JP2012049534A - 熱電モジュール及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、熱電モジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】対向離間して配設される第１及び第２の基板１１２、１１４と、該第１及び第２の基板１１２、１１４の内側面に各々配設される第１及び第２の電極１２２、１２４と、該第１及び第２の電極１２２、１２４間に介在し、これらの電極と電気的に接合される熱電素子１３０とを含み、第１の基板１１２の内側面と第１の電極１２２との間、第２の基板１１４の内側面と第２の電極１２４との間、第１の基板１１２の外側面上、及び第２の基板１１４の外側面上のうちの少なくともいずれか一つに設けられる表面改善層１４２、１４４、１４６、１４８とをさらに含む
【選択図】図１

Description

本発明は、熱電モジュール及びその製造方法に関するものである。

熱電モジュール（Ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｍｏｄｕｌｅ）は、固体状態（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ）方式のヒートポンプ（Ｈｅａｔ Ｐｕｍｐ）で作動し、冷却器や加熱器にも利用可能である。構造が簡単で、信頼性が高く、機械的作動部品がないため、既存のコンプレッサ（Ｃｏｍｐｒｅｓｓｏｒ）などを用いる冷却器に比べて、騒音や振動がなく、また小型化が可能であるという長所がある。

また、簡単な操作で精密で且つ迅速な温度調節及び冷却／加熱転換が可能で、高精密冷却器／恒温器、光部品素子、光学センサ及び精密電子製品に適用されている。

また、熱電モジュールは、直流電源の極性を変えて１つのモジュールで冷却及び加熱の両方を共に具現でき、空気調和器（Ａｉｒ Ｈａｎｄｌｉｎｇ Ｕｎｉｔ）などにも効果的に活用されている。その他に、例えば小型冷蔵庫、化粧品冷蔵庫、ワイン冷蔵庫、冷温浄水器、車両用冷房シート、半導体設備、精密恒温槽などの冷却／恒温装置で利用されている。

このような熱電モジュールを製作するために、素子の大きさ、特性、接合、パッケージングなどが重要な要素となる。モジュールの設計及び製作方法によって特性、耐久性、信頼性、その他環境変化による熱電モジュールの特性が決定されることになる。

特開２００３−２７３４１０号公報

従来では、熱電モジュールを、平らな基板上に熱電素子を接合して形成したが、この際は、基板厚さの不均一またはパターンの精密度不良などにより不完全な接合が行われて、局部的な接合不良、接触抵抗の増加が生じることがある。

このようなモジュールは、熱電モジュールの性能指数及び効率の低下と共に、熱衝撃、耐湿等による劣化が早くに発生し、信頼性が低下するという不都合がある。

本発明は前述のように、基板厚さの不均一またはパターンの精密度不良などから引き起こされる不完全な接合による局部的な接合不良、接触抵抗の増加などの間題点に鑑みて成されたものであって、詳しくは、基板と電極パターンとの間に表面改善層を介在させて局部的な接合不良、接触抵抗の増加などの間題を解決できる熱電モジュール及びその製造方法を提供するにその目的がある。

上記目的を解決するために、本発明による熱電モジュールは、対向離間して配設される第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の基板の内側面に各々配設される第１及び第２の電極と、前記第１及び第２の電極間に介在し、該第１及び第２の電極と電気的に接合される熱電素子とを含み、前記第１の基板の内側面と第１の電極との間、第２の基板の内側面と第２の電極との間、第１の基板の外側面上、及び第２の基板の外側面上のうちの少なくともいずれか一つに設けられる表面改善層とをさらに含むことができる。

ここで、前記表面改善層は、エナメル層であり、該エナメル層は、酸化コバルトまたは酸化鉛を含む第１の層と、酸化チタンまたは酸化アンチモニーを含む第２の層とから成ることができる。

前記エナメル層の前記第１の層と第２の層とは、１：２〜１：３の厚さで設けられることができる。

前記第１の基板または前記第２の基板は、セラミック基板、金属基板及び高分子基板のうちのいずれか一つで、前記高分子基板は、ポリイミド、テフロン、エポキシ、ＰＭＭＡ及びＰＰのうちのいずれか一つから成ることができる。

