RU2680427C2 - Композиция для покрытия, способ ее получения и применение - Google Patents

Композиция для покрытия, способ ее получения и применение Download PDF

Info

Publication number
RU2680427C2
RU2680427C2 RU2016136695A RU2016136695A RU2680427C2 RU 2680427 C2 RU2680427 C2 RU 2680427C2 RU 2016136695 A RU2016136695 A RU 2016136695A RU 2016136695 A RU2016136695 A RU 2016136695A RU 2680427 C2 RU2680427 C2 RU 2680427C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
solvent
yttrium
coating composition
solvents
composition according
Prior art date
Application number
RU2016136695A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2016136695A (ru
RU2016136695A3 (ru
Inventor
Дуи Ву ФАМ
Деннис ВЕБЕР
Феликс ЕНИКЕ
Original Assignee
Эвоник Дегусса Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эвоник Дегусса Гмбх filed Critical Эвоник Дегусса Гмбх
Publication of RU2016136695A publication Critical patent/RU2016136695A/ru
Publication of RU2016136695A3 publication Critical patent/RU2016136695A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2680427C2 publication Critical patent/RU2680427C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D1/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/20—Diluents or solvents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02192—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing at least one rare earth metal element, e.g. oxides of lanthanides, scandium or yttrium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

Настоящее изобретение относится к композиции для покрытия, получаемой из по меньшей мере одного иттрийсодержащего предшественника, выбранного из группы, включающей оксоалкоксиды иттрия, растворителя A и растворителя B, который отличается от растворителя A, при этом соотношение давления пара растворителя A при 20°C к давлению пара растворителя B при 20°C составляет. Изобретение обеспечивает получение стабилизирующих покрытий. 3 н. и 10 з.п. ф-лы.

