RU2663737C2 - Способ производства граничных поверхностей граната и изделия, содержащие полученные таким способом гранаты - Google Patents

Способ производства граничных поверхностей граната и изделия, содержащие полученные таким способом гранаты Download PDF

Info

Publication number
RU2663737C2
RU2663737C2 RU2016146110A RU2016146110A RU2663737C2 RU 2663737 C2 RU2663737 C2 RU 2663737C2 RU 2016146110 A RU2016146110 A RU 2016146110A RU 2016146110 A RU2016146110 A RU 2016146110A RU 2663737 C2 RU2663737 C2 RU 2663737C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
geometric objects
scintillation material
truncated
output surface
powder
Prior art date
Application number
RU2016146110A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2016146110A3 (ru
RU2016146110A (ru
Inventor
Марк С. АНДРЕАКО
Питер Карл КОЭН
Харри ХЕДЛЕР
Роберт А. МИНТЦЕР
Маттиас Й. ШМАНД
Кристоф ТАЛЬХАММЕР
Original Assignee
СИМЕНС МЕДИКАЛ СОЛЮШЕНС ЮЭсЭй, ИНК.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by СИМЕНС МЕДИКАЛ СОЛЮШЕНС ЮЭсЭй, ИНК. filed Critical СИМЕНС МЕДИКАЛ СОЛЮШЕНС ЮЭсЭй, ИНК.
Publication of RU2016146110A3 publication Critical patent/RU2016146110A3/ru
Publication of RU2016146110A publication Critical patent/RU2016146110A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2663737C2 publication Critical patent/RU2663737C2/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7706—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/02—Arrangements for diagnosis sequentially in different planes; Stereoscopic radiation diagnosis
    • A61B6/03—Computed tomography [CT]
    • A61B6/032—Transmission computed tomography [CT]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B33/00—Layered products characterised by particular properties or particular surface features, e.g. particular surface coatings; Layered products designed for particular purposes not covered by another single class
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/5156—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on rare earth compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/6261—Milling
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62645—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62645—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
    • C04B35/62675—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering characterised by the treatment temperature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62645—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
    • C04B35/6268—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering characterised by the applied pressure or type of atmosphere, e.g. in vacuum, hydrogen or a specific oxygen pressure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/645—Pressure sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/645—Pressure sintering
    • C04B35/6455—Hot isostatic pressing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/63—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7729—Chalcogenides
    • C09K11/7731—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7732—Halogenides
    • C09K11/7733—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/77742—Silicates
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2012—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using stimulable phosphors, e.g. stimulable phosphor sheets
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2985—In depth localisation, e.g. using positron emitters; Tomographic imaging (longitudinal and transverse section imaging; apparatus for radiation diagnosis sequentially in different planes, steroscopic radiation diagnosis)
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/002—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of materials engineered to provide properties not available in nature, e.g. metamaterials
    • G02B1/005—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of materials engineered to provide properties not available in nature, e.g. metamaterials made of photonic crystals or photonic band gap materials
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y10/00—Processes of additive manufacturing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y80/00—Products made by additive manufacturing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3203—Lithium oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3227—Lanthanum oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3229—Cerium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3281—Copper oxides, cuprates or oxide-forming salts thereof, e.g. CuO or Cu2O
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3293—Tin oxides, stannates or oxide forming salts thereof, e.g. indium tin oxide [ITO]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3298—Bismuth oxides, bismuthates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc bismuthate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5427—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof millimeter or submillimeter sized, i.e. larger than 0,1 mm
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/604—Pressing at temperatures other than sintering temperatures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C04B2235/667—Sintering using wave energy, e.g. microwave sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/762—Cubic symmetry, e.g. beta-SiC
    • C04B2235/764—Garnet structure A3B2(CO4)3
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/94—Products characterised by their shape
    • C04B2235/945—Products containing grooves, cuts, recesses or protusions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9646—Optical properties

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Pulmonology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных материалов для томографов. Порошок для производства сцинтилляционного материала помещают в форму и сжимают одноосным или изостатическим сжатием. Порошок можно дополнительно нагреть до 480-2200 °C. Формируют сцинтилляционный материал, выходная поверхность которого содержит множество геометрических объектов, уменьшающих полное внутреннее отражение на выходной поверхности и увеличивающих количество фотонов, выходящих из выходной поверхности, на величину, большую или равную 5% по сравнению с поверхностью, у которой нет геометрических объектов. Сцинтилляционный материал имеет структуру граната и состав в соответствии с формулой MMMMO, где O - кислород, M, M, Mи Mотличаются друг от друга, M- редкоземельный элемент, включающий гадолиний или его комбинации с иттрием, лютецием, скандием, M- алюминий, M- галлий, M– содопант, являющийся церием и/или празеодимом; сумма а+b+c+d приблизительно равна 8, «a» от приблизительно 2 до приблизительно 3,5; «b» от 0 до приблизительно 5; «с» от 0 до приблизительно 5; «d» от 0 до приблизительно 1; причём «b» и «c», «b» и «d» или «c» и «d» не могут быть одновременно равными нулю. Геометрические объекты могут иметь форму пирамид, конусов, полусфер, эллипсоидов, фуллеренов, усеченных пирамид, или усечённых конусов, или полусфер, или эллипсоидов, или сфер, или фуллеренов. Полученный сцинтилляционный материал используют в устройствах визуализации, представляющих собой позитронно-эмиссионный томограф, компьютерный томограф или однофотонный эмиссионный компьютерный томограф. Улучшается оптическая чистота сцинтилляционного материала. 4 н. и 22 з.п. ф-лы, 13 ил., 1 табл.

