KR20170066234A - 가닛 계면들을 제조하는 방법 및 그로부터 획득된 가닛들을 포함하는 물품들 - Google Patents

가닛 계면들을 제조하는 방법 및 그로부터 획득된 가닛들을 포함하는 물품들 Download PDF

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피터 칼 코헨
해리 헤틀러
로버트 에이. 민처
마티아스 제이. 슈만트
크리스토프 탈함머
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지멘스 메디컬 솔루션즈 유에스에이, 인크.
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Abstract

신틸레이터 재료를 제조하기 위한 조성을 갖는 분말을 몰드에 배치하는 단계 및 신틸레이터 재료를 형성하기 위해 분말을 압축하는 단계를 포함하는 방법이 본원에서 개시되며; 여기서 신틸레이터 재료의 출구 표면은 복수의 돌출부들을 포함하는 텍스처를 갖고, 복수의 돌출부들은, 출구 표면에서의 내부 전반사를 감소시키고 그리고 출구 표면을 나가는 광자들의 양을, 돌출부들을 갖지 않은 표면보다, 5% 초과의 또는 5%와 동일한 양만큼 증가시킨다.

Description

가닛 계면들을 제조하는 방법 및 그로부터 획득된 가닛들을 포함하는 물품들{METHOD OF MANUFACTURING GARNET INTERFACES AND ARTICLES CONTAINING THE GARNETS OBTAINED THEREFROM}
[0001] 본 개시내용은 가닛 계면(garnet interface)들을 제조하는 방법 및 그로부터 획득된 가닛들을 포함하는 물품(article)들에 관한 것이다.
[0002] 신틸레이터 재료(scintillator material)가 광전자 증배관(PMT; photomultiplier tube), 포토다이오드(photodiode), 실리콘 광전자 증배관(silicon photomultiplier) 등과 같은 전자 광 센서(electronic light sensor)에 커플링될(coupled) 때, 신틸레이션 검출기(scintillation detector) 또는 신틸레이션 카운터(scintillation counter)가 획득된다. 광전자 증배관들은 신틸레이터 재료에 의해 방출된 광을 흡수하여, 그 광을 광전 효과를 통해 전자 전류로 변환한다. 그러한 전자들(때때로, 광전자들로 지칭됨)의 후속 증식(multiplication)은 전기 펄스(electrical pulse)를 초래하며, 그 다음으로, 전기 펄스가 분석될 수 있고, 신틸레이터 재료에 최초에 충돌한 입자에 관한 의미 있는 정보를 산출한다. 신틸레이터는, 이온화 방사(ionizing radiation)에 의해 여기될(excited) 때, 광을 생성하는 재료이다. 발광 재료들은, 인입하는 입자에 의해 충돌될 때, 그것의 에너지(energy)를 흡수하고, 신틸레이팅(scintillate)한다(즉, 흡수된 에너지를 광의 형태로 재방출함).
[0003] 신틸레이터 재료의 유용한 특징은 신틸레이션 프로세스(scintillation process)에서 생성되는 광의 양이며, 광의 양은 이온화 입자(ionizing particle)의 1 MeV 에너지의 흡수에 의해 생성되는 신틸레이션 광자들의 수로서 측정될 수 있다. 신틸레이션 이벤트(scintillation event)에서 생성된 신틸레이션 광자들의 작은 프랙션(fraction)만이 검출기에 도달한다. 신틸레이션 광자들의 상당한 수는 흡수에 의해 손실되거나 또는 검출기 모듈(detector module)의 광학 계면(optical interface)들에서의 손실들에 의해 손실된다.
[0004] 광 수집의 효율을 개선하기 위한 방식들 중 하나는, 결정 균일성(crystal uniformity)을 개선함으로써 신틸레이터 재료의 광학 선명도를 개선하는 것이다. 이는, 재료의 광자 전달 특성들 및 신틸레이션 광자들의 감소된 흡수를 초래할 수 있다. 다른 방법은 광자들이 신틸레이터 재료의 표면을 나가는 각이 진 출구 분포(angular exit distribution)(출구 각도들의 분포)를 변경하는 것이다.
[0005] 타이밍 애플리케이션(timing application)들에서, 신틸레이터 재료 출구 표면에서 발생하는 반사들의 수를 최소화하고, 그에 따라, 광 센서에서의 광자 도달 시간들의 분산을 감소시키는 것이 바람직하다. 이는, 잘-정의된 홈(groove)들의 마이크로-구조(micro-structure)를 형성하는 것에 의해 신틸레이터 재료의 출구 표면을 수정함으로써 달성될 수 있다. 이러한 홈들을 이용함으로써, 신틸레이터의 출구에서 전파되는 입사 광자들의 수용 각도들의 범위를 확장하는 것이 가능하다. 도 1은 내부 전반사로 인해 계면으로부터 다시 반사되는 광자들의 수를 감소시키기 위해 신틸레이터의 출구 표면 상에 홈들을 배치하는 일 방식을 도시한다. 도 1은 루테튬 오소실리케이트 신틸레이터(lutetium orthosilicate scintillator)(LSO) 결정(102)의 출구 표면 상에 배치된 글루(glue)의 블록(block)(106)을 도시한다. 신틸레이터 재료(102)의 출구 표면 상에 각뿔(pyramid)들(104)의 어레이(array)의 형태의 마이크로-텍스처(micro-texture)들(즉, 홈들)이 또한 배치된다. 각뿔들의 존재는, 신틸레이터 재료(102)의 출구 표면이 평평하였다면 발생했을 내부 전반사의 양을 감소시킨다.
[0006] 신틸레이터 재료의 출구 표면 상의 각뿔들의 존재에 의해 야기되는 효과는, 각각 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이 각뿔들(104)을 갖지 않는 그리고 각뿔들(104)을 갖는 신틸레이터(102)의 광선 추적 시뮬레이션(ray tracking simulation)들을 이용함으로써 입증될 수 있다. 도 2a는 신틸레이터(102)가 평평한 출구 표면을 갖는 것으로 도시한다. 이러한 평평한 출구 표면 때문에, 임계각보다 더 큰 또는 임계각과 동일한 각도로 표면 상에 부딪치는 광자들 중 일부는 계면에서 신틸레이터 재료(102)로 다시 완전히 반사된다.
[0007] 도 2b는 각뿔들(104)로 텍스처링된(textured) 신틸레이터 재료(102) 표면을 도시한다. 각뿔들(104)은, 신틸레이터(102)의 형상 및 임의의 주변의 광학 엘리먼트(element)들에 의해 영향받은 입사각들의 분포를 갖는 더 높은 퍼센티지(percentage)의 광자들이 계면을 통과하도록 허용하는데, 그 이유는 광자들이 임계각 미만인 각도들로 계면 상에 입사되기 때문이다.