Description

Настоящее изобретение относится к композиции для покрытия, получаемой по меньшей мере из одного иттрий-содержащего предшественника, к способу ее получения и применению.
Получение полупроводящих электронных компонентных слоев посредством печати и других способов нанесения жидкости позволяет обеспечивать значительно более низкие производственные расходы по сравнению со многими другими способами, например такими как химическим парофазным осаждением (CVD), поскольку в данном случае полупроводник можно осаждать в непрерывном процессе. Соответственно были разработаны жидкофазные способы, например для получения тонкопленочных транзисторов (TFT). Тонкопленочные транзисторы на основе полупроводниковых слоев, содержащие в частности оксид индия, представляют большой интерес в данном контексте. Однако содержащие оксид индия полупроводники, полученные с помощью жидкофазных способов, имеют недостаток, заключающийся в том, что они проявляют недостаточные электрические свойства и недостаточную стабильность. В частности, воздействия окружающей среды и дефекты поверхности полупроводникового слоя приводят к иттрий-содержащему слою, электронные свойства которого не обладают постоянством с течением времени и/или в условиях нагрузки. По этой причине были разработаны стабилизирующие слои, расположенные над иттрий-содержащим слоем, которые приводят к нейтрализации поверхностных дефектов и/или к защите от воздействий окружающей среды.
Предыдущий уровень техники описывает слои, содержащие оксид иттрия, как особенно подходящие стабилизирующие слои для полупроводниковых слоев из оксида индия (Nomura et al., Applied Physics Letters 99, 053505-1-053505-3 (2011); Nomura et al., Thin solid Films 520 (2012) 3378–3782; US 2012/0097957 A1). Однако описанные в вышеуказанном документе слои, содержащие оксид иттрия, получают с большими затратами и сложностью с применением способов, таких как CVD-способы, E-лучевое испарение и PLD (импульсное лазерное напыление). Таким образом, желательно иметь возможность получать данные слои из оксида иттрия, которые по своей природе являются подходящими для стабилизации слоев, содержащих оксид иттрия, посредством менее затратных и неудобных способов.
Например, в патентном документе US 2012/0104381 A1 обеспечивается общее раскрытие полупроводниковых компонентов на основе оксидов металлов, которые имеют “слои материалов с низкой концентрацией ловушек”, которые среди прочего можно получать с помощью жидкофазных способов или золь-гель способов. Однако в вышеуказанном документе не описаны жидкофазные способы или золь-гель способы для получения слоев, содержащих оксид иттрия. Золь-гель способы для получения слоев, содержащих оксид иттрия, описаны например в диссертации Рудольфа Риппштайна (1993). Водные способы получения слоев, содержащих оксид иттрия, являются таким образом частью предшествующего уровня техники. Однако водные гелевые растворы иттрий-содержащих предшественников, которые описаны в вышеуказанном документе, не приводят в результате к стабилизирующим слоям, которые стабилизируют слои, содержащие оксид иттрия, до достаточного хорошего результата.
Соответственно, цель настоящего изобретения заключалась в обеспечении композиций для покрытия, которые являются подходящими в частности в качестве стабилизирующих слоев для слоев, содержащих оксид иттрия. Особенно желательная в данном контексте цель заключалась в том, чтобы иметь возможность, применяя данные композиции для покрытия, получать транзисторы со стабилизирующими слоями, размещенными над полупроводниковыми слоями, проявляющие крайне низкие напряжения включения и дополнительно имеющие очень небольшие сдвиги в напряжениях включения при испытаниях под нагрузкой с отрицательными и положительными смещениями (NBST и PBST).
Настоящей цели достигают с помощью композиции для покрытия согласно настоящему изобретению, которую получают по меньшей мере из одного иттрий-содержащего предшественника, растворителя A и растворителя B, который отличается от растворителя A, соотношение давления пара растворителя A при 20°C к давлению пара растворителя B при 20°C составляет:
Figure 00000001
.
В данном документе композиция для покрытия означает жидкий состав, который является подходящим для получения покрытий, более конкретно для получения иттрий-содержащих покрытий. Композиция для покрытия согласно настоящему изобретению предпочтительно представляет собой композицию для покрытия, подходящую для печати, способов покрытия с помощью щелевой головки или покрытия методом центрифугирования. С особым предпочтением композиция для покрытия согласно настоящему изобретению представляет собой композицию для покрытия, подходящую для печатных процессов, т. е. печати краской. Иттрий-содержащий “предшественник” в данном документе представляет собой растворимое или диспергируемое иттрий-содержащее химическое соединение, которое после печати соответствующей композиции можно превращать в слой, содержащий оксид иттрия, более конкретно в слой из оксида иттрия. “Иттрий-содержащий” предшественник в данном документе представляет собой предшественник, который содержит по меньшей мере один атом иттрия. Композиция для покрытия согласно настоящему изобретению дополнительно содержит по меньшей мере два растворителя A и B. Растворители A и B выбирают таким образом, что соотношение давления пара при 20°C для растворителя A, который является более летучим по сравнению с растворителем B, к давлению пара при 20°C растворителя B, который является менее летучим по сравнению с растворителем A, составляет больше чем или равно 10. Давления пара в данном случае определяют с применением статического способа определения, известного специалисту в данной области техники. Данным методом измеряют давление пара, который проходит над веществом в термодинамическом равновесии в закрытой системе при заданной температуре (в данном документе 20°C). В данном документе предпочтительно растворитель A не только является более летучим, чем растворитель B, но также имеет самое высокое давление пара при сравнении между всеми растворителями, присутствующими в композиции для покрытия. Более того, предпочтительно растворитель B не только является менее летучим, чем растворитель A, но также имеет самое низкое давление пара при сравнении между всеми растворителями, присутствующими в композиции для покрытия.
Определение структуры присутствующих в растворе предшественников является трудным. Тем не менее считают, что строение присутствующих в растворе предшественников является таким же, как и в кристалле. По этой причине предполагают, что составы по настоящему изобретению не только получают по меньшей мере из одного иттрий-содержащего предшественника и по меньшей мере двух растворителей, но они также содержат по меньшей мере один предшественник и по меньшей мере два растворителя. Соответствующие замечания в равной степени применимы к предшественникам во всех предпочтительных вариантах осуществления, описанных в данном документе ниже.
