KR101316639B1 - 엑스레이 디텍터 및 이의 제조방법 - Google Patents

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    • A61B6/00—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment
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    • G—PHYSICS
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    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers

Abstract

해상도 및 선명도를 향상시킬 수 있는 엑스레이 디텍터 및 이의 제조방법이 개시된다. 이러한 엑스레이 디텍터는 베이스층, 이미지 센서부 및 신틸레이터부를 포함한다. 이미지 센서부는 상기 베이스층의 상면에 형성된다. 신틸레이터부는 베이스층의 상면에 대향하는 하면에 이미지 센서부와 대응되어 얼라인되도록 형성되고, 엑스레이를 상기 이미지 센서부에서 센싱되는 광으로 변경하여 출사한다. 이와 같이, 신틸레이터부가 베이스층의 하면에 이미지 센서부와 대응되어 얼라인되도록 형성됨에 따라, 베이스층의 하면을 통해 인가되는 엑스레이가 신틸레이터부에 의해 파장이 변경되어 이미지 센서부로 직접 인가되어 센싱될 수 있고, 이에 따라 해상도 및 선명도가 향상된 이미지가 생성할 수 있다.

Description

엑스레이 디텍터 및 이의 제조방법{X-RAY DETECTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DETECTOR}
본 발명은 엑스레이 디텍터 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 정밀한 엑스레이 이미지를 획득할 수 있는 엑스레이 디텍터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 의료영상에서 필름이나 마크네틱 테이프 등의 기록 매체를 광디스크로 대체하여 필름의 저장공간이나 필름 검색에 드는 상당한 시간을 최소화하고, 환자진료의 질을 개선하기 위해 병원 내의 의료영상 저장전송 시스템 구축에 관심이 고조되고 있다. 이에 따라, 디지털 엑스레이 디텍터가 새로운 디스플레이 소자로서 주목되고 있다. 이러한 디지털 엑스레이 디텍터는 인체의 여러 기관이나 뼈와 혈관 등을 촬영하는데 유용하게 활용되고 있고, 특히 유방암 진단, 심혈관 및 3차원 영상진단 및 응급환자 조기진단 분야에 사용되고 있다.
상기 디지털 엑스레이 디텍터는 엑스레이를 직접 센싱하는 직접 방식(Direct type)과 엑스레이를 가시광선으로 변경하여 센싱하는 간접 방식(Indirect type)으로 구분된다. 상기 직접 방식의 디텍터는 엑스레이를 직접 센싱하여 해상도가 높은 이미지를 생성하지만, 엑스레이를 직접 센싱하기 위해 강한 엑스레이를 조사해야하는 문제점이 있다. 반면, 상기 간접 방식의 디텍터는 신틸레이터 패널을 통해 엑스레이를 가시광선을 변경한 후 디텍터 패널을 통해 센싱하므로, 상기 직접방식에 비해 해상도 및 선명도(MTF)가 떨어지는 단점이 있다.
따라서, 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 해결하고자 하는 과제는 해상도 및 선명도를 향상시킬 수 있는 엑스레이 디텍터를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 해결하고자 하는 다른 과제는 상기 엑스레이 디텍터를 제조하기 위한 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 엑스레이 디텍터는 베이스층, 이미지 센서부 및 신틸레이터부를 포함한다.
상기 이미지 센서부는 상기 베이스층의 상면에 형성된다. 상기 신틸레이터부는 상기 베이스층의 상면에 대향하는 하면에 상기 이미지 센서부와 대응되어 얼라인되도록 형성되고, 엑스레이를 상기 이미지 센서부에서 센싱되는 광으로 변경하여 출사한다. 상기 베이스층는 웨이퍼 상에 형성된 후, 상기 웨이퍼가 제거되어 남겨진 에피층일 수 있다.
상기 엑스레이 디텍터는 상기 베이스층의 하면에 상기 신틸레이터부의 외곽을 따라 형성된 신틸레이터 외곽패턴을 더 포함할 수 있다. 상기 신틸레이터 외곽패턴은 웨이퍼가 패턴닝되어 남겨진 웨이퍼 패턴일 수 있다. 이와 다르게, 상기 신틸레이터 외곽패턴은 상기 베이스층의 하면 상에 형성된 금속패턴일 수 있다. 이때, 상기 금속패턴은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다.
