JP6428439B2 - 珪化バリウム系バルク体、珪化バリウム系スパッタリングターゲット及びそれを用いた珪化バリウム系結晶膜の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)バリウム、ケイ素及び金属元素M(ストロンチウム、カルシウム及びマグネシウムからなる群から選択される少なくとも1種)の含有量を、それぞれ[Ba]、[Si]及び[M]としたときに、[M]/([Ba]+[Si]+[M])が0.01〜20atm%であり、酸素含有量が20atm%以下であることを特徴とする珪化バリウム系バルク多結晶体。
(2)添加元素として13族元素又は15族元素のうち少なくとも1種類以上の元素を含むことを特徴とする上記(1)に記載の珪化バリウム系バルク多結晶体。
(3)バリウム、ケイ素及び添加元素の含有量をそれぞれ[Ba]、[Si]及び[X]としたときに、[X]/([Ba]+[Si]+[X])が0.0001〜30atm%であることを特徴とする(2)に記載の珪化バリウム系バルク多結晶体。
(4)添加元素がホウ素又はアルミニウムのうち少なくとも1種類以上である、上記(2)又は(3)に記載の珪化バリウム系バルク多結晶体。
(5)添加元素がアンチモン又はリンのうち少なくとも1種類以上である、上記(2)又は(3)に記載の珪化バリウム系バルク多結晶体。
(6)BaSi2斜方晶の結晶を有する、上記(1)〜(5)のいずれかに記載の珪化バリウム系バルク多結晶体。
(7)密度が3.0g/cm3以上である、上記(1)〜(6)のいずれかに記載の珪化バリウム系バルク多結晶体。
(8)上記(1)〜(7)のいずれかに記載の珪化バリウム系バルク多結晶体の製造方法であって、
バリウムと平均粒径が10mm以下であるシリコン粉末とから珪化バリウム合金を合成する工程と、
前記珪化バリウム合金を粉砕して珪化バリウム粉末とする工程と、
前記珪化バリウム粉末を600〜1100℃でホットプレス処理する工程と、を含んでなり、
Mg,Ca又はSrのうち1種類以上の元素、必要に応じて13族元素又は15族元素のうち少なくとも1種類以上の元素をいずれかの工程で添加することを特徴とする製造方法。
(9)上記(1)〜(7)のいずれかに記載の珪化バリウム系バルク多結晶体からなるスパッタリングターゲット。
(10)上記(1)〜(7)のいずれかに記載の珪化バリウム系バルク多結晶体からなる熱電変換素子。
(11)上記(9)に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることを特徴とする珪化バリウム系結晶膜の製造方法。
含有率(atm%)=[X]/([Ba]+[Si]+[X])
なお、含有量はICP−AES(誘導結合プラズマ発光分光分析装置)、EDS(エネルギー分散型X線分析)、EPMA(電子線マイクロアナライザー)等、多結晶体中における元素含有率を測定可能な分析手法を用いることで測定することができる。
(結晶性の評価方法)
XRD装置(バルク、リガク社製、RINT UltimaIII 薄膜、リガク社製、SMART Lab)を用いて、20°〜80°まで走査し、ピーク位置から結晶方位を同定した。
(添加元素量の評価方法)
ICP−AES(セイコーインスツルメンツ社製、Vista−PRO)を用いて、元素分析を実施し、添加元素の含有率を計算した。添加量がICP−AESの測定限界以下の場合においては、SIMS(二次イオン質量分析法)(アルバック・ファイ社製、PHI ADEPT1010)を用いて,添加元素の含有率を計算した。
(酸素含有量の評価方法)
対象物を熱分解(約3000℃)させ、酸素・窒素・水素分析装置(Leco社製、TC−436)を用いて,酸素量を熱伝導度法により測定した。
(抵抗率の測定方法)
バルクは、4探針法(三菱PETROCHEMICAL社製、LorestaHP MCP−410、三菱CHEMICAL ANALYTECH社製、HirestaUP MCP−HT450)、薄膜は4探針法(電流源:横河電機社製直流電流電圧装置2554、電圧計:アドバンテスト社製 R644D1)により測定した。
(半導体の伝導型の判別方法)
バルクは、ホール効果測定装置(BIO−RAD社製、HL5500PC)、薄膜はホール効果測定装置(電流源:横河電機社製直流電流電圧装置2554、電圧計:アドバンテスト社製 R644D1、電磁石:電子磁気工業社製 直流電流装置)を用いて測定を行った。
(かさ密度の測定方法)
多結晶体の重量を精密天秤で測定し(メトラー製)、寸法はノギス並びにマイクロメーターを用いて測定(ミツトヨ製)することで密度を算出した。
(割れ有無の判定)
珪化バリウム系多結晶体の全重量に対し、10wt%以上の破片が生じた場合、割れがあると判断した。
(曲げ強度測定)
JIS−R1601に準拠し、3点曲げ試験にて曲げ強度を測定した。
バリウム、シリコン、並びにストロンチウム、カルシウム及びマグネシウムのいずれか1種以上を、表1の組成となるように必要量秤量し、アーク溶解を行なった。アーク溶解は、銅製の水冷鋳型に混合原料を約10gずつ投入し、容器内を真空処理した後、アルゴンを封入し、アーク放電を行ないながら材料を溶融し、合金を作製した。アーク溶解を行なった後、合成した珪化バリウム系合金を窒素ガス雰囲気(実施例11、15及び25は大気雰囲気)にてメノウ乳鉢を用いて粉砕した(比較例16のみ粉砕した粉末に水を少量噴霧した)。粉砕後、粉末中の酸素含有量を測定した。
