JP2024026391A - 均一なイメージングのための集束型シンチレータ構造のx線検出器 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 171
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 48
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 claims description 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 12
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 238000000701 chemical imaging Methods 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 5
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 5
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] Chemical compound [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000003484 anatomy Anatomy 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000000110 selective laser sintering Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000009607 mammography Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004154 testing of material Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000003936 working memory Effects 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20186—Position of the photodiode with respect to the incoming radiation, e.g. in the front of, below or sideways the scintillator
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
【課題】改善されたデュアルレイヤX線検出器を提供する。【解決手段】少なくとも2の感光面を有するX線イメージング用のデュアルレイヤ検出器が提示される。デュアルレイヤ検出器は、X線を光に変換することができる少なくとも1のシンチレータ素子を含む第1のシンチレータ層を更に有し、シンチレータ素子は、X線を受け入れる入口面と入口面から遠位にある出口面との2つの面を有し、2つの面は、シンチレータ素子の長手軸がシンチレータ層の法線に対し傾斜するよう互いにシフトされる。シンチレータ素子は2つの面の間に延在する側壁を有し、シンチレータ層は側壁を有する第2のシンチレータ素子を更に有し、第2のシンチレータ素子は第1のシンチレータ素子に隣接し、第1のシンチレータ素子の側壁及び第2のシンチレータ素子の側壁は互いに隣接し傾斜する。デュアルレイヤ検出器は更に第2のシンチレータ層を有する。感光面の一方は2つのシンチレータ層の間に配置される。【選択図】図2
Description
本発明は、シンチレータ層、X線検出器、X線イメージング装置、コンピュータプログラム素子、及びコンピュータ可読媒体に関する。
X線イメージングシステムの中には、間接変換型の検出器を使用するものがある。間接変換型検出器は、シンチレータとセンサとを幅広く備える。シンチレータは入射するX線を光に変換する。その後、光はセンサによって検出される。適切なセンサは、フォトダイオードを有する。フォトダイオードは光を電気信号に変換する。次いで、電気信号は、画像値に変換されることができる。画像値は、患者の関心のある解剖学的構造のX線画像を得るために使用されることができる。
国際公開第2010/018496号公報は、間接変換型検出器技術を備えたX線イメージングシステムを記載している。シンチレータは、成長した結晶ニードル、例えばCsI(ヨウ化セシウム)から形成される。この技術は平坦な表面を達成するために、結晶シンチレータの上部に配置された平坦化層のような付加的なコンポーネントを使用する。
