KR101735479B1 - 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법, 이를 이용한 플렉서블 반도체 방사선 검출기 및 이를 포함하는 방사선 영상장치 - Google Patents
플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법, 이를 이용한 플렉서블 반도체 방사선 검출기 및 이를 포함하는 방사선 영상장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 SOI(semiconductor-on-insulator) 기판을 준비하는 단계; 스티칭(stitching) 공정을 이용하여 상기 SOI 기판 상에 복수개의 픽셀형 이미지 센서를 형성하는 단계; 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서 상에 PDMS(polydimethylsiloxane)층을 형성하고, 선택적 식각(dicing-by-trench) 공정을 이용하여 상기 SOI 기판의 적어도 일부를 제거함으로써 스탬프를 형성하는 단계; 상기 스탬프의 적어도 일면 상에 유연기판을 결합하는 단계; 및 상기 스탬프의 일부인 상기 PDMS층을 제거하고, 상기 PDMS층과 대응되는 영역에 섬광체를 형성하는 단계;를 포함하는, 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법, 이를 이용하여 구현한 플렉서블 반도체 방사선 검출기 및 이를 포함하는 방사선 영상장치를 제공한다.
Description
본 발명은 X-선 검출기 또는 영상센서 기술에 관한 것으로서, 더 상세하게는 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법, 이를 이용한 플렉서블 반도체 방사선 검출기 및 이를 포함하는 방사선 영상장치에 관한 것이다.
인구증가와 노령화 및 소득 수준 향상으로 의료기기 산업이 빠르게 성장하고 있으며 치료기기 보다 진단기기의 수요가 더욱 증가하고 있다. 영상진단기기는 전자의료기기 중 시장 규모가 가장 큰 산업으로 의료영상은 다른 의료서비스에 비해 증가속도가 가장 빠르다.
한편, 현대의료 진단방법에서 X-선은 중요한 진단의 도구로 사용되고 있으나 사용하면 할수록 피폭 량이 증가하여 인체에 다른 발병의 원인이 될 수 있다. 따라서, 종래의 x-선 검출을 현재의 필름내지는 간접방식의 검출기보다 고성능의 감광도를 갖는 검출기를 사용하면 훨씬 더 적은 양의 x-선 피폭(적어도 10배 이상 감소)을 받으면서 분해능, 감광도는 훨씬 더 좋은 X-선 검출기의 개발이 절실히 필요하다. 뿐만 아니라, 고 분해능의 반도체 검출기를 사용하면 아주 빠른 반응속도에 의해 X-선 노출시간을 줄일 수 있다. 동시에 x-선 발생선원의 소형화가 가능하며, 이동형의 진단기기도 가능하다.
특히, 종래의 의료진단에서 연조직(soft tissue) 진단은 영상의 대조도가 낮아서 진단의 어려움이 많고 진단비용과 진단시간을 많이 소모하여 왔으며, 대부분의 인체장기 내 종양을 x-선으로 진단하여 초기단계의 미세종양을 찾아낼 수 없었다. 이러한 종래의 모든 문제에 대하여 대면적의 반도체 검출기는 훌륭한 대안이 되고 있다. 더욱이 x-선 검출기는 산업용 및 항만과 공항의 검색대에서도 활용되며, 우주 x-선 분석과 우주선 및 입자 측정에서도 그 활용성이 높고 성능도 우수하여 우주과학과 입자물리와 같은 최첨단 기초학문의 발전에 대한 기여도도 아주 높은 기술이다.
그러나 종래의 방사선 검출기는 평면형으로 제작되어 방사선의 조사방향 및 패턴에 따라 검출기 중심부와 에지부의 이미지 센서의 감도가 다르게 되어, 흐리거나 번진 영상을 시현하고, 이러한 원인은 영상의 왜곡을 유발한다. 또한, 대안으로 제시된 곡면 위에 평면형 방사선 검출기를 타일 붙이 듯 배열시킨 영상장치도 국부적 평면형으로써 상기 문제는 여전하다.