По меньшей мере один иттрий-содержащий предшественник может содержать только иттрий в качестве атомов (полу)металла. (Полу)металлы обозначают металлы и полуметаллы. В качестве альтернативы по меньшей мере один предшественник, помимо иттрия, может содержать также атомы металла или атомы полуметалла. Однако предпочтительно все предшественники, применяемые в получении композиции для покрытия, содержат только иттрий.
Особенно пригодные композиции для покрытия получают, если по меньшей мере один иттрий-содержащий предшественник выбран из группы, включающей алкоксиды иттрия, оксоалкоксиды иттрия, алкоксиалкоксиды иттрия и соли иттрия. Алкоксиды иттрия представляют собой соединения иттрия, содержащие по меньшей мере один атом иттрия и по меньшей мере три алкокси-радикала. В отличие от алкоксидов иттрия, оксоалкоксиды иттрия также имеют по меньшей мере множественно мостиковый атом кислорода, а это означает, что они включают по меньшей мере два атома иттрия, по меньшей мере один оксо-радикал и по меньшей мере четыре алкоксидных радикала. Однако вследствие мостикового эффекта оксо-радикалов, оксоалкоксиды иттрия часто представляют собой кластероподобные соединения. Кроме того, алкоксиалкоксиды иттрия представляют собой соединения иттрия, которые содержат по меньшей мере один атом иттрия и по меньшей мере один оксоалкилалкильный радикал (радикал R-O-R‘-O-). Алкоксиалкоксиды иттрия могут включать в себя исключительно атом иттрия и три R-O-R‘-O- радикала, или в дополнение к последнему могут содержать также оксо-радикалы и/или алкоксидные радикалы. Кроме того, предпочтительные соли иттрия представляют собой нитраты иттрия и галогениды иттрия. Особенно хорошие результаты получают, если по меньшей мере один предшественник выбран из группы оксоалкоксидов иттрия, более конкретно из группы оксоалкоксидов иттрия общей формулы YxOy(OR)z, где 3 ≤ x ≤ 12, 1 ≤ y ≤ x, x ≤ z ≤ (3x-1) и y+z ≥ x.
Лучшие композиции для покрытия содержат в качестве их предшественника оксоалкоксид иттрия Y5O(O-iPr)13.
Композиции для покрытия по настоящему изобретению предпочтительно содержат все иттрий-содержащие предшественники, применяемые в общей доле 0,1-10 вес. %, исходя из общей массы состава.
Дополнительно композицию для покрытия можно получать также с применением предшественников (полу)металлов, не содержащих иттрий. Их доля предпочтительно составляет не более чем 5 вес. %. Однако с особым предпочтением композицию для покрытия получают без применения предшественников, не содержащих иттрий. Таким образом, с особым предпочтением композицию для покрытия по настоящему изобретению получают исключительно с иттрий-содержащими предшественниками.
Композиция для покрытия по настоящему изобретению содержит по меньшей мере два растворителя. Композиция для покрытия по настоящему изобретению предпочтительно является неводной, поскольку это позволяет получать особенно однородный и тонкий слой. Неводная композиция для покрытия в данном документе означает композицию для покрытия, которая не содержит воду в качестве растворителя. Таким образом, соответствующие композиции для покрытия представляют собой композиции, которые не используются в золь-гель способах. Более предпочтительно содержание воды в композиции для покрытия (в результате поглощения воды, например из окружающей среды) составляет не более чем 500 ppm.
Растворители A и B предпочтительно выбраны из группы, включающей спирты, алкоксиспирты, гидроксиэфиры и сложные эфиры карбоновой кислоты, а также сложные эфиры молочной кислоты.
Особенно хорошие результаты получают, если соотношение давлений пара двух растворителей не только составляет 10 или более, но также если разница между точками кипения двух растворителей A и B в SATP-условиях составляет ≥30°C. “SATP-условия” в данном документе означает давление 105 Па и температуру 25°C.
Более предпочтительно точка кипения растворителя A в SATP-условиях составляет 50-140°C.
Дополнительные предпочтительные растворители A представляют собой те, которые выбраны из группы, включающей 1-метокси-2-пропанол,
2-метоксиэтанол, бутилацетат, изопропанол, трет-бутанол и этанол.
Очень предпочтительно растворитель A представляет собой этанол.
Более предпочтительно точка кипения растворителя B составляет 100-200°C в SATP-условиях.
Более предпочтительно растворитель B выбран из группы, включающей
1-гексанол, циклогексанол, тетрагидрофурфуриловый спирт,
1-метокси-2-пропилацетат и этиллактат.
Очень предпочтительно растворитель B представляет собой 1-гексанол или тетрагидрофурфуриловый спирт, особенно предпочтительно тетрагидрофурфуриловый спирт.
Более предпочтительно доля растворителя A составляет 75-99 об. % и доля растворителя B составляет 1-25 вес. %, исходя из общего объема присутствующих растворителей.
В дополнение к растворителям A и B композиция для покрытия может содержать дополнительные растворители, отличные от растворителей A и B. Она может содержать также исключительно растворители A и B, и таким образом может содержать исключительно два растворителя. Композицию для покрытия предпочтительно получают по меньшей мере из одного иттрий-содержащего предшественника, растворителя A и растворителя B, который отличается от растворителя A, соотношение давления пара растворителя A к давлению пара растворителя B составляет:
Figure 00000001
,
а также дополнительного третьего растворителя C, который отличается от растворителя A и от растворителя B. Третий растворитель C предпочтительно выбран из группы, включающей 1-метокси-2-пропанол и циклогексанол.
Особенно предпочтительной является композиция для покрытия, полученная по меньшей мере из одного иттрий-содержащего предшественника, растворителя A, растворителя B и растворителя C. Таким образом, более предпочтительно композиция для покрытия по настоящему изобретению содержит исключительно три растворителя.
Очень предпочтительно растворитель A представляет собой этанол, растворитель B представляет собой 1-гексанол или тетрагидрофурфуриловый спирт, а растворитель C представляет собой 1-метокси-2-пропанол или циклогексанол.
Композиция для покрытия по настоящему изобретению может дополнительно содержать одну или более добавок для достижения желаемых свойств. Если композиция для покрытия включает добавки, то такие добавки присутствуют предпочтительно в количестве меньшем чем 2 вес. %, исходя из общей массы композиции для покрытия. Однако более предпочтительно композиция для покрытия по настоящему изобретению не содержит добавок.
Настоящее изобретение дополнительно обеспечивает способ получения композиции для покрытия по любому из предыдущих пунктов, где по меньшей мере один иттрий-содержащий предшественник, растворитель A, растворитель B, который отличается от растворителя A, соотношение давления пара растворителя A при 20°C к давлению пара растворителя B при 20°C составляет:
Figure 00000001
,
а также необязательно дополнительные растворители и добавки, которые смешивают друг с другом.