Description

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
[1] Настоящее изобретение относится к способу производства граничных поверхностей граната, а также к изделиям, содержащим полученные таким способом гранаты.
[2] Детектор сцинтилляции или сцинтилляционный счетчик получаются, когда сцинтилляционный материал соединяется с электронным светочувствительным датчиком, таким как трубка фотоумножителя (PMT), фотодиод, кремниевый фотоумножитель и т.п. Трубки фотоумножителя поглощают свет, излучаемый сцинтилляционным материалом, и преобразуют его в электронный ток с помощью фотоэлектрического эффекта. Последовательное умножение этих электронов (иногда называемых фотоэлектронами) приводит к электрическому импульсу, который может быть затем проанализирован, и который дает значимую информацию о частице, которая первоначально попала в сцинтилляционный материал. Сцинтиллятор является материалом, который производит свет при его возбуждении ионизирующей радиацией. Люминесцентные материалы при попадании на них входящей частицы поглощают ее энергию и сцинтиллируют (то есть повторно испускают поглощенную энергию в форме света).
[3] Полезной характеристикой сцинтилляционного материала является количество света, производимого в процессе сцинтилляции, которое может быть измерено как количество фотонов сцинтилляции, производимых при поглощении 1 МэВ энергии ионизирующей частицы. Только небольшая часть фотонов сцинтилляции, произведенных при явлении сцинтилляции, достигает детектора. Значительное число фотонов сцинтилляции теряется за счет поглощения или потерь в оптических интерфейсах в модуле детектора.
[4] Один из способов улучшения эффективности сбора света состоит в том, чтобы улучшить оптическую прозрачность сцинтилляционного материала за счет улучшения его кристаллической однородности. Это может привести к уменьшенному поглощению фотонов сцинтилляции и свойствам переноса фотона материала. Другим способом является изменение углового выходного распределения (распределения углов выхода), с которым фотоны выходят из поверхности сцинтилляционного материала.
[5] В приложениях отсчета времени желательно минимизировать количество отражений, которые происходят на выходной поверхности сцинтилляционного материала, и таким образом уменьшить дисперсию времени прибытия фотона на светочувствительный датчик. Это может быть достигнуто путем модификации выходной поверхности сцинтилляционного материала за счет формирования микроструктуры четких канавок. За счет использования этих канавок можно расширить диапазон приемных углов падающих фотонов, распространяющихся на выходе сцинтиллятора. Фиг. 1 изображает один способ расположения канавок на выходной поверхности сцинтиллятора для того, чтобы сократить количество фотонов, которые отражаются обратно от интерфейса благодаря полному внутреннему отражению. Фиг. 1 показывает блок клея 106, расположенный на выходной поверхности кристалла 102 сцинтиллятора из ортосиликата лютеция (LSO). Также на выходной поверхности сцинтилляционного материала 102 расположены микротекстуры (то есть, канавки) в форме массива пирамид 104. Наличие пирамид уменьшает величину полного внутреннего отражения, которое происходило бы, если бы выходная поверхность сцинтилляционного материала 102 была плоской.
[6] Эффект, создаваемый наличием пирамид на выходной поверхности сцинтилляционного материала, может быть продемонстрирован путем использовании моделирований прослеживания луча в сцинтилляторе 102 с пирамидами 104 и без них, как показано на Фиг. 2(A) и Фиг. 2(B) соответственно. Фиг. 2(A) изображает сцинтиллятор 102, имеющий плоскую выходную поверхность. Из-за этой плоской выходной поверхности некоторые из фотонов, которые попадают на эту поверхность под углом большим или равным критическому углу, полностью отражаются на интерфейсе обратно в сцинтилляционный материал 102.
[7] Фиг. 2 (B) изображает поверхность сцинтилляционного материала 102, которая текстурирована пирамидами 104. Пирамиды 104 позволяют более высокому проценту фотонов, которые имеют распределение падающих углов, зависящее от формы сцинтиллятора 102 и окружающих его оптических элементов, проходить через интерфейс, потому что они попадают на интерфейс под углами меньшими, чем критический угол.
[8] Множество способов может использоваться для того, чтобы произвести текстурированную выходную поверхность сцинтилляционного материала, таких как, например, механическое полирование, лазерная резка, химическое травление, или даже присоединение дополнительных структур с показателем преломления, близким к показателю преломления самого сцинтиллятора. Последний способ является особенно трудным вследствие того, что большинство сцинтилляционных материалов, используемых для высокоэнергетических приложений, имеют относительно высокие показатели преломления при сравнении с большинством оптических клейких веществ, используемых в качестве оптических связующих веществ. В этом случае потери за счет отражения света происходят в оптическом интерфейсе, где теряется значительное количество фотонов сцинтилляции. Кроме того, формирование такой структуры на поверхностях сцинтилляционных материалов такими способами, как механическое полирование, лазерная резка или химическое травление, создает другую проблему. Высокие напряжения, создаваемые во время изготовления поверхности сцинтилляционного материала, приводят к выкрашиванию или к образованию микротрещин на поверхности кристалла. Поэтому желательно разработать способы для производства сцинтилляционных материалов с текстурированными поверхностями, которые могли бы использоваться для сохранения падающих фотонов и которые не деградировали бы с течением времени.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[9] В настоящем документе раскрывается способ, включающий в себя помещение в форму порошка, который имеет состав для производства сцинтилляционного материала, и сжатие этого порошка для того, чтобы сформировать сцинтилляционный материал; где выходная поверхность сцинтилляционного материала имеет текстуру, которая содержит множество выступов, которые уменьшают полное внутреннее отражение на выходной поверхности, и которые увеличивают количество фотонов, выходящих из выходной поверхности, на величину, большую или равную 5% по сравнению с поверхностью, у которой нет выступов.
[10] В настоящем документе раскрывается способ, содержащий расположение на выходной поверхности сцинтилляционного материала геометрического объекта с помощью аддитивного производства; где аддитивное производство содержит добавление последовательных слоев сцинтилляционного материала для того, чтобы сформировать этот геометрический объект; и
[11] где эти геометрические объекты уменьшают полное внутреннее отражение на выходной поверхности и увеличивают количество фотонов, выходящих из выходной поверхности, на величину, большую или равную 5% по сравнению с поверхностью, у которой нет этого геометрического объекта.
[12] В настоящем документе раскрывается изделие, содержащее сцинтилляционный материал, имеющий текстурированную выходную поверхность, произведенную с помощью способа, содержащего помещение в форму порошка, который имеет состав для производства сцинтилляционного материала, и сжатие этого порошка для того, чтобы сформировать сцинтилляционный материал; где выходная поверхность сцинтилляционного материала имеет текстуру, которая содержит множество выступов, которые уменьшают полное внутреннее отражение на выходной поверхности, и которые увеличивают количество фотонов, выходящих из выходной поверхности, на величину, большую или равную 5% по сравнению с поверхностью, у которой нет выступов.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
[13] Фиг. 1 изображает один способ расположения канавок на выходной поверхности сцинтиллятора для того, чтобы сократить количество фотонов, которые отражаются обратно от интерфейса благодаря полному внутреннему отражению;
[14] Фиг. 2(A) изображает сцинтиллятор, имеющий плоскую выходную поверхность, и отражения фотонов обратно в сцинтилляционный материал из-за полного внутреннего отражения;
[15] Фиг. 2(B) изображает сцинтилляционный материал с текстурированной поверхностью, которая обеспечивает большую эффективность выхода фотонов благодаря уменьшенному полному внутреннему отражению;
[16] Фиг. 3(A) показывает множество пирамид, расположенных на выходной поверхности сцинтилляционного материала;