<선행기술 문헌>
한국등록특허 제10-1420250호 (2014.07.10)
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 고성능, 고분해능, 대면적 및 대면적 확장이 가능한 X-선 검출기 또는 영상센서 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법이 제공된다. 상기 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법은 SOI(semiconductor-on-insulator) 기판을 준비하는 단계; 스티칭(stitching) 공정을 이용하여 상기 SOI 기판 상에 복수개의 픽셀형 이미지 센서를 형성하는 단계; 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서 상에 PDMS(polydimethylsiloxane)층을 형성하고, 선택적 식각(dicing-by-trench) 공정을 이용하여 상기 SOI 기판의 적어도 일부를 제거함으로써 스탬프를 형성하는 단계; 상기 스탬프의 적어도 일면 상에 유연기판을 결합하는 단계; 및 상기 스탬프의 일부인 상기 PDMS층을 제거하고, 상기 PDMS층과 대응되는 영역에 섬광체를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법에 있어서, 상기 선택적 식각 공정을 이용하여 상기 SOI 기판을 제거함으로써 스탬프를 형성하는 단계는, 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서의 테두리에 DTI(deep trench isolation)를 형성하고, 상기 DTI와 접하는 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서의 외각영역 및 상기 SOI 기판을 동시에 식각하는 단계일 수 있다.
상기 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법에 있어서, 상기 SOI 기판 상에 복수개의 픽셀형 이미지 센서를 형성하는 단계 이후에, 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서 상에 후방배선(BEOL; back-end-of-line)층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법에 있어서, 상기 DTI는, 상기 후방배선(BEOL)층으로부터 상기 SOI 기판 내의 산화층까지 관통하고, 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서의 테두리에 형성되는 것일 수 있다.
상기 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법에 있어서, 상기 PDMS층은 상기 후방배선(BEOL)층 상에 형성하는 것일 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법이 제공된다. 상기 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법은 SOI 기판 상에 복수개의 픽셀형 이미지 센서를 형성하는 단계; 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서 상에 후방배선(BEOL; back-end-of-line)층을 형성하는 단계; 상기 후방배선층으로부터 상기 SOI 기판 내에 구비된 절연층까지 관통하며, 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서의 테두리에 DTI(Deep Trench Isolation)를 형성하는 단계; 상기 DTI가 형성된 상기 후방배선층 상에 PDMS층을 형성하는 단계; 상기 SOI 기판의 적어도 일부를 제거하는 단계; 제거된 상기 SOI 기판과 대응되는 영역에 유연기판을 접합하는 단계; 및 상기 PDMS층을 제거하고, 상기 PDMS층과 대응되는 영역에 섬광체를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점에 따르면, 플렉서블 반도체 방사선 검출기가 제공된다. 상기 플렉서블 반도체 방사선 검출기는 유연기판; 상기 유연기판 상에 접합된 스탬프; 및 상기 스탬프 상에 형성된 섬광체;를 포함하고, 상기 스탬프는 스티칭(stitching) 공정과 선택적 식각(dicing-by-trench) 공정에 의해 형성된 복수개의 픽셀형 이미지 센서 및 후방배선(BEOL)층을 구비할 수 있다.
상기 플렉서블 반도체 방사선 검출기에 있어서, 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서는 제어회로, ADC회로 및 ROIC회로 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점에 따르면, 방사선 영상장치가 제공된다. 상기 방사선 영상장치는 방사선을 방출할 수 있는 방사선원; 및 상기 방사선원으로부터 입사하는 상기 방사선을 노이즈 저하 없이 감지가 가능하도록 굴곡면의 형태로 구현되며, 상술한 제조방법으로 구현된, 플렉서블 반도체 방사선 검출기;를 포함할 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 현재 양산되고 있는 제품 대체, 향후 연조직의 장기 및 유방진단기기의 검출기 제품, 고속 실시간 영상진단장치, 핵융합 및 우주방사선 입자의 연구 등에도 적용되는 고성능, 고분해능, 대면적 및 대면적 확장이 가능한 X-선 검출기 또는 영상센서 및 그 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법을 개략적으로 도해하는 공정순서도이다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 반도체 방사선 검출기를 제조하는 방법을 단계별로 도시한 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 비교예 및 실시예에 의한 방사선 영상장치를 개략적으로 도해하는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 비교예 및 실시예에 의한 방사선 영상장치를 개략적으로 도해하는 도면이다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 반도체 방사선 검출기를 제조하는 방법을 단계별로 도시한 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 비교예 및 실시예에 의한 방사선 영상장치를 개략적으로 도해하는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 비교예 및 실시예에 의한 방사선 영상장치를 개략적으로 도해하는 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법을 개략적으로 도해하는 공정순서도이고, 도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 반도체 방사선 검출기를 제조하는 방법을 단계별로 도시한 단면도이다.
