JP2014019584A - 六ホウ化ランタン焼結体、その製造方法、六ホウ化ランタン膜及び有機半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】仕事関数が低い六ホウ化ランタン膜を得ることが可能であり、相対密度の高い六ホウ化ランタン焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】六ホウ化ランタンと４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物とが固溶してなる六ホウ化ランタン焼結体であって、酸素元素含有量が１．０質量％以下、炭素元素含有量が０．１質量％以下であり、相対密度が８８％以上であり、かつ、格子定数が４．１４４５Å以上４．１５１８Å以下である、六ホウ化ランタン焼結体。六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末を、酸処理して、純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末を得る工程（ａ）と、前記工程（ａ）で得られた純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末の混合粉末を、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気から選択される１つの雰囲気中にて、１７００℃以上、かつ１０ＭＰａ以上で焼結する工程（ｂ）とを有する、六ホウ化ランタン焼結体の製造方法。
【選択図】なし
【解決手段】六ホウ化ランタンと４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物とが固溶してなる六ホウ化ランタン焼結体であって、酸素元素含有量が１．０質量％以下、炭素元素含有量が０．１質量％以下であり、相対密度が８８％以上であり、かつ、格子定数が４．１４４５Å以上４．１５１８Å以下である、六ホウ化ランタン焼結体。六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末を、酸処理して、純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末を得る工程（ａ）と、前記工程（ａ）で得られた純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末の混合粉末を、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気から選択される１つの雰囲気中にて、１７００℃以上、かつ１０ＭＰａ以上で焼結する工程（ｂ）とを有する、六ホウ化ランタン焼結体の製造方法。
【選択図】なし
Description
本発明は、六ホウ化ランタン焼結体、その製造方法、六ホウ化ランタン膜及び有機半導体デバイスに関する。
ホウ化物は化学的に安定で、水、酸、アルカリ等に侵され難く、ホウ素の含有量によって金属的性質及び半金属的性質を示す材料である。また、電気的・磁気的性質に特徴があることから、電子材料などの様々な用途開発が期待されている材料である。
ホウ化物としては、例えば、ホウ化ハフニウム、ホウ化チタン、ホウ化タングステン、ホウ化ランタン等を挙げることができる。
ホウ化物としては、例えば、ホウ化ハフニウム、ホウ化チタン、ホウ化タングステン、ホウ化ランタン等を挙げることができる。
これらの中で六ホウ化ランタン（ＬａＢ6）は仕事関数が小さいことから、硬質材料や耐久材料としてだけでなく、太陽電池や照明等の電子放出材料としての開発が進められている。仕事関数とは物質の表面から電子を取り出すのに必要な最小エネルギーのことで、電子放出材料としては小さい値であるほど好ましい。
電子放出材料としてのＬａＢ6は薄膜として用いられることが多く、その製膜手法としては種々の手法が検討されている。それらの中でもＬａＢ6ターゲットを用いたスパッタリング法は、緻密な膜を形成できるので好適に用いられている。
電子放出材料としてのＬａＢ6は薄膜として用いられることが多く、その製膜手法としては種々の手法が検討されている。それらの中でもＬａＢ6ターゲットを用いたスパッタリング法は、緻密な膜を形成できるので好適に用いられている。
従来ＬａＢ6ターゲット材料としては、１〜１０μｍ程度の粒径を持つ市販のＬａＢ6粉末を焼結した焼結体が用いられてきた。しかしＬａＢ6は難焼結性で緻密化しにくい物質であるため、通常の焼結では焼結体の相対密度は８０％程度にしかならず、緻密な焼結体を得るのは困難であった。また、密度が低いＬａＢ6焼結体には空孔が多数存在し、その空孔部には水分や有機物等の不純物が吸着している。そのため、このような密度の低い焼結体をターゲットとして用いると、これらの不純物が膜に取り込まれて仕事関数が大きくなり、電子放出材料としての特性が低下するという問題があった。
そこで、ＬａＢ6焼結体の密度を向上させるために焼結助剤を添加する方法がある。しかしその焼結助剤が不純物となり、緻密化できても高純度の焼結体を得ることができなかった。そのため、このような焼結助剤を添加したＬａＢ6焼結体をターゲット材として用いた場合は、不純物がスパッタ膜に取り込まれ、仕事関数の値が大きくなり、電子放出材料としての特性が低下する問題があった。
焼結性を向上させるには、表面エネルギーが大きく、粒子自体が大きな焼結駆動力を持つ粒径の小さな微粒子を原料として用いる方法がある。また、微粒子だけでは充填性が悪く、粒子どうしの接触点が少ないため焼結が起こりにくく、緻密化しにくいが、数μｍの粒子に適宜それよりも小さい微粒子を混合することで、焼結密度を高くすることができる。すなわち、高純度の数μｍ程度の粒子及びそれよりも小さい微粒子を適宜混合して焼結体を製造することで、高純度化と緻密化を両立するＬａＢ6のターゲット材料を得ることができる。
しかし、従来のＬａＢ6微粒子の製造方法は、粒径を小さくするために粉砕工程が必要であったり、粒成長を防止するために過剰の炭素を加えたりしているため、高純度かつ微粒子の特徴を持つＬａＢ6粒子を得ることは難しく、高純度化と緻密化を両立することは困難であった。
しかし、従来のＬａＢ6微粒子の製造方法は、粒径を小さくするために粉砕工程が必要であったり、粒成長を防止するために過剰の炭素を加えたりしているため、高純度かつ微粒子の特徴を持つＬａＢ6粒子を得ることは難しく、高純度化と緻密化を両立することは困難であった。
上記課題を解決するために、特許文献１には、不純物を含む原料の金属ホウ化物粉末を、大気中にて６００〜８００℃の温度で加熱処理して、次いで無機酸中で洗浄することにより、高純度の六ホウ化ランタン粉末を製造する方法が提案されている。
特許文献１に記載された製造方法により得られた高純度六ホウ化ランタン粉末を用いた六ホウ化ランタン焼結体をターゲットとして用いることにより、従来よりも仕事関数の低い六ホウ化ランタン膜を得ることができる。
しかしながら、さらに仕事関数が低い膜を得ることが可能であり、相対密度の高い六ホウ化ランタン焼結体が求められていた。
しかしながら、さらに仕事関数が低い膜を得ることが可能であり、相対密度の高い六ホウ化ランタン焼結体が求められていた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、仕事関数が低い六ホウ化ランタン膜を得ることが可能であり、相対密度の高い六ホウ化ランタン焼結体及びその製造方法、並びにその焼結体により得られる六ホウ化ランタン膜及び有機半導体デバイスを提供することを目的とする。