放電方式 :RFスパッタ
成膜装置 :マグネトロンスパッタ装置(徳田製作所製 4ES)
ターゲットサイズ:75mmφ
成膜圧力 :0.5Pa
添加ガス :アルゴン
放電パワー :100W
基板温度 :室温
その結果、珪素―バリウム混合薄膜を作製する事が可能であることを確認した。
バリウム、シリコン、並びにストロンチウム、カルシウム及びマグネシウムのいずれか1種以上を、表2の組成となるように必要量秤量し、アーク溶解を行なった。アーク溶解した後、窒素ガス雰囲気にて合成した珪化バリウム合金を、メノウ乳鉢を用いて粉砕した。珪化バリウム粉末に対し、金属ホウ素(純度99%)又は/及び金属アルミニウムを、バリウム、シリコン及び添加元素(ホウ素、アルミニウム)の原子量の合計に対し、所定量となるように添加し、さらにメノウ乳鉢を用いて粉砕した。
得られたターゲットについて、以下の条件で放電評価を行なった。
放電方式 :RF/DCスパッタ
成膜装置 :マグネトロンスパッタ装置(徳田製作所製 4ES)
ターゲットサイズ:75mmφ
成膜圧力 :0.5Pa
添加ガス :アルゴン
放電パワー :100W
基板温度 :室温
同様の条件にて成膜を行なった結果、RFにおいてもDCにおいても、珪素−バリウム混合薄膜を作製する事が可能であることを確認した。
バリウム、シリコン、並びにストロンチウム、カルシウム及びマグネシウムのいずれか1種以上、さらにアンチモンを表2の組成となるように必要量秤量し、アーク溶解を行なった。アーク溶解した後、窒素ガス雰囲気にて合成した珪化バリウム合金を、メノウ乳鉢を用いて粉砕した。次に、実施例29と同様の方法にてホットプレス処理し、バルク多結晶体を回収した。
得られたターゲットについて、以下の条件で放電評価を行なった。
放電方式 :RF/DCスパッタ
成膜装置 :マグネトロンスパッタ装置(徳田製作所製 4ES)
ターゲットサイズ:75mmφ
成膜圧力 :0.5Pa
添加ガス :アルゴン
放電パワー :100W
基板温度 :室温
同様の条件にて成膜を行なった結果、RFにおいてもDCにおいても、珪素−バリウム混合薄膜を作製する事が可能であることを確認した。
Claims (11)
- バリウム、ケイ素及び金属元素M(ストロンチウム、カルシウム及びマグネシウムからなる群から選択される少なくとも1種)の含有量を、それぞれ[Ba]、[Si]及び[M]としたときに、[M]/([Ba]+[Si]+[M])が0.01〜20atm%であり、酸素含有量が20atm%以下であることを特徴とする珪化バリウム系バルク多結晶体。
- 添加元素として13族元素又は15族元素のうち少なくとも1種類以上の元素を含むことを特徴とする請求項1に記載の珪化バリウム系バルク多結晶体。
- バリウム、ケイ素及び添加元素の含有量をそれぞれ[Ba]、[Si]及び[X]としたときに、[X]/([Ba]+[Si]+[X])が0.0001〜30atm%であることを特徴とする請求項2に記載の珪化バリウム系バルク多結晶体。
- 添加元素がホウ素又はアルミニウムのうち少なくとも1種類以上であることを特徴とする請求項2又は3に記載の珪化バリウム系バルク多結晶体。
- 添加元素がアンチモン又はリンのうち少なくとも1種類以上であることを特徴とする請求項2又は3に記載の珪化バリウム系バルク多結晶体。
- BaSi2斜方晶の結晶を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の珪化バリウム系バルク多結晶体。
- 密度が3.0g/cm3以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の珪化バリウム系バルク多結晶体。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の珪化バリウム系バルク多結晶体の製造方法であって、
バリウムと平均粒径が10mm以下であるシリコン粉末とから珪化バリウム合金を合成する工程と、
前記珪化バリウム合金を粉砕して珪化バリウム粉末とする工程と、
前記珪化バリウム粉末を600〜1100℃でホットプレス処理する工程と、を含んでなり、
Mg,Ca又はSrのうち1種類以上の元素、必要に応じて13族元素又は15族元素のうち少なくとも1種類以上の元素をいずれかの工程で添加することを特徴とする製造方法。 - 請求項1〜7のいずれかに記載の珪化バリウム系バルク多結晶体からなるスパッタリングターゲット。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の珪化バリウム系バルク多結晶体からなる熱電変換素子。
- 請求項9に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることを特徴とする珪化バリウム系結晶膜の製造方法。
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