이하 도 1 및 도 2a 내지 도 2g를 참조하여 본 발명의 일 실시예를 따르는 플렉서블 반도체 방사선 검출기(1000)의 제조방법에 대해서 설명한다.
먼저, 도 2a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예를 따르는 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법은, 예를 들면, 보조기판(10) 상에 대면적 픽셀형 이미지 센서를 구현하는 단계(S10)를 포함할 수 있다. 보조기판(10)은 예를 들어, 실리콘(Si)을 사용할 수 있다. 보조기판(10) 상에 희생층(20)을 형성할 수 있다. 희생층(20)은 예를 들어, 산화물 또는 질화물과 같은 절연층으로서, 이후에 후술할 선택적 식각 공정에 의해서 제거될 수 있다.
이후에, 희생층(20) 상에 스티칭(stitching) 공정을 이용하여 복수개의 픽셀형 이미지 센서를 구비하는 반도체층(30)을 형성할 수 있다. 스티칭 공정을 이용하여 픽셀형 이미지 센서를 구현함으로써 대면적화가 용이하다. 복수개의 픽셀형 이미지 센서는 게이트 절연체(110), 게이트(120) 및 STI(130, Shallow trench isolation) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 하나의 픽셀형 이미지 센서는 포토다이오드와 센서트랜지스터를 포함할 수 있으며, 상기 포토다이오드, 센서트랜지스터, 게이트 절연체(110), 게이트(120) 및 STI(130)는 이미 널리 공지된 기술로서, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
또한, 반도체층(30) 상에는 반도체층(30)의 외부로 돌출된 게이트 절연체(110) 및 게이트(120)와 전기적으로 연결할 수 있는 후방배선(BEOL; back-end-of-line)층(100)을 형성할 수 있다. 후방배선층(100)은 제어회로, ADC회로 및 ROIC회로를 모두 포함하거나 또는 적어도 일부를 포함할 수 있다. 이 때, 대면적 픽셀형 이미지 센서를 구현하는 단계(S10)에서 전기배선을 공정함으로써 공정의 복잡도를 완화할 수 있다.
한편, 보조기판(10), 희생층(20) 및 반도체층(30)이 순차적으로 적층된 것은 SOI(semiconductor-on-insulator) 기판으로 이해될 수 있다. SOI 기판을 이용함으로써 다양한 반도체 물질을 활성재료로 사용할 수 있다. 즉, 희생층(20)이 형성된 보조기판(10) 상부에 얇은 실리콘(Si)층을 포함하는 모든 종류의 반도체 물질층을 적용할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 복수개의 픽셀형 이미지 센서(110, 120, 130)의 테두리에 DTI(160, deep trench isolation)를 형성하는 단계(S20)를 수행할 수 있다. DTI(160)는 선택적 식각 공정을 수행할 경우, 복수개의 픽셀형 이미지 센서가 배열된 반도체층(30)의 일부를 보호하기 위한 배리어(barrier) 역할을 수행하는 것으로서, 예를 들어, 관통홀 내에 나이트라이드(nitride)와 같은 물질을 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)와 같은 증착방법을 이용하여 증착하여 형성할 수 있다.
DTI(160)는 복수개의 픽셀형 이미지 센서(110, 120, 130)가 내부에 배치되도록 그 외각 둘레에 형성될 수 있다. DTI(160)는 후방배선층(100)의 외각면에서 안쪽으로 소정의 거리만큼 떨어진 곳에 형성되며, 후방배선층(100)부터 보조기판(10)의 상부면 즉, 희생층(20)까지 관통되어 형성될 수 있다. 여기서, 상기 소정의 거리는 반도체층(30)의 외각면에서부터 이미지 센서가 배치된 곳까지의 거리를 의미한다.