[0008] 신틸레이터 재료의 텍스처링된 출구 표면을 제조하기 위해, 예컨대, 기계적 연마, 레이저 절삭(laser cutting), 화학적 에칭(chemical etching), 또는 심지어 신틸레이터의 굴절률에 밀접하게 매칭(matching)되는 굴절률을 갖는 부가적인 구조들을 본딩(bonding)하는 것과 같은 다양한 방법들이 이용될 수 있다. 본딩하는 것과 같은 방법은, 광학 커플링제(optical coupling agent)들로서 이용되는 대부분의 광학 접착제들과 비교할 때, 고에너지 애플리케이션들을 위해 이용되는 대부분의 신틸레이터 재료들이 상대적으로 높은 굴절률들을 갖는다는 사실로 인해, 특히 어렵다. 이 경우, 광 반사 손실들이 광학 계면에서 발생하며, 여기서 상당한 수의 신틸레이션 광자들이 손실된다. 더욱이, 기계적 연마, 레이저 절삭, 또는 화학적 에칭과 같은 방법들에 의해 신틸레이터 재료들의 표면들 상에 이러한 구조를 생성하는 것은 다른 문제를 발생시킨다. 신틸레이터 재료 표면의 제조 동안 생성된 높은 응력들이 결정 표면의 크래킹(cracking) 또는 크레이징(crazing)을 초래한다. 그러므로, (입사 광자들을 보존하기 위해 이용될 수 있는) 텍스처링된 표면들을 갖고 시간에 따라 저하되지 않는 신틸레이터 재료들을 생성하기 위한 방법들을 개발하는 것이 바람직하다.
[0009] 신틸레이터 재료를 제조하기 위한 조성을 갖는 분말(powder)을 몰드(mold)에 배치하는 단계 및 신틸레이터 재료를 형성하기 위해 분말을 압축하는 단계를 포함하는 방법이 본원에서 개시되며; 여기서 신틸레이터 재료의 출구 표면은 복수의 돌출부들을 포함하는 텍스처(texture)를 갖고, 복수의 돌출부들은, 출구 표면에서의 내부 전반사를 감소시키고 그리고 출구 표면을 나가는 광자들의 양을, 돌출부들을 갖지 않은 표면보다, 5% 초과의 또는 5%와 동일한 양만큼 증가시킨다.
[0010] 적층 제조(additive manufacturing)에 의해 기하학적 오브젝트(geometrical object)를 신틸레이터 재료의 출구 표면 상에 배치하는 단계를 포함하는 방법이 본원에서 개시되며; 여기서 적층 제조는 기하학적 오브젝트를 형성하기 위해 신틸레이터 재료의 연속적인 층들을 부가하는 것을 포함하고; 그리고
[0011] 여기서 기하학적 오브젝트들은, 출구 표면에서의 내부 전반사를 감소시키고 그리고 출구 표면을 나가는 광자들의 양을, 기하학적 오브젝트를 갖지 않은 표면보다, 5% 초과의 또는 5%와 동일한 양만큼 증가시킨다.
[0012] 방법에 의해 제조되는 텍스처링된 출구 표면을 갖는 신틸레이터 재료를 포함하는 물품이 본원에서 개시되며, 방법은, 신틸레이터 재료를 제조하기 위한 조성을 갖는 분말을 몰드에 배치하는 단계; 및 신틸레이터 재료를 형성하기 위해 분말을 압축하는 단계를 포함하고; 여기서 신틸레이터 재료의 출구 표면은 복수의 돌출부들을 포함하는 텍스처를 갖고, 복수의 돌출부들은, 출구 표면에서의 내부 전반사를 감소시키고 그리고 출구 표면을 나가는 광자들의 양을, 돌출부들을 갖지 않은 표면보다, 5% 초과의 또는 5%와 동일한 양만큼 증가시킨다.
[0013] 도 1은 내부 전반사로 인해 계면으로부터 다시 반사되는 광자들의 수를 감소시키기 위해 신틸레이터의 출구 표면 상에 홈들을 배치하는 일 방식을 도시하고;
[0014] 도 2a는 평평한 출구 표면을 갖는 신틸레이터 및 내부 전반사로 인한 다시 신틸레이터 재료로의 광자들의 반사들을 도시하고;
[0015] 도 2b는 감소된 내부 전반사로 인한 더 큰 광자 추출 효율을 허용하는 텍스처링된 표면을 갖는 신틸레이터 재료를 도시하고;
[0016] 도 3a는 신틸레이터 재료의 출구 표면 상에 배치된 복수의 각뿔들을 도시하고;
[0017] 도 3b는 신틸레이터 재료의 출구 표면 상에 배치된 복수의 타원체들을 도시하고;
[0018] 도 3c는 신틸레이터 재료의 출구 표면 상에 배치된 복수의 반구들을 도시하고;
[0019] 도 3d는 신틸레이터 재료의 출구 표면 상에 배치된 복수의 절단 각뿔(truncated pyramid)들을 도시하고;
[0020] 도 4a는 기하학적 오브젝트가 각뿔일 때, 각도(α)가 어떻게 측정되는지를 도시하고;
[0021] 도 4b는 기하학적 오브젝트가 타원체(105)일 때, 각도(α)가 어떻게 측정되는지를 도시하고;
[0022] 도 5는 텍스처링(texturing)이, 신틸레이터 재료의 출구 표면 상에 복수의 각뿔들을 배치하는 것을 포함하는 일 실시예를 도시하고;
[0023] 도 6은 폭이 100 마이크로미터(micrometers) 내지 500 마이크로미터로 변화될 때, 이득 광 수율(gain light yield)이 최대 27%만큼 증가되는 것을 도시하는 그래프(graph)이고;
[0024] 도 7은 텍스처가 복수의 절단 각뿔들을 포함하는 경우의 표면을 도시하고; 그리고
[0025] 도 8은 도 7의 텍스처의 표면으로부터의 광 수율을 도시하는 그래프이다.
[0026] 텍스처링된 출구 표면들을 갖는 신틸레이터 재료들을 제조하기 위한 방법이 본원에서 개시된다. 텍스처링된 출구 표면들을 갖는 신틸레이터 재료들은, 제조 프로세스 동안 결정 입계 성장(grain boundary growth)을 허용하는 프로세스에서 제조된다. 더 구체적으로, 원하는 신틸레이터 재료를 생성하도록 정의된 화학량론(stoichiometry)을 갖는 제제(formulation)를 갖는 분말들은, 프로세스 동안 결정 입계 성장을 용이하게 하기 위해 어닐링(annealing)과 동시에 압축된다. 제조 프로세스 동안의 결정 입계 성장은 결정 표면의 크래킹 또는 크레이징을 야기하는 응력들을 감소시킨다. 신틸레이터 재료들은 단결정들, 다결정질(polycrystalline)이거나 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 이들은 세라믹(ceramic)들로 제조될 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다.