また、検出器の部分についてのイメージング特性は、検出器表面全体にわたって均一ではない場合がある。
更に、成長した結晶ニードルから形成されたシンチレータは、デュアルレイヤ検出器に使用するのに容易に役立たないことがある。
X線イメージングのための、特にデュアルレイヤ検出器を用いたX線イメージングのための代替のシンチレータソリューションが必要とされ得る。
本発明の目的は、独立請求項の主題によって解決され、他の実施形態は、従属請求項に組み込まれる。以下に説明する本発明の態様は、X線検出器、X線イメージング装置、コンピュータプログラム素子、及びコンピュータ可読媒体にも同様に適用されることに留意されたい。
本発明の第1の態様によれば、X線イメージングのためのデュアルレイヤ検出器であって、少なくとも2つの感光面と、X線を光に変換することができる少なくとも1つのシンチレータ素子を有する第1のシンチレータ層であって、前記シンチレータ素子は、X線を前記シンチレータ素子に受け入れる入口面と、入口面から遠位にある出口面と、の2つの面を有し、前記2つの面が互いに対しシフトされて配置され、それにより、シンチレータ素子の長手軸は第1のシンチレータ層の法線に対し傾斜しており、第1のシンチレータ素子は、前記2つの面の間に延在する側壁を有し、シンチレータ層の一方又は両方は、2つの面を有する第2のそのようなシンチレータ素子と、第2のシンチレータ素子の2つの面の間に延在し、第1のシンチレータ素子の側壁に対向し又は隣接する側壁と、を更に有し、第1のシンチレータ素子の側壁と第2のシンチレータ素子の側壁とは、互いに対し傾斜している、第1のシンチレータ層と、第2のそのようなシンチレータ層と、を有し、前記2つの感光面のうちの少なくとも一方が、前記2つのシンチレータ層の間に配置されている、デュアルレイヤ検出器が提供される。
デュアルレイヤタイプのX線検出器は、スペクトル/デュアルエネルギーイメージングのために使用されることができる。
それぞれの長手軸は特に、シンチレータ素子の面間の部分(「本体」)を通るX線/光の伝播方向を規定する。
位置合わせは、それ自体が斜めの形状によって行われる。シンチレータ素子を回転配置する必要はない。
全ての素子の面は、シンチレータ層の近位表面及び遠位表面を規定する。所与の素子の面同士は平行である。固有の斜め性(obliqueness)により、面は、シンチレータ層の平坦な近位表面及び/又は遠位表面を形成する。平坦化層のような追加のコンポーネントは、表面の同一高さを達成するために必要とされない。
加えて、焦点-スポットアラインメントを有する提案する3Dピクセル化シンチレータ構造は、本質的に検出器、特に間接変換型検出器、の画像表面全体にわたって一様なX線検出を達成することを可能にする。均一なX線検出は、最適な(又は少なくとも改善された)イメージング特性をもたらす。具体的には、イメージング特性はより均一である。例えば、IQ(画質)、MTF(変調伝達関数)、スペクトル応答、DQE(検出量子効率)などの一部又は全部が、検出器のイメージング領域にわたってより均一になり、より具体的には、イメージング領域/表面のエッジに向かってより均一になる。
いくつかの実施形態において、少なくとも1つの素子は、斜めプリズム形状又は斜め円錐形状又はピラミッド形状を有する。
いくつかの実施形態において、前記少なくとも1つの素子の断面は、多角形である。
いくつかの実施形態において、少なくとも1つのシンチレータ素子の断面は、その長手軸に沿って一定である。
いくつかの実施形態において、2つの面が少なくとも2つの異なる方向(x、z)に沿ってシフトして配置される。言い換えると、傾斜(inclination)は、2つの異なる平面における少なくとも2つの傾斜成分を含む。この「2Dアライメント」は、平面検出器構成に特に有用であり、検出器の像面の光軸/中心点と交差しないシンチレータ素子の行(又は列)についてアライメントが改善されることができる。
いくつかの実施形態において、少なくとも1つの素子は、付加造形(additive manufacturing)によって、特に3Dプリンティングによって形成される。これは、提案するシンチレータ層の効率的な製造を可能にする。
いくつかの実施形態において、製造方法は、シンチレータ層がサブレイヤから構築される該サブレイヤを提供するステップを有する。
更なる工程において、シンチレータ素子を有するシンチレータ層が、その後、付加造形によって形成される。
更なるステップにおいて、シンチレータ素子間の空間を充填するために光反射材料が適用される。