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、高純度の六ホウ化ランタンに、４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物を固溶させた六ホウ化ランタン焼結体であれば、より仕事関数が低くて相対密度の高い六ホウ化ランタン膜が得られることを見出した。
すなわち、本発明は、次の［１］〜［７］を提供するものである。
［１］六ホウ化ランタンと４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物とが固溶してなる六ホウ化ランタン焼結体であって、酸素元素含有量が１．０質量％以下、炭素元素含有量が０．１質量％以下であり、相対密度が８８％以上であり、かつ、格子定数が４．１４４５Å以上４．１５１８Å以下である、六ホウ化ランタン焼結体。
［２］前記４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物が、六ホウ化セリウム、六ホウ化ガドリニウム及び六ホウ化ルテチウムの群から選択される少なくとも１種である、［１］に記載の六ホウ化ランタン焼結体。
［３］六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末を、酸処理して、純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末を得る工程（ａ）と、前記工程（ａ）で得られた純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末の混合粉末を、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気から選択される１つの雰囲気中にて、１７００℃以上、かつ１０ＭＰａ以上で焼結する工程（ｂ）とを有する、六ホウ化ランタン焼結体の製造方法。
［４］工程（ａ）において、六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末を、大気中にて５００℃以上８００℃以下で加熱酸化処理し、次いで前記酸処理を行う、［３］に記載の六ホウ化ランタン焼結体の製造方法。
［５］［１］又は［２］に記載の六ホウ化ランタン焼結体をターゲットとして用い、成膜してなる六ホウ化ランタン膜。
［６］紫外線光電子分光法による仕事関数が３．０Ｖ以下である、［５］に記載の六ホウ化ランタン膜。
［７］［５］又は［６］に記載の六ホウ化ランタン膜を備えた有機半導体デバイス。
［１］六ホウ化ランタンと４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物とが固溶してなる六ホウ化ランタン焼結体であって、酸素元素含有量が１．０質量％以下、炭素元素含有量が０．１質量％以下であり、相対密度が８８％以上であり、かつ、格子定数が４．１４４５Å以上４．１５１８Å以下である、六ホウ化ランタン焼結体。
［２］前記４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物が、六ホウ化セリウム、六ホウ化ガドリニウム及び六ホウ化ルテチウムの群から選択される少なくとも１種である、［１］に記載の六ホウ化ランタン焼結体。
［３］六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末を、酸処理して、純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末を得る工程（ａ）と、前記工程（ａ）で得られた純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末の混合粉末を、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気から選択される１つの雰囲気中にて、１７００℃以上、かつ１０ＭＰａ以上で焼結する工程（ｂ）とを有する、六ホウ化ランタン焼結体の製造方法。
［４］工程（ａ）において、六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末を、大気中にて５００℃以上８００℃以下で加熱酸化処理し、次いで前記酸処理を行う、［３］に記載の六ホウ化ランタン焼結体の製造方法。
［５］［１］又は［２］に記載の六ホウ化ランタン焼結体をターゲットとして用い、成膜してなる六ホウ化ランタン膜。
［６］紫外線光電子分光法による仕事関数が３．０Ｖ以下である、［５］に記載の六ホウ化ランタン膜。
［７］［５］又は［６］に記載の六ホウ化ランタン膜を備えた有機半導体デバイス。
本発明によれば、仕事関数が低い六ホウ化ランタン膜を得ることが可能であり、相対密度の高い六ホウ化ランタン焼結体及びその製造方法、並びにその焼結体により得られる六ホウ化ランタン膜及び有機半導体デバイスを提供することができる。
以下、本発明を実施形態により説明する。なお、この実施形態は、発明の趣旨をよりよく理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
［六ホウ化ランタン焼結体］
本発明の六ホウ化ランタン焼結体は、六ホウ化ランタンと４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物とが固溶してなる六ホウ化ランタン焼結体であって、酸素元素含有量が１．０質量％以下、炭素元素含有量が０．１質量％以下であり、相対密度が８８％以上であり、かつ、格子定数が４．１４４５Å以上４．１５１８Å以下であるものである。
本発明の六ホウ化ランタン焼結体は、六ホウ化ランタンと４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物とが固溶してなる六ホウ化ランタン焼結体であって、酸素元素含有量が１．０質量％以下、炭素元素含有量が０．１質量％以下であり、相対密度が８８％以上であり、かつ、格子定数が４．１４４５Å以上４．１５１８Å以下であるものである。
本発明の六ホウ化ランタン焼結体によれば、仕事関数が低く、かつ相対密度が高い六ホウ化ランタン膜を得ることができる。その理由は、次のとおりであると考えられる。
まず、六ホウ化ランタンが低仕事関数であるのは、伝導帯がホウ素の２ｓ２ｐ軌道とランタンの５ｄ軌道との混在状態にあるため伝導帯の幅が広くなっていることに起因する。
ここで希土類金属の４ｆ軌道に着目すると、ランタン以外の希土類金属は４ｆ軌道の電子を有しており、４ｆ軌道のエネルギー準位はランタン５ｄ軌道の直下に存在する。従って４ｆ軌道に電子を有する希土類金属のホウ化物を六ホウ化ランタンに固溶させると六ホウ化ランタンの伝導帯の電子密度が高くなり、仕事関数を低くすることができるものと考えられる。
まず、六ホウ化ランタンが低仕事関数であるのは、伝導帯がホウ素の２ｓ２ｐ軌道とランタンの５ｄ軌道との混在状態にあるため伝導帯の幅が広くなっていることに起因する。
ここで希土類金属の４ｆ軌道に着目すると、ランタン以外の希土類金属は４ｆ軌道の電子を有しており、４ｆ軌道のエネルギー準位はランタン５ｄ軌道の直下に存在する。従って４ｆ軌道に電子を有する希土類金属のホウ化物を六ホウ化ランタンに固溶させると六ホウ化ランタンの伝導帯の電子密度が高くなり、仕事関数を低くすることができるものと考えられる。
＜４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物の種類＞
４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物に含まれる希土類金属としては、５ｄ軌道に電子を有し、かつ４ｆ軌道のエネルギー準位がランタンの５ｄ軌道に近いものが好ましい。希土類金属が５ｄ軌道に電子を有していると、ホウ素の２ｓ２ｐ軌道と混在状態となって伝導帯の幅が広くなり、また、希土類金属の４ｆ軌道の電子のエネルギー準位がランタンの５ｄ軌道に近いと、六ホウ化ランタンにおける伝導帯の電子密度を高くすることができ、その結果、電子が伝導帯の真空準位の上の準位に移動しやすくなり、焼結体の仕事関数を低くできるからである。
