導体素子２１とｎ型半導体素子
２２がマトリックスをなすように配置される。次に、上
側基板２５に設けられた電極２４にもはんだペーストを
塗布し、電極２４が下側基板２６と同様にペルチェ素子
２３に接続されるように、上側基板２５をペルチェ素子
２３に重ね合せる。
【００２７】次に、上側基板２５の切り欠き部２５ａを
通して、下側基板２６の切り欠き部２５ａに対向する位
置に形成された電極２４上に、柱状電極２７、２７を配
置し、はんだペーストを介して電極２４と接合する。次
に、このように組み立てられたモジュールを、リフロー
炉内で加熱して、はんだペーストを溶融して、はんだを
介したペルチェ素子２３および柱状電極２７、２７と電
極２４との接合を行ない、ペルチェモジュールを得る。
通して、下側基板２６の切り欠き部２５ａに対向する位
置に形成された電極２４上に、柱状電極２７、２７を配
置し、はんだペーストを介して電極２４と接合する。次
に、このように組み立てられたモジュールを、リフロー
炉内で加熱して、はんだペーストを溶融して、はんだを
介したペルチェ素子２３および柱状電極２７、２７と電
極２４との接合を行ない、ペルチェモジュールを得る。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のペルチェ
モジュールは、複数のペルチェ素子と、これらペルチェ
素子を電気的に直列接続するために前記ペルチェ素子の
両端にそれぞれ配置された電極と、該電極を介して前記
ペルチェ素子を挟持するように配置された一対の基板
と、前記電極に電流を供給するための２個の柱状電極と
を備え、前記基板の一方に切り欠き部または開口部が１
箇所形成され、前記２個の柱状電極の一方の端部が前記
基板の他方に配置された電極上に立てられ、前記２個の
柱状電極の他方の端部が前記切り欠き部または開口部内
に収容されているから、このペルチェモジュールを半導
体装置などに実装する際に、柱状電極に衝撃が加えられ
て、これらが倒れたり、曲がったりして損傷することが
ない。また、ペルチェモジュールをより小型化すること
ができる。さらに、一度の加工で前記切り欠き部または
開口部を形成することができるから、その形成が容易で
ある上に、形成の工程が簡略化されるから、製造コスト
を低減することができる。
モジュールは、複数のペルチェ素子と、これらペルチェ
素子を電気的に直列接続するために前記ペルチェ素子の
両端にそれぞれ配置された電極と、該電極を介して前記
ペルチェ素子を挟持するように配置された一対の基板
と、前記電極に電流を供給するための２個の柱状電極と
を備え、前記基板の一方に切り欠き部または開口部が１
箇所形成され、前記２個の柱状電極の一方の端部が前記
基板の他方に配置された電極上に立てられ、前記２個の
柱状電極の他方の端部が前記切り欠き部または開口部内
に収容されているから、このペルチェモジュールを半導
体装置などに実装する際に、柱状電極に衝撃が加えられ
て、これらが倒れたり、曲がったりして損傷することが
ない。また、ペルチェモジュールをより小型化すること
ができる。さらに、一度の加工で前記切り欠き部または
開口部を形成することができるから、その形成が容易で
ある上に、形成の工程が簡略化されるから、製造コスト
を低減することができる。
【００２９】また、本発明のペルチェモジュールは、複
数のペルチェ素子と、これらペルチェ素子を２以上のユ
ニットに区画して各ユニットのペルチェ素子を電気的に
直列接続するために前記ペルチェ素子の両端にそれぞれ
配置された電極と、該電極を介して前記ペルチェ素子を
挟持するように配置された一対の基板と、前記電極に電
流を供給するための偶数個の柱状電極とを備え、前記基
板の一方に切り欠き部または開口部が１箇所形成され、
前記偶数個の柱状電極の一方の端部が前記基板の他方に
配置された電極上に立てられ、前記偶数個の柱状電極の
他方の端部が前記切り欠き部または開口部内に収容され
ているから、ペルチェモジュールに接する複数の装置を
それぞれ、異なる温度範囲に温度調節する場合、複数の
ペルチェモジュールを別々に設ける必要がなくなるか
ら、ペルチェモジュールの小型化、さらにはこれが用い
られる装置の小型化を図ることができる。
数のペルチェ素子と、これらペルチェ素子を２以上のユ
ニットに区画して各ユニットのペルチェ素子を電気的に
直列接続するために前記ペルチェ素子の両端にそれぞれ
配置された電極と、該電極を介して前記ペルチェ素子を
挟持するように配置された一対の基板と、前記電極に電
流を供給するための偶数個の柱状電極とを備え、前記基
板の一方に切り欠き部または開口部が１箇所形成され、
前記偶数個の柱状電極の一方の端部が前記基板の他方に
配置された電極上に立てられ、前記偶数個の柱状電極の
他方の端部が前記切り欠き部または開口部内に収容され
ているから、ペルチェモジュールに接する複数の装置を
それぞれ、異なる温度範囲に温度調節する場合、複数の
ペルチェモジュールを別々に設ける必要がなくなるか
ら、ペルチェモジュールの小型化、さらにはこれが用い
られる装置の小型化を図ることができる。
【００３０】前記切り欠き部が前記基板の短辺側で長方
形に形成され、該長方形の長辺は前記基板の短辺と平行
であるとすれば、切り欠き部の形成が容易である上に、
形成の工程が簡略化される。前記切り欠き部が前記基板
の短辺側で長方形に形成され、該長方形の長辺は前記基
板の短辺と垂直であるとすれば、切り欠き部内に配置さ
れる２個の柱状電極が、上側基板の長辺方向に並列に配
置されているから、柱状電極の端面に取り付けられるワ
