JP5441798B2 - 放射線検出素子の製造方法及び放射線検出素子 - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] Chemical compound [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyparaxylylene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
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- H—ELECTRICITY
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Description
を備える放射線検出素子の製造方法であって、
表面に、凹凸部と該凹凸部で周囲を囲まれた互いに離間する複数の平坦部とを有する基板を用意する工程と、
前記凹凸部と平坦部とを有する基板にシンチレータ材を堆積させ、前記平坦部と前記凸部とにそれぞれ第一柱状シンチレータと第二柱状シンチレータとを形成する工程とを有し、
前記凹凸構造の凹部の深さhと、凸部間距離dとが、h/d≧1の関係式を満たすことを特徴とする。
先ず、基材12に平坦部3及び凸部4を設けて、凹凸部と平坦部3を有する基板1を形成する。具体的には、石英からなる基材12上に、フォトレジスト(SU−8 3005)をスピンコート法によって4μmの厚みで塗布し、フォトレジストが塗布された基材12を、95℃に加熱したホットプレートで加熱した後、平端部と凸部に対応したパターンのマスクを介して露光を行う。次に、露光を終えたフォトレジストを有する基材12を95℃に加熱し、SU−8用の現像液(デベロッパー)を用いて現像を行う。最後に現像を終えたフォトレジストパターンを有する基材12を120℃で焼成し、基材12上に平坦部3及び凸部4を形成した。このようにして形成された、凹凸部とこの凹凸部で周囲を囲まれた互いに離間する複数の平坦部3とを有する基板1を図2の(a)、(b)に示す。図2の(a)は基板1の上面図であり、図2の(b)は図2の(a)におけるA−B間の断面図である。尚、図2の(b)は発明の理解のため、図2の(a)とは平坦部3と凸部4の縮尺を異ならせている。本サンプルでは、平端部3を、基材12の表面からの高さが3μm(図中Z方向の長さ)、上面の各辺の長さ(図中X方向及びY方向の各長さ)が50μmの直方体形状、凸部4を、基材12からの高さ(凹部10の深さ)hが3μm、上面の直径が3μmの円柱形状で作成した。尚、隣り合う凸部4の間の距離dは2μmとした。そして、凸部4が互いに隣り合う平坦部3の間で千鳥格子状に配列されるように形成した。以上のようにして、基材12上に凸部4と平坦部3とを形成し、凹凸部とこの凹凸部で周囲を囲まれた互いに離間する複数の平坦部3とを有する基板1を用意した。
本サンプルはサンプル1とは異なる凹凸部及び平坦部3のパターンを用いた例である。
2 光検出部材
3 平坦部
4 凸部
6 第一柱状シンチレータ
7 第二柱状シンチレータ
10 凹部
11 放射線検出素子
Claims (8)
- 互いに離間する複数の第一柱状シンチレータと、隣り合う第一柱状シンチレータの間に位置し該隣り合う第一柱状シンチレータと離間する第二柱状シンチレータとを備える基板と、それぞれが前記複数の第一柱状シンチレータのそれぞれと重なって位置する複数の光検出部材と、
を備える放射線検出素子の製造方法であって、
表面に、凹凸部と該凹凸部で周囲を囲まれた互いに離間する複数の平坦部とを有する基板を用意する工程と、
前記凹凸部と平坦部とを有する基板にシンチレータ材を堆積させ、前記平坦部と前記凸部とにそれぞれ第一柱状シンチレータと第二柱状シンチレータとを形成する工程とを有し、
前記凹凸部の凹部の深さhと、凸部間距離dとが以下の関係式を満たすことを特徴とする放射線検出素子の製造方法。
h/d≧1 - 前記凸部間距離dが2μm以上且つ10μm以下であり、尚且つ凸部の周期が5μm以上且つ15μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出素子の製造方法。
- 前記平坦部の面積が、前記光検出部材の面積以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の放射線検出素子の製造方法。
- 隣り合う平坦部の間に複数の凸部が位置し、該複数の凸部が千鳥格子状に配列していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の放射線検出素子の製造方法。
- 互いに離間する複数の第一柱状シンチレータと、隣り合う第一柱状シンチレータの間に位置し該隣り合う第一柱状シンチレータと離間する第二柱状シンチレータとを備える基板と、それぞれが前記複数の第一柱状シンチレータのそれぞれと重なって位置する複数の光検出部材と、を備える放射線検出素子であって、
前記基板は、表面に凹凸部と該凹凸部で周囲を囲まれた平坦部とを有し、前記第一柱状シンチレータが前記平坦部上に位置し、前記第二柱状シンチレータが前記凹凸部上に位置しており、前記凹凸部の凹部の深さhと、凸部間距離dとが以下の関係式を満たすことを特徴とする放射線検出素子。
h/d≧1 - 前記凸部間距離dが2μm以上且つ10μm以下であり、尚且つ凸部の周期が5μm以上且つ15μm以下であることを特徴とする請求項5に記載の放射線検出素子。
- 前記平坦部の面積が、前記光検出部材の面積以上であることを特徴とする請求項5または6に記載の放射線検出素子。
- 隣り合う平坦部の間に複数の凸部が位置し、該複数の凸部が千鳥格子状に配列していることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載の放射線検出素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010088795A JP5441798B2 (ja) | 2010-04-07 | 2010-04-07 | 放射線検出素子の製造方法及び放射線検出素子 |