このような４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物としては、六ホウ化セリウム（ＣｅＢ6）六ホウ化ガドリニウム（ＧｄＢ6）及び六ホウ化ルテチウム（ＬｕＢ6）の１種又は２種以上が好ましい。これらの中でも、安価であるため、ＣｅＢ6がより好ましい。
４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物に含まれる希土類金属としては、５ｄ軌道に電子を有し、かつ４ｆ軌道のエネルギー準位がランタンの５ｄ軌道に近いものが好ましい。希土類金属が５ｄ軌道に電子を有していると、ホウ素の２ｓ２ｐ軌道と混在状態となって伝導帯の幅が広くなり、また、希土類金属の４ｆ軌道の電子のエネルギー準位がランタンの５ｄ軌道に近いと、六ホウ化ランタンにおける伝導帯の電子密度を高くすることができ、その結果、電子が伝導帯の真空準位の上の準位に移動しやすくなり、焼結体の仕事関数を低くできるからである。
このような４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物としては、六ホウ化セリウム（ＣｅＢ6）六ホウ化ガドリニウム（ＧｄＢ6）及び六ホウ化ルテチウム（ＬｕＢ6）の１種又は２種以上が好ましい。これらの中でも、安価であるため、ＣｅＢ6がより好ましい。
＜酸素元素含有量及び炭素元素含有量＞
本発明の六ホウ化ランタン焼結体は、酸素元素含有量が１．０質量％以下、かつ炭素元素含有量が０．１質量％以下である。これにより、仕事関数が低く、かつ酸素及び炭素濃度の低い六ホウ化ランタン膜を得ることができる。
上記観点から、酸素元素含有量は、好ましくは０．８質量％以下であり、より好ましくは０．５質量％以下であり、更に好ましくは０．４質量％以下である。
同様に上記観点から、炭素元素含有量は、好ましくは０．０８質量％以下であり、より好ましくは０．０５質量％以下であり、更に好ましくは０．０３質量％以下である。
本発明の六ホウ化ランタン焼結体は、酸素元素含有量が１．０質量％以下、かつ炭素元素含有量が０．１質量％以下である。これにより、仕事関数が低く、かつ酸素及び炭素濃度の低い六ホウ化ランタン膜を得ることができる。
上記観点から、酸素元素含有量は、好ましくは０．８質量％以下であり、より好ましくは０．５質量％以下であり、更に好ましくは０．４質量％以下である。
同様に上記観点から、炭素元素含有量は、好ましくは０．０８質量％以下であり、より好ましくは０．０５質量％以下であり、更に好ましくは０．０３質量％以下である。
＜相対密度及び格子定数＞
本発明の六ホウ化ランタン焼結体は、相対密度が８８％以上であり、かつ、格子定数が４．１４４５Å以上４．１５１８Å以下であるものである。これにより、仕事関数が低く、かつ酸素及び炭素濃度の低い六ホウ化ランタン膜を得ることができる。
上記観点から、相対密度は、好ましくは８８．５％以上であり、より好ましくは８９％であり、更に好ましくは９０％以上である。同様の観点から、格子定数は、好ましくは４．１４８０Å以上４．１５１０Å以下であり、より好ましくは４．１４８５Å以上４．１４９８Å以下である。
本発明の六ホウ化ランタン焼結体は、相対密度が８８％以上であり、かつ、格子定数が４．１４４５Å以上４．１５１８Å以下であるものである。これにより、仕事関数が低く、かつ酸素及び炭素濃度の低い六ホウ化ランタン膜を得ることができる。
上記観点から、相対密度は、好ましくは８８．５％以上であり、より好ましくは８９％であり、更に好ましくは９０％以上である。同様の観点から、格子定数は、好ましくは４．１４８０Å以上４．１５１０Å以下であり、より好ましくは４．１４８５Å以上４．１４９８Å以下である。
＜セリウム含有量＞
六ホウ化ランタン焼結体中におけるセリウムの含有量は、低仕事関数の六ホウ化ランタン膜を得る観点から、好ましくは３〜４５質量％であり、より好ましくは５〜４２質量％であり、更に好ましくは１０〜２５質量％である。セリウムの含有量が３質量％以上であると、仕事関数の低減効果に優れ、４５質量％以下であると、仕事関数が低いという六ホウ化ランタンの特性が維持される。
六ホウ化ランタン焼結体中におけるセリウムの含有量は、低仕事関数の六ホウ化ランタン膜を得る観点から、好ましくは３〜４５質量％であり、より好ましくは５〜４２質量％であり、更に好ましくは１０〜２５質量％である。セリウムの含有量が３質量％以上であると、仕事関数の低減効果に優れ、４５質量％以下であると、仕事関数が低いという六ホウ化ランタンの特性が維持される。
＜固溶量＞
六ホウ化ランタン焼結体中における、４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物の固溶量は、低仕事関数の六ホウ化ランタン膜を得る観点から、好ましくは１０〜７０質量％であり、より好ましくは３０〜４０質量％である。当該固溶量が１０質量％以上であると、仕事関数の低減効果に優れ、７０質量％以下であると、仕事関数が低いという六ホウ化ランタンの特性が維持される。
同様の観点から、六ホウ化ランタン焼結体中における六ホウ化ランタンの固溶量は、好ましくは３０〜９０質量％であり、より好ましくは６０〜７０質量％である。
六ホウ化ランタン焼結体中における、４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物の固溶量は、低仕事関数の六ホウ化ランタン膜を得る観点から、好ましくは１０〜７０質量％であり、より好ましくは３０〜４０質量％である。当該固溶量が１０質量％以上であると、仕事関数の低減効果に優れ、７０質量％以下であると、仕事関数が低いという六ホウ化ランタンの特性が維持される。
同様の観点から、六ホウ化ランタン焼結体中における六ホウ化ランタンの固溶量は、好ましくは３０〜９０質量％であり、より好ましくは６０〜７０質量％である。
［六ホウ化ランタン焼結体の製造方法］
本発明の六ホウ化ランタン焼結体の製造方法は、六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末を、酸処理して、純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末を得る工程（ａ）と、前記工程（ａ）で得られた純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末の混合粉末を、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気から選択される１つの雰囲気中にて、１７００℃以上、かつ１０ＭＰａ以上で焼結する工程（ｂ）とを有する。
本発明の六ホウ化ランタン焼結体の製造方法は、六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末を、酸処理して、純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末を得る工程（ａ）と、前記工程（ａ）で得られた純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末の混合粉末を、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気から選択される１つの雰囲気中にて、１７００℃以上、かつ１０ＭＰａ以上で焼結する工程（ｂ）とを有する。
＜工程（ａ）＞