[17] Фиг. 3(В) показывает множество эллипсоидов, расположенных на выходной поверхности сцинтилляционного материала;
[18] Фиг. 3(С) показывает множество полусфер, расположенных на выходной поверхности сцинтилляционного материала;
[19] Фиг. 3(D) показывает множество усеченных пирамид, расположенных на выходной поверхности сцинтилляционного материала;
[20] Фиг. 4(A) показывает, как измеряется угол α, когда геометрический объект является пирамидой;
[21] Фиг. 4(B) показывает, как измеряется угол α, когда геометрический объект является эллипсоидом 105;
[22] Фиг. 5 показывает один вариант осуществления, в котором текстурирование включает в себя расположение множества пирамид на выходной поверхности сцинтилляционного материала;
[23] Фиг. 6 представляет собой график, который показывает, что усиление выхода света увеличивается на величину вплоть до 27%, когда ширина изменяется от 100 до 500 мкм;
[24] Фиг. 7 показывает поверхность, на которой текстура содержит множество усеченных пирамид; и
[25] Фиг. 8 представляет собой график, который показывает выход света из поверхности текстуры, изображенной на Фиг. 7.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[26] В настоящем документе раскрывается способ для производства сцинтилляционных материалов, имеющих текстурированные выходные поверхности. Сцинтилляционные материалы с текстурированными выходными поверхностями производятся в процессе, который обеспечивает рост границы зерна во время производственного процесса. Более конкретно, порошки, имеющие состав с определенной стехиометрией для производства желаемого сцинтилляционного материала, подвергаются сжатию с одновременным отжигом для того, чтобы облегчить рост границы зерна во время процесса. Рост границы зерна во время процесса производства уменьшает напряжения, которые вызывают выкрашивание или образование микротрещин на поверхности кристалла. Сцинтилляционные материалы могут быть монокристаллическими, поликристаллическими, или могут представлять собой их комбинацию. Они могут производиться из керамики, но не ограничиваются этим.
[27] В одном варианте осуществления способ содержит сжатие порошка (который имеет желаемую стехиометрию) в форме, которая имеет внутренние поверхности, специально спроектированные для создания желаемой текстурированной поверхности на сцинтилляционном материале. В одном варианте осуществления эта форма имеет внутреннюю поверхность с текстурой, которая является противоположной текстуре, желаемой на выходных поверхностях кристалла. Когда порошок подвергается сжатию в этой форме, желаемая текстура переносится на поверхность кристалла. Этот способ содержит прессование порошка, который имеет состав сцинтиллятора, для того, чтобы произвести сцинтилляционный материал, имеющий текстурированную выходную поверхность. Текстурированная выходная поверхность содержит множество направленных наружу или внутрь выступов (в дальнейшем упоминаемых как «геометрические объекты»), которые уменьшают полное внутреннее отражение на выходной поверхности, и которые увеличивают количество фотонов, выходящих из выходной поверхности, на величину, большую или равную 5% по сравнению с поверхностью, у которой нет направленных наружу выступов.
[28] Процессы роста границы зерна вызываются только локальной кривизной границ зерна. Уменьшение общей величины площади границы зерна соответствует тенденции системы минимизировать полную свободную энергию системы. Процесс роста границы зерна для уменьшения свободной поверхностной энергии может быть инициирован приложением упругих сил, или напряжений, или градиентов температуры в объеме порошка во время его сжатия в форме. Скорость роста границы зерна является пропорциональной общему количеству свободной энергии на границе зерна (также иногда называемой зернограничной энергией). В одном варианте осуществления этот процесс может быть применен к керамическим материалам, спекаемым без приложения давления, что известно как процесс спекания без давления. Следовательно, стадия сжатия может быть опциональной.
[29] Этот способ содержит помещение порошка, имеющего желаемую стехиометрию, в форму и сжатие этого порошка при температуре, эффективной для ускорения роста границы зерна. Эти порошки имеют такой состав, который при сжатии будет производить желаемые сцинтилляционные материалы с текстурированными поверхностями. Состав порошка может быть одним из тех, которые представлены формулами, подробно описанными ниже.
[30] В некоторых вариантах осуществления порошковая композиция может содержать гадолиний и галлий и иметь следующую формулу (1):
M1 aM2 bM3 cM4 dO12 (1)
где O представляет собой кислород, M1, M2, M3 и M4 представляют собой первый, второй, третий и четвертый металл, которые отличаются друг от друга, где сумма а+b+c+d составляет приблизительно 8, где «приблизительно» определяется как отклонение на ±10% от желаемого значения, где «a» имеет значение от приблизительно 2 до приблизительно 3,5, предпочтительно от приблизительно 2,4 до приблизительно 3,2, и более предпочтительно приблизительно 3,0, «b» имеет значение от 0 до приблизительно 5, предпочтительно от приблизительно 2 до приблизительно 3, и более предпочтительно от приблизительно 2,1 до приблизительно 2,5, где «b» и «c», «b» и «d», или «c» и «d» не могут одновременно быть равными нулю, где «c» имеет значение от 0 до приблизительно 5, предпочтительно от приблизительно 1 до приблизительно 4, предпочтительно от приблизительно 2 до приблизительно 3, и более предпочтительно от приблизительно 2,1 до приблизительно 2,5, «d» имеет значение от 0 до приблизительно 1, предпочтительно от приблизительно 0,001 до приблизительно 0,5, и более предпочтительно от приблизительно 0,003 до приблизительно 0,3.
[31] В одном варианте осуществления M1 представляет собой редкоземельный элемент, включая, но не ограничиваясь этим, гадолиний, иттрий, лютеций, скандий или их комбинацию. M1 предпочтительно представляет собой гадолиний. M2 представляет собой алюминий или бор, M3 представляет собой галлий, и M4 является содопантом и содержит один или более элементов из таллия, меди, серебра, свинца, висмута, индия, олова, сурьмы, тантала, вольфрама, стронция, бария, бора, магния, кальция, церия, иттрия, скандия, лантана, лютеция, празеодима, тербия, иттербия, самария, европия, гольмия, диспрозия, эрбия, тулия или неодима.
[32] Что касается M1, часть галлия может быть замещена одним или более элементов из иттрия, гадолиния, лютеция, лантана, тербия, празеодима, неодима, церия, самария, европия, диспрозия, гольмия, эрбия, иттербия или их комбинаций.
В одном варианте осуществления некоторое количество галлия может быть замещено иттрием. M3 предпочтительно представляет собой алюминий.
[33] В одном варианте осуществления содопант M4 включает в себя Tl+, Cu+, Ag+, Au+, Pb2+, Bi3+, В+, Sn2+, Sb3+, Ce3+, Pr3+, Eu2+, Yb2+, Nb5+, Ta5+, W6+, Sr2+, B3+, Ba2+, Mg2+, Ca2+ или их комбинации.
[34] Некоторые примеры поликристаллов или монокристаллов, выращенных с использованием композиции формулы (1) с помощью этого способа, представляют собой (GAGG - гранат гадолиний-алюминий-галлий), (GGAG - гранат гадолиний-галлий-алюминий), (GYGAG - гранат гадолиний-иттрий-галлий-алюминий), (GSGG - гранат гадолиний-скандий-галлий), (GYAG - гранат гадолиний-иттрий-алюминий), (GSAG - гранат гадолиний-скандий-алюминий), (GGG - гранат гадолиний-галлий), (GYSAG - гранат гадолиний-иттрий-скандий-алюминий) или (GLAGG - гранат гадолиний-лютеций-алюминий-галлий). Каждый из поликристаллов или монокристаллов, представленных вышеупомянутыми формулами, может быть при желании солегирован церием или празеодимом.
[35] Другая композиция, которая может использоваться для производства текстурированной поверхности, включает в себя иодиды, имеющие формулы (2), (3) или (4):
ASr1-xEuxI3 (2)
A3Sr1-xEuxI5; (3); или
ASr2(1-x)Eu2xI5 (4)
где А состоит по существу из любого элемента щелочного металла, такого как литий, натрий, калий, рубидий, цезий или их комбинация, и где 0≦x≦1, предпочтительно 0,05≦x≦0,995, и более предпочтительно 0,1≦x≦0,9. В некоторых вариантах осуществления примерные композиции включают в себя CsSr1-xEuxI3, Cs3Sr1-xEuxI5 и CsSr2(1-x)Eu2xI5. Примерные композиции включают в себя CsSr0,9-0,99Eu0,01-0,10I3 и CsEuI3.
[36] В некоторых других вариантах осуществления другая композиция, которая может использоваться для производства текстурированной поверхности, включает в себя бромиды или галиды, имеющие формулы (5) или (6):