前記熱電素子と前記第１の電極との間、または前記熱電素子と前記第２の電極との間に、サ一マルグリスがさらに介在することができる。

前記熱電素子は、前記第１及び第２の電極とソルダにより互いに接合されることができる。

上記目的を解決するために、本発明の他の好適な実施形態による熱電モジュール製造方法は、第１の基板及び第２の基板を準備するステップと、前記第１の基板の内側面、該第１の基板の外側面、前記第２の基板の内側面及び該第２の基板の外側面のうち少なくともいずれか一つの面上に表面改善層を形成するステップと、前記第１の基板の内側面上に第１の電極、第１のソルダ層及び熱電素子を積層配設するステップと、前記第２の基板の内側面上に前記熱電素子に対応する第２の電極及び第２のソルダ層を積層配設するステップと、前記第１の基板上に前記第２の基板を配設し、リフロー工程を施して前記第１及び第２のソルダ層により前記第１及び第２の電極と前記熱電素子とを互いに接合して熱電モジュールを形成するステップとを含むことができる。

前記表面改善層を形成するステップは、エナメル層を形成するステップであってもよい。

前記エナメル層は、酸化コバルトまたは酸化鉛を含む第１の層と、酸化チタンまたは酸化アンチモニーを含む第２の層とを含み、前記第１の層を形成した後、前記第２の層を形成してなされることができる。

また、前記エナメル層は、前記第１の基板の内側面、該第１の基板の外側面、前記第２の基板の内側面及び該第２の基板の外側面のうち少なくともいずれか一つの面を湿式または乾式で洗浄して乾燥した後、該少なくともいずれか一つの面上に前記第１の層または前記第２の層をなす材料をスラリまたはペースト形態で塗布した後、焼成して形成でき、該焼成は、８００〜９２０℃の温度で行われることができる。

また、前記エナメル層は、前記第１の基板の内側面、該第１の基板の外側面、前記第２の基板の内側面及び該第２の基板の外側面のうち少なくともいずれか一つの面上に、前記第１の層または前記第２の層を物理的気相蒸着法または化学的気相蒸着法を用いて薄膜形態で形成することができる。

前記熱電素子と前記第１の電極との間及び前記熱電素子と前記第２の電極との間に、サーマルグリスをさらに形成することができる。

本発明によれば、基板と電極パターンとの間に表面改善層を介在することによって、該基板と該電極パターンとの間の接合強度を向上させて、熱電モジュールの耐久性を向上するという効果が奏する。

また、本発明によれば、外部表面に表面改善層を設けることによって、ＣＯ_２、ＮＯ_ｘなどのガス露出、高温多湿などの劣悪な外部環境にも耐食性を確保すると共に、基板と電極パターンとの間の界面が損傷されることなく維持されるという効果が奏する。

また、本発明によれば、表面改善層により熱抵抗や表面強度が優秀で、高温部または低温部の熱衝撃に強いという効果が奏する。

また、本発明によれば、表面改善層に自己清潔機能があって異物による工程上の難しさを解消できるという効果が奏する。

本発明の一実施形態による熱電モジュールの断面図である。 本発明の一実施形態による熱電モジュールの製造方法を示す断面図である。 同じく、熱電モジュールの製造方法を示す断面図である。 同じく、熱電モジュールの製造方法を示す断面図である。 同じく、熱電モジュールの製造方法を示す断面図である。

以下、本発明の好適な実施の形態は図面を参考にして詳細に説明する。次に示される各実施の形態は当業者にとって本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために例として挙げられるものである。従って、本発明は以下示している各実施の形態に限定されることなく他の形態で具体化されることができる。そして、図面において、装置の大きさ及び厚さなどは便宜上誇張して表現されることができる。明細書全体に渡って同一の参照符号は同一の構成要素を示している。

図１は、本発明の一実施形態による熱電モジュールの断面図である。

図１を参照して、本発明の一実施形態による熱電モジュール１００は、対向離間して配設される第１及び第２の基板１１２、１１４と、該第１及び第２の基板１１２、１１４の内側面１１２ａ、１１４ａに各々介在する第１及び第２の電極１２２、１２４と、該第１の基板１１２と該第２の基板１１４との間に介在する熱電素子１３０とを含むことができる。

また、熱電モジュール１００は、第１の基板１１２の内側面１１２ａ、該第１の基板の外側面１１２ｂ、第２の基板１１４の内側面１１４ａ及び該第２の基板１１４の外側面１１４ｂのうちのいずれか一つの面上に表面改善層を設けることができる。図１では、第１の基板１１２の内側面１１２ａ、該第１の基板の外側面１１２ｂ、第２の基板１１４の内側面１１４ａ及び該第２の基板１１４の外側面１１５ｂの各々に、第１の表面改善層１４２、第２の表面改善層１４４、第３の表面改善層１４６及び第４の表面改善層１４８が形成されているが、いずれか一つの表面改善層は省略してもよい。また図１では、第１の基板１１２の４つの側面及び第２の基板１１４の４つの側面上には表面改善層が設けられていないが、必要によって第１の基板１１２の４つの側面及び第２の基板１１４の４つの側面上にも表面改善層が設けられてもよい。ここで、第１の基板１１２の４つの側面または第２の基板１１４の４つの側面は、図１で示す各基板の内側面及び外側面を除く側面を意味する。