[0027] 실시예에서, 방법은 신틸레이터 재료 상에 원하는 텍스처링된 표면을 생성하도록 설계된 내부 표면들을 갖는 몰드에서 (원하는 화학량론을 갖는) 분말을 압축하는 단계를 포함한다. 실시예에서, 몰드는, 결정의 출구 표면들 상의 원하는 텍스처와 정반대의(opposite) 텍스처를 갖는 내부 표면을 갖는다. 분말이 몰드에서 압축될 때, 원하는 텍스처가 결정 표면에 전사(transfer)된다. 방법은 텍스처링된 출구 표면을 갖는 신틸레이터 재료를 생성하기 위한 신틸레이터 조성을 갖는 분말을 가압하는 단계를 포함한다. 텍스처링된 출구 표면은 복수의 외향형(outward) 또는 내향형(inward) 돌출부들(이후 "기하학적 오브젝트들")을 포함하며, 복수의 돌출부들은 출구 표면에서의 내부 전반사를 감소시키고 그리고 출구 표면을 나가는 광자들의 양을, 외향형 돌출부들을 갖지 않은 표면보다, 5% 초과의 또는 5%와 동일한 양만큼 증가시킨다.
[0028] 결정 입계 성장 프로세스들은 결정 입계들의 국부적 곡률에 의해서만 구동된다. 결정 입계 표면 영역의 총량의 감소는 시스템(system)의 총 자유 에너지를 최소화하기 위한 시스템의 경향에 대응한다. 자유 표면 에너지를 감소시키기 위한 결정 입계 성장의 프로세스는, 몰드에서의 분말의 압축 동안 분말의 볼륨(volume)에 탄성력들 또는 변형(strain)들 또는 온도 그래디언트(gradient)들을 적용함으로써 개시될 수 있다. 결정 입계의 성장률은 (또한 때때로 결정 입계 에너지로 지칭되는) 결정 입계에서의 자유 에너지의 총량에 비례한다. 실시예에서, 프로세스는 압력을 인가하지 않고 소결된 세라믹 재료들에 적용될 수 있으며, 이는 일반적으로 무압력 소결 프로세스로서 알려져 있다. 그러므로, 압축 단계는 선택적일 수 있다.
[0029] 방법은 원하는 화학량론을 갖는 분말을 몰드에 배치하는 단계 및 결정 입계 성장을 촉진하기에 효과적인 온도로 분말을 압축하는 단계를 포함한다. 분말들은, 압축될 때, 텍스처링된 표면들을 갖는 원하는 신틸레이터 재료들을 생성할 조성을 갖는다. 분말 조성은 아래에서 상세화된 화학식들에 의해 표현되는 것들 중 하나일 수 있다.
[0030] 일부 실시예들에서, 분말 조성(powdered composition)은 화학식(1)을 가진 가돌리늄 및 갈륨을 포함할 수 있으며:
Figure pat00001
여기서
Figure pat00002
는 산소를 나타내고, M1, M2, M3, 및 M4는 서로 상이한 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 금속을 나타내고, 여기서 a + b + c+ d의 합은 약 8이고, 여기서 "약"은 바람직한 값으로부터 ±10% 편차로서 정의되며, 여기서 "a"는 약 2 내지 약 3.5, 바람직하게는 약 2.4 내지 약 3.2, 그리고 더 바람직하게는 3.0의 값을 갖고, "b"는 0 내지 약 5, 바람직하게는 약 2 내지 약 3, 그리고 더 바람직하게는 약 2.1 내지 약 2.5의 값을 갖고, 여기서 "b"와 "c", "b"와 "d", 또는 "c"와 "d"는 둘 모두가 동시에 0과 동일할 수 없으며, 여기서 "c"는 0 내지 약 5, 바람직하게는 약 1 내지 약 4, 바람직하게는 약 2 내지 약 3, 그리고 더 바람직하게는 약 2.1 내지 약 2.5의 값을 갖고, "d"는 0 내지 약 1, 바람직하게는 약 0.001 내지 약 0.5, 그리고 더 바람직하게는 약 0.003 내지 약 0.3의 값을 갖는다.
[0031] 실시예에서, M1은 이에 제한되는 것은 아니지만, 가돌리늄, 이트륨, 루테튬, 스칸듐, 또는 이들의 조합을 포함하는 희토류 원소이다. M1은 바람직하게는 가돌리늄이다. M2는 알루미늄 또는 붕소이고, M3은 갈륨이고, 그리고 M4는 코도펀트(codopant)이고, 그리고 탈륨, 구리, 은, 납, 비스무트, 인듐, 주석, 안티몬, 탄탈륨, 텅스텐, 스트론튬, 바륨, 붕소, 마그네슘, 칼슘, 세륨, 이트륨, 스칸듐, 란타늄, 루테튬, 프라세오디뮴, 테르븀, 이테르븀, 사마륨, 유로퓸, 홀뮴, 디스프로슘, 에르븀, 툴륨 또는 네오디뮴 중 하나 또는 그 초과를 포함한다.
[0032] M1의 경우, 갈륨의 일부는, 이트륨, 가돌리늄, 루테튬, 란타늄, 테르븀, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 세륨, 사마륨, 유로퓸, 디스프로슘, 홀뮴, 에르븀, 이테르븀, 또는 이들의 조합들 중 하나 또는 그 초과로 대체될 수 있다. 실시예에서, 일부 갈륨은 이트륨으로 대체될 수 있다. M3은 바람직하게는 알루미늄이다.
[0033] 실시예에서, 코도펀트 M4는 Tl+, Cu+, Ag+, Au+, Pb2+, Bi3+, In+, Sn2+, Sb3+, Ce3+, Pr3+, Eu2+, Yb2+, Nb5+, Ta5+, W6+, Sr2+, B3+, Ba2+, Mg2+, Ca2+, 또는 이들의 조합들을 포함한다.
[0034] 이 방법에 의해 화학식(1)의 조성을 이용하여 성장되는 다결정질 또는 단결정들의 일부 예들은, (GAGG ― 가돌리늄-알루미늄-갈륨 가닛(gadolinium-aluminum-gallium garnet)), (GGAG ― 가돌리늄-갈륨-알루미늄 가닛(gadolinium-gallium-aluminum garnet)), (GYGAG ― 가돌리늄-이트륨-갈륨-알루미늄 가닛(gadolinium-yttrium-gallium-aluminum garnet)), (GSGG ― 가돌리늄-스칸듐-갈륨 가닛(gadolinium-scandium-gallium garnet)), (GYAG ― 가돌리늄-이트륨-알루미늄 가닛(gadolinium-yttrium-aluminum garnet)), (GSAG ― 가돌리늄-스칸듐-알루미늄 가닛(gadolinium-scandium-aluminum garnet)), (GGG ― 가돌리늄-갈륨 가닛(gadolinium-gallium garnet)), (GYSAG ― 가돌리늄-이트륨-스칸듐-알루미늄 가닛(gadolinium-yttrium-scandium-aluminum garnet)) 또는 (GLAGG ― 가돌리늄-루테튬-알루미늄-갈륨 가닛(gadolinium-lutetium-aluminum-gallium garnet))이다. 전술한 화학식들에 의해 표현되는 다결정질 또는 단결정들 각각은, 원하는 경우, 세륨 또는 프라세오디뮴으로 공동-도핑될(co-doped) 수 있다.
