KR101814930B1 - 격벽을 구비하는 섬광체 패널, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 방사선 검출기 - Google Patents

격벽을 구비하는 섬광체 패널, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 방사선 검출기 Download PDF

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Abstract

격벽을 구비하는 섬광체 패널을 제공한다. 본 발명에 따른 섬광체 패널은 섬광체 기판, 상기 섬광체 기판의 일면 상에 배치되어, 다수의 셀 영역들을 정의하는 격벽 및 상기 셀 영역들에 충진된 섬광체를 구비하는 섬광체 셀을 포함할 수 있다. 본 발명에 따르면, 격벽에 의한 셀 구조를 가지는 섬광체 패널을 통하여, 섬광체 분체에서 발생하는 가시광의 산란을 감소시켜 해상도가 향상된 방사선 검출기를 제공할 수 있다. 또한, 상기 격벽의 높이를 조절함으로써, 해상도가 향상되면서도, 민감도를 높여 발광 효율이 증가된 방사선 검출기를 제공할 수 있다.

Description

격벽을 구비하는 섬광체 패널, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 방사선 검출기{Scintillator panel having partition wall, method for manufacturing the panel, and X-ray detector including the panel}
본 발명은 섬광체 패널에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 섬광체 패널의 구조에 관한 것이다.
최근, 평판 디지털 방사선 검출기(FPXD, Flat Panel X-ray Detector)가 의료, 공업 등의 분야에 널리 이용되고 있다. 일반적으로 방사선 검출기는 입사되는 방사선을 가시광선으로 변환하고 이 가시광선을 다시 전기적 신호로 변환하여 출력하는 방식을 이용한다.
이를 위하여 방사선을 가시광선으로 변환하는 신틸레이터(scintillator)층을 구비하는 신틸레이터 패널을 포함하고, 변환된 가시광선은 광전변환 소자, 예를 들어 포토 다이오드와 같은 광전변환 기판에 도달하여 다시 전기신호로 변환된다.
이러한, 방사선 검출기의 신틸레이터 층을 형성하는 섬광체 물질은 최근 들어 미립 분체 형태가 조밀하게 쌓인 구조로 형태를 가지며, 그 두께가 0.5mm이하에 이른다. 또한, 포토 다이오드 기판의 두께 또한 0.15mm 이하로 작아지는 추세이다.
따라서, 섬광체 표면에서 발생한 가시광선은 그 발생 위치에 해당되는 포토 다이오드에 도달하여, 실제 방사선의 검출 위치를 정밀하게 읽어내는 것이 무엇보다 중요하다.
그러나, 발생하는 가시광선들은 분체들과 분체들을 붙들고 있는 폴리머바인더의 경계면 반사에 의해 심한 산란 현상이 발생하고, 산란된 가시광선은 발생위치에 해당하는 포토 다이오드를 벗어나, 인접한 포토 다이오드에 신호를 발생시켜, 위치 정밀도, 즉, 해상도를 저하시킨다는 문제점이 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2016-0059463호
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 섬광체에서 발생하는 가시광선을 가이드하여 해상도가 향상된 방사선 검출기를 제공함에 있다.
또한, 해상도가 향상되면서도, 민감도를 높여 발광 효율을 증가시킬 수 있는 섬광체 패널의 구조 및 이를 포함하는 방사선 검출기를 제공함에 있다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 격벽을 구비하는 섬광체 패널을 제공한다. 상기 섬광체 패널은, 섬광체 기판, 상기 섬광체 기판의 일면 상에 배치되어, 다수의 셀 영역들을 정의하는 격벽 및 상기 셀 영역들에 충진된 섬광체를 구비하는 섬광체 셀을 포함할 수 있다.
상기 격벽의 높이는 상기 섬광체의 높이보다 낮게 형성되는 것일 수 있다.
상기 셀 영역은 개방형 구조를 가질 수 있다.
상기 격벽의 상부면은 사각형 또는 육각형의 형상을 가질 수 있다.