いくつかの実施形態において、光反射性物質が、(複数の)素子を少なくとも部分的に取り囲む。光反射性物質は、X線に曝露された際、シンチレータ素子によって生成される光のより効率的な使用を可能にする。
いくつかの実施形態において、シンチレータ層の一方又は両方がそれぞれ、複数のそのような素子を有し、素子のそれぞれの長手軸はそれらのそれぞれの面を通過し、長手軸は、層の外側に位置する仮想の空間点に焦点を合わせるように位置合わせされる。X線イメージング装置において使用される場合、仮想空間点は、イメージング装置のX線源の焦点スポットに一致する。シンチレータ素子の斜め性(又は傾斜)は、光軸から更に離れた検出器部分についても改善されたイメージング特性を提供するように、シンチレータ表面にわたって(一次元又は両方の次元で)変化する。しかしながら、全ての素子が斜めである必要はない。特に、光軸の場所におけるシンチレータ素子又は光軸に近いシンチレータ素子は傾斜がない(垂直な長手軸をもつ)。
本明細書で想定される実施形態において、X線検出器は、少なくとも2つのセンサ層を有し、各センサ層は、2つの感光面のそれぞれ1つを有する。言い換えると、2つのセンサ層の各々は、それ自体の感光面を有する。いくつかの実施形態において、2つのセンサ層は、感光面が反対方向に向くように積層される。
各感光面、すなわちセンサ層は、好適には光学的結合を介して、それに関連するそれぞれのシンチレータ層を有する。
提案するシンチレータ層は、シンチレータ素子の斜め性のおかげで、シンチレータ層の近位表面及び/又は遠位表面が本質的に同一平面であるために、そのようなデュアルレイヤ検出器の構築を容易にする。これは、近位表面/遠位表面の同一平面性が、スペクトル/デュアルイメージング検出器を構築する際に、層を互いに積み重ねる際の固有の構造的安定性を助長するためである。いくつかの実施形態において、その両側から感光性である単一のセンサ層を使用することができ、従って、遠位及び近位の2つの感光性表面を提供する。
2つのシンチレータ層の間に配置された2つの感光面を有することは、いくつかの実施形態において、2つの感光層における同じピクセルピッチレイアウトを使用することを可能にする。具体的には、いくつかの実施形態において、2つの感光層において、同じ等距離ピクセルピッチレイアウトが使用されてもよい。
2つの隣接する素子の2つの傾斜した(平行でない)側壁は、くさび形の隙間又は間隙を規定する。間隙は、光反射材料で部分的又は完全に充填されることができる。必ずしも全てのシンチレータ素子がそのように傾斜した隣接する側壁を有するわけではない。隣接するシンチレータ素子の傾斜した側壁を有することは、デュアルイメージングのために、特に等距離のピクセルピッチレイアウトをもつ、デュアルレイヤ検出器においてシンチレータを使用する場合に有用である。
更に、想定されるような隣接するシンチレータ素子の傾斜した側壁を有することは、光反射材料を通る光透過を排除するためにピクセル間の距離を減少させる又は最小化することも可能にするので、有用である。斜めの側壁を使用すると、反射体材料のボリュームが多くなる(可能性としてある程度の延性がある)。従って、相互に傾斜した又は傾いた側壁を有することは、偶発的な落下のような外力に対して、あるいは、現場で使用される例えばCアームシステム又は可動X線システムによるイメージング中に提案のシンチレータが使用される検出器が、対象に衝突する場合に、シンチレータアセンブリのより良好なロバスト性をもたらすことができる。
隣接するシンチレータ素子の傾斜した側壁を有することはマルチX線源イメージングシステムにおいても有益でありえ、その場合、X線検出器は、それぞれ異なる領域に分割されることができ、各領域は、別のX線源又は複数のX線源の別の組み合わせからの光を検出する。
他の態様において、X線検出器と焦点を有するX線源とを有するX線イメージング装置が提供される。X検出器は、上述の実施形態のいずれか1つによる少なくとも1つのシンチレータ層を有し、少なくとも1つの素子は、前記焦点とアラインされた長手軸を有する。
他の態様において、少なくとも1つの処理ユニットによって実行される際、上述の実施形態のいずれか1つに従って材料形成デバイスにシンチレータ層の少なくとも一部を形成させるように適応されたコンピュータプログラム素子が提供される。
いくつかの実施形態において、コンピュータプログラム素子が3DプリンティングのためのCAD(「コンピュータ支援設計」)ファイルを含む。
他の態様において、プログラム素子上に記憶されたコンピュータ可読記憶媒体が提供される。