[0035] 텍스처링된 표면을 제조하기 위해 이용될 수 있는 다른 조성은 화학식(2), 화학식(3) 또는 화학식(4)을 갖는 요오드화물(iodide)들을 포함하며,
Figure pat00003
여기서 A는 본질적으로, 리튬, 나트륨(sodium), 칼륨(potassium), 루비듐, 세슘, 또는 이들의 조합과 같은 임의의 알칼리 금속 원소(alkali metal element)로 이루어지며, 여기서
Figure pat00004
이고, 바람직하게는
Figure pat00005
이고, 그리고 더 바람직하게는
Figure pat00006
이다. 일부 실시예들에서, 예시적 조성들은
Figure pat00007
,
Figure pat00008
및
Figure pat00009
를 포함한다. 예시적 조성들은
Figure pat00010
및
Figure pat00011
을 포함한다.
[0036] 일부 다른 실시예들에서, 텍스처링된 표면을 제조하기 위해 이용될 수 있는 다른 조성은 화학식(5) 또는 화학식(6)을 갖는 브롬화물(bromide)들 또는 할로겐화물(halide)들을 포함하며,
Figure pat00012
여기서
Figure pat00013
이고; 바람직하게는
Figure pat00014
이고, 그리고 더 바람직하게는
Figure pat00015
이며; 여기서 A는 Li, Na, K, Rb, 또는 이들의 조합이고; 그리고 여기서 M6은 세륨, 스칸듐, 이트륨, 란타늄, 루테튬, 가돌리늄, 프라세오디뮴, 테르븀, 이테르븀, 네오디뮴, 또는 이들의 조합이다.
[0037] 다른 실시예들에서, 텍스처링된 표면을 제조하기 위해 이용되는 조성들은 화학식(7)을 갖는 루테튬 오소실리케이트들(lutetium orthosilicates)(LSO)이며,
Figure pat00016
여기서 M7은 세륨, 스칸듐, 이트륨, 란타늄, 루테튬, 가돌리늄, 프라세오디뮴, 테르븀, 이테르븀, 네오디뮴, 또는 이들의 조합이고, 바람직하게는 세륨이며; 여기서 x는 0.001 내지 0.1이고, 바람직하게는 0.005 내지 0.015이다. 예시적 LSO 조성은
Figure pat00017
이다.
[0038] 신틸레이터 재료들을 만들기 위해 이용되는 분말들은, 2 나노미터(nanometers) 내지 500 마이크로미터, 바람직하게는 5 나노미터 내지 50 나노미터의 범위의 평균 입자 크기를 갖는 입자들을 포함한다. 평균 입자 크기를 결정하기 위해, 입자들의 회전 반경이 측정된다. 입자 크기를 결정하기 위해, 광 산란 또는 전자 마이크로스코피(electron microscopy)가 이용될 수 있다.
[0039] 분말들은 볼 밀(ball mill), 롤 밀(roll mill), 또는 다른 분쇄 디바이스(pulverizing device)에서 추가로 분쇄될 수 있다. 그 다음으로, 특정 크기의 입자들을 이용하는 것이 바람직한 경우, 분쇄된 분말들은 선택적 체질 프로세스(sieving process)를 겪을 수 있다. 분말 입자들은 스프레이 플레임 열분해(FSP; Spray Flame Pyrolysis), 플레임 스프레이 보조 열분해(FSAP; Flame Spray Assisted Pyrolysis) 방법들을 이용하여 또는 졸-겔 합성-기반 방법(sol-gel synthesis-based method)들을 포함한 다양한 '습식 화학' 합성 방법들을 이용함으로써 만들어질 수 있다.
[0040] 원하는 분말들이 몰드(또한 다이(die)로 지칭됨)에 배치되어, 등방압 가압(isostatic pressing)(또한 유체정역학적 가압(hydrostatic pressing) 또는 고온 등방압 가압(hot isostatic pressing)으로 지칭됨) 또는 일축 압축(uniaxial compression)을 겪을 수 있다. 등방압 가압은 실온(23℃)에서 또는 상승된 온도들에서 실시될 수 있다. 등방압 가압에서, 분말이 기체와 또는 스스로와 화학적으로 반응하지 않도록, 몰드에 포함된 분말들에 압력을 인가하기 위해, 아르곤과 같은 불활성 기체가 이용될 수 있다. 몰드는 선택적으로 가열되어, 몰드 내측의 압력이 증가되도록 야기한다. 많은 시스템들은 원하는 압력 레벨(pressure level)을 달성하기 위해, 연관된 기체 펌핑(gas pumping)을 이용한다. 압력은 모든 방향들로부터(그러므로 용어 "등방압(isostatic)"임) 재료에 인가된다.
[0041] 불활성 기체는 7,350 psi(1 MPa) 내지 45,000 psi(500 MPa), 바람직하게는 10,000 psi(66 MPa) 내지 30,000 psi(195 MPa)의 압력으로 등방압으로(isostatically)(또한 유체정역학적으로(hydrostatically)라고 지칭됨) 인가된다. 일부 실시예들에서, 가압 동안의 온도는 실온일 수 있다. 다른 실시예에서, 등방압 또는 일축 압력의 인가 동안 900℉(482℃) 내지 3992℉(2200℃), 바람직하게는 1472℉(800℃) 내지 3962℉(2000℃), 그리고 더 바람직하게는 1650℉(900℃) 내지 1750℉(3182℃)의 상승된 온도들이 이용될 수 있다.
[0042] 대류성 또는 전도성 열 전달을 통해 어닐링이 바람직하게 실시된다. 실시예에서, 대류성 또는 전도성 가열과 동시에 또는 순차적으로 방사성 가열(예컨대, 무선주파수 가열, 마이크로파 가열(microwave heating), 또는 적외선 가열)이 실시될 수 있다. 실시예에서, 가열은, 샘플(sample)이 여전히 프레스(press)에 있고 그리고 압력 하에 있는 동안, 전도를 통해 또는 전도와 대류의 조합을 통해 실시된다.
[0043] 조성의 가열 및 가압은 동시에 또는 순차적으로 실시될 수 있다. 실시예에서, 조성의 가열 및 가압은 동시에 실시될 수 있다. 열과 압력의 동시적인 인가는 소성 변형(plastic deformation), 크리프(creep), 결정 입계 성장 및 확산 본딩의 조합을 통해 내부 보이드(void)들 및 미세다공성(microporosity)을 제거한다. 프로세스는 컴포넌트(component)의 내피로성(fatigue resistance)을 개선하고, 사용 동안 크래킹 및 크레이즈(craze)들을 감소시킨다.
