RU2680675C1 - Способ изготовления термоэлектрических микроохладителей (варианты) - Google Patents
Способ изготовления термоэлектрических микроохладителей (варианты) Download PDFInfo
- Publication number
- RU2680675C1 RU2680675C1 RU2018109990A RU2018109990A RU2680675C1 RU 2680675 C1 RU2680675 C1 RU 2680675C1 RU 2018109990 A RU2018109990 A RU 2018109990A RU 2018109990 A RU2018109990 A RU 2018109990A RU 2680675 C1 RU2680675 C1 RU 2680675C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- conductive layer
- conductive
- board
- branches
- thermoelectric material
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 5
- 239000002574 poison Substances 0.000 claims description 3
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 claims description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 abstract 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229920004936 Lavsan® Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/13—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/82—Connection of interconnections
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Devices That Are Associated With Refrigeration Equipment (AREA)
Abstract
Изобретение относится к термоэлектрическим приборам и может быть использовано при изготовлении термоэлектрических охладителей (ТЭО). Сущность: формируют первый токопроводящий слой, содержащий токопроводящие дорожки, на первой керамической плате. Припаивают ветви термоэлектрического материала на токопроводящие дорожки первого токопроводящего слоя. Формируют второй токопроводящий слой, содержащий токопроводящие дорожки, на временной плате. Припаивают токопроводящие дорожки второго токопроводящего слоя к ветвям термоэлектрического материала. Наносят защитное покрытие на ветви термоэлектрического материала и на паяные соединения. Удаляют временную плату путем травления. Наносят слой эластичного теплопроводящего клея на вторую керамическую плату. Приклеивают вторую керамическую плату к токопроводящим дорожкам второго токопроводящего слоя. Временная плата может быть удалена механически. Технический результат: упрощение изготовления токопроводящего слоя и его позиционирования на ветвях термоэлектрического материала и повышение термоциклической устойчивости ТЭО. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 1 табл., 7 ил.
Description
Настоящее изобретение относится к термоэлектрическим приборам и может быть использовано при изготовлении термоэлектрических охладителей, применяемых в радиоэлектронике, медицине и устройствах, которые эксплуатируются преимущественно в условиях многократного термоциклирования (нагрев - охлаждение).
Известен термоэлектрический охладитель (ТЭО) (см. патент РФ RU 81379 U1, МПК H01L35/28, опубл. 10.03.2009), предназначенный для эксплуатирования преимущественно в условиях многократного термоциклирования и содержащий ветви термоэлектрического материала, присоединенные коммутационными шинами к охлаждающей и теплоотводящей теплообменным керамическим платам. Каждая коммутационная шина расположена по крайней мере на одной из керамических плат и присоединена к ней посредством теплоконтактного соединения, выполненного в виде слоя упругого клеевого компаунда или с дополнительным адгезионным подслоем. Способ изготовления известного охладителя заключается в следующем:
- паяют ветви термоэлектрического материала на коммутационные шины нижней керамической платы ТЭО;
- наносят на верхнюю керамическую плату клеевой слой методом трафаретной печати;
- приклеивают к верхней керамической плате коммутационные шины;
- припаивают к нижней керамической плате с ветвями термоэлектрического материала верхнюю керамическую плату с приклеенными коммутационными шинами.
Данный способ изготовления имеет ряд существенных недостатков. Для него требуется отдельное изготовление коммутационных шин с соответствующим покрытием под пайку на ветви термоэлектрического материала. Сам процесс приклеивания коммутационных шин на верхнюю керамическую плату является трудоемким. А во время пайки коммутационных шин на ветви термоэлектрического материала происходит значительное температурное воздействие (более 200°С) на клеевой компаунд. Кроме того, известный способ относится к так называемым «большим» ТЭО, которые имеют достаточно большие геометрические размеры (размер сечения ветвей у них составляет 1×1 мм2 и более, а размер керамики – более 15×15 мм2). Большие размеры ветвей и керамики облегчают сборку таких ТЭО, так как в этом случае можно использовать токопроводящие дорожки в виде отдельных элементов («шин»), которые из-за больших размеров легко позиционируются и потом склеиваются с остальными частями ТЭО.