本明細書で使用される「斜め」又は「斜め性」は、イメージング装置の光軸に概ね対応する垂直方向に対する、シンチレータ層内の個々のシンチレータ素子の長手軸の傾きを示すものと理解されたい。軸は、1つの平面のみにおいて傾斜してもよく、又は少なくとも2つの平面において傾斜成分を有することもできる。
本明細書で頻繁に使用されるように、「3D」、「2D」、及び「1D」は、それぞれ、(空間的)3次元、2次元、又は1次元性を意味する。
次に、本発明の例示的な実施形態を、縮尺通りではない以下の図面を参照して説明する。
図1を参照して、側面立面図におけるX線イメージング装置IAの概略図である。この実施形態は、Cアームイメージング装置、CBCT(コーンビームCT)スキャナ、CTスキャナ、マンモグラフィ装置又は放射線撮影装置、又は対象OBのX線画像を取得するように構成された他のものを含む。対象OBは、イメージング軸zを有する断面で示されている。図1において、イメージング軸zは、図面の平面内に延びている。本明細書で想定されるX線イメージャの主な用途は医療分野であるが、非破壊材料試験又は手荷物スクリーニングなどの非医療の状況は本明細書では除外されない。従って、「対象OB」という語は、本明細書では人間又は動物の患者、又はその解剖学的部分などの生き物の「対象」を含むものとして一般的な意味で使用されるが、無生物の対象も含む。
より詳細には、X線イメージング装置IAは、X線源XSと、X線感受性検出器XDとを有する。使用時、対象OBが、X線源XS及びX線検出器XD内の検査領域に、軸zに沿って位置付けられる。X線源XSは、X線ビームXBを生成するように活性化され、X線ビームXBは、焦点スポットFSから発せられ、検査領域を横切り、従って対象OBの少なくとも関心領域を横切る。図1において、OXは光軸であり、X線ビームXBの主伝搬方向であり、軸yは光軸OXに平行である。具体的には、光軸OXが、焦点FSから検出器XDまで延び、焦点スポットの直交投影を検出器の画像表面上に形成するポイントで検出器XDと交差する。このポイントは、本明細書では検出器又は画像表面の中心点と呼ばれる。画像表面は座標x,zを有し、xは、イメージング軸zに直交し、x,zは両方とも、光軸OX又は軸yに直交する。
X線は、対象OBの物質(例えば、組織、骨等)と相互作用する。相互作用後、X線は、対象OBの遠位側に進み、その後X線検出器XDに衝突する。衝突するX線は、検出器XDによって検出され、電気信号に変換される。電気信号は、適切な変換回路(図示せず)によって画像値に変換され、画像値は、画像プロセッサIPによってX線画像に処理されることができる。適切なイメージングソフトウェア(3D再構成など)を使用して、1つ又は複数の表示装置DD上に画像を表示することができる。画像は、記憶されるか、又は他の方法で処理されることができる。
X線画像は、被撮像対象OBの内部の詳細を示すことができる。これは、被撮像対象OBの診断及び治療又は他の検査に役立つことができる。
イメージング装置IAは更に、イメージングされるべき関心領域とより良く適合するようにX線ビームを成形するために、X線源に配置されるコリメータ(図示せず)を有することができる。
検出器XDは、フラットパネル検出器であってもよいが、本明細書では湾曲した検出器の実施形態も想定される。いくつかの実施形態において、検出器XDが間接変換タイプであることが好ましい。差込図1Aには、軸x、z及び画像表面の4つの外縁をもつX線検出器XDの画像表面を表す概略的なグリッドレイアウトが平面図で示されている。軸zは、上記で説明したイメージング軸である。図1Aのグリッドレイアウトにおける小さな正方形は、複数の「行」(一般に、方向xに沿う)及び複数の「列」(一般に、方向zに沿う)に配列された検出器セル又はピクセルを表す。代替的に、単一ライン/単一行の検出器もまた、本明細書において想定される。前述のように、画像表面は、図1Aに示すように平坦であってもよく、あるいは代わりに、X線源XSの焦点FSを通り軸zに平行な長手軸(以下、「曲率軸」と呼ぶ)を有する仮想円筒の部分側面を形成するように湾曲していてもよい。これらの実施形態において、検出器XDの画像表面は、全体としてX線源XSの焦点スポットに焦点が合わされる。
次に、図2を参照すると、これは、X線検出器XDをより詳細に示す。具体的には、図2は、X線検出器XDの断面側面立面図である。図2に示す実施形態は、平坦な画像表面x,zに対応するが、特に述べない限り、以下は湾曲したした画像表面の実施形態にも等しく適用される。