工程（ａ）は、六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末（以下、これらの粉末の一方及び双方を「原料粉末」ということがある）を、酸処理して、純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末を得る工程である。
この酸処理は、六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末を別々に行ってもよく、両粉末を混合した後に一緒に行ってもよい。予め両粉末を混合する場合の混合方法には特に制限はなく、例えば乾式ボールミルにて混合してもよい。
工程（ａ）は、六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末（以下、これらの粉末の一方及び双方を「原料粉末」ということがある）を、酸処理して、純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末を得る工程である。
この酸処理は、六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末を別々に行ってもよく、両粉末を混合した後に一緒に行ってもよい。予め両粉末を混合する場合の混合方法には特に制限はなく、例えば乾式ボールミルにて混合してもよい。
（原料粉末）
原料粉末である六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末には特に制限はなく、市販の粉末を使用することができる。
原料粉末には、酸化物や炭化物等の不純物が存在している。本発明では、工程（ａ）により、この不純物を十分に除去することができる。
原料粉末である六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末には特に制限はなく、市販の粉末を使用することができる。
原料粉末には、酸化物や炭化物等の不純物が存在している。本発明では、工程（ａ）により、この不純物を十分に除去することができる。
（酸処理）
酸処理に用いる酸としては、任意の混合比の無機酸と水の混合物、又は任意の混合比の有機酸と有機溶媒の混合物が好適に用いられる。洗浄後に水により酸成分が除去できることから無機酸を使用するのが好ましい。
酸処理に用いる無機酸としては、塩酸、硫酸、硝酸などが挙げられるが、強い酸化力によって原料粉末自体を酸化させて収率を低下させてしまうのを防止又は抑制する観点から、塩酸を用いることが好ましい。
酸処理に用いる酸としては、任意の混合比の無機酸と水の混合物、又は任意の混合比の有機酸と有機溶媒の混合物が好適に用いられる。洗浄後に水により酸成分が除去できることから無機酸を使用するのが好ましい。
酸処理に用いる無機酸としては、塩酸、硫酸、硝酸などが挙げられるが、強い酸化力によって原料粉末自体を酸化させて収率を低下させてしまうのを防止又は抑制する観点から、塩酸を用いることが好ましい。
酸として塩酸を用いる場合、塩酸の濃度は、２〜６Ｎが好ましい。２Ｎ以上であると、不純物の溶出速度が速く酸処理を短時間で行うことができ、６Ｎ以下であると、設備コストの低減を図ることができ、安全性にも優れる。
酸処理温度は４０〜８０℃が好ましい。４０℃以上であると、不純物の溶出速度が速く酸処理を短時間で行うことができ、８０℃以下であると、設備コストの低減を図ることができ、安全性にも優れる。
酸処理温度は４０〜８０℃が好ましい。４０℃以上であると、不純物の溶出速度が速く酸処理を短時間で行うことができ、８０℃以下であると、設備コストの低減を図ることができ、安全性にも優れる。
酸処理においては、原料粉末に酸を添加した後、撹拌することが好ましい。攪拌時間は１〜２時間程度、特に１〜１．５時間であることが好ましい。攪拌時間がこの程度であれば、酸処理として十分であり、副生成物、残留物の除去を十分に行うことができる。
また、この酸処理は常温で行ってもよいが、加熱して行うのが好ましく、加熱処理する場合の酸処理温度は、４０℃以上８０℃以下が好ましい。酸処理温度がこの範囲にあれば、原料粉末自体が酸化されることなく、短時間で不純物の溶出を行うことができるため生産性が良好となる。この酸処理時間は、３０分以上２時間以下、特に１時間以上１．５時間以下であることが好ましい。
また、この酸処理は常温で行ってもよいが、加熱して行うのが好ましく、加熱処理する場合の酸処理温度は、４０℃以上８０℃以下が好ましい。酸処理温度がこの範囲にあれば、原料粉末自体が酸化されることなく、短時間で不純物の溶出を行うことができるため生産性が良好となる。この酸処理時間は、３０分以上２時間以下、特に１時間以上１．５時間以下であることが好ましい。
酸処理後はデカンテーションなどの方法によって純水ですすぐことで酸を取り除き、水分を除去するために乾燥処理させることが好ましい。乾燥処理としては、水分が蒸発する際に原料粉末と反応して不純物酸化物が生成するのを避けることができるため、真空乾燥処理されることが好ましい。
上記酸処理により、純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末の混合粉末を得ることができる。
上記酸処理により、純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末の混合粉末を得ることができる。
（加熱酸化処理）
前記原料粉末は、加熱酸化処理を行ってから前記の酸処理を行うことが好ましい。
すなわち、前述のとおり、原料粉末は不純物を含んでいる。具体的には、六ホウ化ランタン粉末は、ランタン酸化物、ランタン炭化物、ホウ素酸化物、ランタンホウ素複合酸化物、ホウ素炭化物等の不純物を含んでいる。また、４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末は、希土類金属の酸化物、希土類金属の炭化物、ホウ素酸化物、希土類金属ホウ素複合酸化物、ホウ素炭化物等の不純物を含んでいる。これら不純物のうち、酸化物は容易に酸に溶解する。従って、原料粉末を加熱酸化処理し、炭化物やホウ素炭化物を酸化物に変換した後に前記の酸処理を行うことにより、原料粉末から不純物を容易に除去することができる。
前記原料粉末は、加熱酸化処理を行ってから前記の酸処理を行うことが好ましい。
すなわち、前述のとおり、原料粉末は不純物を含んでいる。具体的には、六ホウ化ランタン粉末は、ランタン酸化物、ランタン炭化物、ホウ素酸化物、ランタンホウ素複合酸化物、ホウ素炭化物等の不純物を含んでいる。また、４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末は、希土類金属の酸化物、希土類金属の炭化物、ホウ素酸化物、希土類金属ホウ素複合酸化物、ホウ素炭化物等の不純物を含んでいる。これら不純物のうち、酸化物は容易に酸に溶解する。従って、原料粉末を加熱酸化処理し、炭化物やホウ素炭化物を酸化物に変換した後に前記の酸処理を行うことにより、原料粉末から不純物を容易に除去することができる。
大気中で原料粉末を加熱酸化処理する温度は、５００℃以上８００℃以下であることが好ましい。５００℃以上であると原料粉末中に含まれる炭化物やホウ素炭化物が十分に酸化され、８００℃以下であると原料粉末自体が酸化されることが防止又は抑制される。
好ましい加熱酸化処理温度は５５０℃以上７００℃以下であり、より好ましくは６００℃以上６５０℃以下である。また、大気中で加熱酸化処理する時間は、０．５時間以上４時間以下が好ましい。加熱酸化処理時間を上記範囲とすることにより、原料粉末の酸化を抑制しつつ不純物炭化物を酸化できる。この加熱酸化処理時間は１時間以上４時間以下、特に２時間以上４時間以下であることが好ましい。