В качестве прототипа выбран известный способ изготовления термоэлектрических микроохладителей (см. патент США US 6127619, МПК H01L 35/28, H01L 35/34, опубл. 03.10.2000), в котором
- формируют токоведущие дорожки на первой керамической плате;
- формируют ветви термоэлектрический материал на токоведущих дорожках первой керамической платы;
- формируют слой, содержащий топологию токоведущих дорожек, на ветвях термоэлектрического материала;
- прикрепляют вторую керамическую плату поверх токоведущих дорожек.
Недостатком этого способа изготовления термоэлектрических микроохладителей является неподготовленность к условиям многократных термоциклирований получаемых микроохладителей. Кроме того, в случае микроохладителей использование отдельных коммутационных шин сопряжено с рядом трудностей, связанных с малостью размеров этих шин, в процессе их изготовления, позиционирования и приклейки.
Техническая проблема, на разрешение которой направлено изобретение, заключается в создании термоэлектрического охладителя миниатюрных размеров повышенной надежности.
Технический результат, достигаемый при решении технической проблемы, заключается в упрощении изготовления токопроводящего слоя и его позиционирования на ветвях термоэлектрического материала и в повышении термоциклической устойчивости ТЭО за счет исключения термического воздействия на эластичный теплопроводящий клей.
Технический результат достигается за счет того, что способ изготовления термоэлектрического микроохладителя включает в себя этапы, на которых формируют первый токопроводящий слой, содержащий токопроводящие дорожки, на первой керамической плате; припаивают ветви термоэлектрического материала на токопроводящие дорожки первого токопроводящего слоя: формируют второй токопроводящий слой, содержащий токопроводящие дорожки, на временной плате: припаивают токопроводящие дорожки второго токопроводящего слоя к ветвям термоэлектрического материала; наносят защитное покрытие на ветви термоэлектрического материала и на паяные соединения; травят временную плату; наносят слой эластичного теплопроводящего клея на вторую керамическую плату; приклеивают вторую керамическую плату к токопроводящим дорожкам второго токопроводящего слоя.
Опционально, между этапом травления временной платы и этапом нанесения слоя эластичного теплопроводящего клея на вторую керамическую плату дополнительно наносят адгезионный слой на токопроводящие дорожки второго токопроводящего слоя и на вторую керамическую плату.
Кроме того, одновременно с этапом приклеивания второй керамической платы к токопроводящим дорожкам второго токопроводящего слоя дополнительно осуществляют контроль толщины клеевого слоя.
Во втором варианте осуществления способ изготовления термоэлектрического микроохладителя включает в себя этапы, на которых формируют первый токопроводящий слой, содержащий токопроводящие дорожки, на первой керамической плате; припаивают ветви термоэлектрического материала на токопроводящие дорожки первого токопроводящего слоя; формируют второй токопроводящий слой, содержащий токопроводящие дорожки, на временной плате; припаивают токопроводящие дорожки второго токопроводящего слоя к ветвям термоэлектрического материала; механически удаляют временную плату; наносят слой эластичного теплопроводящего клея на вторую керамическую плату; приклеивают вторую керамическую плату к токопроводящим дорожкам второго токопроводящего слоя.
Далее настоящее изобретение поясняется чертежами, на которых приведены этапы реализации способа изготовления термоэлектрического микроохладителя.
На фиг. 1 изображен этап пайки ветвей термоэлектрического материала на токопроводящие дорожки первого токопроводящего слоя.
На фиг. 2 изображен этап формирования второго токопроводящего слоя, содержащего токопроводящие дорожки, на временной плате.
На фиг.3 изображен этап пайки токопроводящих дорожек второго токопроводящего слоя к ветвям термоэлектрического материала.
На фиг.4 изображен этап травления временной платы.
На фиг.5 изображен общий вид микроохладителя после этапа травления.
На фиг.6 изображен этап приклеивания второй керамической платы.
На фиг.7 показан сравнительный график результатов испытаний термоэлектрических охладителей.