[0044] 일축 압축에서, 등방압 압축에 대해 위에서 정의된 압력들 및 온도들이 이용될 수 있다. 그러나, 압축 압력은, 신틸레이터 재료를 생성하기 위해 2개의 상호 대향하는 방향들로만 인가된다. 일축 압축에서, 압력은, 몰드의 벽들로부터 작은 간극(clearance)을 둔 대향하는 램(ram)들을 이용함으로써 몰드에 포함된 분말에 인가될 수 있다. 벽 간극은 램들이 몰드에 시징되는(seized) 것을 방지하기 위해 이용된다. 벽 간극은 분말 입자 크기에 종속적이고, 입자 크기들에 따라 변화될 수 있다. 입자 크기가 더 클수록, 벽 공동 간극이 더 크다.
[0045] 일부 실시예들에서, 가압 동작 동안 결합제(binder) 또는 윤활제(lubricant)가 분말과 함께 이용될 수 있다. 윤활제는 압축 동안 몰드에서의 램들의 이동의 용이성을 촉진한다. 결합제는 입자들을 결합하여 가압 동작 동안 입자 손실을 방지하기 위하여 이용될 수 있다.
[0046] 텍스처링은 다양한 상이한 기하학적 오브젝트들을 신틸레이터 재료의 출구 표면 상에 배치하는 것을 포함할 수 있다. 텍스처링은 외향형 돌출부들 또는 내향형 돌출부들을 포함할 수 있다. 외향형 돌출부는 신틸레이터 재료의 출구 표면 상에 기하학적 오브젝트를 배치하는 것을 포함할 수 있다. 내향형 돌출부는 신틸레이터 재료의 출구 표면에서 신틸레이터 재료로부터 기하학적 오브젝트를 절삭하는 것을 포함할 수 있다. 그러므로, 내향형 돌출부는 기하학적 오브젝트를 수용하기 위해 신틸레이터 재료로부터의 공동화(hollowing)를 포함할 것이다. 내향형 돌출부와 외향형 돌출부의 조합들이 또한 이용될 수 있다. 실시예에서, 텍스처링은 광자 결정(photonic crystal)들인 기하학적 오브젝트들을 포함할 수 있다. 광자 결정은, 이온 격자(ionic lattice)들이 고체들에서의 전자들의 움직임에 영향을 미치는 것과 대체로 동일한 방식으로 광자들의 움직임에 영향을 미치는 주기적 광학 나노구조(periodic optical nanostructure)이다.
[0047] 기하학적 구조들은 바람직하게, 3차원 기하학적 구조들이며, 기하학적 오브젝트의 기저부(base)가 신틸레이터 재료의 출구 표면에 접촉하는 방식으로 배치된다. 선택된 (기하학적 오브젝트의) 기하학적 구조는 바람직하게, 광자가 임계각 미만의 각도로 기하학적 오브젝트의 출구 표면에 접촉하는 기하학적 구조여야 한다. 기하학적 구조들은 각뿔들, 원뿔(cone)들, 반구(hemisphere)들, 타원체(ellipsoid)들, 절단 각뿔들, 버키볼(buckyball)들(풀러린(fullerene)들), 절단 원뿔(truncated cone)들, 절단 반구들, 절단 타원체들, 절단 구들, 절단 풀러린들 등 또는 이들의 조합을 포함한다. 형상들의 조합들, 이를테면, 절단 각뿔 상에 장착된 풀러린, 원뿔형 섹션(conical section) 상에 장착된 구(sphere) 등이 이용될 수 있다. 계층적 구조들이 또한 이용될 수 있다. 예컨대, 텍스처링을 형성하기 위해, 다른 반구 상에 배치된 반구가 또한 이용될 수 있다. 예시적 실시예에서, 신틸레이터 재료의 출구 표면 상에 배치된 기하학적 오브젝트는 각뿔이다.
[0048] 도 3a는 신틸레이터 재료의 출구 표면 상에 배치된 복수의 각뿔들(104)을 도시한다. 도 3b는 신틸레이터 재료의 출구 표면 상에 배치된 복수의 타원체들(105)을 도시한다. 도 3c는 신틸레이터 재료의 출구 표면 상에 배치된 복수의 반구들(107)을 도시한다. 도 3d는 신틸레이터 재료의 출구 표면 상에 배치된 복수의 절단 각뿔들(109)을 도시한다. 도 3d가 신틸레이터 재료의 출구 표면과 평행한 것으로 절단 표면을 도시하지만, 원하는 경우, 평행하지 않을 수 있다.
[0049] 기하학적 오브젝트의 측면과 출구 표면 사이의 접촉 각도는 광자 추출의 효율을 결정한다. 도 4a는 기하학적 오브젝트가 예컨대, 각뿔(104)과 같은 외향형 돌출부일 때, 각도가 어떻게 측정되는지를 도시한다. 도 4a에서, 각뿔(104)의 측면과 신틸레이터 재료(102)의 출구 표면 사이의 각(α)은 추출 효율의 척도(measure)로서 이용된다. 이러한 접근방식은 절단 각뿔들, 원뿔들, 원뿔형 섹션들 등과 같은 다른 기하학적 오브젝트들에 대해 이용될 수 있다.
[0050] 도 4b에서, 2개의 기하학적 오브젝트들, 즉, 외향형 돌출 기하학적 오브젝트(타원체(105)) 및 내향형 돌출 기하학적 오브젝트(웨지(wedge)(111))가 존재한다. 외향형 돌출 기하학적 오브젝트는 타원체(105)이다. 신틸레이터 재료의 출구 표면과, 이 출구 표면과 타원체의 에지(edge)의 접촉점에서의 타원체의 표면에 대한 접선(tangent) 사이의 각도(α)가 추출 효율의 척도로서 이용된다. 이러한 접근방식은 반구들, 풀러린들, 절단 풀러린들 등과 같은 다른 기하학적 오브젝트들에 대해 이용될 수 있다.
[0051] 도 4b의 내향형 돌출 기하학적 오브젝트의 경우, 신틸레이터 재료의 출구 표면과, 이 출구 표면과 웨지(111)의 에지의 접촉점에서의 웨지(111)의 표면에 대한 접선 사이의 각도(α)가 추출 효율의 척도로서 이용된다.
[0052] 각도(α)는 바람직하게, 신틸레이터 재료에 대한 임계각 미만이다. 실시예에서, 외향형 돌출부들의 경우, 각도(α)는 25도 내지 60도로, 바람직하게는 30도 내지 55도로, 그리고 더 바람직하게는 35도 내지 45도로 변화될 수 있다. 내향형 돌출부들의 경우, α는 90도보다 더 클 수 있고, 25도 내지 135도로, 바람직하게는 65도 내지 130도로, 그리고 더 바람직하게는 95도 내지 125도로 변화될 수 있다는 것을 주목해야 한다. 표 1은 아래에서, 텍스처링된 표면들을 갖는 신틸레이터에서 각도(α)에 따라 광자들의 추출 효율이 어떻게 변화되는지를 도시한다. 표 1에서 도시된 값들은 시뮬레이션 연구(simulation study)의 결과이다.