Иттрий-содержащий “предшественник” в данном документе представляет собой растворимое или диспергируемое иттрий-содержащее химическое соединение, которое после печати соответствующей композиции можно превращать в слой, содержащий оксид иттрия. Более того, “иттрий-содержащий” предшественник означает предшественник, который содержит по меньшей мере один атом иттрия. В способе по настоящему изобретению дополнительно применяют по меньшей мере два растворителя A и B. Растворители A и B выбраны таким образом, что соотношение давления пара для растворителя A, который является более летучим по сравнению с растворителем B, к давлению пара растворителя B, который является менее летучим по сравнению с растворителем A, составляет больше чем или равно 10. Давления пара в данном случае определяют с применением статического способа определения, известного специалисту в данной области техники. Данным способом измеряют давление пара, который проходит над веществом в термодинамическом равновесии в закрытой системе при заданной температуре (в данном документе 20°C). В данном документе предпочтительно растворитель A не только является более летучим, чем растворитель B, но также имеет самое высокое давление пара в сравнении между всеми растворителями, используемыми в способе. Более того, предпочтительно растворитель B не только является менее летучим, чем растворитель A, но также имеет самое низкое давление пара в сравнении между всеми растворителями, используемыми в способе.
По меньшей мере один иттрий-содержащий предшественник может содержать только иттрий в качестве атомов (полу)металла. (Полу)металлы обозначают металлы и полуметаллы. В качестве альтернативы по меньшей мере один предшественник, помимо иттрия, может содержать также атомы металла или атомы полуметалла. Однако предпочтительно все применяемые в способе предшественники содержат только иттрий.
Особенно пригодные композиции для покрытия получают, если по меньшей мере один иттрий-содержащий предшественник выбран из группы, включающей алкоксиды иттрия, оксоалкоксиды иттрия, алкоксиалкоксиды иттрия и соли иттрия. Алкоксиды иттрия представляют собой соединения иттрия, содержащие по меньшей мере один атом иттрия и по меньшей мере три алкокси-радикала. В отличие от алкоксидов иттрия, оксоалкоксиды иттрия также содержат по меньшей мере множественно мостиковый атом кислорода, а это означает, что они включают по меньшей мере два атома иттрия, по меньшей мере один оксо-радикал и по меньшей мере четыре алкоксидных радикала. Однако вследствие мостикового эффекта оксо-радикалов, оксоалкоксиды иттрия часто представляют собой кластероподобные соединения. Кроме того, алкоксиалкоксиды иттрия представляют собой соединения иттрия, которые содержат по меньшей мере один атом иттрия и по меньшей мере один оксоалкилалкильный радикал (радикал R-O-R‘-O-). Алкоксиалкоксиды иттрия могут включать в себя исключительно атом иттрия и три радикала R-O-R‘-O-, или в дополнение к последнему могут содержать также оксо-радикалы и/или алкоксидные радикалы. Кроме того, предпочтительные соли иттрия представляют собой нитраты иттрия и галогениды иттрия. Особенно хорошие результаты получают, если по меньшей мере один предшественник выбран из группы оксоалкоксидов иттрия, более конкретно из группы оксоалкоксидов иттрия общей формулы YxOy(OR)z, где 3 ≤ x ≤ 12, 1 ≤ y ≤ x, x ≤ z ≤ (3x-1) и y+z ≥ x.
Лучшие композиции для покрытия получают, если предшественник представляет собой оксоалкоксид иттрия Y5O(O-iPr)13.
В способе по настоящему изобретению предпочтительно используют все иттрий-содержащие предшественники в общей доле 0,1-10 вес. %, исходя из общей массы состава.
В способе по настоящему изобретению можно применять также предшественники с (полу)металлами, не содержащие иттрий. Их доля предпочтительно составляет не более чем 5 вес. %. Однако с особым предпочтением способ осуществляют без применения предшественников, не содержащих иттрий. Таким образом, с особым предпочтением композицию для покрытия по настоящему изобретению получают исключительно с иттрий-содержащими предшественниками.
В способе по настоящему изобретению дополнительно используют по меньшей мере два растворителя. Способ по настоящему изобретению является предпочтительно неводным, поскольку таким путем для получения особенно однородных и тонких слоев можно получать подходящие, неводные композиции для покрытия. Неводная композиция для покрытия в данном документе означает композицию для покрытия, которая не содержит воду в качестве растворителя. Таким образом, соответствующие композиции для покрытия представляют собой композиции, которые не используются в золь-гель способах. Более предпочтительно содержание воды в осуществляемом способе, а следовательно также в композиции для покрытия (в результате поглощения воды, например из окружающей среды), составляет не более чем 500 ppm.
Растворители A и B предпочтительно выбраны из группы, включающей спирты, алкоксиспирты, гидроксиэфиры и сложные эфиры карбоновой кислоты, а также сложные эфиры молочной кислоты.
Особенно хорошие результаты получают, если соотношение давлений пара двух растворителей не только составляет 10 или более, но также если разница между точками кипения двух растворителей A и B в SATP-условиях составляет ≥30°C. “SATP-условия” в данном документе означает давление 105 Па и температуру 25°C.
Более предпочтительно точка кипения растворителя A в SATP-условиях составляет 50-140°C.
Дополнительные предпочтительные растворители A представляют собой те, которые выбраны из группы, включающей 1-метокси-2-пропанол,
2-метоксиэтанол, бутилацетат, изопропанол, трет-бутанол и этанол.
Очень предпочтительно растворитель A представляет собой этанол.
Более предпочтительно точка кипения растворителя B составляет 100-200°C в SATP-условиях.
Более предпочтительно растворитель B выбран из группы, включающей
1-гексанол, циклогексанол, тетрагидрофурфуриловый спирт,
1-метокси-2-пропилацетат и этиллактат.
Очень предпочтительно растворитель B представляет собой 1-гексанол или тетрагидрофурфуриловый спирт, особенно предпочтительно тетрагидрофурфуриловый спирт.
Более предпочтительно доля растворителя A составляет 75-99 об. % и доля растворителя B составляет 1-25 вес. %, исходя из общего объема присутствующих растворителей.
В способе по настоящему изобретению в дополнение к растворителям A и B можно применять дополнительные растворители, отличные от растворителей A и B. Таким образом, в способе можно применять исключительно растворители A и B, и таким образом исключительно два растворителя. Однако в способе по настоящему изобретению предпочтение отдается по меньшей мере одному иттрий-содержащему предшественнику, растворителю A и растворителю B, который отличается от растворителя A, при этом соотношение давления пара растворителя A при 20°C к давлению пара растворителя B при 20°C составляет:
Figure 00000001
,
а также по меньшей мере одному третьему растворителю C, который отличается от растворителя A и от растворителя B, смешанных друг с другом. Третий растворитель C предпочтительно выбран из группы, включающей
1-метокси-2-пропанол и циклогексанол.
Особенно предпочтительным является способ, в котором применяют по меньшей мере один иттрий-содержащий предшественник, растворитель A, растворитель B и растворитель C. Таким образом, в способе по настоящему изобретению с особенным предпочтением смешивают друг с другом по меньшей мере один иттрий-содержащий предшественник и ровно три растворителя.