Способ реализуется следующим образом. На первой керамической плате (1), представляющей собой подложку из керамического материала, формируют первый токопроводящий слой, содержащий первые токопроводящие дорожки (2). К токопроводящим дорожкам сформированного токопроводящего слоя (2) припаивают ветви термоэлектрического материала N- (3) и P-типа (4) с помощью припойной пасты (5). Затем к ветвям термоэлектрического материала (3) и (4) припаивают временную плату (6) с сформированным на ней вторым токопроводящим слоем, содержащим вторые токопроводящие дорожки (7). В качестве временной платы (6) может быть использован полиимид, лавсан или другой материал, который в данной технологии является временным носителем токопроводящих дорожек (7) и дальше подлежит удалению механическим или химическим способом. Второй токопроводящий слой, содержащий вторые токопроводящие дорожки (7), может быть приклеен, запрессован или вожжён во временную плату (6). Перед удалением временной платы (6) химически методом группового травления защищают ветви термоэлектрического материала (3) и (4) и паяные соединения (5) от воздействия раствора травителя нанесением защитного покрытия (нанесение покрытия осуществляется групповым методом). Травят временную плату (6). Другим вариантом удаления временной платы (6) является её механическое удаление (например, отрыв) после припаивания вторых токопроводящих дорожек (7) к ветвям термоэлектрического материала (3) и (4). Затем наносят адгезионный подслой (на чертежах не показан) на обе поверхности, подлежащие склейке – на вторую керамическую плату (9) и на токопроводящие дорожки (7). Данный этап является необязательным, однако применение адгезионного подслоя способствует повышению надежности ТЭО за счет увеличения его механической прочности примерно на 50% относительно изготовления без применения подслоя. Следующим этапом является нанесение слоя эластичного теплопроводящего клея (8) на вторую керамическую плату (9), например, методом трафаретной печати или сплошным слоем. Завершающий этап - приклеивание к полученной конструкции с токопроводящими дорожками (7) посредством эластичного теплопроводящего клея (8) второй керамической платы (9), при этом необходим контроль толщины клеевого слоя, которая должна составлять 30-50 мкм. Именно за счёт клеевого слоя конструкция термоэлектрического микроохладителя становится упругой, что позволяет скомпенсировать термомеханические напряжения в модуле в условиях многократного термоциклирования.
Поскольку этап приклеивания второй керамической платы (9) является заключительным в вышеописанном способе, клей (8) в процессе изготовления микроохладителя не подвергается температурному воздействию свыше 50°C. Это положительно сказывается на эластичности клеевого материала, поскольку верхний предел рабочих температур многих клеев не превышает 200°C, и их перегрев выше 200°C не даёт гарантии сохранения физико-химических свойств (например, упругости) клеевого слоя.
Пример конкретного исполнения
Изготовлены модули типа 1MDL06-050-03, как по стандартной технологии (без клеевого слоя), так и по предлагаемому способу.
В таблице 1 представлены сравнительные характеристики этих модулей.
Таблица 1.
| № | Измеряемый параметр |
Установка | Режим измерений |
Результаты измерений | |
| ТЭО, изготовленный предлагаемому способу | Стандартный ТЭО | ||||
| 1 | RAC, Ом | Z-метр DX4190 | На воздухе, T=27°С |
0,85 | 0,91 |
| 2 | ZЧ1000, 1/К | 2,63 | 2,65 | ||
| 3 | τ, сек | 0,27 | 0,27 | ||
| 4 | ДТ при токе 4,5 А, K | Установка прямых измерений DX8020 | Экспертный, при фиксированном токе | 60,74 | 57,56 |
| 5 | ДТ, K | Экспертный, в рабочей точке | 40 | 40 | |
| 6 | Q, Вт | 0,3 | 0,3 | ||
| 7 | Ι, Α | 1,990 | 1,964 | ||
| 8 | U, B | 2,336 | 2,473 | ||
| 9 | W, Вт | 4,649 | 4,857 | ||
Из приведенной таблицы можно видеть следующее:
- электрическое сопротивление RAC у ТЭО отличается на 7%;
- термоэлектрическая добротность Z лучше у стандартного ТЭО (на 0,8%);
- перепад температур ДТ при фиксированном токе 4,5А выше у ТЭО, изготовленного по предлагаемому способу;
- энергопотребление W в рабочей точке ниже (на 4,5%) у ТЭО, изготовленного по предлагаемому способу.
Таким образом, можно констатировать, что ТЭО, изготовленные по предлагаемому способу, имеют электрические параметры не хуже, чем у аналогичных ТЭО, изготовленных по стандартной технологии.