Figure pat00018
[0053] 시뮬레이션은, 계면에 접근하는 상당히 더 많은 양의 광자들이 다수의 내부 반사들을 겪지 않고서 성공적으로 추출될 수 있다는 것을 보여준다. LSO를 이용한 계산들은, 40도의 값을 갖는 α의 경우, α가 0도의 값을 갖는 그러한 표면들보다, 약 17%의 광 수율의 증가를 표시한다. 위의 데이터(data)로부터, 신틸레이터 재료의 출구 표면 상에 기하학적 오브젝트들을 배치함으로써, 광자들의 추출 효율이 5% 초과의, 바람직하게는 5 내지 25%, 바람직하게는 8 내지 22%, 그리고 더 바람직하게는 10 내지 20%의 양만큼 증가된다는 것이 확인될 수 있다.
[0054] 실시예에서, 신틸레이터 재료의 출구 표면 상에 배치된 각각의 기하학적 오브젝트는, 대략 광의 파장인 치수(dimension)들을 갖는다(즉, 그들은 마이크로미터 및 나노미터 치수 범위에 있음). 실시예에서, 기하학적 오브젝트의 치수들(이를테면, 각뿔의 폭(들) 및 높이, 또는 구의 반경 또는 타원체의 작은 축 및 큰 축)은 50 나노미터 내지 700 나노미터, 바람직하게는 100 내지 600 나노미터, 그리고 더 바람직하게는 300 내지 500 나노미터이다. 기하학적 오브젝트들 사이의 주기성은 50 나노미터 내지 1000 마이크로미터, 바람직하게는 400 나노미터 내지 500 마이크로미터일 수 있다.
[0055] 일 실시예에서, 텍스처링은, 기하학적 오브젝트들이 컴퓨터(computer) 제어 하에 신틸레이터의 표면에 부가되는 적층 제조(3D 프린팅(3D printing))를 이용하여 부가될 수 있다. 3D 제조에서, 원하는 기하학적 구조의 오브젝트를 형성하기 위해 컴퓨터 제어 하에 재료의 연속적인 층들이 형성된다. 특히, 적층 제조는 기하학적 오브젝트를 형성하기 위해 신틸레이터 재료의 연속적인 층들을 부가하는 것을 포함한다. 전체적인 오브젝트(부가된 기하학적 오브젝트들을 가진 신틸레이터 재료)는 원하는 경우, 입자 성장(grain growth)을 촉진하기 위해 적절한 온도들에서 선택적 어닐링을 겪을 수 있다. 신틸레이터 재료를 제조하기 위한 본원에서 개시된 방법은 다수의 이점들을 갖는다. 크레이징 또는 크래킹을 야기하지 않으면서 광자 추출 효율을 개선하기 위해, 텍스처링이 신틸레이터 재료 상에 배치될 수 있다. 이는, 소성 변형, 크리프, 및 결정 입계 성장을 통해 내부 보이드들 및 미세다공성을 감소시키거나 제거한다. 프로세스는 컴포넌트의 내피로성을 개선한다. 본원에서 제조된 신틸레이터 재료들은, 이미징(imaging) 물품들 및 디바이스들, 이를테면, 예컨대, 양전자 방출 단층촬영(positron emission tomography), 컴퓨터 단층촬영(computed tomography) 또는 단일 광자 방출 컴퓨터 단층촬영(single photon emission computed tomography) 머신(machine)들에서 이용될 수 있다.
[0056] 본원에서 개시된 신틸레이터 재료 및 방법은 다음의 비-제한적 예에 의해 예시된다.
예
[0057] 이러한 예는 결정의 출구 표면 상에 배치된 복수의 기하학적 오브젝트들의 치수들의 최적화에 따라 추출 효율이 어떻게 증가되는지를 보여준다. 도 5는 텍스처링이, 신틸레이터 재료의 출구 표면 상에 복수의 각뿔들을 배치하는 것을 포함하는 일 실시예를 도시한다. 각뿔의 기저부의 폭들은 100 마이크로미터 내지 500 마이크로미터로 변화되었다. 각뿔들 사이의 피치(pitch)(주기성)는 500 마이크로미터가 되도록 선택되었다. 도 6은 폭이 100 마이크로미터 내지 600 마이크로미터로 변화될 때, 이득 광 수율(gain light yield)이 최대 27%만큼 증가되는 것을 도시하는 그래프이다.
[0058] 도 7은 텍스처가 절단 각뿔들을 포함하는 표면을 도시한다. 도 8은 도 7의 텍스처의 표면으로부터의 광 수율을 도시하는 그래프이다. 각뿔의 폭이 600 내지 1400 마이크로미터일 때, 광 수율의 이득이 최대 20%만큼 증가되는 것이 도 8로부터 확인될 수 있다.
[0059] 본원에서 상세하게 설명된 모든 범위들은 종말점(endpoint)들을 포함한다는 것을 주목해야 한다. 상이한 범위들로부터의 수치값들은 결합가능하다.
[0060] 전환 용어 '포함하는'은 전환 용어들 "~으로 이루어지는" 및 "본질적으로 ~으로 이루어지는"을 포함한다.
[0061] 용어 "및/또는"은 "및"뿐만 아니라 "또는" 둘 모두를 포함한다. 예컨대, "A 및/또는 B"는 A, B, 또는 A 및 B가 되도록 해석된다.
[0062] 단수 표현들은, 수량의 제한을 표시하지 않으며, 본원에서 달리 표시되거나 또는 맥락에 의해 명확하게 모순되지 않는 한, 단수 및 복수 둘 모두를 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
[0063] "일부 실시예들", "실시예" 등에 대한 본 명세서 전반에 걸친 참조는, 실시예와 관련하여 설명된 특정 엘리먼트가 본원에서 설명된 적어도 하나의 실시예에 포함되고 다른 실시예들에서는 존재할 수 있거나 또는 존재하지 않을 수 있다는 것을 의미한다. 부가하여, 설명된 엘리먼트들이 다양한 실시예들에서 임의의 적절한 방식으로 조합될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
[0064] 본 발명이 일부 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 본 발명의 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 변경들이 이루어질 수 있고 등가물들이 그것의 엘리먼트들로 대체될 수 있다는 것이 당업자들에 의해 이해될 것이다. 부가하여, 본 발명의 본질적인 범위로부터 벗어남이 없이, 특정 상황 또는 재료를 본 발명의 교시들에 적응시키기 위해 많은 수정들이 이루어질 수 있다. 그러므로, 본 발명은 본 발명을 수행하기 위해 고려된 최상의 모드(mode)로서 개시된 특정 실시예들로 제한되는 것이 아니라, 본 발명은 첨부된 청구항들의 범위 내에 있는 모든 실시예들을 포함할 것으로 의도된다.