間接変換型技術では、検出器XDが、シンチレーション層SLとセンサ層PLとのの2層を有する。図2に示される実施形態とは対照的に、センサ層PL1、PL2を背中合わせに有する例示的な実施形態において、(図2のよう)センサ-シンチレータ層の単一の対だけでなく、ある対が他の対の上に配置された2又はそれより多くのそのような対が存在する、特に適応された検出器XDを用いてデュアルエネルギー又はスペクトルイメージングを実現することも、本明細書で想定される。このようなデュアル/スペクトルイメージング検出器は、図5及び図6において以下により詳細に説明される。しかし、簡単にするために、最初に、図2に示すような単一対のセンサ-シンチレータ層を有する検出器XDについて説明することに限定する。
シンチレータ層SLは、X線源の近位側に配置されることができ、センサ層PLは、焦点の遠位側にある。代替の実施形態においては、この構成が逆にされて、センサ層PLが近位側に配置され、シンチレータ層SLが遠位側に配置される。ここ及び以下では、空間修飾子「近位」及び「遠位」はそれぞれ、焦点FSに対してより近い距離又はより大きい距離を示すために使用される。イメージング中、X線ビームXBの光子は、シンチレータ層SLに衝突し、シンチレータ層SLを透過する。シンチレータ層SLは、シンチレータ材料、言い換えれば、衝突するX線を異なる周波数の電磁放射線、特に可視光に変換することができる材料を含む。具体的には、シンチレータ材料の内部分子構造は、シンチレータ材料にX線光子が衝突したときに光子が放出されるようなものである。次いで、シンチレータ層によってそのように生成された光子は、センサ層PL内の感光性ピクセルのアレイによって検出される。いくつかの実施形態において、センサ層PLは、複数の感光性ピクセル(フォトダイオードPh及びTFTを有する)がその上に配置される基板層BL(箔又は他のものなど)を備えるセンサアレイである。複数の感光性ピクセルPHは、センサ層PLの少なくとも1つの感光面LSSを形成する。本明細書では、有機系もしくはシリコン系、又は両方の組み合わせせなど、フォトダイオードPh及びTFTの様々な変形形態及びタイプが想定される。図2の断面図では、フォトダイオードPHの1つの行のみが示されている(一例として、行の5つのフォトダイオードのみが示されている)。他の複数の行が、図1Aに示されるグリッドレイアウトを達成するために、図2の図の平面上に示される行の後ろに、平行にかつz軸に沿って配置される。フォトダイオードPhは、読み出し回路(図示せず)に結合され、読み出し回路は、それぞれの光子の検出に応じてそれぞれのフォトダイオードPhによって生成される電気信号を収集する。
引き続きシンチレータ層SLを参照すると、これは、一実施形態においてシンチレータ層SL上にピクセル化構造を付与する複数のシンチレータ素子SEを有する。具体的には、実施形態で想定されるように、それぞれのシンチレータ素子SEは、好適にはフォトダイオードPhと同じレイアウトで配置される個別の3D構造である。このようにシンチレータ素子は、図1Aの平面図に示されるようにグリッドレイアウトを形成しており、シンチレータ素子とセンサPhとが、互いに空間的に位置合わせされており、各フォトセンサPhは、各シンチレータ素子の1つに対して対向する関係を有して配置されている。他の実施形態も可能であり、例えば、隣接するセンサPhのグループは、同じシンチレータ素子を共有することができる。例えば、2×2又は4×4の隣接するセンサ素子のグループは、同じシンチレータ素子を共有することができる。従って、単一の行/列のセンサPhを有する実施形態の場合、空間的に位置合わせされたそのような個別のシンチレータ素子の単一の行のみが存在する。
図2に示す例では、1列に5つのシンチレータ素子しかないが、この数は単に例示的なものであり、限定的なものではない。一般に、シンチレータ素子の数は、検出器ピクセルの数、従ってセンサ(例えば、フォトダイオード)の数とおなじ多さでもよいし、それより少なくてもよい。例えば、検出器XDの画像表面は、X=40cm×Z=30cmのサイズであってもよく、これはいくつかの実施形態において実際に想定される。従って、必要とされるピクセル密度に応じて、この構成はCTと同様に、1mmのピクセルサイズを有するCBCTスキャナの場合、ほぼ同数のシンチレータ素子を有する400×300のセンサPhを必要としうる。Cアームシステムの場合、より小さなピクセルサイズ、例えば150μmを使用することができ、より多くの素子SEをもたらす。センサ共有の場合、上述のように、センサPhよりもエレメントSEの方が少ない。検出器のサイズは一般に、イメージングされる対象のサイズによって決定され、上記の例よりも大きくても小さくてもよい。例えば、Z>40cm及び/又はX>30cmもまた、本明細書において想定される。