Модули 1МС06-126-05, изготовленные по предлагаемому способу, так же, как и модули, изготовленные по стандартной технологии (без клеевого слоя), были поставлены на сравнительные испытания на стойкость к температурным циклам. Параметры испытаний следующие:
- температура основания (горячей стороны ТЭО) – 40оС;
- верхняя температура холодной стороны ТЭО – 100оС;
- нижняя температура холодной стороны ТЭО – 20оС;
- скорость циклирования – 2 цикла в минуту.
На фиг.7 показаны промежуточные результаты испытаний модулей, изготовленных по стандартному (серый цвет) и заявленному (черный цвет) способам. Видно, что электрическое сопротивление более половины модулей, изготовленных стандартным способом (без применения клеевого соединения), вышло за пределы 5%, т.е. стандартные модули не выдержали данных испытаний. В то же время электрическое сопротивление всех ТЭО, изготовленных по предлагаемому способу, находится в пределах 5% критерия.
ТЭО, изготовленные по второму варианту заявляемого способа с применением механического удаления временной платы (6), обладают более худшими характеристиками, т.к. возможно неполное удаление клея (при механическом разделении временной платы (6) и приклеенных к ней токопроводящих дорожек (7) токопроводящего слоя) или повреждение ветвей термоэлектрического материала (3) и (4) (при механическом разделении временной платы (6) и запрессованных/вожженных в нее токопроводящих дорожек (7) токопроводящего слоя). Однако, несмотря на некоторые недостатки, такой способ изготовления микроохладителя также промышленно реализуем.
Claims (19)
1. Способ изготовления термоэлектрического микроохладителя, в котором
- формируют первый токопроводящий слой, содержащий токопроводящие дорожки, на первой керамической плате;
- припаивают ветви термоэлектрического материала на токопроводящие дорожки первого токопроводящего слоя;
- формируют второй токопроводящий слой, содержащий токопроводящие дорожки, на временной плате;
- припаивают токопроводящие дорожки второго токопроводящего слоя к ветвям термоэлектрического материала;
- наносят защитное покрытие на ветви термоэлектрического материала и на паяные соединения;
- травят временную плату;
- наносят слой эластичного теплопроводящего клея на вторую керамическую плату;
- приклеивают вторую керамическую плату к токопроводящим дорожкам второго токопроводящего слоя.
2. Способ по п.1, в котором между этапом травления временной платы и этапом нанесения слоя эластичного теплопроводящего клея на вторую керамическую плату дополнительно наносят адгезионный слой на токопроводящие дорожки второго токопроводящего слоя и на вторую керамическую плату.
3. Способ по п.1, в котором одновременно с этапом приклеивания второй керамической платы к токопроводящим дорожкам второго токопроводящего слоя осуществляют контроль толщины клеевого слоя.
4. Способ изготовления термоэлектрического микроохладителя, в котором
- формируют первый токопроводящий слой, содержащий токопроводящие дорожки, на первой керамической плате;
- припаивают ветви термоэлектрического материала на токопроводящие дорожки первого токопроводящего слоя;
- формируют второй токопроводящий слой, содержащий токопроводящие дорожки, на временной плате;
- припаивают токопроводящие дорожки второго токопроводящего слоя к ветвям термоэлектрического материала;
- механически удаляют временную плату;
- наносят слой эластичного теплопроводящего клея на вторую керамическую плату;
- приклеивают вторую керамическую плату к токопроводящим дорожкам второго токопроводящего слоя.