[0065] 다음이 청구된다:

Claims (27)

  1. 방법으로서,
    신틸레이터 재료(scintillator material)를 제조하기 위한 조성을 갖는 분말(powder)을 몰드(mold)에 배치하는 단계; 및
    상기 신틸레이터 재료를 형성하기 위해 상기 분말을 압축하는 단계를 포함하고,
    상기 신틸레이터 재료의 출구 표면(exit surface)은 복수의 돌출부들을 포함하는 텍스처(texture)를 갖고, 상기 복수의 돌출부들은, 상기 출구 표면에서의 내부 전반사를 감소시키고 그리고 상기 출구 표면을 나가는 광자들의 양을, 상기 돌출부들을 갖지 않은 표면보다, 5% 초과의 또는 5%와 동일한 양만큼 증가시키는,
    방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 신틸레이터 재료는 화학식(1)의 조성을 가지며,
    Figure pat00019

    여기서,
    Figure pat00020
    는 산소를 나타내고,
    M1, M2, M3, 및 M4는 서로 상이한 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 금속을 나타내고,
    a + b + c+ d의 합은 약 8이고,
    여기서,
    "a"는 약 2 내지 약 3.5의 값을 갖고,
    "b"는 0 내지 약 5의 값을 갖고,
    "c"는 0 내지 약 5의 값을 갖고,
    "d"는 0 내지 약 1의 값을 갖고, 여기서, "b"와 "c", "b"와 "d" 또는 "c"와 "d"는 둘 모두가 동시에 0과 동일할 수 없으며,
    M1은 이에 제한되는 것은 아니지만, 가돌리늄, 이트륨, 루테튬, 스칸듐, 또는 이들의 조합을 포함하는 희토류 원소이고,
    M2는 알루미늄 또는 붕소이고,
    M3은 갈륨이고, 그리고
    M4는 코도펀트(codopant)이고, 그리고 탈륨, 구리, 은, 납, 비스무트, 인듐, 주석, 안티몬, 탄탈륨, 텅스텐, 스트론튬, 바륨, 붕소, 마그네슘, 칼슘, 세륨, 이트륨, 스칸듐, 란타늄, 루테튬, 프라세오디뮴, 테르븀, 이테르븀, 사마륨, 유로퓸, 홀뮴, 디스프로슘, 에르븀, 툴륨 또는 네오디뮴 중 하나를 포함하는,
    방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    M1에 대해, 상기 가돌리늄의 일부는, 이트륨, 루테튬, 란타늄, 테르븀, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 세륨, 사마륨, 유로퓸, 디스프로슘, 홀뮴, 에르븀, 이테르븀, 또는 이들의 조합들 중 하나 또는 그 초과로 대체될 수 있는,
    방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    M1은 가돌리늄이고 그리고 M2는 알루미늄인,
    방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    "a"는 약 2.4 내지 약 3.2의 값을 갖고,
    "b"는 약 2 내지 약 3의 값을 갖고,
    "c"는 약 1 내지 약 4의 값을 갖고, 그리고
    "d"는 약 0.001 내지 약 0.5의 값을 갖는,
    방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌출부들은 외향형(outward) 돌출부들, 내향형(inward) 돌출부들 또는 이들의 조합을 포함하는,
    방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌출부들은, 30 내지 60도의 각도로 상기 출구 표면에 대해 경사지는 측면을 갖는 기하학적 오브젝트(geometrical object)들을 포함하는,
    방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    기하학적 오브젝트들은, 크기가 50 내지 700 나노미터(nanometers)인 적어도 하나의 치수(dimension)를 갖는,
    방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    기하학적 오브젝트들은 각뿔(pyramid)들, 원뿔(cone)들, 반구(hemisphere)들, 타원체(ellipsoid)들, 절단 각뿔(truncated pyramid)들, 풀러린(fullerene)들, 절단 원뿔들, 절단 반구들, 절단 타원체들, 절단 구(truncated sphere)들, 절단 풀러린들, 또는 이들의 조합인,
    방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    기하학적 오브젝트들 사이의 주기성은 300 나노미터 내지 1000 마이크로미터(micrometers)인,
    방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 분말을 압축하는 단계는 일축 압축(uniaxial compression) 또는 등방압 압축(isostatic compression)을 포함하는,
    방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    열적 전도 또는 대류를 통해 상기 분말을 가열하는 단계를 더 포함하는,
    방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    전자기 방사를 통해 상기 분말을 가열하는 단계를 더 포함하는,
    방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 일축 압축 또는 등방압 압축은 1 MPa 내지 500 MPa의 압력에서 실시되는,
    방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 일축 압축은 실온에서 실시되는,
    방법.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 분말은 480℃ 내지 2200℃의 온도로 가열되는,
    방법.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 압축 동안 상기 신틸레이터 재료에서 결정 입계 성장(grain boundary growth)이 발생하는,
    방법.
  18. 방법으로서,
    적층 제조(additive manufacturing)에 의해 기하학적 오브젝트를 신틸레이터 재료의 출구 표면 상에 배치하는 단계를 포함하고,
    상기 적층 제조는 상기 기하학적 오브젝트를 형성하기 위해 신틸레이터 재료의 연속적인 층들을 부가하는 것을 포함하고, 그리고
    상기 기하학적 오브젝트들은, 상기 출구 표면에서의 내부 전반사를 감소시키고 그리고 상기 출구 표면을 나가는 광자들의 양을, 상기 기하학적 오브젝트를 갖지 않은 표면보다, 5% 초과의 또는 5%와 동일한 양만큼 증가시키는,
    방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 신틸레이터 재료를 가열하는 단계를 더 포함하는,
    방법.
  20. 물품(article)으로서,
    방법에 의해 제조되는 텍스처링된 출구 표면(textured exit surface)을 갖는 신틸레이터 재료를 포함하고,
    상기 방법은,
    상기 신틸레이터 재료를 제조하기 위한 조성을 갖는 분말을 몰드에 배치하는 단계, 및
    상기 신틸레이터 재료를 형성하기 위해 상기 분말을 압축하는 단계를 포함하고,
    상기 신틸레이터 재료의 출구 표면은 복수의 돌출부들을 포함하는 텍스처를 갖고, 상기 복수의 돌출부들은, 상기 출구 표면에서의 내부 전반사를 감소시키고 그리고 상기 출구 표면을 나가는 광자들의 양을, 상기 돌출부들을 갖지 않은 표면보다, 5% 초과의 또는 5%와 동일한 양만큼 증가시키는,
    물품.
  21. 제 20 항에 있어서,
    외향형 돌출부들은, 30 내지 60도의 각도로 상기 출구 표면에 대해 경사지는 측면을 갖는 기하학적 오브젝트들을 포함하는,
    물품.
  22. 제 20 항에 있어서,
    기하학적 오브젝트들은, 크기가 50 내지 700 나노미터인 적어도 하나의 치수를 갖는,
    물품.
  23. 제 20 항에 있어서,
    기하학적 오브젝트들은 각뿔들, 원뿔들, 반구들, 타원체들, 절단 각뿔들, 풀러린들, 절단 원뿔들, 절단 반구들, 절단 타원체들, 절단 구들, 절단 풀러린들, 또는 이들의 조합인,
    물품.