好ましい加熱酸化処理温度は５５０℃以上７００℃以下であり、より好ましくは６００℃以上６５０℃以下である。また、大気中で加熱酸化処理する時間は、０．５時間以上４時間以下が好ましい。加熱酸化処理時間を上記範囲とすることにより、原料粉末の酸化を抑制しつつ不純物炭化物を酸化できる。この加熱酸化処理時間は１時間以上４時間以下、特に２時間以上４時間以下であることが好ましい。
＜工程（ｂ）＞
工程（ｂ）は、工程（ａ）で得られた純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末の混合粉末を、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気から選択される１つの雰囲気中にて、１７００℃以上、かつ１０ＭＰａ以上で焼結する工程である。
工程（ｂ）は、工程（ａ）で得られた純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末の混合粉末を、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気から選択される１つの雰囲気中にて、１７００℃以上、かつ１０ＭＰａ以上で焼結する工程である。
（混合粉末）
工程（ａ）において、予め六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末を混合している場合は、工程（ａ）で純化した原料粉末をそのまま工程（ｂ）における混合粉末として用いることができる。また、工程（ａ）において、これら原料粉末を混合していない場合は、工程（ａ）で純化した各原料粉末を混合したものを、工程（ｂ）における混合粉末として用いることができる。混合方法としては工程（ａ）で挙げた方法を採用することができる。また、これらの混合粉末を、任意のバインダーと共に溶媒中に添加してスラリー化し、造粒した後に成型、脱脂したものを、工程（ｂ）における混合粉末として用いることもできる。
六ホウ化ランタン粉末と４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末は、ランタンと４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のモル比が、９０：１０〜２５：７５となるように混合するのが好ましい。
工程（ａ）において、予め六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末を混合している場合は、工程（ａ）で純化した原料粉末をそのまま工程（ｂ）における混合粉末として用いることができる。また、工程（ａ）において、これら原料粉末を混合していない場合は、工程（ａ）で純化した各原料粉末を混合したものを、工程（ｂ）における混合粉末として用いることができる。混合方法としては工程（ａ）で挙げた方法を採用することができる。また、これらの混合粉末を、任意のバインダーと共に溶媒中に添加してスラリー化し、造粒した後に成型、脱脂したものを、工程（ｂ）における混合粉末として用いることもできる。
六ホウ化ランタン粉末と４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末は、ランタンと４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のモル比が、９０：１０〜２５：７５となるように混合するのが好ましい。
（焼結雰囲気）
雰囲気としては、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気のいずれかが挙げられる。
雰囲気としては、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気のいずれかが挙げられる。
還元雰囲気とは、還元性成分を共存させた状態をいい、例えば、一酸化炭素、水素等のような還元性ガスや、カーボン等の還元性成分と共存させることをいう。例えば、上記炭化後の混合物を水素雰囲気中で熱処理させる方法や、上記炭化後の混合物をカーボン坩堝に入れた状態で、真空中で熱処理させる方法が挙げられる。
上記還元雰囲気で水素を使用する場合は、水素のみの雰囲気でもよいし、安全に配慮して、アルゴン、ヘリウム、窒素等の不活性ガスと混合させた雰囲気でもよい。不活性ガスと混合して水素を用いる場合は、還元反応を促進させて生産効率を挙げるために、水素の混合比が５０体積％以上であることが好ましい。より好ましくは６０体積％以上１００体積％以下であり、特に好ましくは７０体積％以上８０体積％以下である。
上記還元雰囲気で水素を使用する場合は、水素のみの雰囲気でもよいし、安全に配慮して、アルゴン、ヘリウム、窒素等の不活性ガスと混合させた雰囲気でもよい。不活性ガスと混合して水素を用いる場合は、還元反応を促進させて生産効率を挙げるために、水素の混合比が５０体積％以上であることが好ましい。より好ましくは６０体積％以上１００体積％以下であり、特に好ましくは７０体積％以上８０体積％以下である。
不活性雰囲気に用いるガスの種類は特に限定されず、例えば、ヘリウム、アルゴン、窒素等が挙げられ、好ましくはアルゴンである。
（焼結温度及び焼結圧力）
一般的に金属ホウ化物は難焼結性であるが、工程（ａ）によって高純度化処理した原料粉末の混合物を、上記雰囲気中で１７００℃以上、プレス圧１０ＭＰａ以上にて加圧焼結することで、不純物炭化物が炭素換算で１．０質量％以下、不純物酸化物が酸素換算で０．１質量以下、相対密度が８８％以上であり、希土類金属ホウ化物が固溶した六ホウ化ランタン焼結体を得ることができる。
なお、六ホウ化ランタンと希土類金属ホウ化物を固溶させる方法として、これらの混合物を焼結前に不活性雰囲気中１５００℃以上で熱処理する方法もある。しかしながら、この方法では熱処理により、希土類金属ホウ化物が固溶した六ホウ化ランタン粉末が粒成長して焼結しにくくなるため、焼結前に粉砕する必要がある。この場合、粉砕による酸化や粉砕工程の不純物混入など不純物の含有が避けられない。従って、工程（ａ）で純化した原料粉末を、熱処理することなく上記のとおり焼結することが好ましい。
一般的に金属ホウ化物は難焼結性であるが、工程（ａ）によって高純度化処理した原料粉末の混合物を、上記雰囲気中で１７００℃以上、プレス圧１０ＭＰａ以上にて加圧焼結することで、不純物炭化物が炭素換算で１．０質量％以下、不純物酸化物が酸素換算で０．１質量以下、相対密度が８８％以上であり、希土類金属ホウ化物が固溶した六ホウ化ランタン焼結体を得ることができる。
なお、六ホウ化ランタンと希土類金属ホウ化物を固溶させる方法として、これらの混合物を焼結前に不活性雰囲気中１５００℃以上で熱処理する方法もある。しかしながら、この方法では熱処理により、希土類金属ホウ化物が固溶した六ホウ化ランタン粉末が粒成長して焼結しにくくなるため、焼結前に粉砕する必要がある。この場合、粉砕による酸化や粉砕工程の不純物混入など不純物の含有が避けられない。従って、工程（ａ）で純化した原料粉末を、熱処理することなく上記のとおり焼結することが好ましい。
焼結温度は、反応を促進させる観点から、好ましくは１７５０℃以上であり、より好ましくは１８００℃以上である。また、焼結温度は、コスト低減の観点から、好ましくは２０００℃以下であり、より好ましくは１９８０℃以下である。
加圧力は、反応を促進させる観点から、好ましくは２０ＭＰａ以上であり、より好ましくは３０ＭＰａ以上である。また、加圧力は、コスト低減の観点から、好ましくは１００ＭＰａ以下であり、より好ましくは６０ＭＰａ以下である。
焼結時間は、合成反応性及び生産性のバランスの観点から、１〜４時間程度、特に１〜３時間、とりわけ２〜３時間が好ましい。