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018109990A RU2680675C1 (ru) | 2018-03-21 | 2018-03-21 | Способ изготовления термоэлектрических микроохладителей (варианты) |
| PCT/RU2018/000877 WO2019182473A1 (ru) | 2018-03-21 | 2018-12-26 | Способ изготовления термоэлектрических микроохладителей (варианты) |
| US16/233,271 US10991870B2 (en) | 2018-03-21 | 2018-12-27 | Method of production of thermoelectric micro-coolers (variants) |
| DK19150957.9T DK3544068T3 (da) | 2018-03-21 | 2019-01-09 | Fremgangsmåde til fremstilling af termoelektriske mikrokølere |
| PL19150957T PL3544068T3 (pl) | 2018-03-21 | 2019-01-09 | Sposób wytwarzania mikrochłodnic termoelektrycznych |
| EP19150957.9A EP3544068B1 (en) | 2018-03-21 | 2019-01-09 | Method of production of thermoelectric micro-coolers |
| ES19150957T ES2820717T3 (es) | 2018-03-21 | 2019-01-09 | Método de producción de microenfriadores termoeléctricos |
| TW108101154A TWI683459B (zh) | 2018-03-21 | 2019-01-11 | 生產熱電微冷卻器的方法（變體） |
| CA3030260A CA3030260C (en) | 2018-03-21 | 2019-01-16 | Method of production of thermoelectric micro-coolers (variants) |
| CN201910072603.5A CN110299445B (zh) | 2018-03-21 | 2019-01-25 | 热电微型致冷器（变体）的生产方法 |
| JP2019012049A JP6776381B2 (ja) | 2018-03-21 | 2019-01-28 | 熱電マイクロ冷却器を製造する方法 |
| KR1020190010294A KR102170891B1 (ko) | 2018-03-21 | 2019-01-28 | 열전 마이크로쿨러(변형품)의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018109990A RU2680675C1 (ru) | 2018-03-21 | 2018-03-21 | Способ изготовления термоэлектрических микроохладителей (варианты) |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2680675C1 true RU2680675C1 (ru) | 2019-02-25 |
Family
ID=65011893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018109990A RU2680675C1 (ru) | 2018-03-21 | 2018-03-21 | Способ изготовления термоэлектрических микроохладителей (варианты) |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10991870B2 (ru) |
| EP (1) | EP3544068B1 (ru) |
| JP (1) | JP6776381B2 (ru) |
| KR (1) | KR102170891B1 (ru) |
| CN (1) | CN110299445B (ru) |
| CA (1) | CA3030260C (ru) |
| DK (1) | DK3544068T3 (ru) |
| ES (1) | ES2820717T3 (ru) |
| PL (1) | PL3544068T3 (ru) |
| RU (1) | RU2680675C1 (ru) |
| TW (1) | TWI683459B (ru) |
| WO (1) | WO2019182473A1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3114689B1 (fr) * | 2020-09-29 | 2022-10-14 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de fabrication de dispositif thermoélectrique par fabrication additive de peignes à contacter entre eux |
| CN113301782B (zh) * | 2021-06-02 | 2022-04-19 | 苏州鸿凌达电子科技有限公司 | 一种智能超微型tec制冷模组的制备装置及其制造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5064476A (en) * | 1990-09-17 | 1991-11-12 | Recine Sr Leonard J | Thermoelectric cooler and fabrication method |
| US6127619A (en) * | 1998-06-08 | 2000-10-03 | Ormet Corporation | Process for producing high performance thermoelectric modules |
| RU2185042C2 (ru) * | 1999-08-10 | 2002-07-10 | Мацушита Электрик Уорк, Лтд. | Термоэлектрический модуль с улучшенным теплообменом и способ его изготовления |
| US20120042921A1 (en) * | 2010-08-18 | 2012-02-23 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for manufacturing thermoelectric module and thermoelectric module manufactured from the same |
| EA016644B1 (ru) * | 2011-02-21 | 2012-06-29 | Ооо "Адв-Инжиниринг" | Способ изготовления термоэлектрического охлаждающего устройства |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2542502B2 (ja) * | 1986-10-29 | 1996-10-09 | セイコー電子工業株式会社 | 熱電素子の製造方法 |
| JPS63226980A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-21 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 電子腕時計用熱電素子の製造方法 |