US13/072,579 US8138011B2 (en) | 2010-04-07 | 2011-03-25 | Radiation-detecting device and method of manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010088795A JP5441798B2 (ja) | 2010-04-07 | 2010-04-07 | 放射線検出素子の製造方法及び放射線検出素子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011220774A JP2011220774A (ja) | 2011-11-04 |
JP2011220774A5 JP2011220774A5 (ja) | 2013-05-23 |
JP5441798B2 true JP5441798B2 (ja) | 2014-03-12 |
Family
ID=44760323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010088795A Expired - Fee Related JP5441798B2 (ja) | 2010-04-07 | 2010-04-07 | 放射線検出素子の製造方法及び放射線検出素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8138011B2 (ja) |
JP (1) | JP5441798B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5767512B2 (ja) * | 2011-06-07 | 2015-08-19 | キヤノン株式会社 | 放射線検出素子及び放射線検出器 |
KR101316639B1 (ko) | 2011-11-15 | 2013-10-15 | 아스텔 주식회사 | 엑스레이 디텍터 및 이의 제조방법 |
JP6041594B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2016-12-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル、及び、放射線検出器 |
JP6018854B2 (ja) | 2012-09-14 | 2016-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル、及び、放射線検出器 |
TWI500926B (zh) * | 2012-11-23 | 2015-09-21 | Innocom Tech Shenzhen Co Ltd | X光平板偵測裝置 |
JP6271909B2 (ja) * | 2013-08-20 | 2018-01-31 | キヤノン株式会社 | シンチレータ結晶体及び放射線検出器 |
US9650569B1 (en) * | 2015-11-25 | 2017-05-16 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Method of manufacturing garnet interfaces and articles containing the garnets obtained therefrom |
JP6951092B2 (ja) * | 2017-03-17 | 2021-10-20 | キヤノンメディカルシステムズ株式会社 | 放射線検出器、シンチレータアレイ、及びシンチレータアレイの製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2721476B2 (ja) * | 1993-07-07 | 1998-03-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出素子及びその製造方法 |
JP4220025B2 (ja) * | 1998-09-02 | 2009-02-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線イメージセンサ及びその製造方法 |
JP2001128064A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Canon Inc | 放射線検出素子、放射線検出システム、及び放射線検出素子の製造方法 |
JP2002031687A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Canon Inc | 放射線検出装置 |
JP4449749B2 (ja) * | 2005-01-05 | 2010-04-14 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 放射線検出装置およびその製造方法 |
DE102009004120A1 (de) * | 2009-01-08 | 2010-07-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Herstellungsverfahren für eine Sensoreinheit eines Röntgendetektors |
-
2010
- 2010-04-07 JP JP2010088795A patent/JP5441798B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-25 US US13/072,579 patent/US8138011B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8138011B2 (en) | 2012-03-20 |
US20110248366A1 (en) | 2011-10-13 |
JP2011220774A (ja) | 2011-11-04 |
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Legal Events
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A521 | Written amendment |
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