加圧力は、反応を促進させる観点から、好ましくは２０ＭＰａ以上であり、より好ましくは３０ＭＰａ以上である。また、加圧力は、コスト低減の観点から、好ましくは１００ＭＰａ以下であり、より好ましくは６０ＭＰａ以下である。
焼結時間は、合成反応性及び生産性のバランスの観点から、１〜４時間程度、特に１〜３時間、とりわけ２〜３時間が好ましい。
[六ホウ化ランタン膜]
本実施形態の六ホウ化ランタン膜は、上記六ホウ化ランタン焼結体をターゲットとして用い、成膜されてなる。
本実施形態の六ホウ化ランタン膜は、本実施の形態に係る六ホウ化ランタン焼結体をターゲットとして用い、成膜されてなるので、高純度かつ緻密であり、結晶性に優れ、仕事関数が低いという優れた効果を奏する。
成膜方法は、焼結体をターゲットとして用いる方法であれば特に限定されず、例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法などが挙げられる。これらの方法の中でも、スパッタリング法が好ましい。
本実施形態の六ホウ化ランタン膜は、上記六ホウ化ランタン焼結体をターゲットとして用い、成膜されてなる。
本実施形態の六ホウ化ランタン膜は、本実施の形態に係る六ホウ化ランタン焼結体をターゲットとして用い、成膜されてなるので、高純度かつ緻密であり、結晶性に優れ、仕事関数が低いという優れた効果を奏する。
成膜方法は、焼結体をターゲットとして用いる方法であれば特に限定されず、例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法などが挙げられる。これらの方法の中でも、スパッタリング法が好ましい。
スパッタリング装置としては、一般的に２極ＤＣグロー放電スパッタ装置、マグネトロンスパッタ装置、イオンビームスパッタ装置等があるが、本発明の六ホウ化ランタン焼結体を用いたターゲットは、いずれのスパッタリング装置にも適用できる。
スパッタリング時の雰囲気は、Ａｒガス等の不活性ガス雰囲気であることが好ましい。
スパッタリング時の雰囲気は、Ａｒガス等の不活性ガス雰囲気であることが好ましい。
六ホウ化ランタンスパッタ膜を成膜させる対象物（基板等）の材料には特に限定はないが、例えば、タングステンや銅等の金属、ガラス、Ｓｉウェハ、及びポリアミド樹脂等の合成樹脂が挙げられる。
スパッタリング時の温度は、０℃以上３００℃以下であることが好ましい。スパッタリング時の温度が高い方が結晶性に優れた六ホウ化ランタンスパッタ膜が得られる。また、３００℃以下であると、成膜後、室温まで冷却した場合における熱応力が低く抑えられ、またスパッタチャンバー内に基板を導入した際に基板温度が均一になるまでの時間が短縮されて生産性に優れる。
また、スパッタリング温度の上限は成膜基板により決定される。例えば、金属やＳｉウェハ等耐熱性を有する基板にスパッタする場合は問題ないが、樹脂基板にスパッタする場合、当該樹脂の耐熱温度以下で成膜する必要がある。従って、より一般的に適用するためには、好ましくは１００℃以下で成膜することが望ましい。
また、スパッタリング時の温度が０℃以上であると、スパッタチャンバー内の温度を冷却するための冷媒として水を使用できるために好ましい。従ってスパッタリング時の温度は、好ましくは０℃以上３００℃以下、より好ましくは０℃以上１００℃以下である。
以上の方法により、仕事関数が低く、結晶性が高く、緻密な六ホウ化ランタン膜を得ることができる。
また、所定量の窒素が含有された六ホウ化ランタン焼結体をターゲットして用いて成膜された六ホウ化ランタン膜の場合には、仕事関数が低く、結晶性が高く、緻密で電気特性が良好な六ホウ化ランタン膜を得ることができる。
以上の方法により、仕事関数が低く、結晶性が高く、緻密な六ホウ化ランタン膜を得ることができる。
また、所定量の窒素が含有された六ホウ化ランタン焼結体をターゲットして用いて成膜された六ホウ化ランタン膜の場合には、仕事関数が低く、結晶性が高く、緻密で電気特性が良好な六ホウ化ランタン膜を得ることができる。
得られた六ホウ化ランタン膜の仕事関数の測定法としては、紫外線光電子分光法（ＵＰＳ:Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ: X-ray Photoelectron Spectroscopy）といった光電子分光法のほか、ケルビンプローブ法が挙げられる。光電子分光法は、測定精度が高いが、装置が高価であるため、測定費用が高い。一方、ケルビンプローブ法は、装置が安価であり、測定費用が安いが、測定精度にやや劣る。
六ホウ化ランタン膜のＵＰＳ法による仕事関数は、好ましくは３．０ｅＶ以下であり、より好ましくは２．９ｅＶ以下であり、更に好ましくは２．８ｅＶ以下である。
六ホウ化ランタン膜のケルビンプローブ法による仕事関数は、好ましくは３．９ｅＶ以下であり、より好ましくは３．８ｅＶ以下であり、更に好ましくは３．７ｅＶ以下である。
これらＵＰＳ法及びケルビンプローブ法による測定方法は実施例に記載するとおりである。
六ホウ化ランタン膜のＵＰＳ法による仕事関数は、好ましくは３．０ｅＶ以下であり、より好ましくは２．９ｅＶ以下であり、更に好ましくは２．８ｅＶ以下である。
六ホウ化ランタン膜のケルビンプローブ法による仕事関数は、好ましくは３．９ｅＶ以下であり、より好ましくは３．８ｅＶ以下であり、更に好ましくは３．７ｅＶ以下である。
これらＵＰＳ法及びケルビンプローブ法による測定方法は実施例に記載するとおりである。
［有機半導体デバイス］
本実施形態の有機半導体デバイスは、本実施形態の六ホウ化ランタン膜を備えたものである。有機半導体デバイスとしては、電子を運搬する役割を担う膜等を要する有機半導体デバイスであれば特に限定されず、例えば、有機ＥＬ素子や有機薄膜太陽電池等が挙げられる。
本実施形態の有機半導体デバイスは、本実施形態の六ホウ化ランタン膜を備えたものである。有機半導体デバイスとしては、電子を運搬する役割を担う膜等を要する有機半導体デバイスであれば特に限定されず、例えば、有機ＥＬ素子や有機薄膜太陽電池等が挙げられる。
すなわち、本実施形態の有機半導体デバイスとしては、例えば、一対の電極によって、電子輸送層及び電子注入層の少なくともいずれかが挟持された有機半導体デバイスであって、前記電子輸送層及び電子注入層の少なくともいずれかが、本実施形態の六ホウ化ランタン膜を有してなるものが挙げられる。
また、電子輸送層または電子注入層と接する少なくとも一方の電極は、仕事関数の低い金属（リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム、アルミニウム、インジウム、銀、錫、鉛、クロムなど、及びそれらの合金等）から構成されていることが好ましい。
また、電子輸送層または電子注入層と接する少なくとも一方の電極は、仕事関数の低い金属（リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム、アルミニウム、インジウム、銀、錫、鉛、クロムなど、及びそれらの合金等）から構成されていることが好ましい。
さらに、有機半導体デバイスが有機発光層、有機発電層等の透光性の層を必要とする場合には、その有機半導体デバイスは、透明導電性電極とそれに対向する対向電極を有する一対の電極と該一対の電極によって、上記透光性の層と、電子輸送層及び電子注入層の少なくともいずれかが挟持された構造であることが好ましい。電子輸送層及び電子注入層は、前記対向電極と前記透光性の層との間に設けられている。
本実施形態の六ホウ化ランタン膜を、電子輸送層及び電子注入層の少なくともいずれかとして有機半導体デバイスに備えさせる方法は、特に限定されず、例えば本実施形態の六ホウ化ランタン焼結体により成膜されてなる六ホウ化ランタン膜を、公知の方法で有機半導体デバイスに実装させればよい。