| JPH0864876A (ja) * | 1994-08-25 | 1996-03-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | サーモモジュール |
| JPH08186296A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ペルチェ素子 |
| JPH08316532A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 冷却ユニット構造 |
| JPH104219A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-01-06 | Sony Corp | ペルチェ素子 |
| JPH10215005A (ja) * | 1997-01-28 | 1998-08-11 | Matsushita Electric Works Ltd | ペルチェモジュールの製造方法 |
| JPH11307825A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Yamaha Corp | 熱電モジュール及びその製造方法 |
| CN2381023Y (zh) * | 1998-12-16 | 2000-05-31 | 北方专业设计工艺局“Nord” | 热电冷却器 |
| JP3600486B2 (ja) * | 1999-08-24 | 2004-12-15 | セイコーインスツル株式会社 | 熱電変換素子の製造方法 |
| US6347521B1 (en) * | 1999-10-13 | 2002-02-19 | Komatsu Ltd | Temperature control device and method for manufacturing the same |
| US7619158B2 (en) * | 2001-06-01 | 2009-11-17 | Marlow Industries, Inc. | Thermoelectric device having P-type and N-type materials |
| WO2003105244A1 (ja) * | 2002-01-01 | 2003-12-18 | 古河電気工業株式会社 | 熱電素子モジュール及びその作製方法 |
| JP2003273410A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-09-26 | Citizen Watch Co Ltd | 熱電素子とその製造方法 |
| US20040195934A1 (en) * | 2003-04-03 | 2004-10-07 | Tanielian Minas H. | Solid state thermal engine |
| WO2005124882A1 (ja) * | 2004-06-17 | 2005-12-29 | Aruze Corp. | 熱電変換モジュール |
| US7531739B1 (en) * | 2004-10-15 | 2009-05-12 | Marlow Industries, Inc. | Build-in-place method of manufacturing thermoelectric modules |
| US7544883B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-06-09 | International Business Machines Corporation | Integrated thermoelectric cooling devices and methods for fabricating same |
| US20060107989A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-05-25 | Marlow Industries, Inc. | High watt density thermoelectrics |
| JP2007109942A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Toyota Industries Corp | 熱電モジュール及び熱電モジュールの製造方法 |
| JP2008010764A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | 熱電変換装置 |
| RU81379U1 (ru) | 2008-10-29 | 2009-03-10 | Закрытое Акционерное Общество "Сктб "Норд" | Термоэлектрический охлаждающий модуль |
| JP2010109132A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Yamaha Corp | 熱電モジュールを備えたパッケージおよびその製造方法 |
| US20100127299A1 (en) * | 2008-11-25 | 2010-05-27 | Cooper Technologies Company | Actively Cooled LED Lighting System and Method for Making the Same |
| KR100984108B1 (ko) * | 2009-10-23 | 2010-09-28 | 한국기계연구원 | 전이공정을 이용한 박막형 유연 열전 모듈 제조 방법 |
| KR101680766B1 (ko) * | 2010-01-14 | 2016-11-29 | 삼성전자주식회사 | 열전 소자 및 열전 소자 어레이 |
| JP2012049534A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 熱電モジュール及びその製造方法 |
| KR101388492B1 (ko) * | 2012-05-15 | 2014-04-23 | 권택율 | 골격형 열전 모듈 제조방법 그리고 골격형 열전 모듈이 적용된 열전 유닛 및 그 제조방법 |
| RU2537096C2 (ru) * | 2013-01-28 | 2014-12-27 | Открытое Акционерное Общество "Автоштамп" | Термоэлектрический модуль (варианты) |
| JP6022419B2 (ja) * | 2013-07-09 | 2016-11-09 | 株式会社Kelk | 熱電発電モジュール |
| JP6252413B2 (ja) * | 2013-11-19 | 2017-12-27 | 日立金属株式会社 | 熱電変換材料及びそれを用いた熱電変換モジュール |
| JP6428439B2 (ja) * | 2014-04-30 | 2018-11-28 | 東ソー株式会社 | 珪化バリウム系バルク体、珪化バリウム系スパッタリングターゲット及びそれを用いた珪化バリウム系結晶膜の製造方法 |
| KR20160056370A (ko) * | 2014-11-10 | 2016-05-20 | 한국전자통신연구원 | 열전 소자 |
| TW201718900A (zh) * | 2015-08-28 | 2017-06-01 | Tosoh Corp | 合金材料與其製造方法、以及熱電轉換元件 |
| JP6586352B2 (ja) * | 2015-11-12 | 2019-10-02 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2018
- 2018-03-21 RU RU2018109990A patent/RU2680675C1/ru active
- 2018-12-26 WO PCT/RU2018/000877 patent/WO2019182473A1/ru active Application Filing
- 2018-12-27 US US16/233,271 patent/US10991870B2/en active Active
-
2019