Очень предпочтительно растворитель A представляет собой этанол, растворитель B представляет собой 1-гексанол или тетрагидрофурфуриловый спирт, а растворитель C представляет собой 1-метокси-2-пропанол или циклогексанол.
В способе по настоящему изобретению для достижения желаемых свойств у полученной в результате композиции для покрытия дополнительно можно добавлять одну или более добавок. Если способ предусматривает применение добавок, они применяются в количестве меньшем чем 2 вес. %, исходя из общей массы применяемых компонентов. Однако более предпочтительно способ по настоящему изобретению не предусматривает каких-либо добавок.
Настоящее изобретение дополнительно предусматривает применение композиций для покрытия по настоящему изобретению для получения слоев, содержащих оксид иттрия. Особенно предпочтительным является применение композиций для покрытия по настоящему изобретению для получения стабилизирующих слоев на полупроводниковых слоях, более конкретно на слоях, содержащих оксид индия.
Таким образом, настоящее изобретение обеспечивает также стабилизирующие слои, получаемые из композиций для покрытия по настоящему изобретению. Особенно хорошие свойства достигают с применением стабилизирующих слоев по настоящему изобретению, если их толщина составляет 1-20 нм.
Следующие примеры, которые сами по себе не имеют какого-либо ограничивающего действия, предназначены для объяснения объекта настоящего изобретения.
Примеры
Пример 1
Раствор получали из 25 мкг оксоалкоксида иттрия [Y5O(O-iPr)13] в 1 мл тетрагидрофурилового спирта с помощью перемешивания. Раствор разбавляли этанолом в объемном соотношении 1:3. Раствор наносили методом центрифугирования на слой, содержащий оксид индия. Иттрий-содержащее покрытие, присутствующее на слое, содержащем оксид индия, преобразовывали термически.
Пример 2
Раствор получали из 25 мкг оксоалкоксида иттрия [Y5O(O-iPr)13] в 1 мл
1-метокси-2-пропанола с помощью перемешивания. Раствор разбавляли
2 частями 1-метокси-2-пропанола, 1 частью этанола и 0,2 части тетрагидрофурилового спирта. Раствор наносили методом центрифугирования на слой, содержащий оксид индия. Иттрий-содержащее покрытие, присутствующее на слое, содержащем оксид индия, преобразовывали термически.
Пример 3
Раствор получали из 25 мкг оксоалкоксида иттрия [Y5O(O-iPr)13] в 1 мл тетрагидрофурилового спирта с помощью перемешивания. Раствор разбавляли 1,33 частями циклогексанола и 1,67 частями трет-бутанола. Раствор наносили методом центрифугирования на слой, содержащий оксид индия. Иттрий-содержащее покрытие, присутствующее на слое, содержащем оксид индия, преобразовывали термически.
Сравнительный пример 1
Раствор получали из 25 мкг оксоалкоксида иттрия [Y5O(O-iPr)13] в 1 мл тетрагидрофурилового спирта с помощью перемешивания. Раствор разбавляли тетрагидрофуриловым спиртом в объемном соотношении 1:3. Раствор наносили методом центрифугирования на слой, содержащий оксид индия. Иттрий-содержащее покрытие, присутствующее на слое, содержащем оксид индия, преобразовывали термически.
Сравнительный пример 2
Раствор получали из 25 мкг оксоалкоксида иттрия [Y5O(O-iPr)13] в 1 мл
1-метокси-2-пропанола с помощью перемешивания. Раствор разбавляли
1-метокси-2-пропанолом в объемном соотношении 1:3. Раствор наносили методом центрифугирования на слой, содержащий оксид индия. Иттрий-содержащее покрытие, присутствующее на слое, содержащем оксид индия, преобразовывали термически.
Сравнительный пример 3
Раствор получали из 25 мкг оксоалкоксида иттрия [Y5O(O-iPr)13] в 1 мл
1-метокси-2-пропанола с помощью перемешивания. Раствор разбавляли этанолом в объемном соотношении 1:3. Раствор наносили методом центрифугирования на слой, содержащий оксид индия. Иттрий-содержащее покрытие, присутствующее на слое, содержащем оксид индия, преобразовывали термически.
Для всех примеров имело место следующее: получение слоя осуществляли методом центрифугирования 100 мкл при 2000 об/мин в течение 60 секунд. Субстраты для покрытия представляли собой кремниевые подложки (1,5 × 1,5 см²) с 230 нм слоем SiO2, а предварительно структурированные контакты истока и стока были выполнены из ITO. Данные подложки предварительно покрывали методом центрифугирования 100 мкл композиции для покрытия, содержащей алкоксид индия, при 2000 об/мин в течение 30 секунд, и данный слой преобразовывали термически в слой, содержащий оксид индия. Термическое преобразование обоих слоев происходило на горячей плите.
Определение электрических характеристик проводили с помощью измерителя Keithley 2612 System source meter и коммутатора/многофункционального измерительного прибора Keithley 3706-NFP System. Образцы измеряли при к. т. в атмосфере N2. Определение характеристик проводили после температурной обработки. (Предварительно структурированные) контакты затвора, истока и стока в данном месте подсоединяли к аппарату (через вольфрамовые измерительные наконечники). Между электродом затвора и электродом истока измеряли профиль напряжения (–20 до +30 В) и записывали значения тока, протекавшего между электродом истока и электродом стока. Эти данные можно использовать для вычисления значений подвижности. Формулы, применяемые для этого, являются следующими:
Figure 00000002
;
Figure 00000003
Figure 00000003
,
где ID и VG соответственно представляют собой ток между стоком и истоком, а также напряжение, прилагаемое к затвору. L и W соответствуют длине и ширине канала, а Ci представляет собой диэлектрическую постоянную диэлектрика. Чем выше значение подвижности, тем лучше материал.
Другим характеристическим свойством является напряжение включения (VOn), описывающее точку, при которой между электродом истока и электродом стока начинает течь ток; данное значение должно быть очень близким к 0 В.
Также важным является сдвиг в напряжении включения между измерением до и после испытания под нагрузкой с негативными и позитивными смещениями затвора (NBST или PBST). В данном случае после записи исходной характеристической кривой в течение 2000 секунд прикладывали напряжение затвора (VG) -20 В (NBST) или +20 В (PBST). В обоих случаях прикладывали напряжение стока (VD) +5 В. По истечении данного времени записывали дополнительную характеристическую кривую и определяли сдвиг напряжении включения в сравнении с исходной характеристической кривой. Значение данной величины должно быть как можно ниже. Для оценивания важно отметить, что для практического применения как напряжение включения, так и сдвиг после NBST или PBST должны быть как можно ближе к нулю.
NBST
VOn		 PBST
VOn
Применяемые растворители Об. % растворителей µ
[см²/В с]		 VOn
[В]		 ΔVOn VOn
[В]		 ΔVOn
Тетрагидрофурфуриловый спирт,
этанол		 25%
75%		 4,4 -0,5 -1 -1 2,5
Тетрагидрофурфуриловый спирт,
1-метокси-2-пропанол,
этанол		 4,5%
71,5%
24%		 5,5 -1 -0,5 -1,5 1
Тетрагидрофурфуриловый спирт,
циклогексанол,
трет-бутанол		 25%
33,25%
41,75%		 3,1 -2 -1,5 -2,5 3
Тетрагидрофурфуриловый спирт 100% 3,3 -16,5 1,5 -18,5 0
1-Метокси-2-пропанол 100% 2,6 -2,5 -15 -13,5 10,5
1-Метокси-2-пропанол,
этанол		 25%
75%		 3,1 -3 -14,5 -14 14