本実施形態の六ホウ化ランタン膜を有機半導体デバイス用途に用いる場合には、所定量の窒素が含有された六ホウ化ランタン焼結体ターゲットして用いて成膜された六ホウ化ランタン膜を用いるのが、電気特性にも優れる点で好ましい。
本実施形態の六ホウ化ランタン膜を有機半導体デバイス用途に用いる場合には、所定量の窒素が含有された六ホウ化ランタン焼結体ターゲットして用いて成膜された六ホウ化ランタン膜を用いるのが、電気特性にも優れる点で好ましい。
次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
なお、各例における諸特性は下記の方法に従って測定した。また、原料粉末として、下記のものを用いた。
なお、各例における諸特性は下記の方法に従って測定した。また、原料粉末として、下記のものを用いた。
［測定方法］
(１）酸素元素含有量及び炭素元素含有量
酸素元素含有量は、試料粉末４０ｍｇを取り、ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６型を使用して、不活性ガス溶融法にて測定した。
また、炭素元素含有量は、試料粉末１００ｍｇを取り、ＬＥＣＯ社製ＷＣ−２００型を使用して，赤外線吸収を用いる方法にて測定した。
なお、原料である六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末は、そのまま試料粉末として用いた。また、六ホウ化ランタン焼結体については、破砕粉にしたものを試料粉末として用いた。
(１）酸素元素含有量及び炭素元素含有量
酸素元素含有量は、試料粉末４０ｍｇを取り、ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６型を使用して、不活性ガス溶融法にて測定した。
また、炭素元素含有量は、試料粉末１００ｍｇを取り、ＬＥＣＯ社製ＷＣ−２００型を使用して，赤外線吸収を用いる方法にて測定した。
なお、原料である六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末は、そのまま試料粉末として用いた。また、六ホウ化ランタン焼結体については、破砕粉にしたものを試料粉末として用いた。
（２）相対密度
市販の電子天秤を用いて、焼結体試料の空気中の重量と水中の重量を測定し、得られた浮力値から密度を計算する、いわゆるアルキメデス法を用いて密度を求め、理論密度に対する密度比（相対密度）を求めた。
市販の電子天秤を用いて、焼結体試料の空気中の重量と水中の重量を測定し、得られた浮力値から密度を計算する、いわゆるアルキメデス法を用いて密度を求め、理論密度に対する密度比（相対密度）を求めた。
（３）六ホウ化ランタン焼結体の格子定数の測定
Ｘ線回折装置［スペクトリス社製、機種名「ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ Ｘ'Ｐｅｒｔ
ＰＲＯ」］を用い、六ホウ化ランタン（ＬａＢ6）の４００面、４１０面、４１１面、３３１面、４２０面、４２１面のピークを用いて格子定数を算出した。
Ｘ線回折装置［スペクトリス社製、機種名「ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ Ｘ'Ｐｅｒｔ
ＰＲＯ」］を用い、六ホウ化ランタン（ＬａＢ6）の４００面、４１０面、４１１面、３３１面、４２０面、４２１面のピークを用いて格子定数を算出した。
（４）六ホウ化ランタン焼結体中におけるセリウムの含有量の算出
六ホウ化ランタン焼結体中におけるセリウム含有量を、ＩＣＰ分析により測定した。具体的には、王水１００ｇ中に六ホウ化ランタン焼結体１ｇを添加して溶解させ、セリウム濃度をＩＣＰ分析装置（バリアンテクノロジーズジャパンリミテッド社製、装置名「VARIAN ICP 発光分光分析装置 730−ES」）を用いて測定した。
六ホウ化ランタン焼結体中におけるセリウム含有量を、ＩＣＰ分析により測定した。具体的には、王水１００ｇ中に六ホウ化ランタン焼結体１ｇを添加して溶解させ、セリウム濃度をＩＣＰ分析装置（バリアンテクノロジーズジャパンリミテッド社製、装置名「VARIAN ICP 発光分光分析装置 730−ES」）を用いて測定した。
（５）ケルビンプローブ法による六ホウ化ランタン膜の仕事関数の測定
走査型ケルビンプローブ［KPテクノロジー社製、SKP5050］を用い、大気中、室温にて、六ホウ化ランタン膜の仕事関数を測定した。
走査型ケルビンプローブ［KPテクノロジー社製、SKP5050］を用い、大気中、室温にて、六ホウ化ランタン膜の仕事関数を測定した。
（６）真空ＵＰＳ法による六ホウ化ランタン膜の仕事関数の測定
紫外線光電子分光装置［ＰＨＩ社製、ＭＵＬ−０１０ＨＩ］を用い、圧力１．３３×１０-6Ｐａにて、六ホウ化ランタン膜の仕事関数を測定した。
紫外線光電子分光装置［ＰＨＩ社製、ＭＵＬ−０１０ＨＩ］を用い、圧力１．３３×１０-6Ｐａにて、六ホウ化ランタン膜の仕事関数を測定した。
［実施例１］
六ホウ化ランタン市販粉末及び六ホウ化セリウム市販粉末を、それぞれ、大気中、７００℃にて２時間、加熱酸化処理を行った。次いで、６Ｎ塩酸中で、６０℃で１２０分間、酸処理を行った。
酸処理後の上記２種の原料粉末を、イオン交換水にて、液のｐＨが６以上、塩素イオン度が１ｍｇ／Ｌ以下になるまで洗浄し、１１０℃にて真空乾燥した。得られた六ホウ化ランタン粉末は、不純物酸化物が酸素換算で０．３８質量％、不純物炭化物が炭素換算で０．００６質量％であった。また、洗浄後の六ホウ化セリウム粉末は、不純物酸化物が酸素換算で０．２６質量％、不純物炭化物が炭素換算で０．０１２質量％であった。
純化処理した六ホウ化ランタン粉末及び六ホウ化セリウム粉末を、Ｌａ／Ｃｅ比（モル比）が７０／３０となるようにエタノール中で混合し、ろ過した後に１１０℃にて真空乾燥することにより六ホウ化ランタン粉末及び六ホウ化セリウム粉末の混合粉末を得た。
得られた粉末をホットプレス装置にてアルゴンガス中、１９５０℃、プレス圧４０ＭＰａにて２時間焼結した。得られた焼結体は９０．７％の相対密度を有し、不純物量は酸素換算で０．２８質量％、炭素換算で０．０１５質量％であった。
また、六ホウ化ランタン焼結体は、六ホウ化ランタン単相でその格子定数は４．１４９４Åであり、ＩＣＰ分析によりセリウム含有量は１７．５質量％であったことから、六ホウ化セリウムは六ホウ化ランタンに固溶していることが確認された。
得られた六ホウ化ランタン焼結体をターゲットとして、マグネトロンスパッタリング装置を用い、アルゴンガス中、圧力５０ｍｔｏｒｒにてスパッタリング成膜を行った。得られた六ホウ化ランタン膜の仕事関数は、ケルビンプローブ法による評価で３．４７ｅＶ、真空ＵＰＳによる評価で２．７０ｅＶであり、良好な仕事関数を有する六ホウ化ランタン膜が得られた。実施例１における諸条件及び測定結果を表１に示す。
六ホウ化ランタン市販粉末及び六ホウ化セリウム市販粉末を、それぞれ、大気中、７００℃にて２時間、加熱酸化処理を行った。次いで、６Ｎ塩酸中で、６０℃で１２０分間、酸処理を行った。
酸処理後の上記２種の原料粉末を、イオン交換水にて、液のｐＨが６以上、塩素イオン度が１ｍｇ／Ｌ以下になるまで洗浄し、１１０℃にて真空乾燥した。得られた六ホウ化ランタン粉末は、不純物酸化物が酸素換算で０．３８質量％、不純物炭化物が炭素換算で０．００６質量％であった。また、洗浄後の六ホウ化セリウム粉末は、不純物酸化物が酸素換算で０．２６質量％、不純物炭化物が炭素換算で０．０１２質量％であった。
純化処理した六ホウ化ランタン粉末及び六ホウ化セリウム粉末を、Ｌａ／Ｃｅ比（モル比）が７０／３０となるようにエタノール中で混合し、ろ過した後に１１０℃にて真空乾燥することにより六ホウ化ランタン粉末及び六ホウ化セリウム粉末の混合粉末を得た。