상기 이미지 센서부는 CCD(Charge Coupled Device) 이미지 센서 또는 CMOS(Complementary metal-oxide-semiconductor) 이미지 센서일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 엑스레이 디텍터의 제조방법은 베이스층의 상면에 이미지 센서부를 형성하는 단계, 및 엑스레이를 상기 이미지 센서부에서 센싱되는 광으로 변경하여 출사하는 신틸레이터부를 상기 베이스층의 상면에 대향하는 하면에 상기 이미지 센서부와 대응되어 얼라인되도록 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 이미지 센서부를 형성하는 단계는 웨이퍼 상에 상기 베이스층을 형성하는 단계, 상기 베이스층 상에 상기 이미지 센서부를 형성하는 단계, 및 상기 웨이퍼를 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 이때, 상기 베이스층은 상기 웨이퍼 상에서 성장하여 형성된 에피층일 수 있다.
상기 웨이퍼를 제거하는 단계에서, 상기 웨이퍼의 일부를 식각하여 웨이퍼 패턴을 형성하고, 상기 신틸레이어부를 형성하는 단계에서, 상기 웨이퍼 패턴에 의해 감싸지도록 상기 베이스층의 하면 상에 상기 신틸레이터부를 형성될 수 있다.
상기 웨이퍼를 제거하는 단계는 상기 웨이퍼를 그라인딩(grinding)하여 상기 웨이퍼의 두께를 1차적으로 감소시키는 단계, 및 상기 웨이퍼를 건식 식각하여 상기 웨이퍼의 두께를 2차적으로 감소시키는 단계를 포함할 수 있고, 상기 웨이퍼를 습식 식각하여 상기 베이스층의 하면이 노출되도록 상기 웨이퍼를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 엑스레이 디텍터의 제조방법은 상기 신틸레이터부를 형성하기 전에, 상기 베이스층의 하면 상에 상기 신틸레이터부의 외곽을 따라 감싸지도록 배치된 금속패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 신틸레이터부를 형성하는 단계에서, 스핀 코팅(spin coating)을 통해 형성된 신틸레이터층이 패터닝되어 상기 신틸레이터부가 형성될 수 있다. 이와 다르게, 쉐도우 마스크(shadow mask)를 통해 상기 신틸레이터부가 형성될 수 있다.
이와 같이 엑스레이 디텍터 및 이의 제조방법에 따르면, 신틸레이터부가 베이스층의 하면에 이미지 센서부와 대응되어 얼라인되도록 형성됨에 따라, 상기 베이스층의 하면을 통해 인가되는 엑스레이가 상기 신틸레이터부에 의해 파장이 변경되어 상기 이미지 센서부로 직접 인가되어 센싱될 수 있고, 이에 따라 해상도 및 선명도(MTF)가 향상된 이미지가 생성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 엑스레이 디텍터를 도시한 단면도이다.
도 2 내지 도 4는 도 1의 엑스레이 디텍터를 제조하기 위한 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 엑스레이 디텍터를 도시한 단면도이다.
도 6은 도 5의 엑스레이 디텍터를 제조하기 위한 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 엑스레이 디텍터를 도시한 단면도이다.
도 8은 도 7의 엑스레이 디텍터를 제조하기 위한 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다.
그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도면들에 있어서, 각 장치 또는 막(층) 및 영역들의 두께는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 과장되게 도시되었으며, 또한 각 장치는 본 명세서에서 설명되지 아니한 다양한 부가 장치들을 구비할 수 있으며, 막(층)이 다른 막(층) 또는 기판 상에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 다른 막(층) 또는 기판 상에 직접 형성되거나 그들 사이에 추가적인 막(층)이 개재될 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.
<실시예 1>
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 엑스레이 디텍터를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 의한 엑스레이 디텍터는 베이스층(120), 복수의 이미지 센서부들(130) 및 복수의 신틸레이터부들(140)을 포함한다.
상기 베이스층(120)은 웨이퍼 상에 성장되어 형성된 후, 상기 웨이퍼가 제거되어 남겨진 에피층일 수 있고, 예를 들어 약 30 ~ 50 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 이미지 센서부들(130)은 상기 베이스층(120)의 상면 상에 형성되고, 예를 들어 매트릭스 형태로 배열되어 있다. 상기 이미지 센서부들(130) 각각은 CMOS(Complementary metal-oxide-semiconductor) 이미지 센서인 것이 바람직하지만, CCD(Charge Coupled Device) 이미지 센서 일 수도 있다.