各シンチレータ素子SEは、X線から可視光などの所望の電磁放射線への変換を効果的に行うシンチレータ材料を含む。本明細書で想定されるシンチレータ素子は、好適には以前のシステム(例えば、本出願人の国際公開第2010/018496号公報を参照)におけるように、成長した結晶ニードル全体(CsIなど)から形成されるのではなく、代わりに、いくつかの実施形態において、バインダ塊に埋め込まれたシンチレータ粒子(結晶であってもなくてもよい)を含む材料から3D製造される。シンチレータ素子の正確な組成及び製造は、図7を参照して以下により詳細に説明される。
最初にシンチレータ素子SEの形状をより詳しく見る場合、これは、図2を参照して理解されることができる。シンチレータ素子は、それら自身がX線イメージングシステムIAの焦点FSのほうを向いてアラインされるように形成される。特に、いくつかのシンチレータ素子は、少なくとも1つの平面において、X線源の焦点と位置合わせされるように斜めになっている。更に具体的には、いくつかの実施形態において、図2の断面平面において破線で示される素子SEのそれぞれの長手軸LAXは、焦点FSを向くように傾いている。図2から分かるように、シンチレータ素子SEは、焦点FSとのこのアライメントを達成するように単に回転されるだけでなく、このアライメントを達成するのは、シンチレータ素子SEの形状自体の斜め性である。図2は単に、焦点FSとアラインされた1つの行のシンチレータ素子SEを示す。上述したことは、図2に示される行の背後に、軸zに沿って配置される幾つかの又は全ての行に等しく適用されることが理解されるであろう。
図2に示される傾斜に加えて、いくつかの実施形態において、例えば図2の図面の平面内に延びる方向zに沿った別の平面において、第2の傾斜成分が存在してもよい。言い換えれば、シンチレータ素子SEは、長手軸LAXが3D空間において焦点FSの位置を指すように、2つの空間方向、例えば、x及びzに傾斜されてもよい。この構成は、少なくとも2つの異なる平面に傾斜がある「2Dアライメント」と呼ぶことができる。図2において、一方の平面は、図面の平面に相当し、他方の平面は、これに直交して焦点FSを通過する。
これとは区別して、「1Dアライメント」(以下、このような構成を「1Dアライメント」と呼ぶ)では、長手軸LAXは、シンチレータ素子の各行について単に単一平面内で傾斜しており、仮想点FS’で交差する。1つのこのような仮想点FS’は、中心点を通過する行についてのみ焦点FSに対応する。他の行のそれぞれの仮想点は、焦点FSを通過する線を形成し、図1、2の描画平面によるように、平面に対して垂直である。
2Dアライメントにおいて、それぞれの長手軸の延長は、光軸OXに垂直な任意の方向から見たとき、3Dにおいて交差する。すなわち、中心点を中心とした同心円上に、同じ角度斜め性をもつシンチレータ素子SEが配置される。
図2は非常に概略的であり、距離は縮尺通りではないことが理解されるであろう。例えば、焦点FSの検出器XDまでの距離は、実際よりも短く描かれている。
ピッチ(つまり、隣接するピクセル間の距離Ph)が等距離(規則的なピッチレイアウト)である場合と、異なる(不規則なピッチ)場合がある。図2には、不規則なピッチレイアウトが示されている。図示されるように、異なる斜め性のために、面S2同士の間(又は代替として面S1同士の間)の(xに沿った)距離は、好適には不規則である。他の実施形態において、いくつかの隣接するシンチレータ素子SEが、同じ斜め性を有する場合、規則的であってもよい。
また、図2では、反射性材料LRSの充填物の(軸xに沿った)幅が縮尺通りに描かれていない。幅は大幅に誇張されており、通常は、シンチレータ素子SEの(軸xに沿った)幅と比較してはるかに小さい。例えば、フィリングLRSの幅は、シンチレータ素子SEの幅の約1/10以下であってもよい。
ここで図3を参照すると、これは、本明細書で想定されるシンチレータ素子SEの形状の様々な実施形態を示す。図3のA及びBは、軸yに沿った斜視図であり、図3のC及びDは、焦点スポットFSから見た、軸yに沿った平面図である。
いくつかの実施形態において、いくつか又はすべてのシンチレータ素子SEは、図3のA及びBに示されるように、斜め円筒又は斜めプリズムである。所与のシンチレータ素子SEの長手LAXは、いくつかの実施形態において、斜めプリズム又は円筒の底面である2つの面S1及びS2を通過する。使用中、一方の面S1は近位側であり、他方の面S2は遠位側である。面S1、S2は、任意の規則的又は不規則な多角形、又は規則的又は不規則な湾曲した形状(円形、楕円形など)を有することができる。多角形の底面S1、S2の実施形態は、三角形、長方形、正方形、又は平行四辺形を含む。更に、シンチレータ素子SEは、斜め長方形プリズムとして形成されてもよい。図3のBの具体的な実施形態に示されるように、シンチレータ素子SEは平行六面体である。いくつかの実施形態において、素子がy-x又はy-z平面における断面として平行四辺形を有する。