得られた粉末をホットプレス装置にてアルゴンガス中、１９５０℃、プレス圧４０ＭＰａにて２時間焼結した。得られた焼結体は９０．７％の相対密度を有し、不純物量は酸素換算で０．２８質量％、炭素換算で０．０１５質量％であった。
また、六ホウ化ランタン焼結体は、六ホウ化ランタン単相でその格子定数は４．１４９４Åであり、ＩＣＰ分析によりセリウム含有量は１７．５質量％であったことから、六ホウ化セリウムは六ホウ化ランタンに固溶していることが確認された。
得られた六ホウ化ランタン焼結体をターゲットとして、マグネトロンスパッタリング装置を用い、アルゴンガス中、圧力５０ｍｔｏｒｒにてスパッタリング成膜を行った。得られた六ホウ化ランタン膜の仕事関数は、ケルビンプローブ法による評価で３．４７ｅＶ、真空ＵＰＳによる評価で２．７０ｅＶであり、良好な仕事関数を有する六ホウ化ランタン膜が得られた。実施例１における諸条件及び測定結果を表１に示す。
［実施例２〜８］
六ホウ化ランタン市販粉末及び六ホウ化セリウム市販粉末を、Ｌａ／Ｃｅ比が表１に示すとおりとなるようにエタノール中で混合したこと、及び焼結条件を表１に示すとおりにしたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。諸条件及び測定結果を表１に示す。
六ホウ化ランタン市販粉末及び六ホウ化セリウム市販粉末を、Ｌａ／Ｃｅ比が表１に示すとおりとなるようにエタノール中で混合したこと、及び焼結条件を表１に示すとおりにしたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。諸条件及び測定結果を表１に示す。
［比較例１］
原料粉末として六ホウ化ランタン粉末のみを用い、六ホウ化セリウム粉末を用いなかったこと、及び、六ホウ化ランタン粉末及び六ホウ化セリウム粉末との混合工程を行わなかったこと以外は実施例１と同様の操作を行った。諸条件及び測定結果を表１に示す。
原料粉末として六ホウ化ランタン粉末のみを用い、六ホウ化セリウム粉末を用いなかったこと、及び、六ホウ化ランタン粉末及び六ホウ化セリウム粉末との混合工程を行わなかったこと以外は実施例１と同様の操作を行った。諸条件及び測定結果を表１に示す。
［比較例２］
原料粉末として六ホウ化セリウム粉末のみを用い、六ホウ化ランタン粉末を用いなかったこと、及び、六ホウ化ランタン粉末及び六ホウ化セリウム粉末との混合工程を行わなかったこと以外は実施例１と同様の操作を行った。諸条件及び測定結果を表１に示す。
原料粉末として六ホウ化セリウム粉末のみを用い、六ホウ化ランタン粉末を用いなかったこと、及び、六ホウ化ランタン粉末及び六ホウ化セリウム粉末との混合工程を行わなかったこと以外は実施例１と同様の操作を行った。諸条件及び測定結果を表１に示す。
［比較例３〜５］
六ホウ化ランタン粉末及び六ホウ化セリウム粉末を、Ｌａ／Ｃｅ比が表１に示すとおりとなるようにエタノール中で混合したこと、及び焼結条件を表１に示すとおりにしたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。諸条件及び測定結果を表１に示す。
六ホウ化ランタン粉末及び六ホウ化セリウム粉末を、Ｌａ／Ｃｅ比が表１に示すとおりとなるようにエタノール中で混合したこと、及び焼結条件を表１に示すとおりにしたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。諸条件及び測定結果を表１に示す。
［評価］
実施例１〜８の六ホウ化ランタン焼結体は、加圧化で焼結しているため、相対密度が８８％以上と十分に高いものになった。一方、比較例５の六ホウ化ランタン焼結体は、常圧化で焼結しているため、相対密度が８３．１％となり、相対密度が低いものになった。
実施例１〜８の六ホウ化ランタン膜は、ケルビンプローブ法による仕事関数が３．８８ｅＶ以下と低かった。一方、比較例１〜５の六ホウ化ランタン膜は、ケルビンプローブ法による仕事関数が４．００ｅＶ以上と高かった。
また、実施例１〜８のうち、ケルビンプローブ法による仕事関数が最も高いのは実施例５であるが、実施例５のＵＰＳ法による仕事関数は３．００ｅＶであるため、他の実施例１〜４、６〜８のＵＰＳ法による仕事関数は３．００ｅＶ以下であると考えられ、ＵＰＳ法による仕事関数も十分に低い値となった。一方、比較例１，２のＵＰＳ法による仕事関数は、それぞれ３．７０ｅＶ及び３．５０ｅＶであり、実施例１〜８と比べて著しく高い値となった。
実施例１〜８の六ホウ化ランタン焼結体は、加圧化で焼結しているため、相対密度が８８％以上と十分に高いものになった。一方、比較例５の六ホウ化ランタン焼結体は、常圧化で焼結しているため、相対密度が８３．１％となり、相対密度が低いものになった。
実施例１〜８の六ホウ化ランタン膜は、ケルビンプローブ法による仕事関数が３．８８ｅＶ以下と低かった。一方、比較例１〜５の六ホウ化ランタン膜は、ケルビンプローブ法による仕事関数が４．００ｅＶ以上と高かった。
また、実施例１〜８のうち、ケルビンプローブ法による仕事関数が最も高いのは実施例５であるが、実施例５のＵＰＳ法による仕事関数は３．００ｅＶであるため、他の実施例１〜４、６〜８のＵＰＳ法による仕事関数は３．００ｅＶ以下であると考えられ、ＵＰＳ法による仕事関数も十分に低い値となった。一方、比較例１，２のＵＰＳ法による仕事関数は、それぞれ３．７０ｅＶ及び３．５０ｅＶであり、実施例１〜８と比べて著しく高い値となった。
Claims (7)
- 六ホウ化ランタンと４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物とが固溶してなる六ホウ化ランタン焼結体であって、
酸素元素含有量が１．０質量％以下、炭素元素含有量が０．１質量％以下であり、
相対密度が８８％以上であり、
かつ、格子定数が４．１４４５Å以上４．１５１８Å以下である、六ホウ化ランタン焼結体。 - 前記４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物が、六ホウ化セリウム、六ホウ化ガドリニウム及び六ホウ化ルテチウムの群から選択される少なくとも１種である、請求項１に記載の六ホウ化ランタン焼結体。
- 六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末を、酸処理して、純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末を得る工程（ａ）と、
前記工程（ａ）で得られた純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末の混合粉末を、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気から選択される１つの雰囲気中にて、１７００℃以上、かつ１０ＭＰａ以上で焼結する工程（ｂ）とを有する、六ホウ化ランタン焼結体の製造方法。 - 工程（ａ）において、六ホウ化ランタン粉末及び４ｆ軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末を、大気中にて５００℃以上８００℃以下で加熱酸化処理し、次いで前記酸処理を行う、請求項３に記載の六ホウ化ランタン焼結体の製造方法。
- 請求項１又は２に記載の六ホウ化ランタン焼結体をターゲットとして用い、成膜してなる六ホウ化ランタン膜。
- 紫外線光電子分光法による仕事関数が３．０Ｖ以下である、請求項５に記載の六ホウ化ランタン膜。
- 請求項５又は６に記載の六ホウ化ランタン膜を備えた有機半導体デバイス。
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