또한, DTI(160)는 희생층(20)의 상부면까지만 관통되어 형성될 수도 있다. 그러나 식각공정에 의해 식각액(etchant)이 반도체층(30)의 하부면에 도달하게 되어 반도체층(30)의 일부가 손상될 염려가 있으므로, DTI(160)는 보조기판(10)의 상부면에서부터 희생층(20)의 상부면까지의 범위 내에서 형성되어야 반도체층(30)의 하부를 안전하게 보호하며, 식각공정을 수행할 수 있다. 따라서, DTI(160)는 희생층(20)까지 관통하여 형성되는 것이 적절하나 공정상의 편의에 따라 희생층(20)의 상부면까지만 관통되어 형성될 수도 있다.
도 2c 및 도 2d를 참조하면, DTI(160)가 형성된 후방배선층(100) 상에 PDMS(polydimethylsiloxane)층(500)을 접착하고, 이후에 보조기판(10)을 제거하는 단계(S30)를 수행할 수 있다. 복수개의 픽셀형 이미지 센서(110, 120, 130)가 배열된 후방배선층(100) 상에 PDMS(polydimethylsiloxane)층(500)을 접착할 수 있다. PDMS층(500)은 이후에 결합될 유연기판 대신 보조 기판의 역할을 수행한다.
한편, 후방배선층(100) 상에 PDMS층(500)을 접착한 후 선택적 식각(dicing-by-trench) 공정을 이용하여 보조기판(10), 희생층(20), DTI(160) 및 DTI(160)에 의해 구분된 반도체층(30)과 후방배선층(100)의 외각부가 동시에 제거될 수 있다. 상기 선택적 식각 공정은 칩(chip)의 크기에 구애받지 않고, 칩을 분리해낼 수 있는 기술로서, 공정도 간소화되고 종래의 소잉(sawing) 공정을 통하지 않아 칩의 손상을 최소화할 수 있다. 여기서, 복수개의 픽셀형 이미지 센서(110, 120, 130)가 배열된 반도체층(30), 후방배선층(100) 및 PDMS층(500)은 이하에서 스탬프로 이해될 수 있다.
도 2e를 참조하면, 유연기판(600) 상에 스탬프를 결합하는 단계(S40)를 수행할 수 있다. 식각이 완료된 후 형성된 스탬프의 하부면 즉, 복수개의 픽셀형 이미지 센서(110, 120, 130)가 배열된 반도체층(30)의 하부면과 유연기판(600)이 서로 접하도록 결합시킬 수 있다.
도 2f 및 도 2g를 참조하면, PDMS층(500)을 제거하는 단계(S50)를 수행할 수 있다. 유연기판(600)과 스탬프가 결합한 이후에 보조 기판 역할을 수행하는 PDMS층(500)을 제거할 수 있다. PDMS층(500)이 제거되고 난 자리, 즉, 후방배선층(100) 상에 섬광체(700)를 형성하는 단계(S60)를 수행함으로써 비교적 간단하게 고분해능, 대면적의 플렉서블 반도체 방사선 검출기(1000)를 제조할 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 비교예 및 실시예에 의한 방사선 영상장치를 개략적으로 도해하는 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 비교예에 의한 방사선 영상장치로서, 기본적으로 플랫패널(flat panel) 시스템으로서, 반도체를 이용한 방사선 영상장치로서 가장 널리 사용되고 있으며, 넓은 면적에 대한 X-선 영상을 얻을 수 있다. 이와 같은 방사선 검출장치의 디텍터는 기본적으로 평판형태의 기판(substrate)위에 포토다이오드와 반도체 트랜지스터가 형성되고 그 상부에 섬광체가 형성되므로, 평판 형태의 기판의 특성상 중심부의 디텍터로는 광이 수직으로 입사되지만 외각부의 디텍터로는 광이 기울어져서 입사되게 되므로 광퍼짐 현상이 발생되고, 나아가서 영상 자체의 외각부는 그 화질이 흐리거나 왜곡되어 나타나는 문제점이 있다.