상기 격벽의 표면 및 상기 섬광체와 접하는 기판의 표면상에 금속막을 더 포함할 수 있다.
상기 섬광체는 분말 형태 또는 미세결정립이며, 할로겐 화합물 또는 산화물계 화합물일 수 있다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 측면은 격벽을 구비하는 섬광체 패널 제조방법을 제공한다. 상기 섬광체 패널 제조방법은 기판 상에 격자 구조의 패턴을 갖는 격벽을 형성하여 다수의 셀 영역들을 정의하는 단계, 상기 셀 영역들에 섬광체를 충진하는 단계를 포함하고, 상기 격벽의 높이는 상기 섬광체의 높이보다는 낮게 형성되는 것일 수 있다.
상기 격벽의 높이와 상기 섬광체의 높이의 차이는 0μm 내지 200μm일 수 있다.
상기 셀 영역은 개방형 구조를 가질 수 있다.
상기 격벽을 형성한 이후에, 상기 섬광체를 충진하기 전에, 상기 격벽의 표면 및 상기 격벽을 접하는 기판의 표면에 금속막을 코팅하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 또 다른 측면은 격벽을 구비하는 섬광체 패널을 포함하는 방사선 검출기를 제공한다. 상기 방사선 검출기는 섬광체 기판, 상기 섬광체 기판의 일면 상에 배치되어 다수의 셀 영역들을 정의하는 격벽 및 상기 셀 영역들에 충진된 섬광체를 구비하는 섬광체 셀을 포함하는 섬광체 패널과, 상기 섬광체 셀들과 각각 위치적으로 대응되는 광전변환 셀 어레이를 포함할 수 있다.
상기 격벽의 높이는 상기 섬광체의 높이보다 낮게 형성되는 것일 수 있다.
상기 셀 영역은 개방형 구조를 갖는 것일 수 있다.
상기 격벽의 표면 및 상기 섬광체와 접하는 기판의 표면상에 금속막을 더 포함하는 것일 수 있다.
본 발명에 따르면, 격벽에 의한 셀 구조를 가지는 섬광체 패널을 통하여, 섬광체 분체에서 발생하는 가시광선을 가이드하여 해상도가 향상된 방사선 검출기를 제공할 수 있다.
또한, 상기 격벽의 높이를 조절함으로써, 해상도가 향상되면서도, 민감도를 높여 발광 효율이 증가된 방사선 검출기를 제공할 수 있다.
본 발명의 기술적 효과들은 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 검출기의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 섬광체 패널의 제조방법을 순서대로 나타낸 단면도들이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 격벽의 구조를 확대하여 나타낸 사시도들이다.
도 4a 내지 도 4c는 섬광체 패널에서 광 산란이 진행되는 양상을 나타낸 모식도이다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명이 여러 가지 수정 및 변형을 허용하면서도, 그 특정 실시예들이 도면들로 예시되어 나타내어지며, 이하에서 상세히 설명될 것이다. 그러나 본 발명을 개시된 특별한 형태로 한정하려는 의도는 아니며, 오히려 본 발명은 청구항들에 의해 정의된 본 발명의 사상과 합치되는 모든 수정, 균등 및 대용을 포함한다.
층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 검출기의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 방사선 검출기(400)는 섬광체 패널(200), 상기 섬광체 패널(200)의 일측에 위치하는 광전변환 패널(100)을 구비할 수 있다.
상기 섬광체 패널(200)은 섬광체 기판(201)과, 상기 섬광체 기판(201)의 일면 상에 배치되고 다수 개의 셀 영역들(232)을 정의하는 격벽(220), 및 상기 셀 영역들(232) 내에 충진된 섬광체(231)를 구비할 수 있다. 각 셀 영역들 내에 충진된 섬광체(231)는 섬광체 셀(230)로 정의될 수 있다. 상기 섬광체(231)는 상기 섬광체 기판(201)을 통해 투과된 방사선을 가시광선으로 변환시키는 물질일 수 있다. 상기 방사선은 X-선일 수 있다.