表面改善層１４２、１４４、１４６、１４８は、エナメル層であってもよい。該エナメル層は、酸化コバルトまたは酸化鉛を含む第１の層と、酸化チタンまたは酸化アンチモニーを含む第２の層とから成ることができる。該エナメル層では、第１の層がまず形成され、該第１の層上に第２の層が設けられる。ここで、エナメル層の第１の層と第２の層とは、１：２〜１：３の厚さで設けられることができる。

第１及び第２の基板１１２、１１４と第１及び第２の電極１２２、１２４との間に表面改善層１４２、１４６を介在することによって、該第１及び第２の基板１１２、１１４と第１及び第２の電極１２２、１２４との間の接合強度を向上させて、これらの間の界面が損傷されることなく維持されることによって、熱電モジュール１００の耐久性を向上させるという効果が奏する。

また、第１及び第２の基板１１２、１１４の外部表面に表面改善層１４４、１４８を設けることによって、ＣＯ_２、ＮＯ_ｘなどのガス露出、高温多湿などの劣悪な外部環境にも耐食性を確保すると共に、熱抵抗及び表面強度が優秀で高温部または低温部の熱衝撃に強いという効果が奏する。

また、表面改善層１４２、１４４、１４６、１４８は自己清潔機能があって、第１及び第２の電極１２２、１２４を形成する際に、異物除去のための工程に伴う製造原価の上昇または異物による歩留まりの低下などの難しさを解消できるという効果が奏する。

第１の基板１１２の外側面１１２ｂの表面改善層１４２、または第２の基板１１４の外側面１１４ｂ上の表面改善層１４４には、顔料が含まれることができる。該顔料によって、表面改善層１４２、１４４は多様な色を発することができ、特にロゴまたは絵などを挿入して広告効果を期待することができる。

第１及び第２の基板１１２、１１４は、熱電素子１３０と第１及び第２の電極１２２、１２４とを支持する役割をすることができる。さらに、熱電素子１３０が複数設けられる場合、第１及び第２の基板１１２、１１４は複数の熱電素子１３０を連結する役割を行うことができる。

また、第１の基板１１２及び第２の基板１１４は外部装置と接合され、熱電素子１３０の熱交換によって、外部から吸熱または外部に放熱する役割をすることができる。すなわち、第１の基板１１２及び第２の基板１１４は外部装置と熱電素子１３０との間の熱伝達を行う役割をすることができる。これにより、熱電モジュール１００の効率は、第１及び第２の基板１１２、１１４の熱伝導率による影響を受けることができる。

このため、第１及び第２の基板１１２、１１４は、熱伝導率の高いセラミックから成ることができる。

また、第１及び第２の基板１１２、１１４は、優秀な熱伝導率の金属から成ることができる。例えば、第１及び第２の基板１１２、１１４はアルミニウム及び銅等から成ることができる。これにより、第１及び第２の基板１１２、１１４は優秀な熱伝導率を有して、熱電効率を向上させることができる。

ここで、第１の基板１１２と第２の基板１１４の内側面１１２ａ、１１４ａ、詳しくは、第１の基板１１２と第１の表面改善層１４２との間、及び第２の基板１１４と第３の表面改善層１４６との間には、金属から成る第１及び第２の基板１１２、１１４と、第１及び第２の電極１２２、１２４間を絶縁するための絶縁層（図示せず）を配設し、該第１及び第２の基板１１２、１１４の電気絶縁性を提供することができる。ここで、該絶縁層は、熱電モジュール１００を形成する工程に耐えることができる耐久性を有する材料から成ることができる。例えば、該絶縁層は、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｎＯ、ＮｉＯ及びＹ_２Ｏ_３のうちのいずれか一つによって形成されることができる。

該絶縁層の厚さは、０．２μｍ〜１０μｍの範囲内であってもよい。これは、該絶縁層の厚さが０．２μｍ未満の場合、絶縁性を確保するに難しいためである。一方、該絶縁層の厚さが１０μｍ超の場合、第１の基板１１２または第２の基板１１４と熱電素子１３０との間の熱伝導率を低下させることになるためである。