A3M6Br6(1-x)Cl6x, (5); или
AM6 2Br7(1-x)Cl7x, (6)
где 0≦x≦1; предпочтительно 0,05≦x≦0,995, и более предпочтительно 0,1≦x≦0,9; где A представляет собой Li, Na, K, Rb или их комбинацию; и где M6 представляет собой церий, скандий, иттрий, лантан, лютеций, гадолиний, празеодим, тербий, иттербий, неодим или их комбинацию.
[37] В других вариантах осуществления композиции, которые используются для того, чтобы произвести текстурированную поверхность, являются ортосиликатами лютеция (LSO), имеющими формулу (7):
M7 2xLu2(1-x)SiO5 (7)
где M7 является церием, скандием, иттрием, лантаном, лютецием, гадолинием, празеодимом, тербием, иттербием, неодимом или их комбинацией, предпочтительно церием; и где x равно от 0,001 до 0,1, предпочтительно от 0,005 до 0,015. Одним примерным составом LSO является Ce:Lu2SiO5.
[38] Порошки, используемые для изготовления сцинтилляционных материалов, содержат частицы, которые имеют средний размер частиц в диапазоне от 2 нм до 500 мкм, предпочтительно от 5 нм до 50 нм. Для того, чтобы определить средний размер частиц, измеряется радиус инерции частиц. Для того, чтобы определить размер частиц, могут использоваться рассеяние света или электронная микроскопия.
[39] Порошки могут быть дополнительно измельчены в шаровой мельнице, роликовой мельнице или в другом устройстве распыления. Измельченные порошки могут быть затем подвергнуты дополнительному процессу просеивания, если желательно использовать частицы одного конкретного размера. Частицы порошка могут быть изготовлены с использованием способов пиролиза распылением в пламени (FSP) и пиролиза с помощью распыления в пламени (FSAP) или с использованием множества способов синтеза «влажной химии», включая способы, основанные на синтезе золь - гель.
[40] Желаемые порошки могут быть помещены в форму (также называемую матрицей) и подвергнуты изостатическому прессованию (также называемому гидростатическим прессованием или горячим изостатическим прессованием) или одноосному сжатию. Изостатическое прессование может проводиться при комнатной температуре (23°C) или при повышенных температурах. При изостатическом прессовании инертный газ, такой как аргон, может использоваться для того, чтобы прикладывать давление к порошкам, содержащимся в форме, так, чтобы порошок химически не реагировал с газом или сам с собой. Форма опционально может нагреваться, вызывая тем самым повышение давления в форме. Многие системы используют накачивание соответствующего газа для того, чтобы достичь желаемого уровня давления. Давление прикладывается к материалу со всех направлений (отсюда термин «изостатическое прессование»).
[41] Инертный газ применяется изостатическим образом (или, что то же самое, гидростатическим образом) при давлении от 7350 фунтов на кв.дюйм (1 МПа) до 45000 фунтов на кв.дюйм (500 МПа), предпочтительно от 10000 фунтов на кв.дюйм (66 МПа) до 30000 фунтов на кв.дюйм (195 МПа). В некоторых вариантах осуществления температура во время прессования может быть комнатной температурой. В другом варианте осуществления во время применения изостатического или одноосного давления могут использоваться повышенные температуры от 900°F (482°C) до 3992°F (2200°C), предпочтительно от 1472°F (800°C) до 3962°F (2000°C) и более предпочтительно от 1650°F (900°C) до 1750°F (3182°C).
[42] Отжиг предпочтительно проводится посредством конвективной теплопередачи или теплопередачи за счет теплопроводности. В одном варианте осуществления радиационное нагревание (например радиочастотное нагревание, микроволновое нагревание или нагревание инфракрасным излучением) может проводиться одновременно или последовательно с конвективным нагреванием или нагреванием за счет теплопроводности. В одном варианте осуществления нагревание проводится посредством теплопроводности или комбинации теплопроводности и конвекции, в то время как образец находится в прессе и под давлением.
[43] Нагревание и прессование композиции могут проводиться одновременно или последовательно. В одном варианте осуществления нагревание и прессование композиции могут проводиться одновременно. Одновременное применение тепла и давления устраняет внутренние пустоты и микропористость посредством комбинации пластической деформации, деформации ползучести, роста границы зерна и диффузионного связывания. Этот процесс улучшает усталостную прочность компонента и уменьшает выкрашивание и образование волосяных трещин во время использования.
[44] При одноосном сжатии могут использоваться давления и температуры, определенные выше для изостатического сжатия. Однако для того, чтобы произвести сцинтилляционный материал, сжимающее давление прикладывается только в двух взаимно противодействующих направлениях. При одноосном сжатии давление может быть приложено к порошку, содержащемуся в форме, путем использования плунжеров с малым зазором от стенок формы. Небольшой зазор со стенками формы используется для того, чтобы воспрепятствовать заклиниванию плунжеров в форме. Этот зазор зависит от размера частиц порошка и может варьироваться в зависимости от размера частиц. Чем больше размер частиц, тем больше должен быть этот зазор.
[45] В некоторых вариантах осуществления связующее вещество или смазочный материал могут использоваться вместе с порошком во время прессования. Смазочный материал облегчает перемещение плунжеров в форме во время сжатия. Связующее вещество может использоваться для того, чтобы связать частицы с тем, чтобы предотвратить потерю частиц во время прессования.
[46] Текстурирование может содержать расположение множества различных геометрических объектов на выходной поверхности сцинтилляционного материала. Текстурирование может включать в себя выступы, направленные наружу или направленные внутрь. Направленный наружу выступ может включать в себя расположение геометрического объекта на выходной поверхности сцинтилляционного материала. Направленный внутрь выступ может включать в себя вырезание геометрического объекта из сцинтилляционного материала на его выходной поверхности. Следовательно, направленный внутрь выступ включает в себя выдалбливание сцинтилляционного материала для того, чтобы получить геометрический объект. Также могут использоваться комбинации направленных наружу и направленных внутрь выступов. В одном варианте осуществления текстурирование может содержать геометрические объекты, которые являются фотонными кристаллами. Фотонный кристалл является периодической оптической наноструктурой, которая воздействует на движение фотонов аналогично тому, как ионные решетки воздействуют на движение электронов в твердых веществах.
[47] Геометрия предпочтительно представляет собой трехмерную геометрию с основанием геометрического объекта, расположенным таким образом, чтобы оно контактировало с выходной поверхностью сцинтилляционного материала. Выбранная геометрия (геометрического объекта) предпочтительно должна быть такой, чтобы фотон контактировал с выходной поверхностью геометрического объекта под углом меньшим, чем критический угол. Такие геометрии включают в себя пирамиды, конусы, полусферы, эллипсоиды, усеченные пирамиды, бакиболы (фуллерены), усеченные конусы, усеченные полусферы, усеченные эллипсоиды, усеченные сферы, усеченные фуллерены и т.п., или их комбинацию. Могут использоваться комбинации форм, такие как фуллерен, установленный на усеченной пирамиде, сфера, установленная на конической секции, и т.д. Также могут использоваться иерархические структуры. Например, полусфера, расположенная на другой полусфере, также может использоваться для того, чтобы сформировать текстурирование. В одном примерном варианте осуществления геометрическое тело, расположенное на выходной поверхности сцинтилляционного материала, является пирамидой.
[48] Фиг. 3(A) показывает множество пирамид 104, расположенных на выходной поверхности сцинтилляционного материала. Фиг. 3(В) показывает множество эллипсоидов 105, расположенных на выходной поверхности сцинтилляционного материала. Фиг. 3(С) показывает множество полусфер 107, расположенных на выходной поверхности сцинтилляционного материала. Фиг. 3(D) показывает множество усеченных пирамид 109, расположенных на выходной поверхности сцинтилляционного материала. В то время как Фиг. 3(D) показывает усеченную поверхность, как параллельную выходной поверхности сцинтилляционного материала, она может быть непараллельной, если это является желательным.