상기 광전변환 패널(100)은 상기 섬광체 패널(200)에 인접하는 광전변환 셀 어레이(110)와 상기 광전변환 셀 어레이(110)를 지지하는 광전변환 기판(101)을 포함할 수 있다.
상기 광전변환 셀 어레이(110)는 상기 광전변환 기판(101) 상에 단위 픽셀들이 배열된 형태로 형성될 수 있으며, 상기 단위 픽셀들은 상기 섬광체 셀(230)들과 위치적으로 각각 대응되어 형성된 것일 수 있다. 상기 광전변환 셀 어레이(110)는 상기 섬광체(231)에서 변환된 가시광선을 전기신호로 변환할 수 있다. 상기 광전변환 셀 어레이(110)는 포토 다이오드 등과 같은 광전변환 소자 어레이일 수 있다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 섬광체 패널의 제조방법을 순서대로 나타낸 단면도들이다. 도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 격벽의 구조를 확대하여 나타낸 사시도들이다.
도 2a를 참조하면, 섬광체 기판(201)을 제공한다. 상기 섬광체 기판(201)은 외부에서 입사된 방사선을 가장 먼저 투과시키는 것일 수 있다. 상기 섬광체 기판(201)은 방사선 투과가 가능한 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 섬광체 기판(201)의 재질로는 유리, 고분자 재료, 금속 등을 사용할 수 있다. 예컨대, 상기 섬광체 기판(201)은 석영, 붕규산 유리, 화학적 강화 유리 등을 포함하는 유리일 수 있으며, 구조적으로는 판상의 형태일 수 있다. 상기 판상의 유리는 상기 섬광체 기판(201)을 형성함에 있어, 평탄성 및 내열성 측면에서 우수한 효과를 발휘할 수 있다. 예컨대, 상기 섬광체 기판(201)의 두께는 2mm 이하, 구체적으로는 1.0mm이하일 수 있다.
도 2b, 도 3a, 및 도 3b를 참조하면, 상기 섬광체 기판(201) 상에 격자 구조로 배치된 격벽(220)을 형성할 수 있다. 상기 격벽(220)은 상기 섬광체 기판(201)의 일면 상에 형성되며, 다수 개의 셀 영역들(232)을 정의할 수 있다.
상기 격벽(220)의 상부면은 다각형, 일 예로서, 사각형 또는 육각형의 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 격벽(220)에 의하여 정의된 상기 셀 영역들(232)은 다각기둥 일 예로서, 사각기둥 또는 육각기둥의 형상을 가질 수 있다.
상기 셀 영역들(232)은 폐쇄형 또는 개방형 형상으로 형성될 수 있으며, 일 예로서 개방형 형상으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 셀 영역(232)이 개방형 형상을 갖는 경우, 상기 셀 영역(232)을 둘러싸는 격벽(220)의 일부가 개방되어, 서로 인접하는 셀 영역들(232)이 서로 연결될 수 있다. 더 구체적으로는, 상기 셀 영역(232)이 다각기둥의 형상을 가진 경우, 상기 다각기둥의 적어도 두 모서리는 개방된 형태로 형성될 수 있다.
상기 격벽(220)을 형성하는 제조방법으로는, 예컨대, 포토 리소그래피법을 사용할 수 있다. 일 예로, 상기 격벽(220)은 상기 기판(201) 상에 자외선 경화 수지를 도포하고, 격자 구조의 패턴을 갖는 포토마스크를 이용하여 상기 자외선 경화 수지를 노광시킴으로써 제조될 수 있다. 예를 들어, 상기 격벽(220)의 높이(h)는 100μm 내지 200μm일 수 있다.
도 2c를 참조하면, 상기 격벽(220)은 표면은 금속막(210)으로 코팅될 수 있다. 또한, 상기 격벽(220)이 접하는 쪽의 상기 섬광체 기판(201)의 표면에도 금속막(210)으로 코팅될 수 있다. 이에 따라, 상기 셀 영역(232)의 바닥면 및 측면들 상에 금속막(210)이 코팅될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속막(210)의 금속은 Al, Ag 등일 수 있으며, 상기 금속막(210)의 두께는 0.01μm 내지 1μm 일 수 있다. 상기 금속막(210)을 코팅하는 방법으로는 진공 증착법 또는 무전해 도금법을 사용할 수 있다.