이를 해결하기 위해 도 3a의 경우, 방사선을 방출할 수 있는 방사선원(1100)이 방사선 검출기(1000)를 따라 좌우로 이동하게 되나, 고속으로 실시간 촬영이 어려우며, 곡면 형상에 대한 영상을 획득하기가 어려운 단점이 있다.
반면, 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 의한 방사선 영상장치로서, 방사선원(1100)에서 방사되는 광이 플렉서블 반도체 방사선 검출기(1000)의 어떤 위치에서나 수직으로 입사되기 때문에 고성능, 고분해능, 고감응성의 더욱 정밀하고 정확한 영상을 시현하는 방사선 영상장치를 구현할 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 비교예 및 실시예에 의한 방사선 영상장치를 개략적으로 도해하는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 비교예 및 실시예에 의한 방사선 영상장치로서, 환자 또는 물체를 360° 회전하며 영상을 획득하는 4세대 방사선 영상 처리 장치에 적용된 것을 도시한 도면이다.
도 4a의 경우, 본 발명의 비교예에 의한 방사선 영상장치로서, 도 3a 및 도 3b에 되된 방사선 검출기(1000)가 평판형태의 딱딱한 기판이 타일 붙이듯이 배열시킨 영상장치는 국부적 평면형으로써 환자나 물체가 360° 회전하며 영상을 획득하는 4세대 방사선 영상 처리 장치에 적용하기 어려운 문제점이 있다.
반면, 도 4b의 경우, 본 발명의 실시예에 의한 방사선 영상장치로서, 곡면이 유용한 방사선 영상장치에 쉽게 적용 가능하며, 원형의 방사선 검출기를 제공할 수 있다. 본 발명의 실시예에 의한 방사선 영상장치는 도 4a와 비교해서, 중심부뿐만 아니라 외각부도 X-선이 거의 수직에 가깝게 입사되므로, 영상이 흐리거나 번지는 현상이 없으며, 왜곡되는 현상도 없어 더욱 선명하고 정확한 영상을 구현할 수 있다.
상술한 바와 같이, 종래의 픽셀형 이미지 센서를 어레이화 하고 플렉서블 기판에 전사하는 방법이 아닌, 얇은 기판 상에 스티칭(stitching) 기술을 적용하여 고분해능, 대면적의 픽셀형 이미지 센서로 이루어진 반도체 방사선 검출기를 구현한다.
또한, SOI(semiconductor-on-insulator) 기판을 이용함으로써, 다양한 반도체 물질을 활성재료로 사용가능하며, 특히, 단결정 반도체 물질을 활성재료로 사용하기 위한 종래의 기판 씨닝(thinning)과 달리, 비교적 간단하게 방사선 검출기를 플렉서블하게 구현한다. 검출기의 이미지 센서의 에지(edge)에 DTI(deep trench isolation)를 형성하여, 종래의 소잉(sawing) 공정을 통한 칩 분리 방법과 달리, 선택적 식각(dicing-by-trench) 공정 과정에서 DTI도 동시에 식각되게 함으로써 칩 분리가 이루어질 수 있도록 하여, 칩의 손상을 최소화한다.