[49] Угол контакта между стороной геометрического объекта и выходной поверхностью определяет эффективность выхода фотона. Фиг. 4(A) показывает, как измеряется угол, когда геометрический объект является направленным наружу выступом, таким как, например, пирамида 104. На Фиг. 4(A) угол между стороной пирамиды 104 и выходной поверхностью сцинтилляционного материала 102 используется в качестве меры эффективности выхода. Этот подход может использоваться для других геометрических объектов, таких как усеченные пирамиды, конусы, конические секции и т.п.
[50] На Фиг. 4(B) показаны два геометрических объекта - геометрический объект, выступающий наружу (эллипсоид 105), и геометрический объект, выступающий внутрь (клин 111). Геометрический объект, выступающий наружу, является эллипсоидом 105. Угол между касательной к поверхности эллипсоида в точке контакта края эллипсоида с выходной поверхностью сцинтилляционного материала используется в качестве меры эффективности выхода. Этот подход может использоваться для других геометрических объектов, таких как полушария, фуллерены, усеченные фуллерены и т.п.
[51] Для выступающего внутрь геометрического объекта на Фиг. 4(B) угол α между касательной к поверхности клина 111 в точке соприкосновения края клина 111 с выходной поверхностью сцинтилляционного материала используется в качестве меры эффективности выхода.
[52] Угол α предпочтительно имеет меньшую величину, чем критический угол для сцинтилляционного материала. В одном варианте осуществления угол α может варьироваться от 25 до 60 градусов, предпочтительно от 30 до 55 градусов и более предпочтительно от 35 до 45 градусов для выступов, направленных наружу. Следует отметить, что для направленных внутрь выступов угол α может быть больше 90 градусов, и может варьироваться от 25 до 135 градусов, предпочтительно от 65 до 130 градусов и более предпочтительно от 95 до 125 градусов. Нижеприведенная Таблица 1 показывает, как эффективность выхода фотонов изменяется в зависимости от угла α в сцинтилляторе, имеющем текстурированные поверхности. Значения, показанные в Таблице 1, представляют собой результат моделирования.
Таблица 1
Угол (α) Эффективность выхода
0 [плоская поверхность] 48%
30 65%
40 65%
45 65%
50 64%
60 60%
[53] Моделирование показывает, что значительно большее количество фотонов, приближающихся к интерфейсу, может успешно выйти наружу, не подвергаясь множественным внутренним отражениям. Вычисления с использованием LSO показывают увеличение выхода света приблизительно на 17% для значения угла α 40 градусов по сравнению с теми поверхностями, где угол α имеет значение 0 градусов. Из вышеприведенных данных можно заметить, что за счет расположения геометрических объектов на выходной поверхности сцинтилляционного материала эффективность выхода фотонов возрастает на величину больше чем 5%, предпочтительно от 5 до 25%, предпочтительно от 8 до 22%, и более предпочтительно от 10 до 20%.
[54] В одном варианте осуществления каждый геометрический объект, расположенный на выходной поверхности сцинтилляционного материала, имеет размеры, которые имеют порядок длины волны света (то есть они находятся в микрометровом и нанометровом диапазоне размеров). В одном варианте осуществления эти размеры (такие как ширина (ширины) и высота пирамиды, или радиус сферы, или малая и большая оси эллипсоида) геометрического объекта составляют от 50 нм до 700 нм, предпочтительно от 100 до 600 нм и более предпочтительно от 300 до 500 нм. Периодичность между геометрическими объектами может составлять от 50 нм до 1000 мкм, предпочтительно от 400 нм до 500 мкм.
[55] В одном варианте осуществления текстурирование может быть добавлено с использованием аддитивного производства (трехмерной печати), где геометрические объекты добавляются к поверхности сцинтиллятора под управлением компьютера. В трехмерном (аддитивном) производстве последовательные слои материала формируются под управлением компьютера для того, чтобы сформировать объект с желаемой геометрией. В частности, аддитивное производство содержит добавление последовательных слоев сцинтилляционного материала для того, чтобы сформировать геометрический объект. Весь объект (сцинтилляционный материал с добавленными геометрическими объектами) при желании может быть подвергнут дополнительному отжигу при соответствующих температурах для того, чтобы облегчить рост зерна.
У раскрытого в настоящем документе способа для производства сцинтилляционного материала имеется ряд преимуществ. Текстурирование может быть расположено на сцинтилляционном материале для улучшения эффективности выхода фотонов без образования микротрещин или выкрашивания. Это уменьшает или устраняет внутренние пустоты и микропористость посредством пластической деформации, деформации ползучести и роста границы зерна. Этот процесс улучшает усталостную прочность компонента. Сцинтилляционные материалы, произведенные в соответствии с настоящим изобретением, могут использоваться в изделиях и устройствах для визуализации, такой как, например, позитронно-эмиссионная томография, компьютерная томография или однофотонная эмиссионная компьютерная томография.
[56] Сцинтилляционный материал и способ, раскрытые в настоящем документе, иллюстрируются с помощью следующего неограничивающего примера.
Пример
[57] Этот пример показывает, как эффективность выхода фотонов увеличивается с оптимизацией размеров множества геометрических объектов, расположенных на выходной поверхности кристалла. Фиг. 5 показывает один вариант осуществления, в котором текстурирование включает в себя расположение множества пирамид на выходной поверхности сцинтилляционного материала. Ширина основания пирамиды варьировалась от 100 до 500 мкм. Шаг (периодичность) между пирамидами был выбран равным 500 мкм. Фиг. 6 представляет собой график, который показывает, что усиление выхода света увеличивается на величину вплоть до 27%, когда ширина изменяется от 100 до 600 мкм.
[58] Фиг. 7 показывает поверхность, на которой текстура содержит усеченные пирамиды. Фиг. 8 представляет собой график, который показывает выход света из поверхности текстуры, изображенной на Фиг. 7. На Фиг. 8 можно заметить, что усилие выхода света увеличивается на величину вплоть до 20%, когда ширина пирамиды составляет от 600 до 1400 мкм.
[59] Следует отметить, что все диапазоны, приведенные в настоящем документе, включают в себя конечные точки. Численные значения из различных диапазонов могут комбинироваться.
[60] Переходный термин «содержащий» охватывает переходные термины «состоящий из» и «состоящий по существу из».
[61] Термин «и/или» включает в себя как «и», так и «или». Например, выражение «A и/или B» интерпретируется как A, или B, или A и B.
[62] Грамматические формы единственного числа не обозначают ограничения количества, и должны рассматриваться, как покрывающие и единственное, и множественное число, если иное не указано в настоящем документе или если это явно не противоречит контексту.
[63] Ссылки в данном описании на «некоторые варианты осуществления», «один вариант осуществления» и т.д. означают, что один конкретный элемент, описанный в связи с этим вариантом осуществления, включен по меньшей мере в один описанный в настоящем документе вариант осуществления, и может присутствовать, а может и не присутствовать в других вариантах осуществления. В дополнение к этому, необходимо понимать, что описанные элементы могут быть скомбинированы любым подходящим образом в различных вариантах осуществления.
[64] В то время как настоящее изобретение было описано со ссылками на некоторые варианты осуществления, специалистам в данной области техники будет понятно, что могут быть произведены различные изменения, и их элементы могут быть заменены эквивалентами без выхода за границы области охвата настоящего изобретения. В дополнение к этому, множество изменений может быть сделано для адаптирования специфической ситуации или материала к описанию изобретения без выхода за существенные рамки настоящего изобретения. Следовательно, имеется в виду, что настоящее изобретение не ограничивается конкретными описанными вариантами осуществления как наилучшими для реализации настоящего изобретения, но настоящее изобретение будет включать в себя все варианты осуществления, находящиеся в рамках приложенной формулы изобретения.