Claims (16)

1. Композиция для покрытия, получаемая из по меньшей мере одного иттрийсодержащего предшественника, выбранного из группы, включающей оксоалкоксиды иттрия, растворителя А и растворителя В, который отличается от растворителя А, при этом соотношение давления пара растворителя А при 20°С к давлению пара растворителя В при 20°С составляет
Figure 00000004
2. Композиция для покрытия по п. 1, отличающаяся тем, что по меньшей мере один предшественник представляет собой Y5O(O-iPr)13.
3. Композиция для покрытия по п. 1, отличающаяся тем, что доля всех применяемых иттрийсодержащих предшественников составляет 0,1-10 вес.% исходя из общей массы состава.
4. Композиция для покрытия по п. 1, отличающаяся тем, что растворители выбраны из группы, включающей спирты, алкоксиспирты, простые гидроксиэфиры и сложные эфиры карбоновой кислоты, а также сложные эфиры молочной кислоты.
5. Композиция для покрытия по п. 1, отличающаяся тем, что разница между точками кипения двух растворителей А и В в SATP-условиях составляет ≥30°С.
6. Композиция для покрытия по п. 1, отличающаяся тем, что точка кипения растворителя А в SATP-условиях находится между 50 и 140°С.
7. Композиция для покрытия по п. 6, отличающаяся тем, что растворитель А выбран из группы, включающей 1-метокси-2-пропанол, 2-метоксиэтанол, бутилацетат, изопропанол, трет-бутанол и этанол.
8. Композиция для покрытия по п. 1, отличающаяся тем, что точка кипения растворителя В в SATP-условиях находится между 100 и 200°С.
9. Композиция для покрытия по п. 8, отличающаяся тем, что растворитель В выбран из группы, включающей 1-гексанол, циклогексанол, тетрагидрофуриловый спирт, 1-метокси-2-пропилацетат и этиллактат.
10. Композиция для покрытия по п. 1, отличающаяся тем, что доля растворителя А составляет 75-99 об.% и доля растворителя В составляет 1-25 вес.% исходя из общего объема присутствующих растворителей.
11. Композиция для покрытия по п. 1, отличающаяся тем, что в дополнение к А и В она содержит дополнительные растворители.
12. Способ получения композиции для покрытия по п. 1, где по меньшей мере один иттрийсодержащий предшественник, растворитель А, растворитель В, который отличается от растворителя А, при этом соотношение давления пара растворителя А при 20°С к давлению пара растворителя В при 20°С составляет
Figure 00000005
а также необязательно дополнительные растворители или добавки, которые смешивают друг с другом.
13. Применение композиций для покрытия по п. 1 для получения слоев, содержащих оксид иттрия.
RU2016136695A 2014-02-14 2015-02-09 Композиция для покрытия, способ ее получения и применение RU2680427C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014202718.7A DE102014202718A1 (de) 2014-02-14 2014-02-14 Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE102014202718.7 2014-02-14
PCT/EP2015/052583 WO2015121183A1 (de) 2014-02-14 2015-02-09 Beschichtungszusammensetzung, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2016136695A RU2016136695A (ru) 2018-03-19
RU2016136695A3 RU2016136695A3 (ru) 2018-09-07
RU2680427C2 true RU2680427C2 (ru) 2019-02-21