図3では、その長手軸LAXに沿ったシンチレータ素子SEの断面は一定であるように示されているが、これはすべての実施形態において必ずしもそうでる必要はない。具体的には、断面が、長手軸LAXに沿って変わる実施形態が想定される。例えば、斜め円錐台又は角錐台の形状を有する「漏斗形状」のシンチレータ素子もまた、本明細書において想定され得る。2つの面のうちの大きい方は近位側又は遠位側に配置されることができるが、好適には近位側に配置され、シンチレータ素子は、光子のための改善された集束ガイドとして作用するように近位側に配置されることができる。
近位フェーズS1は、X線をシンチレータ素子の本体に受け入れる。次に、光子は、シンチレータ素子の本体を通る経路に沿って移動し、シンチレータ素子内のシンチレーション材料と相互作用し、それにより光子が放出される。シンチレータ素子SEの固有の斜め性のために、より多くの光子が放出され、これは良好なイメージング特性をもたらす。放出された光子及び/又はX線の少なくとも一部は、遠位面S2でシンチレータ素子を去り又は出て、それぞれのフォトダイオードPhと相互作用する。シンチレータ本体の斜め構成のため、シンチレータ素子を通るX線光子の光路は、シンチレータ層の所与の全体の厚さに対して最大化され、イメージング装置IAの光軸OXから離れて位置する素子SEを通る放射線経路においても最大化される。より具体的には本明細書で想定されるように、シンチレータ素子の斜め性は、X線検出器の中心点からの距離と共に大きくなる。より具体的には、光軸OX又はそれに近い位置にあるシンチレータ素子が、斜め性を有さないか、又はほとんど有さず、その一方で、遠い位置にあるシンチレータ素子は、光軸OXに近い位置にあるシンチレータ素子よりも大きい斜め性を有する。
シンチレータ素子SEの提案する斜め性は、シンチレータ層の近位表面に垂直な法線nを使用することによって幾何学的に規定されることができる。光軸OXから離れたシンチレータ素子の場合、それらのそれぞれの長手軸LAXは、表面の法線nに対して非ゼロの傾斜角αを形成することになる。湾曲した表面の実施形態の場合、法線は、局所的な法線であり、すなわち、所与のロケーションの近位表面に対する接平面に垂直であり、傾斜角は、前記局所的な法線nに対して規定されることができる。局所的な法線は、所与のロケーションにおけるそれぞれの近位表面S1の法線である。平坦な表面の実施形態において、表面法線は、面法線nに等しい。代替として、斜め性は、長手軸LAXと光軸OXとの間の非ゼロ角度αとして規定されることもできる。傾斜角の最大の大きさは、一般に、検出器の画像表面の大きさの関数である。大きさが約X=30cm×Z=40cmである実施形態において、αは、検出器表面のエッジ部分に存在する素子について、0°(中心点における素子SEの場合)から約10°までの範囲である。例えば、X>30cm及び/又はZ>40cmを有する、より大きなサイズの検出器の場合、30°又はそれ以上のαが必要になりうる。
図3のCとDの平面図は、提案されたシンチレータ層SLの斜め性と、上記で説明した1D及び2Dアライメントの概念とを更に示している。特に、図3のCに示されるように、それぞれの近位フェーズS2及び遠位フェーズS1は、光軸OX又は軸yに沿って見たとき(図3のCの図に示されるように)、互いに対して平行なままシフトされる。図3のCの実施形態において、面S1及び面S2は、z軸に沿ってのみ互いに対してシフトされるているが、代わりにx軸に沿ってシフトされることができる。
その延長として、図3のDの平面に示されるように、2次元においてシフトされている面S1及びS2も本明細書において想定される。この場合、面S1及びS2は、互いにx及びyに沿ってシフトされている。分かりやすくするために、図3のD及びCでは、面S1及びS2のみが示されており、他のすべてのエッジは扱われていない。図3Dは、上記で説明した2Dアライメントの概念を図示しており、図3Cは、傾斜が単一平面に限定される1Dアライメントを示している。1つ又は2つの方向における2つの面S1、S2の間の相互平行シフトは、シンチレータ素子の長手軸の配向及び全体的な傾斜、従ってその斜め性を決定する。