Claims (49)

1. Способ, включающий в себя:
помещение в форму порошка, который имеет состав для производства сцинтилляционного материала; и
сжатие этого порошка для того, чтобы сформировать сцинтилляционный материал; где выходная поверхность сцинтилляционного материала имеет текстуру, которая содержит множество геометрических объектов, которые уменьшают полное внутреннее отражение на выходной поверхности и которые увеличивают количество фотонов, выходящих из выходной поверхности, на величину, большую или равную 5% по сравнению с поверхностью, у которой нет геометрических объектов.
2. Способ по п. 1, в котором сцинтилляционный материал имеет состав в соответствии с формулой (1):
M1 aM2 bM3 cM4 dO12 (1)
где
O представляет собой кислород,
M1, M2, M3 и M4 представляют собой первый, второй, третий и четвертый металл, которые отличаются друг от друга,
сумма а+b+c+d приблизительно равна 8, где
«a» имеет значение от приблизительно 2 до приблизительно 3,5,
«b» имеет значение от 0 до приблизительно 5,
«с» имеет значение от 0 до приблизительно 5,
«d» имеет значение от 0 до приблизительно 1, где «b» и «c», «b» и «d» или «c» и «d» не могут быть одновременно равными нулю,
M1 представляет собой редкоземельный элемент, включающий в себя гадолиний или гадолиний в комбинации с иттрием, лютецием, скандием,
M2 представляет собой алюминий,
M3 представляет собой галлий, и
M4 является содопантом и содержит один или более элементов из церия, празеодима.
3. Способ по п. 2, в котором для M1 часть гадолиния может быть замещена одним или более элементом из иттрия, лютеция, лантана, тербия, празеодима, неодима, церия, самария, европия, диспрозия, гольмия, эрбия, иттербия или их комбинаций.
4. Способ по п. 2, в котором
«a» имеет значение от приблизительно 2,4 до приблизительно 3,2,
«b» имеет значение от приблизительно 2 до приблизительно 3, «c» имеет значение от приблизительно 1 до приблизительно 4, и «d» имеет значение от приблизительно 0,001 до приблизительно 0,5.
5. Способ по п. 1, в котором упомянутые геометрические объекты включают в себя направленные наружу выступы, направленные внутрь выступы или их комбинацию.
6. Способ по п. 1, в котором упомянутые геометрические объекты представляют собой геометрические объекты, которые имеют сторону, наклоненную к выходной поверхности под углом от 30 до 60 градусов.
7. Способ по п. 1, в котором геометрические объекты имеют по меньшей мере одно измерение, которое составляет от 50 до 700 нм.
8. Способ по п. 1, в котором геометрические объекты имеют форму пирамид, конусов, полусфер, эллипсоидов, усеченных пирамид, фуллеренов, усеченных конусов, усеченных полусфер, усеченных эллипсоидов, усеченных сфер, усеченных фуллеренов или их комбинации.
9. Способ по п. 1, в котором периодичность между геометрическими объектами составляет от 300 нм до 1000 мкм.
10. Способ по п. 1, в котором сжатие порошка включает в себя одноосное сжатие или изостатическое сжатие.
11. Способ по п. 1, дополнительно содержащий нагревание порошка посредством теплопроводности или конвекции.
12. Способ по п. 1, дополнительно содержащий нагревание порошка посредством электромагнитного излучения.
13. Способ по п. 10, в котором одноосное сжатие или изостатическое сжатие выполняется при давлении от 1 МПа до 500 МПа.
14. Способ по п. 10, в котором одноосное сжатие выполняется при комнатной температуре.
15. Способ по п. 11, в котором порошок нагревается до температуры от 480°C до 2200°C.
16. Способ по п. 10, в котором рост границы зерна происходит в сцинтилляционном материале во время сжатия.
17. Способ, включающий в себя:
расположение на выходной поверхности сцинтилляционного материала геометрического объекта с помощью аддитивного производства;
где аддитивное производство представляет собой добавление последовательных слоев сцинтилляционного материала для того, чтобы сформировать геометрический объект; и
где эти геометрические объекты уменьшают полное внутреннее отражение на выходной поверхности и увеличивают количество фотонов, выходящих из выходной поверхности, на величину, большую или равную 5% по сравнению с поверхностью, у которой нет этого геометрического объекта.
18. Способ по п. 17, дополнительно содержащий нагревание сцинтилляционного материала.
19. Изделие, содержащее:
сцинтилляционный материал, имеющий текстурированную выходную поверхность, произведенный с помощью способа, содержащего:
помещение в форму порошка, который имеет состав для производства сцинтилляционного материала; и
сжатие этого порошка для того, чтобы сформировать сцинтилляционный материал; где выходная поверхность сцинтилляционного материала имеет текстуру, которая содержит множество геометрических объектов, которые уменьшают полное внутреннее отражение на выходной поверхности, и которые увеличивают количество фотонов, выходящих из выходной поверхности, на величину, большую или равную 5% по сравнению с поверхностью, у которой нет геометрических объектов.
20. Изделие по п. 19, в котором направленные наружу геометрические объекты представляют собой геометрические объекты, которые имеют сторону, наклоненную к выходной поверхности под углом от 30 до 60 градусов.
21. Изделие по п. 19, в котором геометрические объекты имеют по меньшей мере одно измерение, которое составляет от 50 до 700 нм.
22. Изделие по п. 19, в котором геометрические объекты имеют форму пирамид, конусов, полусфер, эллипсоидов, усеченных пирамид, фуллеренов, усеченных конусов, усеченных полусфер, усеченных эллипсоидов, усеченных сфер, усеченных фуллеренов или их комбинации.
23. Изделие по п. 19, в котором периодичность между геометрическими объектами составляет от 50 нм до 1000 мкм.
24. Изделие по п. 19, в котором геометрические объекты представляют собой фотонные кристаллы.
25. Устройство визуализации, содержащее изделие по п. 19.
26. Устройство визуализации по п. 25, которое представляет собой позитронно-эмиссионный томограф, компьютерный томограф или однофотонный эмиссионный компьютерный томограф.
RU2016146110A 2015-11-25 2016-11-24 Способ производства граничных поверхностей граната и изделия, содержащие полученные таким способом гранаты RU2663737C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/952,175 US9650569B1 (en) 2015-11-25 2015-11-25 Method of manufacturing garnet interfaces and articles containing the garnets obtained therefrom
US14/952,175 2015-11-25