また、絶縁層は、第１の基板１１２と第２の基板１１４との絶縁性を確保する役割だけでなく、第１の基板１１２及び第２の基板１１４に設けられた空隙を埋める役割をさらに行うことができる。そのため、第１の基板１１２と第１の電極１２２との間、及び第２の基板１１４と第２の電極１２２との間で空隙により熱伝達が低下するのを防止することができる。

また、第１及び第２の基板１１２、１１４は高分子基板であってもよい。例えば、第１及び第２の基板１１２、１１４はポリイミド、テフロン、エポキシ、ＰＭＭＡ、ＰＰなどの高分子材料から成り、該高分子材料から成る熱電モジュール１００を提供することができる。

一方、熱電素子１３０はＰ型半導体１３２及びＮ型半導体１３４を含むことができる。該Ｐ型半導体１３２及び該Ｎ型半導体１３４は同じ平面上に交代で配列されることができる。

ここで、第１及び第２の電極１２２、１２４は、熱電素子１３０を挟んで対向するように配設されることができる。ここで、一対のＰ型半導体１３２及びＮ型半導体１３４は、その下面に配設される第１の電極１２２により電気的に接続され、隣の他の一対のＰ型半導体１３２及びＮ型半導体１３４はその上面に配設される第２の電極１２４により電気的に接続されることができる。

第１の電極１２２及び第２の電極１２４と熱電素子１３０とはソルダ１５０により互いに接合されていることができる。ここで、該ソルダ１５０はＰｂＳｎまたはＣｕＡｇＳｎのようにＳｎを含むことができる。

また、第１及び第２の電極１２２、１２４はワイヤ１６０により外部電源部に接続され、該外部電源部に電源を供給するかまたは供給されることができる。すなわち、熱電モジュール１００が発電装置の役割をする場合、電源を該外部電源部に供給し、冷却装置の役割をする場合、電源を該外部電源部から供給されることができる。

また、示されていないが、熱電素子１３０と第１の電極１２２との間または熱電素子１３０と第２の電極１２２との間にサ一マルグリス（ｔｈｅｒｍａｌ ｇｒｅａｓｅ）を介在することができる。該サーマルグリスは、各境界面で設けられた空隙を埋める役割をし、該空隙により熱伝導率が低下するのを防止することができる。

図２〜図５は、本発明の一実施形態による熱電モジュールの製造方法を示す断面図である。

図２〜図５を参照して、本発明の一実施形態による熱電モジュールの製造方法を具体的に説明することにする。

図２を参照して、熱電モジュールを製造するために、まず第１の基板１１２を提供する。

第１の基板１１２は、セラミックから成るセラミック基板であってもよい。

また、第１の基板１１２は優秀な熱伝導率を有する金属材料から成る金属基板であり、該第１の基板１１２が金属材料から成る場合、該第１の基板１１２の内側面上に絶縁層（図示せず）を形成することができる。

該絶縁層は、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｎＯ、ＮｉＯ及びＹ_２Ｏ_３のうちのいずれか一つによって形成することができる。該絶縁層を形成する方法の例としては、印刷法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｏｎ）法、スパッタリング法、Ｅ−ｂｅａｍ法及びＣＶＤ法が挙げられる。その厚さは、絶縁性確保及び熱伝導率に対する影響を考慮して、０．２μｍ〜１０μｍの厚さで形成することができる。

また第１の基板１１２は高分子基板であってもよい。例えば、第１の基板１１２はポリイミド、テフロン、エポキシ、ＰＭＭＡ及びＰＰなどの高分子材料から成ることができる。

第１の基板１１２の内側面１１２ａ及び外側面１１２ｂ上に各々、第１の表面改善層１４２及び第２の表面改善層１４４を形成する。前述のような第１の表面改善層１４２及び第２の表面改善層１４４のうちのいずれか一つは省略可能で、必要によって両方共に省略することができる。

ここで、第１及び第２の表面改善層１４２、１４４は第１の基板１１２の内側面１１２ａ及び外側面１１２ｂのうちの少なくともいずれか一つの面以上を湿式または乾式で洗浄して乾燥した後形成する。ここで、第１及び第２の表面改善層１４２、１４４は酸化コバルトまたは酸化鉛を含む第１の層と、酸化チタンまたは酸化アンチモニーを含む第２の層とを含むエナメル層から成ることができ、第１の層をまず形成した後、第２の層を形成してなされることができる。ここで、乾式で洗浄する工程は、プラズマ処理などから成ることができ、湿式で洗浄する工程は、超純水で洗浄したり、酸または塩基性溶液で洗浄した後超純水で洗浄して行われることができる。