또한, 방사선 검출기가 굴곡면을 갖도록 영상장치를 구현할 경우 검출기의 모든 이미지 센서에 거의 90°의 입사각을 이루고 방사선이 입사할 수 있어, 영상의 왜곡을 방지하고, 더욱 정밀하고 정확한 영상을 시현하는 방사선 영상장치를 제공할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10 : 보조기판
20 : 희생층
30 : 반도체층
100 : 후방배선층
110 : 게이트 절연체
120 : 게이트
130 : STI(shallow trench isolation)
160 : DTI
500 : PDMS층
600 : 유연기판
700 : 섬광체
1000 : 플렉서블 반도체 방사선 검출기
1100 : 방사선원
20 : 희생층
30 : 반도체층
100 : 후방배선층
110 : 게이트 절연체
120 : 게이트
130 : STI(shallow trench isolation)
160 : DTI
500 : PDMS층
600 : 유연기판
700 : 섬광체
1000 : 플렉서블 반도체 방사선 검출기
1100 : 방사선원
Claims (9)
- 삭제
- SOI(semiconductor-on-insulator) 기판을 준비하는 단계;
스티칭(stitching) 공정을 이용하여 상기 SOI 기판 상에 복수개의 픽셀형 이미지 센서를 형성하는 단계;
상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서 상에 PDMS(polydimethylsiloxane)층을 형성하고, 선택적 식각(dicing-by-trench) 공정을 이용하여 상기 SOI 기판의 적어도 일부를 제거함으로써 스탬프를 형성하는 단계;
상기 스탬프의 적어도 일면 상에 유연기판을 결합하는 단계; 및
상기 스탬프의 일부인 상기 PDMS층을 제거하고, 상기 PDMS층과 대응되는 영역에 섬광체를 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 선택적 식각 공정을 이용하여 상기 SOI 기판을 제거함으로써 스탬프를 형성하는 단계는,
상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서의 테두리에 DTI(deep trench isolation)를 형성하고, 상기 DTI와 접하는 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서의 외각영역 및 상기 SOI 기판을 동시에 식각하는 단계인,
플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 SOI 기판 상에 복수개의 픽셀형 이미지 센서를 형성하는 단계 이후에, 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서 상에 후방배선(BEOL; back-end-of-line)층을 형성하는 단계를 포함하는,
플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 DTI는, 상기 후방배선(BEOL)층으로부터 상기 SOI 기판 내의 산화층까지 관통하고, 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서의 테두리에 형성되는 것인,
플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 PDMS층은 상기 후방배선(BEOL)층 상에 형성하는 것인,
플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법. - SOI 기판 상에 복수개의 픽셀형 이미지 센서를 형성하는 단계;
상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서 상에 후방배선(BEOL; back-end-of-line)층을 형성하는 단계;
상기 후방배선층으로부터 상기 SOI 기판 내에 구비된 절연층까지 관통하며, 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서의 테두리에 DTI(Deep Trench Isolation)를 형성하는 단계;
상기 DTI가 형성된 상기 후방배선층 상에 PDMS층을 형성하는 단계;
상기 SOI 기판의 적어도 일부를 제거하는 단계;
제거된 상기 SOI 기판과 대응되는 영역에 유연기판을 접합하는 단계; 및
상기 PDMS층을 제거하고, 상기 PDMS층과 대응되는 영역에 섬광체를 형성하는 단계;
를 포함하는,
플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
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|---|---|---|---|
| KR1020150090508A KR101735479B1 (ko) | 2015-06-25 | 2015-06-25 | 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법, 이를 이용한 플렉서블 반도체 방사선 검출기 및 이를 포함하는 방사선 영상장치 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150090508A KR101735479B1 (ko) | 2015-06-25 | 2015-06-25 | 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법, 이를 이용한 플렉서블 반도체 방사선 검출기 및 이를 포함하는 방사선 영상장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170001074A KR20170001074A (ko) | 2017-01-04 |
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ID=57831469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020150090508A KR101735479B1 (ko) | 2015-06-25 | 2015-06-25 | 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법, 이를 이용한 플렉서블 반도체 방사선 검출기 및 이를 포함하는 방사선 영상장치 |
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| KR (1) | KR101735479B1 (ko) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009060968A2 (en) | 2007-11-05 | 2009-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of radiation detecting apparatus, and radiation detecting apparatus and radiation imaging system |
| JP2012080096A (ja) | 2010-09-10 | 2012-04-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光表示装置の作製方法 |
-
2015
- 2015-06-25 KR KR1020150090508A patent/KR101735479B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009060968A2 (en) | 2007-11-05 | 2009-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of radiation detecting apparatus, and radiation detecting apparatus and radiation imaging system |
| JP2009133837A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-06-18 | Canon Inc | 放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置及び放射線撮像システム |
| JP2012080096A (ja) | 2010-09-10 | 2012-04-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光表示装置の作製方法 |
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