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2016146110A3 RU2016146110A3 (ru) 2018-05-24
RU2016146110A RU2016146110A (ru) 2018-05-24
RU2663737C2 true RU2663737C2 (ru) 2018-08-09

Family

ID=57542684

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016146110A RU2663737C2 (ru) 2015-11-25 2016-11-24 Способ производства граничных поверхностей граната и изделия, содержащие полученные таким способом гранаты

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9650569B1 (ru)
EP (1) EP3176144B1 (ru)
JP (1) JP6539635B2 (ru)
KR (1) KR101903729B1 (ru)
CN (1) CN106977204A (ru)
ES (1) ES2863991T3 (ru)
RU (1) RU2663737C2 (ru)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10197685B2 (en) * 2015-12-01 2019-02-05 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Method for controlling gallium content in gadolinium-gallium garnet scintillators
US10961452B2 (en) 2015-12-01 2021-03-30 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Method for controlling gallium content in gadolinium-gallium garnet scintillators
US11014854B2 (en) 2017-08-07 2021-05-25 Consolidated Nuclear Security, LLC Ceramic radiation detector device and method
JP2019047037A (ja) * 2017-09-05 2019-03-22 株式会社東芝 光検出器
EP3495849A1 (en) * 2017-12-11 2019-06-12 Koninklijke Philips N.V. Multilayer pixelated scintillator with enlarged fill factor
CN108761517B (zh) * 2018-04-19 2021-09-03 同济大学 一种内置型光子晶体闪烁体
US11335472B2 (en) 2019-02-03 2022-05-17 Our United Corporation Source storing apparatus, source guiding system, and source guiding method
WO2021070175A1 (en) 2019-10-10 2021-04-15 Technion Research And Development Foundation Ltd. Scintillator structure and a method for emitting an output signal at a specific wavelength range
US10940639B1 (en) 2020-01-29 2021-03-09 The Florida International University Board Of Trustees Glass scintillators and methods of manufacturing the same
CN112939592B (zh) * 2021-02-07 2022-11-08 中国科学院上海光学精密机械研究所 镁钙离子共掺石榴石超快闪烁陶瓷及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769353A (en) * 1986-11-04 1988-09-06 General Electric Company Strontium-containing yttrium oxide ceramic body
EP1043383A1 (en) * 1997-12-24 2000-10-11 Hitachi Medical Corporation Phosphors, and radiation detectors and x-ray ct unit made by using the same
RU2407041C2 (ru) * 2005-12-20 2010-12-20 Дженерал Электрик Компани Сцинтилляционные составы и соответствующие процессы и изделия
WO2015118533A1 (en) * 2014-02-04 2015-08-13 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd Methods for fabricating 3-dimentional scintillators