一方、第１の基板１１２がセラミック基板または金属基板の場合、第１及び第２の表面改善層１４２、１４４は第１の層または第２の層をなす材料をスラリ形態またはペースト形態で形成した後、これを塗布し、焼成して形成することができる。該焼成工程は、８００〜９２０℃温度で行われることができる。

また、第１の基板１１２が高分子基板の場合、第１の層または第２の層をなす材料を印刷法などの液相塗布法、ＰＥＣＶＤなどの化学的気相蒸着法またはＡＬＤ法、スパッタリング法及びＥ−ｂｅａｍ法などの物理的気相蒸着法を用いて順に塗布または蒸着して形成することができる。

図３を参照して、続いて、第１の基板１１２の内側面１１２ａ、望ましくは内側面１１２ａ上に表面改善層１４２上に第１の電極１２２を形成する。該第１の電極１２２は、導電材料を蒸着して導電膜を形成した後、該導電膜をパターニングして形成することができる。しかし、本発明の実施形態ではこれに限定するのではなく、例えば第１の電極１２２はメッキ工程及び印刷工程などを通じて形成することができる。

続いて、第１の電極１２２上に第１のソルダ層１５０ａを形成する。該第１のソルダ層１５０ａはＰｂＳｎまたはＣｕＡｇＳｎのようにＳｎを含む導電性ペーストを印刷して形成することができる。

続いて、第１のソルダ層１５０ａ上に熱電素子１３０を配設する。該熱電素子１３０はＰ型半導体１３２及びＮ型半導体１３４を含むことができ、それらのＰ型半導体１３２及びＮ型半導体１３４を互いに交代で配設されることができる。

図４を参照して、第１の基板１１２上に第１の表面改善層１４２、第２の表面改善層１４４、第１の電極１２２、第１のソルダ層１５０ａ及び熱電素子１３０を形成する工程とは別度に、第２の基板１１４を準備する。

続いて、第２の基板１１４の内側面１１４ａ及び外側面１１４ｂ上に、第１の基板１１２の内側面１１２ａ及び外側面１１２ｂ上に第１の表面改善層１４２及び第２の表面改善層１４４を形成する方法と同様に、第３の表面改善層１４６及び第４の表面改善層１４８を形成するため、第３の表面改善層１４６及び第４の表面改善層１４８を形成する方法に対する詳細な説明は、省略する。

続いて、第２の基板１１４の内側面１１４ａ、詳しくは、第３の表面改善層１４６上に第２の電極１２４及び第２のソルダ層１５０ｂを形成する工程を行う。

ここで、第２の基板１１４は第１の基板１１２と同様にセラミックから成るセラミック基板及び高分子基板であって、優秀な熱伝導率を有する金属材料から成ることができる。第２の基板１１４が金属材料から成る場合、第２の基板１１４の内側面上に絶縁層（図示せず）を形成することができる。

第２の基板１１４の内側面上に第２の電極１２４及び第２のソルダ層１５０ｂを順に形成する。ここで、絶縁層、第２の電極１２４及び第２のソルダ層１５０ｂは、図４を参照して説明した絶縁層、第１の電極１２２及び第１のソルダ層１５０ａの材料と同一で、同じ形成方法によって形成することができる。

図５を参照して、熱電素子１３０と第２の電極１２４とが互いに接触するように第１の基板１１２上に第２の基板１１４を配設した後、該第２の基板１１４または第１の基板１１２に一定圧力を加えながら、リフロー工程を通じて第１及び第２の電極１２２、１２４と熱電素子１３０とを接合することによって、熱電モジュール１００を製造することができる。

また、示されていないが、熱電素子１３０と第１の電極１２２との間及び熱電素子１３０と第２の電極１２４との間のうちの少なくともいずれか一つの間にサ一マルグリスをさらに形成することができる。

また、示されていないが、図１に示す熱電モジュール１００のように第１の電極１２２及び第２の電極１２４に各々ワイヤ１６０を連結する工程を行うことができる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、前記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１００ 熱電モジュール
１１２ 第１の基板
１１４ 第２の基板
１２２ 第１の電極
１２４ 第２の電極
１３０ 熱電素子
１４２ 第１の表面改善層
１４４ 第２の表面改善層
１４６ 第３の表面改善層
１４８ 第４の表面改善層
１５０ ソルダ