한편, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 베이스층(120)의 상면에는 상기 이미지 센서부들(130)을 구동하기 위한 구동소자(미도시) 및 상기 이미지 센서부들(130)에서 획득된 이미지를 출력하는 신호 출력소자(미도시)가 더 형성될 수 있다.
상기 신틸레이터부들(140)은 상기 베이스층(120)의 상면에 대향하는 하면에 상기 이미지 센서부들(130)과 대응되는 위치에 형성된다. 구체적으로, 상기 신틸레이터부들(140)은 상기 이미지 센서부들(130)과 각각 대응되어 얼라인되도록 형성된다. 상기 신틸레이터부들(140)은 엑스레이를 상기 이미지 센서부들(130)에서 센싱되는 광, 예를 들어 가시광선으로 변경하여 출사한다. 일례로, 상기 신틸레이터부들(140)은 CsI(세슘아이오다이드) 물질로 이루어질 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 베이스층의 하면을 통해 인가되는 엑스레이가 상기 신틸레이터부들(140)에 의해 파장이 변경되어 상기 이미지 센서부들(130) 각각으로 직접 인가되어 센싱될 수 있다. 즉, 상기 신틸레이터부들(140) 중 어느 하나에서 변환되어 출력된 광이 상기 어느 하나와 대응되는 이미지 센서부로 대부분 인가되고 이와 인접한 다른 이미지 센서부로 인가되는 것을 억제할 수 있다. 그에 따라, 상기 엑스레이 디텍터는 해상도 및 선명도(MTF)가 향상된 이미지가 생성할 수 있다.
이와 같이, 본 실시예에 의한 엑스레이 디텍터는 심혈관의 미세 혈류 및 혈관을 정확하게 진단할 수 있는 고해상도 및 고선명도를 가진 이미지를 제공할 수 있다. 이에 더하여, 마이크로(Micro) & 나노(Nano) CT와 같은 분자 영상 기술에 적용하여 신약 개발 등에도 사용될 수 있다.
이하, 도 1의 엑스레이 디텍터를 제조하기 위한 제조방법을 상세하게 설명하고자 한다.
도 2 내지 도 4는 도 1의 엑스레이 디텍터를 제조하기 위한 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 우선 웨이퍼(110) 상에 상기 베이스층(120)을 형성한다. 예를 들어, 상기 웨이퍼(110)는 약 500 ㎛의 두께를 가진 실리콘 웨이퍼일 수 있고, 상기 베이스층(120)은 상기 웨이퍼(110) 상에서 약 30 ~ 50 ㎛의 두께로 성장하여 형성된 에피층일 수 있다.
이어서, 상기 베이스층(120)의 상면에 상기 이미지 센서부들(130)을 형성한다. 이때, 상기 구동소자(미도시) 및 상기 신호 출력소자(미도시)도 상기 베이스층(120)의 상면에 함께 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 웨이퍼(110)를 그라인딩(grinding)하여 상기 웨이퍼(110)의 두께를 1차적으로 감소시킨다. 이때, 상기 웨이퍼(110) 이외의 다른 구성요소에 데미지가 가해지지 않는 범위 내에서 상기 그라인딩을 통해 상기 웨이퍼(110)의 두께를 감소시키는 것이 바람직하다.
도 4를 참조하면, 상기 그라인딩을 통해 상기 웨이퍼(110)의 두께를 감소시킨 후, 상기 웨이퍼(110)를 식각하여 상기 웨이퍼(110)를 제거시킨다. 구체적으로, 상기 웨이퍼(110)를 건식 식각(Dry Etching)하여 상기 웨이퍼(110)의 두께를 2차적으로 감소시킨 후, 상기 웨이퍼(110)를 습식 식각(Wet Etching)하여 상기 베이스층(120)의 하면이 노출되도록 상기 웨이퍼(110)를 제거시킬 수 있다. 이와 같이, 건식 식각을 한 후, 마지막으로 습식 식각을 수행할 경우, 식각으로 인해 상기 베이스층(120)에 데미지를 주는 것을 최소화할 수 있다.
한편, 본 실시예에서와 같이 건식 및 습식 식각을 연속적으로 수행할 수도 있지만, 어느 하나 식각방법만으로 상기 웨이퍼(110)를 제거할 수 있다. 또한, 본 실시예에서 상기 웨이퍼(110)가 완전히 제거되는 것으로 도시되었으나, 경우에 따라 가시광선이 투과될 수 있는 얇은 두께로 남져질 수도 있다.