도 2d를 참조하면, 상기 셀 영역(232)을 섬광체(231)로 충진하여 섬광체 셀(230)을 형성할 수 있다.
상기 섬광체(231)는 상기 섬광체 기판(201)으로 투과된 방사선을 가시광선으로 변환시키는 물질로써, 예를 들어, 상기 섬광체(231)는 형광 물질일 수 있다. 상기 섬광체(231)의 물질로는 여러가지 공지된 형광체 재료를 사용할 수 있으며, 구체적으로는, 상기 섬광체(231)의 물질로 할로겐 화합물 또는 산화물계 화합물을 사용할 수 있다.
예컨대, 상기 할로겐 화합물은 CsI, NaI 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 산화물계 화합물은 가돌리늄 옥산황화물(Gadolinium oxysulfide)을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 섬광체(231)의 물질로는 테르븀이 도핑된 가돌리늄 황산화물(Tb doped gadolinium oxisulfide)을 사용할 수 있다.
상기 섬광체(231)는 분말 형태 또는 미세 결정립 형태일 수 있다. 구체적으로, 상기 섬광체(231)는 상기 셀(232) 구조에 충진된 형태, 즉 미립 분체 형태의 섬광체(231)들이 조밀하게 쌓여 일정 높이를 가지는 층 형태일 수 있다.
상기 섬광체 셀(230)을 형성하는 방법으로는, 예컨대, 침적(sedimentation)에 의하여 충진하거나, 상기 섬광체(231)를 페이스트 형태로 제조한 후, 닥터블레이드(Doctor Blade)나 스퀴지(squeegee)로 밀어넣어 채우는 방법 또는 스크린 인쇄법을 사용할 수 있다.
일 예로, 상기 섬광체(231)를 페이스트 형태로 제조하여 충진할 수 있으며, 상기 페이스트는 상기 섬광체(231) 미립 분체들의 응집을 위하여 바인더와 함께 용매에 혼합된 것일 수 있다. 상기 바인더는 상기 페이스트의 1 내지 10%vol으로 포함될 수 있다.
이때, 상기 섬광체(231) 페이스트가 충진되는 상기 격벽(220)의 구조로 개방형 구조를 사용함으로써, 내부에 기포가 형성되지 않게 하여 충진 밀도를 향상시킬 수 있도록 할 수 있다. 이때, 상기 섬광체(231)의 충진 밀도, 즉, 체적 분율이 100%에 달하도록 하여 방사선으로부터 가시광선으로의 변환 효율을 높일 수 있다.
상기 섬광체(231)의 충진 후에는 열처리를 수행함으로써, 휘발성 용매, 유기물 등의 불순물을 제거하여 상기 섬광체(231)의 충진 밀도를 더욱 증가시킬 수 있다. 이 때, 상기 열처리의 온도는 상기 바인더 또는 상기 용매에 따라 달라질 수 있으며, 예컨대, 상기 열처리의 온도는 40℃ 내지 150℃일 수 있으며, 상기 열처리의 시간은 30분 내지 10시간일 수 있다.
이 후에는, 상기 섬광체 셀(230)의 표면에 광경화 또는 열경화성 폴리머를 도포하여 보호막(미도시)을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 섬광체(231)의 높이(H)는 0.2mm 내지 0.3mm일 수 있다. 상기 섬광체(231)의 높이(H)는 상기 격벽(220)의 높이(h)와 같거나 높을 수 있다. 구체적으로는, 상기 섬광체(231)의 높이(H)는 상기 격벽(220)의 높이(h)보다는 높게 형성될 수 있다. 이때, 상기 섬광체(231)의 높이(H)와 상기 격벽(220)의 높이(h)의 차이는 0μm 내지 200μm일 수 있다. 상기 섬광체(231)의 높이(H)와 상기 격벽(220)의 높이(h)와 대한 내용은 후술될 도 4a 내지 도 4c를 통하여 구체적으로 서술하기로 한다.