Family

ID=52464390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016136695A RU2680427C2 (ru) 2014-02-14 2015-02-09 Композиция для покрытия, способ ее получения и применение

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10308814B2 (ru)
EP (1) EP3105779A1 (ru)
JP (1) JP6450772B2 (ru)
KR (1) KR20160123324A (ru)
CN (1) CN106062936B (ru)
DE (1) DE102014202718A1 (ru)
RU (1) RU2680427C2 (ru)
TW (1) TWI635143B (ru)
WO (1) WO2015121183A1 (ru)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070184576A1 (en) * 2005-11-29 2007-08-09 Oregon State University Solution deposition of inorganic materials and electronic devices made comprising the inorganic materials
US20120088845A1 (en) * 2010-04-23 2012-04-12 Gonen Williams Zehra Serpil Synthesis, capping and dispersion of nanocrystals
US20130108810A1 (en) * 2011-10-27 2013-05-02 General Electric Company Method of coating a surface and article incorporating coated surface
EP2600395A1 (en) * 2010-07-26 2013-06-05 Nissan Chemical Industries, Ltd. Precursor composition for forming amorphous metal oxide semiconductor layer, amorphous metal oxide semiconductor layer, method for producing same, and semiconductor device
RU2486161C2 (ru) * 2010-12-13 2013-06-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Дагестанский государственный университет СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ Y(ВахВе1-x)2Cu3O7-δ

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3875010T2 (de) 1987-07-31 1993-02-18 Mitsubishi Materials Corp Zusammensetzung und verfahren zur darstellung von metalloxid-gemischen.
FR2659649B1 (fr) 1990-03-16 1992-06-12 Kodak Pathe Preparation d'alkoxydes d'indium solubles dans les solvants organiques.
US5645891A (en) * 1994-11-23 1997-07-08 Battelle Memorial Institute Ceramic porous material and method of making same
US6210649B1 (en) * 1997-04-15 2001-04-03 Massachusetts Institute Of Technology Metal oxide catalysts for nitric oxide reduction
US7132783B1 (en) * 1997-10-31 2006-11-07 Nanogram Corporation Phosphor particles having specific distribution of average diameters
WO2000033127A1 (fr) * 1998-11-30 2000-06-08 Teijin Limited Dispositif a cristaux liquides et substrat conducteur transparent prefere
JP3767326B2 (ja) * 2000-05-31 2006-04-19 学校法人日本大学 イットリア薄膜の製造方法
DE102004010954A1 (de) 2004-03-03 2005-10-06 Novaled Gmbh Verwendung eines Metallkomplexes als n-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und elektronisches Bauteil
KR100631894B1 (ko) * 2004-12-07 2006-10-09 삼성전기주식회사 유전체 세라믹용 졸 조성물, 이를 이용한 유전체 세라믹과적층세라믹 커패시터
EP1845943A2 (en) * 2005-01-03 2007-10-24 Ben Gurion University of the Negev Research and Development Autority Nano- and mesosized particles comprising an inorganic core, process and applications thereof
US7569254B2 (en) 2005-08-22 2009-08-04 Eastman Kodak Company Nanocomposite materials comprising high loadings of filler materials and an in-situ method of making such materials
DE102006009131A1 (de) 2006-02-24 2007-09-06 Eckart Gmbh & Co.Kg Mit anorganisch/organischen Mischschichten beschichtete Perlglanzpigmente und Verfahren zu deren Herstellung
DE102007018431A1 (de) 2007-04-19 2008-10-30 Evonik Degussa Gmbh Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor
GB2454019B (en) 2007-10-27 2011-11-09 Multivalent Ltd Improvements in or relating to synthesis of gallium and indium alkoxides
KR101075422B1 (ko) 2008-10-14 2011-10-24 한국과학기술연구원 금속 산화물 박막 구조체를 제조하는 방법 및 이에 의해 제조된 금속 산화물 박막 구조체를 포함하는 고체산화물 연료전지
DE102008058040A1 (de) 2008-11-18 2010-05-27 Evonik Degussa Gmbh Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten
US8529802B2 (en) 2009-02-13 2013-09-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Solution composition and method of forming thin film and method of manufacturing thin film transistor using the solution composition
DE102009009338A1 (de) * 2009-02-17 2010-08-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE102009009337A1 (de) 2009-02-17 2010-08-19 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung
DE102009028801B3 (de) 2009-08-21 2011-04-14 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Indiumoxid-haltige Schicht und deren Verwendung
DE102009028802B3 (de) 2009-08-21 2011-03-24 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Metalloxid-haltige Schicht und deren Verwendung
DE102009050703B3 (de) 2009-10-26 2011-04-21 Evonik Goldschmidt Gmbh Verfahren zur Selbstassemblierung elektrischer, elektronischer oder mikromechanischer Bauelemente auf einem Substrat und damit hergestelltes Erzeugnis
DE102009054998A1 (de) 2009-12-18 2011-06-22 Evonik Degussa GmbH, 45128 Verfahren zur Herstellung von Indiumchlordialkoxiden
DE102009054997B3 (de) 2009-12-18 2011-06-01 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung
DE102010031592A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102010031895A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
KR20120042143A (ko) 2010-10-22 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9911857B2 (en) 2010-10-29 2018-03-06 Cbrite Inc. Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric
DE102010043668B4 (de) 2010-11-10 2012-06-21 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung
US8647809B2 (en) 2011-07-07 2014-02-11 Brewer Science Inc. Metal-oxide films from small molecules for lithographic applications
KR101830780B1 (ko) * 2011-08-05 2018-04-05 삼성전자주식회사 박막의 제조방법, 박막, 박막의 제조장치 및 전자소자
KR101361054B1 (ko) 2011-09-02 2014-02-12 연세대학교 산학협력단 산화물 박막 형성을 위한 조성물, 산화물 박막 제조방법 및 박막 트랜지스터 제조방법
DE102011084145A1 (de) 2011-10-07 2013-04-11 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden Metalloxidschichten, nach dem Verfahren hergestellte Schichten und deren Verwendung
CN102443792B (zh) * 2011-12-02 2013-06-05 西安理工大学 Ybco超导薄膜的溶液沉积及其热处理工艺
DE102012206234A1 (de) 2012-04-17 2013-10-17 Evonik Industries Ag Formulierungen enthaltend ammoniakalische Hydroxo-Zink-Verbindungen
DE102012209918A1 (de) 2012-06-13 2013-12-19 Evonik Industries Ag Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
KR101978187B1 (ko) * 2012-07-06 2019-05-14 테크놀로지스크 인스티튜트 촉매 구조체를 제조하는 방법
WO2014014108A1 (ja) * 2012-07-19 2014-01-23 日立化成株式会社 パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池
DE102013212018A1 (de) 2013-06-25 2015-01-08 Evonik Industries Ag Metalloxid-Prekursoren, sie enthaltende Beschichtungszusammensetzungen, und ihre Verwendung