イヤボンディング配線が交差することがない。前記切り
欠き部が前記基板の四隅の１箇所で長方形に形成され、
該長方形の長辺は前記基板の短辺と垂直であるとすれ
ば、切り欠き部の加工が容易で、工程が簡略化される。
前記開口部が前記基板の短辺側の端部付近で長方形に形
成され、該長方形の長辺は前記基板の短辺と平行である
とすれば、柱状電極の端部の周囲が上側基板で囲まれて
いるから、柱状電極が保護される。
形に形成され、該長方形の長辺は前記基板の短辺と平行
であるとすれば、切り欠き部の形成が容易である上に、
形成の工程が簡略化される。前記切り欠き部が前記基板
の短辺側で長方形に形成され、該長方形の長辺は前記基
板の短辺と垂直であるとすれば、切り欠き部内に配置さ
れる２個の柱状電極が、上側基板の長辺方向に並列に配
置されているから、柱状電極の端面に取り付けられるワ
イヤボンディング配線が交差することがない。前記切り
欠き部が前記基板の四隅の１箇所で長方形に形成され、
該長方形の長辺は前記基板の短辺と垂直であるとすれ
ば、切り欠き部の加工が容易で、工程が簡略化される。
前記開口部が前記基板の短辺側の端部付近で長方形に形
成され、該長方形の長辺は前記基板の短辺と平行である
とすれば、柱状電極の端部の周囲が上側基板で囲まれて
いるから、柱状電極が保護される。
【００３１】また、本発明のペルチェモジュールの製造
方法によれば、切り欠き部または開口部の加工が容易で
あり、製造コストを削減することができる。
方法によれば、切り欠き部または開口部の加工が容易で
あり、製造コストを削減することができる。
【図１】 本発明のペルチェモジュールの第１の例示す
概略斜視図である。
概略斜視図である。
【図２】 図１に示したペルチェモジュールの第１の例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】 本発明のペルチェモジュールの第２の例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図４】 本発明のペルチェモジュールの第３の例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図５】 本発明のペルチェモジュールの第４の例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図６】 本発明のペルチェモジュールの第５の例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図７】 従来のペルチェモジュールの一例を示す斜視
図である。
図である。
【図８】 従来のペルチェモジュールの他の例を示す斜
視図である。
視図である。
２１・・・ｐ型半導体素子、２２・・・ｎ型半導体素子、２３
・・・ペルチェ素子、２４・・・電極、２５，３５，４５，５
５，６５・・・上側基板、２５ａ，４５ａ，５５ａ，６５
ａ・・・切り欠き部、２６・・・下側基板、２７，３７，４
７，５７・・・柱状電極、２８，３８，４８，５８・・・ペル
チェ素子形成領域、３５ａ・・・開口部、６７・・・第１の柱
状電極、６８・・・第２の柱状電極、６９ａ・・・第１のペル
チェ素子形成領域、６９ｂ・・・第２のペルチェ素子形成
領域
・・・ペルチェ素子、２４・・・電極、２５，３５，４５，５
５，６５・・・上側基板、２５ａ，４５ａ，５５ａ，６５
ａ・・・切り欠き部、２６・・・下側基板、２７，３７，４
７，５７・・・柱状電極、２８，３８，４８，５８・・・ペル
チェ素子形成領域、３５ａ・・・開口部、６７・・・第１の柱
状電極、６８・・・第２の柱状電極、６９ａ・・・第１のペル
チェ素子形成領域、６９ｂ・・・第２のペルチェ素子形成
領域
Claims (8)
- 【請求項１】 複数のペルチェ素子と、これらペルチェ
素子を電気的に直列接続するために前記ペルチェ素子の
両端にそれぞれ配置された電極と、該電極を介して前記
ペルチェ素子を挟持するように配置された一対の基板
と、前記電極に電流を供給するための２個の柱状電極と
を備え、 前記基板の一方に切り欠き部または開口部が１箇所形成
され、 前記２個の柱状電極の一方の端部が前記基板の他方に配
置された電極上に立てられ、前記２個の柱状電極の他方
の端部が前記切り欠き部または開口部内に収容されてい
ることを特徴とするペルチェモジュール。 - 【請求項２】 複数のペルチェ素子と、これらペルチェ
素子を２以上のユニットに区画して各ユニットのペルチ
ェ素子を電気的に直列接続するために前記ペルチェ素子
の両端にそれぞれ配置された電極と、該電極を介して前
記ペルチェ素子を挟持するように配置された一対の基板
と、前記電極に電流を供給するための偶数個の柱状電極
とを備え、 前記基板の一方に切り欠き部または開口部が１箇所形成
され、 前記偶数個の柱状電極の一方の端部が前記基板の他方に
配置された電極上に立てられ、前記偶数個の柱状電極の
他方の端部が前記切り欠き部または開口部内に収容され
ていることを特徴とするペルチェモジュール。 - 【請求項３】 前記切り欠き部が前記基板の短辺側で長
方形に形成され、該長方形の長辺は前記基板の短辺と平
行であることを特徴とする請求項１または２記載のペル
チェモジュール。 - 【請求項４】 前記切り欠き部が前記基板の短辺側で長
方形に形成され、該長方形の長辺は前記基板の短辺と垂
直であることを特徴とする請求項１または２記載のペル
チェモジュール。 - 【請求項５】 前記切り欠き部が前記基板の四隅の１箇
所で長方形に形成され、該長方形の長辺は前記基板の短