예를 들어, 상기 미립 분체 형태의 섬광체(231)의 직경은 0.5 μm이하, 0.5μm 내지 10μm 또는 이들의 조합일 수 있다. 구체적으로는, 상기 섬광체(231)의 직경은 0.1μm 내지 0.5μm일 수 있다. 상기 섬광체(231)의 직경의 범위는 상기 섬광체(231)로 인한 산란 효과가 줄어들어 해상도를 보다 높이는 효과를 발휘할 수 있다. 일 예로는, 상기 섬광체(231)의 높이(H)는 상기 격벽(220)의 높이(h)보다는 높게 형성되었을 시, 상기 섬광체(231)는 상기 격벽(220)의 높이(h) 내에는 직경이 0.5μm 내지 10μm인 것을 사용할 수 있으며, 상기 격벽(220)의 높이를 초과한 부분에 형성된 섬광체(231)로는 직경이 0.1μm 내지 0.5μm의 것을 사용할 수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 섬광체 패널에서 광 산란이 진행되는 양상을 나타낸 모식도이다.
도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 방사선 검출기(400)의 상부, 즉, 상기 섬광체 기판(201)으로 피사체를 통과한 방사선, 예를 들어, X-선이 투과되면, 상기 섬광체(231)에 의하여 X-선이 가시광선(300)으로 변환될 수 있다. 이때, 상기 섬광체(231)의 미립 분체 형태로 인한 가시광선의 산란이 일어날 수 있다.
도 4a만을 참조하면, 상기 격벽(220) 구조를 구비하지 않는 섬광체 패널의 경우, 상기 산란된 가시광선(300)이 목표하는 광전변환 셀 어레이(110b)와 인접하는 광전변환 셀 어레이(110a, 110c)에 모두 도달될 수 있다. 이에 인접한 광전변환 셀 어레이(110a, 110c)에도 전기신호를 발생시키게 되어, 위치 정밀도를 저하시키고, 이에 따라 해상도가 낮아지는 결과를 초래하게 된다.
반면, 도 4b 및 도 4c를 참조하면, 상기 격벽(220) 구조를 구비하는 섬광체 패널의 경우, 일정 공간을 경계 짓는 상기 격벽(220) 구조가 광 가이드 역할을 수행할 수 있다. 다시 말해서, 상기 섬광체 셀(230)의 격벽(220)구조는 상기 가시광선(300)이 인접한 광전변환 셀 어레이(110a, 110c, 110d)에는 산란되지 못하게 하고, 목표하는 광전변환 셀 어레이(110b)에만 도달할 수 있게 하여, 고해상도를 유지할 수 있도록 한다.
또한, 상기 격벽(220)들의 표면 및 상기 섬광체(231)와 접하는 섬광체 기판(201)의 표면에 코팅된 금속막(210)은 산란된 가시광선(300)을 반사시킴으로써, 인접한 광전변환 셀 어레이(110a, 110c, 110d)에는 상기 가시광선(300)이 도달하지 못하게 하는 효과를 증대시킬 수 있다. 이로써, 크로스토크 방지 및 해상도를 유지능력이 더욱 증대될 수 있다.
도 4c만을 참조하면, 상기 격벽(220)의 높이(h)는 상기 섬광체(231)의 높이(H)보다는 낮게 형성될 수 있다. 이러한 구조는 도 3b의 구조와 비교하였을 때, 격벽의 부피만큼 섬광체의 부존재로 인한 민감도 저하를 방지하여 다시 말해서 광전변환 셀 어레이에 인접하여 배치된 섬광체의 량을 격벽 내보다 증가시켜 발광 효율을 높이는 효과를 발휘할 수 있다.