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0634119B2 (ja) * 1986-12-27 1994-05-02 富士写真フイルム株式会社 放射線像変換パネル
JPH03158713A (ja) * 1989-11-16 1991-07-08 Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd Ｘ線利用検査装置並びに該装置に用いるｘ線ラインセンサーおよびその製造方法
US5208460A (en) * 1991-09-23 1993-05-04 General Electric Company Photodetector scintillator radiation imager having high efficiency light collection
JP3144017B2 (ja) * 1992-01-08 2001-03-07 日立金属株式会社 放射線検出器
JPH09325185A (ja) * 1996-06-03 1997-12-16 Toshiba Fa Syst Eng Kk 放射線検出器とその製造方法と透視検査装置とｃｔスキャナ
JP2004150932A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Toshiba Corp 放射線平面検出器
RU2350579C2 (ru) * 2004-05-17 2009-03-27 Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Исследовательский И Технологический Институт Оптического Материаловедения" Всероссийского Научного Центра "Государственный Оптический Институт Им. С.И.Вавилова" Флуоресцентная керамика
JP4860368B2 (ja) * 2006-06-27 2012-01-25 富士フイルム株式会社 ガーネット型化合物とその製造方法
KR20100107001A (ko) * 2007-12-03 2010-10-04 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 산란이 감소된 ｌｅｄ를 위한 세라믹 재료 및 그것을 제조하는 방법
JP5229320B2 (ja) * 2008-07-25 2013-07-03 コニカミノルタエムジー株式会社 シンチレータパネル及びそれを具備した放射線画像検出装置
WO2010078220A2 (en) * 2008-12-30 2010-07-08 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Scintillation device and method of producing a ceramic scintillator body
JP5441798B2 (ja) * 2010-04-07 2014-03-12 キヤノン株式会社 放射線検出素子の製造方法及び放射線検出素子
JP2011232197A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Konica Minolta Medical & Graphic Inc シンチレータパネル及び放射線画像検出装置
JP5498908B2 (ja) * 2010-09-29 2014-05-21 株式会社東芝 固体シンチレータ用材料、固体シンチレータ、およびそれを用いた放射線検出器並びに放射線検査装置
CN102869748B (zh) * 2010-10-29 2015-01-07 日立金属株式会社 软x射线检测用多晶闪烁器及其制造方法
US8981305B2 (en) * 2011-05-12 2015-03-17 University Of Florida Research Foundation, Inc. Index of refraction matched nanoparticles and methods of use
JP5767512B2 (ja) * 2011-06-07 2015-08-19 キヤノン株式会社 放射線検出素子及び放射線検出器
CN102850047A (zh) * 2011-06-29 2013-01-02 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 基于掺杂的镥铝石榴石(LuAG)或其他镥铝氧化物的透明陶瓷闪烁体的制造方法
JP2013134097A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Canon Inc シンチレータパネル、放射線検出装置、及び、それらを用いた放射線検出システム
CN104169392B (zh) * 2012-03-15 2016-06-22 株式会社东芝 固体闪烁体、放射线检测器及放射线检查装置
US9006668B2 (en) * 2012-10-02 2015-04-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Method to improve light extraction from scintillators
CN104918984A (zh) * 2012-10-31 2015-09-16 陶氏环球技术有限责任公司 共聚物与介电材料的纳米复合物
US11584885B2 (en) * 2013-01-23 2023-02-21 University Of Tennessee Research Foundation Codoping method for modifying the scintillation and optical properties of garnet-type scintillators
JP6593169B2 (ja) * 2014-05-30 2019-10-23 東レ株式会社 シンチレータパネル、放射線画像検出装置およびその製造方法
CN105439561A (zh) * 2014-08-14 2016-03-30 清华大学 一种硫氧化钆闪烁陶瓷制备方法
CN104557012B (zh) * 2014-12-18 2017-03-08 徐州市江苏师范大学激光科技有限公司 一种Pr：LuAG闪烁陶瓷的制备方法
CN104962994B (zh) * 2015-07-30 2017-09-26 山东大学 导模法生长特定尺寸稀土掺杂含镓石榴石系列晶体的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769353A (en) * 1986-11-04 1988-09-06 General Electric Company Strontium-containing yttrium oxide ceramic body
EP1043383A1 (en) * 1997-12-24 2000-10-11 Hitachi Medical Corporation Phosphors, and radiation detectors and x-ray ct unit made by using the same
RU2407041C2 (ru) * 2005-12-20 2010-12-20 Дженерал Электрик Компани Сцинтилляционные составы и соответствующие процессы и изделия
WO2015118533A1 (en) * 2014-02-04 2015-08-13 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd Methods for fabricating 3-dimentional scintillators

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ANDREAS HIRSCH, MICHAEL BRETTREICH, Fullerenes: Chemistry and Reactions, Weinheim, WILEY-VCH Verlag GmBH & Co. KGaA, 2005, 1.1. Fullerenes: Molecular Allotropes of Carbon. *

Also Published As

Publication number Publication date
US20170145305A1 (en) 2017-05-25
CN106977204A (zh) 2017-07-25
KR20170066234A (ko) 2017-06-14
RU2016146110A3 (ru) 2018-05-24
EP3176144A1 (en) 2017-06-07
JP2017116532A (ja) 2017-06-29
US9650569B1 (en) 2017-05-16
ES2863991T3 (es) 2021-10-13
JP6539635B2 (ja) 2019-07-03
EP3176144B1 (en) 2020-12-30
RU2016146110A (ru) 2018-05-24
KR101903729B1 (ko) 2018-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2663737C2 (ru) Способ производства граничных поверхностей граната и изделия, содержащие полученные таким способом гранаты
CN106947480B (zh) 具有融合光学元件的陶瓷磷光体叠层体、其制造方法和包含其的制品
JP6066608B2 (ja) 相分離構造を有するシンチレータおよびそれを用いた放射線検出器
US12092774B2 (en) Method for fabricating pixelated scintillators
US20060131509A1 (en) Radiation detector, in particular for x- or gamma radiation, and method for producing it
US9664800B2 (en) Laser etched scintillation detector blocks with internally created reflectors
JP2012013694A (ja) シンチレータ・アレイ及びシンチレータ・アレイを製造する方法
JP5933963B2 (ja) 対象物質を含有する光導波管及びその製造方法
Xu et al. Light Management of Metal Halide Scintillators for High‐Resolution X‐Ray Imaging
CN104035121A (zh) 一种高度定向发射的平面微腔闪烁体器件
JP6356352B2 (ja) 最適化された効率を有するピクセル化されたシンチレータ
Chen et al. Transparent BaCl 2: Eu 2+ glass-ceramic scintillator
CN112731509A (zh) 光导闪烁体阵列
EP4058530A1 (en) Bonding scintillator material to produce large panels or other shapes
JP2015054931A (ja) シンチレータ材料、放射線検出器及び放射線検査装置
JP2016164208A (ja) シンチレータ材料、放射線検出器及び放射線検査装置