辺と垂直であることを特徴とする請求項１または２記載
のペルチェモジュール。 - 【請求項６】 前記開口部が前記基板の短辺側の端部付
近で長方形に形成され、該長方形の長辺は前記基板の短
辺と平行であることを特徴とする請求項１または２記載
のペルチェモジュール。 - 【請求項７】 ２枚の基板間に複数のペルチェ素子が挟
持され、いずれか一方の基板に切り欠き部または開口部
が形成され、前記ペルチェ素子に電流を供給する偶数個
の柱状電極の一端が上記切り欠き部または開口部に収容
された構造のペルチェモジュールを製造する際、 焼結すると基板となるシートを打ち抜き加工し、基板の
切り欠き部または開口部を形成することを特徴とするペ
ルチェモジュールの製造方法。 - 【請求項８】 ２枚の基板間に複数のペルチェ素子が挟
持され、いずれか一方の基板に切り欠き部または開口部
が形成され、前記ペルチェ素子に電流を供給する偶数個
の柱状電極の一端が上記切り欠き部または開口部に収容
された構造のペルチェモジュールを製造する際、 焼結した基板を切断加工し、基板の切り欠き部または開
口部を形成することを特徴とするペルチェモジュールの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001219683A JP2003031859A (ja) | 2001-07-19 | 2001-07-19 | ペルチェモジュールおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001219683A JP2003031859A (ja) | 2001-07-19 | 2001-07-19 | ペルチェモジュールおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003031859A true JP2003031859A (ja) | 2003-01-31 |
Family
ID=19053640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001219683A Pending JP2003031859A (ja) | 2001-07-19 | 2001-07-19 | ペルチェモジュールおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003031859A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216642A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Seiko Instruments Inc | 熱電素子 |
| JP2006278405A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Aisin Seiki Co Ltd | 熱電変換モジュール |
| JP2011040787A (ja) * | 2010-10-27 | 2011-02-24 | Aisin Seiki Co Ltd | 熱電変換モジュール |
| JP5336373B2 (ja) * | 2007-07-20 | 2013-11-06 | 株式会社ユニバーサルエンターテインメント | 熱電変換モジュール |
| JP2015079839A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | ヤマハ株式会社 | 熱電モジュール |
| JPWO2017056549A1 (ja) * | 2015-09-28 | 2018-03-15 | 京セラ株式会社 | 熱電モジュール |
-
2001
- 2001-07-19 JP JP2001219683A patent/JP2003031859A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216642A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Seiko Instruments Inc | 熱電素子 |
| JP2006278405A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Aisin Seiki Co Ltd | 熱電変換モジュール |
| JP4701780B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-06-15 | アイシン精機株式会社 | 熱電変換モジュール |
| JP5336373B2 (ja) * | 2007-07-20 | 2013-11-06 | 株式会社ユニバーサルエンターテインメント | 熱電変換モジュール |
| JP2011040787A (ja) * | 2010-10-27 | 2011-02-24 | Aisin Seiki Co Ltd | 熱電変換モジュール |
| JP2015079839A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | ヤマハ株式会社 | 熱電モジュール |
| JPWO2017056549A1 (ja) * | 2015-09-28 | 2018-03-15 | 京セラ株式会社 | 熱電モジュール |
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