이때, 상기 격벽의 높이(h)와 상기 섬광체(231)의 높이(H)의 차이는 상기 격벽의 부존재로 인한 해상도 저하를 발생시키지 않으면서도, 상기 격벽을 형성할 시 패턴 형성이 용이하도록 하는 범위를 가질 수 있다. 예컨대, 상기 격벽의 높이(h)와 상기 섬광체(231)의 높이(H)의 차이는 0μm 내지 200μm일 수 있다.
즉, 도 4c와 같은 본 발명의 섬광체 패널 구조는 상기 격벽의 구조를 통한 광 가이드에 의해 방사선 검출기의 해상도를 개선시키면서도, 상기 격벽의 높이 조절을 통하여 민감도 및 발광효율 또한 증가시키는 효과를 발휘할 수 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
100: 광전변환 패널 101: 광전변환 기판
110: 광전변환 셀 어레이
200: 섬광체 패널 201: 섬광체 기판
210: 금속막 220: 격벽
230: 섬광체 셀 231: 섬광체
232: 셀(구조) 300: 가시광선
400: 방사선 검출기 h: 격벽의 높이
H: 섬광체의 높이

Claims (14)

  1. 섬광체 기판;
    상기 섬광체 기판의 일면 상에 배치되어, 다수의 셀 영역들을 정의하는 격벽; 및
    상기 셀 영역들에 충진된 섬광체를 구비하는 섬광체 셀을 포함하고,
    인접하는 단위 셀 영역들은 상기 격벽으로 서로 분리되되, 상기 격벽의 일부가 개방된 형태를 갖는 것인, 섬광체 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 격벽의 높이는 상기 섬광체의 높이보다 낮게 형성되는 것인 섬광체 패널.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 격벽의 상부면은 사각형 또는 육각형의 형상을 갖는 섬광체 패널.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 격벽의 표면 및 상기 섬광체와 접하는 기판의 표면상에 금속막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 섬광체 패널.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 섬광체는 분말 또는 미세 결정립 형태이며, 할로겐 화합물 또는 산화물계 화합물인 섬광체 패널.
  7. 기판 상에 격자 구조의 패턴을 갖는 격벽을 형성하여 다수의 셀 영역들을 정의하는 단계;
    상기 셀 영역들에 섬광체를 충진하는 단계를 포함하고,
    상기 격벽의 높이는 상기 섬광체의 높이보다는 낮게 형성되고,
    인접하는 단위 셀 영역들은 상기 격벽으로 서로 분리되되, 상기 격벽의 일부가 개방된 형태를 갖는 것인, 섬광체 패널 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 격벽의 높이와 상기 섬광체의 높이의 차이는 0μm 내지 200μm 인 섬광체 패널 제조방법.
  9. 삭제
  10. 제7항에 있어서,
    상기 격벽을 형성한 이후에, 상기 섬광체를 충진하기 전에, 상기 격벽의 표면 및 상기 격벽을 접하는 기판의 표면에 금속막을 코팅하는 단계를 더 포함하는 것인 섬광체 패널 제조방법.
  11. 섬광체 기판;
    상기 섬광체 기판의 일면 상에 배치되어 다수의 셀 영역들을 정의하는 격벽; 및
    상기 셀 영역들에 충진된 섬광체를 구비하는 섬광체 셀을 포함하는 섬광체 패널과,
    상기 섬광체 셀들과 각각 위치적으로 대응되는 광전변환 셀 어레이를 포함하고,
    인접하는 단위 셀 영역들은 상기 격벽으로 서로 분리되되, 상기 격벽의 일부가 개방된 형태를 갖는 것인, 방사선 검출기.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 격벽의 높이는 상기 섬광체의 높이보다 낮게 형성되는 것인 방사선 검출기.
  13. 삭제
  14. 제11항에 있어서,
    상기 격벽의 표면 및 상기 섬광체와 접하는 기판의 표면상에 금속막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6292529B1 (en) 1999-12-15 2001-09-18 Analogic Corporation Two-dimensional X-ray detector array for CT applications
JP2012002627A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線検出用二次元アレイ型シンチレータ

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