도 1을 다시 참조하면, 상기 웨이퍼(110)를 제거한 후, 상기 베이스층(120)의 하면에 상기 이미지 센서부들(130)과 각각 대응되어 얼라인되도록 상기 신틸레이터부들(140)을 형성한다. 이때, 상기 신틸레이터부들(140)은 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 신틸레이터층이 스핀 코팅(spin coating)과 같은 방식으로 상기 베이스층(120)의 하면에 형성된 후 패터닝하여 상기 신틸레이터부들(140)을 형성할 수 있다. 이와 다르게, 쉐도우 마스크(shadow mask)를 통해 전사하여 상기 신틸레이터부들(140)을 형성될 수 있다.
<실시예 2>
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 엑스레이 디텍터를 도시한 단면도이다.
본 실시예에 의한 엑스레이 디텍터는 신틸레이터 외곽패턴(112)를 더 포함하는 것을 제외하면, 도 1을 통해 설명한 제1 실시예의 엑스레이 디텍터와 실질적으로 동일하므로, 제1 실시예와 동일한 구성요소들에 대한 자세한 설명을 생략하고 동일한 참조부호를 부여하겠다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 의한 엑스레이 디텍터는 상기 베이스층(120)의 하면에 상기 신틸레이터부들(140)의 외곽을 따라 형성된 신틸레이터 외곽패턴(112)을 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 신틸레이터 외곽패턴(112)은 상기 신틸레이터부들(140)을 수용하기 위한 수용홈들을 형성한다. 한편, 상기 신틸레이터 외곽패턴(112)은 웨이퍼가 패턴닝되어 남겨진 웨이퍼 패턴일 수 있다.
도 6은 도 5의 엑스레이 디텍터를 제조하기 위한 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
본 실시예에 의한 엑스레이 디텍터의 제조방법은 도 2 및 도 3까지의 공정단계까지는 제1 실시예의 엑스레이 디텍터와 실질적으로 동일하므로, 이후 공정단계부터 상세하게 설명도록 하겠다.
도 6을 참조하면, 도 2와 같이 상기 그라인딩을 통해 상기 웨이퍼(110)의 두께를 감소시킨 후, 상기 웨이퍼(110)의 일부를 식각하여 상기 신틸레이터 외곽패턴(112)을 형성한다. 구체적으로, 상기 웨이퍼(110)의 일부를 건식 식각하여 상기 웨이퍼(110)의 두께를 2차적으로 감소시킨 후, 상기 웨이퍼(110)의 일부를 습식 식각하여 상기 베이스층(120)의 하면이 노출되도록 상기 웨이퍼(110)의 일부를 제거하여, 상기 신틸레이터 외곽패턴(112)을 형성시킬 수 있다.
도 5를 다시 참조하면, 상기 신틸레이터 외곽패턴(112)을 형성하도록 상기 웨이퍼(110)를 제거한 후, 상기 베이스층(120)의 하면에 상기 이미지 센서부들(130)과 각각 대응되어 얼라인되도록 상기 신틸레이터부들(140)을 형성한다. 즉, 상기 신틸레이터 외곽패턴(112)에 의해 형성된 수용홈들 각각에 상기 신틸레이터부들(140)을 삽입하여 형성한다.
본 실시예에서, 상기 신틸레이터부들(140)은 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 신틸레이터층이 스핀 코팅(spin coating)과 같은 방식으로 상기 베이스층(120)의 하면에 형성된 후 패터닝하여 상기 신틸레이터부들(140)을 형성할 수 있다. 이와 다르게, 쉐도우 마스크(shadow mask)를 통해 전사하여 상기 신틸레이터부들(140)을 형성될 수 있다.
<실시예 3>
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 엑스레이 디텍터를 도시한 단면도이다.
본 실시예에 의한 엑스레이 디텍터는 신틸레이터 외곽패턴(150)을 더 포함하는 것을 제외하면, 도 1을 통해 설명한 제1 실시예의 엑스레이 디텍터와 실질적으로 동일하므로, 제1 실시예와 동일한 구성요소들에 대한 자세한 설명을 생략하고 동일한 참조부호를 부여하겠다.
도 7을 참조하면, 본 실시예에 의한 엑스레이 디텍터는 상기 베이스층(120)의 하면에 상기 신틸레이터부들(140)의 외곽을 따라 형성된 신틸레이터 외곽패턴(150)을 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 신틸레이터 외곽패턴(150)은 상기 신틸레이터부들(140)을 수용하기 위한 수용홈들을 형성한다. 한편, 상기 신틸레이터 외곽패턴(150)은 상기 베이스층(120)의 하면에 형성된 금속패턴일 수 있다. 이때, 상기 금속패턴은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다.