Claims (17)

1. 対向離間して配設される第１及び第２の基板と、
   前記第１及び第２の基板の内側面に各々配設される第１及び第２の電極と、
   前記第１及び第２の電極間に介在し、前記第１及び第２の電極と電気的に接合される熱電素子とを含み、
   前記第１の基板の内側面と前記第１の電極との間、前記第２の基板の内側面と前記第２の電極との間、前記第１の基板の外側面上、及び前記第２の基板の外側面上のうちの少なくともいずれか一つに設けられる表面改善層とをさらに含む熱電モジュール。
2. 前記表面改善層は、エナメル層である請求項１に記載の熱電モジュール。
3. 前記エナメル層は、酸化コバルトまたは酸化鉛を含む第１の層と、酸化チタンまたは酸化アンチモニーを含む第２の層とから成る請求項２に記載の熱電モジュール。
4. 前記第１の層及び前記第２の層は、１：２〜１：３の厚さで設けられる請求項３に記載の熱電モジュール。
5. 前記第１の基板または前記第２の基板は、セラミック基板、金属基板及び高分子基板のうちのいずれか一つである請求項１に記載の熱電モジュール。
6. 前記高分子基板は、ポリイミド、テフ口ン、エポキシ、ＰＭＭＡ及びＰＰのうちのいずれか一つから成る請求項５に記載の熱電モジュール。
7. 前記熱電素子と前記第１の電極との間または前記熱電素子と前記第２の電極との間に、サ一マルグリスがさらに介在する請求項１に記載の熱電モジュール。
8. 前記熱電素子は、前記第１及び第２の電極とソルダにより互いに接合される請求項１に記載の熱電モジュール。
9. 前記第１の基板の外側面または前記第２の基板の外側面上に設けられる前記表面改善層には、顔料をさらに含む請求項１に記載の熱電モジュール。
10. 前記表面改善層は、前記第１の基板の４つの側面または前記第２の基板の４つの側面上に設けられる請求項１に記載の熱電モジュール。
11. 第１の基板及び第２の基板を準備するステップと、
    前記第１の基板の内側面、該第１の基板の外側面、前記第２の基板の内側面及び該第２の基板の外側面のうち少なくともいずれか一つの面上に表面改善層を形成するステップと、
    前記第１の基板の内側面上に第１の電極、第１のソルダ層及び熱電素子を積層配設するステップと、
    前記第２の基板の内側面上に、前記熱電素子に対応する第２の電極及び第２のソルダ層を積層配設するステップと、
    前記第１の基板上に前記第２の基板を配設し、リフロー工程を施して前記第１及び第２のソルダ層により第１及び第２の電極と熱電素子とを互いに接合して熱電モジュールを形成するステップ
    とを含む熱電モジュールの製造方法。
12. 前記表面改善層を形成するステップは、エナメル層を形成するステップである請求項１１に記載の熱電モジュールの製造方法。
13. 前記エナメル層は、酸化コバルトまたは酸化鉛を含む第１の層と、酸化チタンまたは酸化アンチモニーを含む第２の層とを含み、前記第１の層を形成した後に前記第２の層を形成してなされる請求項１２に記載の熱電モジュールの製造方法。
14. 前記エナメル層は、前記第１の基板の内側面、該第１の基板の外側面、前記第２の基板の内側面及び該第２の基板の外側面のうち少なくともいずれか一つの面を湿式または乾式で洗浄して乾燥した後、前記少なくともいずれか一つの面上に前記第１の層または前記第２の層をなす材料をスラリまたはペースト形態で塗布した後、焼成して形成される請求項１３に記載の熱電モジュールの製造方法。
15. 前記焼成は、８００〜９２０℃温度で行われる請求項１４に記載の熱電モジュールの製造方法。
16. 前記エナメル層は、前記第１の基板の内側面、該第１の基板の外側面、前記第２の基板の内側面及び該第２の基板の外側面のうち少なくともいずれか一つの面上に、前記第１の層または前記第２の層を物理的気相蒸着法または化学的気相蒸着法を用いて薄膜形態で形成してなされる請求項１３に記載の熱電モジュールの製造方法。
17. 前記熱電素子と前記第１の電極との間、及び前記熱電素子と前記第２の電極との間に、サーマルグリスをさらに形成する請求項１１に記載の熱電モジュールの製造方法。

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