- 2019-01-09 PL PL19150957T patent/PL3544068T3/pl unknown
- 2019-01-09 ES ES19150957T patent/ES2820717T3/es active Active
- 2019-01-09 DK DK19150957.9T patent/DK3544068T3/da active
- 2019-01-09 EP EP19150957.9A patent/EP3544068B1/en active Active
- 2019-01-11 TW TW108101154A patent/TWI683459B/zh active
- 2019-01-16 CA CA3030260A patent/CA3030260C/en active Active
- 2019-01-25 CN CN201910072603.5A patent/CN110299445B/zh active Active
- 2019-01-28 KR KR1020190010294A patent/KR102170891B1/ko active IP Right Grant
- 2019-01-28 JP JP2019012049A patent/JP6776381B2/ja active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5064476A (en) * | 1990-09-17 | 1991-11-12 | Recine Sr Leonard J | Thermoelectric cooler and fabrication method |
| US6127619A (en) * | 1998-06-08 | 2000-10-03 | Ormet Corporation | Process for producing high performance thermoelectric modules |
| RU2185042C2 (ru) * | 1999-08-10 | 2002-07-10 | Мацушита Электрик Уорк, Лтд. | Термоэлектрический модуль с улучшенным теплообменом и способ его изготовления |
| US20120042921A1 (en) * | 2010-08-18 | 2012-02-23 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for manufacturing thermoelectric module and thermoelectric module manufactured from the same |
| EA016644B1 (ru) * | 2011-02-21 | 2012-06-29 | Ооо "Адв-Инжиниринг" | Способ изготовления термоэлектрического охлаждающего устройства |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES2820717T3 (es) | 2021-04-22 |
| TWI683459B (zh) | 2020-01-21 |
| CA3030260C (en) | 2022-01-11 |
| TW201941463A (zh) | 2019-10-16 |
| CN110299445A (zh) | 2019-10-01 |
| WO2019182473A1 (ru) | 2019-09-26 |
| KR20190110932A (ko) | 2019-10-01 |
| JP2019169702A (ja) | 2019-10-03 |
| CA3030260A1 (en) | 2019-09-21 |
| DK3544068T3 (da) | 2020-09-28 |
| US20190296208A1 (en) | 2019-09-26 |
| JP6776381B2 (ja) | 2020-10-28 |
| CN110299445B (zh) | 2023-04-18 |
| EP3544068A1 (en) | 2019-09-25 |
| PL3544068T3 (pl) | 2021-03-08 |
| EP3544068B1 (en) | 2020-08-12 |
| US10991870B2 (en) | 2021-04-27 |
| KR102170891B1 (ko) | 2020-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6320397B1 (en) | Molded plastic carrier for testing semiconductor dice | |
| US3739232A (en) | Interconnected electrical circuit board assembly and method of fabrication | |
| JP2008504559A (ja) | パターン化された導電層を有する基板 | |
| RU2680675C1 (ru) | Способ изготовления термоэлектрических микроохладителей (варианты) | |
| US20170146570A1 (en) | Probe card and multilayer circuit board this probe card includes | |
| JP2000091371A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US10330304B2 (en) | Heatsink including thick film layer for UV LED arrays, and methods of forming UV LED arrays | |
| JPH0254945A (ja) | 電子部品 | |
| JP2847949B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07211756A (ja) | 半導体チップにバーン・イン操作を実施するための方法 | |
| Tseng et al. | Investigation of silicon-based light emitting diode sub-mounts: Enhanced performance and potential for improved reliability | |
| JPH05218153A (ja) | 半導体試験用キャリア及び半導体試験用キャリアへのチップの着脱方法 | |
| US7023075B2 (en) | Teardrop shaped lead frames | |
| JPH11307825A (ja) | 熱電モジュール及びその製造方法 | |
| KR960000219B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| JPH05335311A (ja) | フリップチップ半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2661230B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH0444252A (ja) | 配線基板 | |
| JPH05275754A (ja) | サーモモジュール | |
| JPS60177698A (ja) | 実装基板 | |
| JP2004022703A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH04286352A (ja) | 電子部品パッケージ | |
| JPH0621268U (ja) | サーモモジュール | |
| JPH03116858A (ja) | 回路基板 | |
| JPS59124732A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 |