도 8은 도 7의 엑스레이 디텍터를 제조하기 위한 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
본 실시예에 의한 엑스레이 디텍터의 제조방법은 도 2, 도 3, 도 4까지의 공정단계까지는 제1 실시예의 엑스레이 디텍터와 실질적으로 동일하므로, 이후 공정단계부터 상세하게 설명도록 하겠다.
도 8을 참조하면, 도 4와 같이 상기 웨이퍼(110)를 제거한 후, 상기 베이스층(120)의 하면 상에 상기 신틸레이터 외곽패턴(150)을 형성한다. 이때, 상기 신틸레이터 외곽패턴(150)은 상기 베이스층(120)에 데미지를 가하지 않는 방법, 예를 들어 전사 방법으로 형성될 수 있다.
도 7을 다시 참조하면, 상기 신틸레이터 외곽패턴(150)을 형성한 후, 상기 베이스층(120)의 하면에 상기 이미지 센서부들(130)과 각각 대응되어 얼라인되도록 상기 신틸레이터부들(140)을 형성한다. 즉, 상기 신틸레이터 외곽패턴(150)에 의해 형성된 수용홈들 각각에 상기 신틸레이터부들(140)을 삽입하여 형성한다.
본 실시예에서, 상기 신틸레이터부들(140)은 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 신틸레이터층이 스핀 코팅(spin coating)과 같은 방식으로 상기 베이스층(120)의 하면에 형성된 후 패터닝하여 상기 신틸레이터부들(140)을 형성할 수 있다. 이와 다르게, 쉐도우 마스크(shadow mask)를 통해 전사하여 상기 신틸레이터부들(140)을 형성될 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110 : 웨이퍼 120 : 베이스층
130 : 이미지 센서부 140 : 신틸레이터부
112, 150 : 신틸레이터 외곽패턴

Claims (16)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 베이스층의 상면에 이미지 센서부를 형성하는 단계; 및
    엑스레이를 상기 이미지 센서부에서 센싱되는 광으로 변경하여 출사하는 신틸레이터부를, 상기 베이스층의 상면에 대향하는 하면에 상기 이미지 센서부와 대응되어 얼라인되도록 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 이미지 센서부를 형성하는 단계는
    웨이퍼 상에 상기 베이스층을 형성하는 단계;
    상기 베이스층 상에 상기 이미지 센서부를 형성하는 단계; 및
    상기 웨이퍼를 제거하는 단계를 포함하며,
    상기 웨이퍼를 제거하는 단계는
    상기 웨이퍼를 그라인딩(grinding)하여 상기 웨이퍼의 두께를 1차적으로 감소시키는 단계; 및
    상기 웨이퍼를 건식 식각하여 상기 웨이퍼의 두께를 2차적으로 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터의 제조방법.
  9. 삭제
  10. 제8항에 있어서, 상기 베이스층은
    상기 웨이퍼 상에서 성장하여 형성된 에피층인 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 웨이퍼를 건식 식각하여 상기 웨이퍼의 두께를 2차적으로 감소시키는 단계에서,
    상기 웨이퍼의 일부를 식각하여 웨이퍼 패턴을 형성하고,
    상기 신틸레이어부를 형성하는 단계에서,
    상기 웨이퍼 패턴에 의해 감싸지도록 상기 베이스층의 하면 상에 상기 신틸레이터부를 형성되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터의 제조방법.
  12. 삭제
  13. 제8항에 있어서, 상기 웨이퍼를 제거하는 단계는
    상기 웨이퍼를 습식 식각하여 상기 베이스층의 하면이 노출되도록 상기 웨이퍼를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터의 제조방법.
  14. 제8항에 있어서, 상기 신틸레이터부를 형성하기 전에, 상기 베이스층의 하면 상에 상기 신틸레이터부의 외곽을 따라 감싸지도록 배치된 금속패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터의 제조방법.
  15. 제8항에 있어서, 상기 신틸레이터부를 형성하는 단계에서,
    스핀 코팅(spin coating)을 통해 형성된 신틸레이터층이 패터닝되어 상기 신틸레이터부가 형성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터의 제조방법.
  16. 제8항에 있어서, 상기 신틸레이터부를 형성하는 단계에서,
    쉐도우 마스크(shadow mask)를 통해 상기 신틸레이터부가 형성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터의 제조방법.
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