  24. 제 20 항에 있어서,
    기하학적 오브젝트들 사이의 주기성은 50 나노미터 내지 1000 마이크로미터인,
    물품.
  25. 제 20 항에 있어서,
    기하학적 오브젝트들은 광자 결정(photonic crystal)들을 포함하는,
    물품.
  26. 제 20 항의 물품을 포함하는 이미징 디바이스(imaging device).
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 이미징 디바이스는 양전자 방출 단층촬영(positron emission tomography), 컴퓨터 단층촬영(computed tomography) 또는 단일 광자 방출 컴퓨터 단층촬영(single photon emission computed tomography) 머신(machine)인,
    이미징 디바이스.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10197685B2 (en) * 2015-12-01 2019-02-05 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Method for controlling gallium content in gadolinium-gallium garnet scintillators
US10961452B2 (en) 2015-12-01 2021-03-30 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Method for controlling gallium content in gadolinium-gallium garnet scintillators
US11014854B2 (en) 2017-08-07 2021-05-25 Consolidated Nuclear Security, LLC Ceramic radiation detector device and method
JP2019047037A (ja) * 2017-09-05 2019-03-22 株式会社東芝 光検出器
EP3495849A1 (en) * 2017-12-11 2019-06-12 Koninklijke Philips N.V. Multilayer pixelated scintillator with enlarged fill factor
CN108761517B (zh) * 2018-04-19 2021-09-03 同济大学 一种内置型光子晶体闪烁体
US11335472B2 (en) 2019-02-03 2022-05-17 Our United Corporation Source storing apparatus, source guiding system, and source guiding method
WO2021070175A1 (en) 2019-10-10 2021-04-15 Technion Research And Development Foundation Ltd. Scintillator structure and a method for emitting an output signal at a specific wavelength range
US10940639B1 (en) 2020-01-29 2021-03-09 The Florida International University Board Of Trustees Glass scintillators and methods of manufacturing the same
CN112939592B (zh) * 2021-02-07 2022-11-08 中国科学院上海光学精密机械研究所 镁钙离子共掺石榴石超快闪烁陶瓷及其制备方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0634119B2 (ja) * 1986-12-27 1994-05-02 富士写真フイルム株式会社 放射線像変換パネル
US4769353A (en) * 1986-11-04 1988-09-06 General Electric Company Strontium-containing yttrium oxide ceramic body
JPH03158713A (ja) * 1989-11-16 1991-07-08 Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd Ｘ線利用検査装置並びに該装置に用いるｘ線ラインセンサーおよびその製造方法
US5208460A (en) * 1991-09-23 1993-05-04 General Electric Company Photodetector scintillator radiation imager having high efficiency light collection
JP3144017B2 (ja) * 1992-01-08 2001-03-07 日立金属株式会社 放射線検出器
JPH09325185A (ja) * 1996-06-03 1997-12-16 Toshiba Fa Syst Eng Kk 放射線検出器とその製造方法と透視検査装置とｃｔスキャナ
WO1999033934A1 (fr) * 1997-12-24 1999-07-08 Hitachi Medical Corporation Luminophores et detecteurs de rayonnement et unites de tomodensitometrie formes a partir de ces luminophores
JP2004150932A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Toshiba Corp 放射線平面検出器
US7576329B2 (en) * 2003-10-17 2009-08-18 General Electric Company Scintillator compositions, and related processes and articles of manufacture
RU2350579C2 (ru) * 2004-05-17 2009-03-27 Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Исследовательский И Технологический Институт Оптического Материаловедения" Всероссийского Научного Центра "Государственный Оптический Институт Им. С.И.Вавилова" Флуоресцентная керамика
JP4860368B2 (ja) * 2006-06-27 2012-01-25 富士フイルム株式会社 ガーネット型化合物とその製造方法
KR20100107001A (ko) * 2007-12-03 2010-10-04 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 산란이 감소된 ｌｅｄ를 위한 세라믹 재료 및 그것을 제조하는 방법
JP5229320B2 (ja) * 2008-07-25 2013-07-03 コニカミノルタエムジー株式会社 シンチレータパネル及びそれを具備した放射線画像検出装置
WO2010078220A2 (en) * 2008-12-30 2010-07-08 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Scintillation device and method of producing a ceramic scintillator body
JP5441798B2 (ja) * 2010-04-07 2014-03-12 キヤノン株式会社 放射線検出素子の製造方法及び放射線検出素子
JP2011232197A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Konica Minolta Medical & Graphic Inc シンチレータパネル及び放射線画像検出装置
JP5498908B2 (ja) * 2010-09-29 2014-05-21 株式会社東芝 固体シンチレータ用材料、固体シンチレータ、およびそれを用いた放射線検出器並びに放射線検査装置
CN102869748B (zh) * 2010-10-29 2015-01-07 日立金属株式会社 软x射线检测用多晶闪烁器及其制造方法
US8981305B2 (en) * 2011-05-12 2015-03-17 University Of Florida Research Foundation, Inc. Index of refraction matched nanoparticles and methods of use
JP5767512B2 (ja) * 2011-06-07 2015-08-19 キヤノン株式会社 放射線検出素子及び放射線検出器
CN102850047A (zh) * 2011-06-29 2013-01-02 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 基于掺杂的镥铝石榴石(LuAG)或其他镥铝氧化物的透明陶瓷闪烁体的制造方法
JP2013134097A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Canon Inc シンチレータパネル、放射線検出装置、及び、それらを用いた放射線検出システム
CN104169392B (zh) * 2012-03-15 2016-06-22 株式会社东芝 固体闪烁体、放射线检测器及放射线检查装置
US9006668B2 (en) * 2012-10-02 2015-04-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Method to improve light extraction from scintillators
CN104918984A (zh) * 2012-10-31 2015-09-16 陶氏环球技术有限责任公司 共聚物与介电材料的纳米复合物
US11584885B2 (en) * 2013-01-23 2023-02-21 University Of Tennessee Research Foundation Codoping method for modifying the scintillation and optical properties of garnet-type scintillators
WO2015118533A1 (en) * 2014-02-04 2015-08-13 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd Methods for fabricating 3-dimentional scintillators
JP6593169B2 (ja) * 2014-05-30 2019-10-23 東レ株式会社 シンチレータパネル、放射線画像検出装置およびその製造方法
CN105439561A (zh) * 2014-08-14 2016-03-30 清华大学 一种硫氧化钆闪烁陶瓷制备方法
CN104557012B (zh) * 2014-12-18 2017-03-08 徐州市江苏师范大学激光科技有限公司 一种Pr：LuAG闪烁陶瓷的制备方法
CN104962994B (zh) * 2015-07-30 2017-09-26 山东大学 导模法生长特定尺寸稀土掺杂含镓石榴石系列晶体的方法

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RU2016146110A (ru) 2018-05-24
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