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070184576A1 (en) * 2005-11-29 2007-08-09 Oregon State University Solution deposition of inorganic materials and electronic devices made comprising the inorganic materials
US20120088845A1 (en) * 2010-04-23 2012-04-12 Gonen Williams Zehra Serpil Synthesis, capping and dispersion of nanocrystals
EP2600395A1 (en) * 2010-07-26 2013-06-05 Nissan Chemical Industries, Ltd. Precursor composition for forming amorphous metal oxide semiconductor layer, amorphous metal oxide semiconductor layer, method for producing same, and semiconductor device
RU2486161C2 (ru) * 2010-12-13 2013-06-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Дагестанский государственный университет СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ Y(ВахВе1-x)2Cu3O7-δ
US20130108810A1 (en) * 2011-10-27 2013-05-02 General Electric Company Method of coating a surface and article incorporating coated surface

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHIEN-YIE TSAY et al. PROPERTIES OF TRANSPARENT YTTRIUM OXIDE FILMS PREPARED BY SOL-GEL PROCESS. CERAMICS INTERNATIONAL, Vol.38, N.2, 2011, pp. 1677-1682. *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160123324A (ko) 2016-10-25
RU2016136695A (ru) 2018-03-19
TW201542712A (zh) 2015-11-16
RU2016136695A3 (ru) 2018-09-07
CN106062936B (zh) 2019-10-11
TWI635143B (zh) 2018-09-11
WO2015121183A1 (de) 2015-08-20
JP2017508835A (ja) 2017-03-30
DE102014202718A1 (de) 2015-08-20
US20170174899A1 (en) 2017-06-22
EP3105779A1 (de) 2016-12-21
US10308814B2 (en) 2019-06-04
CN106062936A (zh) 2016-10-26
JP6450772B2 (ja) 2019-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2601210C2 (ru) Способ изготовления высокоэффективных и стабильных в электрическом отношении полупроводниковых слоев оксидов металлов, слои, изготовленные по этому способу, и их применение
Jeong et al. Bias stress stability of solution-processed zinc tin oxide thin-film transistors
Pan et al. A urea biosensor based on pH-sensitive Sm2TiO5 electrolyte–insulator–semiconductor
Pan et al. Structural properties and sensing characteristics of high-k Ho2O3 sensing film-based electrolyte–insulator–semiconductor
Irene et al. Some properties of chemically vapor deposited films of Al x O y N z on silicon
Li et al. Improving thermal stability of solution-processed indium zinc oxide thin-film transistors by praseodymium oxide doping
JP2003332297A (ja) エッチング液及びエッチング方法
Li et al. Effect of Fe impurity on performance of La2O3 as a high k gate dielectric
RU2680427C2 (ru) Композиция для покрытия, способ ее получения и применение
Chou et al. Study of TiO2 thin films for ion sensitive field effect transistor application with rf sputtering deposition
Bunakov et al. Current‐voltage characteristics of thin poly (biphenyl‐4‐ylphthalide) films
Wu et al. Thickness-dependent structural and electromechanical properties of (Na0. 85K0. 15) 0.5 Bi0. 5TiO3 multilayer thin film-based heterostructures
Chang et al. Characteristics of zirconium oxide gate ion-sensitive field-effect transistors
Chen et al. Physical and Electrical Characterization of ZrO2 Gate Insulators Deposited on Si (100) Using Zr (O i Pr) 2 (thd) 2 and O 2
Lin et al. Structures of anodized aluminum oxide extended-gate field-effect transistors on pH sensors
US20130244447A1 (en) Oxidation of metallic films
Matsuoka et al. Fabrication of Ge MOS with low interface trap density by ALD of Al2O3 on epitaxially grown Ge
Rha et al. Characteristics of silicon oxide thin films prepared by sol electrophoretic deposition method using tetraethylorthosilicate as the precursor
Peng et al. High-k titanium–aluminum oxide dielectric films prepared by inorganic–organic hybrid solution
Pan et al. Influence of praseodymium content and postdeposition annealing on the structural and sensing characteristics of PrTi x O y sensing films using the sol–gel spin-coating method
Dueñas et al. Comparative study on electrical properties of atomic layer deposited high-permittivity materials on silicon substrates
Woods et al. Composition-property relationships in high-κ LaxZr1-xOy thin films from aqueous solution
Yu et al. Controllable liquid water sensitivity of polymer-encapsulated oxide thin-film transistors
Chiang et al. Sensing characteristics of ISFET based on AlN thin film
Pampillón et al. Scavenging effect on plasma oxidized Gd2O3 grown by high pressure sputtering on Si and InP substrates

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20210210