2Dアライメントの場合の有効な全体の傾斜は、上記で説明されたように、法線と長手軸LAXとの間の角度αによって規定されることができるが、傾斜は、2つの基準平面x-y及びz-yの間に延在する平面(破線として平面図に示される)内にある。基準方向x、zに沿ったこの有効な全体傾斜の成分は、基準平面x-y、z-y及び該平面内のそれぞれの傾斜角成分への長手軸LAXのそれぞれの投影として得られることができる。
特に2Dアライメントタイプであるため、平坦なX線検出器であっても検出器XDの画像表面全体で一様なイメージング特性を得ることができる。
1Dアライメントは、湾曲した検出器XDに有用である。2Dアライメントは、平坦な検出器XDがX線焦点FSを向いて2次元的にフォーカスされるシンチレータ素子を達成するために有用である。
図4を参照すると、これは、シンチレータ素子SEの斜め性を、部分断面斜視図で示している。図4には、明確にするために、1つのそのようなシンチレータ素子SEのみが図示されており、それぞれの面S1及びS2は、シンチレータ層表面の一部であり、すなわち、近位表面がS1に対応し、遠位表面がS2に対応する。図3のCと同様に、図4は、軸xに沿って、面S1、S2が一方向においてのみ互いに対して平行なままシフトされているので、斜め性が上記で説明した1Dアライメントをもたらす実施形態を示す。同様に、x方向の代わりにz方向の1Dアライメントも、代替の実施形態において想定される。
個別のシンチレータ素子SEは、隣接するシンチレータ素子SE、SE’の間の空間ISを部分的に又は全体的に充填する光反射材料LRSに埋め込まれる。壁素子が、2つのシンチレータ素子SE、SE’のそれぞれの面S1、S2、S1’、S2’の間に延在する。それぞれの空間ISは、図9に示すように、隣接するシンチレータ素子SE、SE’の隣接する壁素子w、w’によって境界付けられる。反射材料が互いの間に配置されるシンチレータ素子SEは、シンチレータ層SLを形成する。光反射材料LRSの適切な実施形態は、一実施形態において、TiO2(二酸化チタン)充填エポキシ、又は銀、又は十分な光反射特性を有する他の同様の材料を含む。
それぞれの近位面S1(互いの間に反射材料を有する)は共に、シンチレーション層SLの近位表面を規定する。それぞれの面S1は互いに平行であり、y軸に沿ってアラインされて、同一高さの表面として近位表面を形成する。いくつかの実施形態において、等しく同一高さの遠位面を形成する遠位面S2についても同じことが当てはまり、言い換えれば、それぞれの遠位面S2は、同じ平面内又は曲面内にある。従って、(それぞれの軸LAXに沿った)シンチレータ素子SEのそれぞれの長さは、すべてのシンチレータ素子SEについて等しくなくてもよい。具体的には、光軸OXから更に離れたシンチレータ素子SEは、光軸OXに近いシンチレータ素子SEより長くなりうる。代替の実施形態において、シンチレータ素子のそれぞれの長さ(それぞれの軸LAXに沿った)は等しくされることができ、よって、遠位面S2は、必ずしも同じ平面/表面内に位置しない。
シンチレータ素子SEの(それぞれの軸LAXに沿った)それぞれの長さが等しくない場合、いくつかの実施形態において、ピクセルピッチが等しくないために、上述のイメージング特性は依然として均一でありうる。これは、光軸OXから更に離れた長いシンチレータ素子については、隣接する画素Ph同士の間の距離が大きくなり、それぞれの遠位面S2とそれぞれの光検出器Phとの間により多くのボリュームを有することになり、それにより、より長いシンチレータ要素SEの軸LAXに沿った等しくない経路長を補償する。
また、製造上の理由から(図7において更に詳述)、シンチレータ素子SEが基板から焦点FSに向かって延びる該基板がありうる。基板は、近位面又は遠位面S1、S2のいずれかが基板に隣接するように、近位又は遠位に配置されることができる。
上述した全ては、複数対のセンサ-シンチレータ層を有するデュアル又はスペクトルイメージングX線検出器に等しく適用される。これに関連して、図5及び図6を参照する。図は、デュアルレイヤ検出器によるスペクトル/デュアルエネルギーイメージングのためのそのような検出器XDの概略的な側断面図を示す。ビューは、それぞれ方向x及びzに沿っている。図5は、平坦な構成を有する実施形態の表現を示し、図6は、湾曲構成を示す。
より具体的には、デュアルレイヤ検出器によるスペクトル/デュアルエネルギーイメージングにおいて、(少なくとも)2つのシンチレータ層SL1、SL2、及びいくつかの実施形態においては2つのセンサ層PL1、PL2が存在する。3つ以上のシンチレータ層及び/又はセンサ層を有する構成もまた、本明細書において想定される。
より詳細には、図5のB、図6のBでは、第1の検出器が、第1のシンチレータ層SL1を有するとともに、その下に、関連するセンサ層PL1を有する。この一対の層の後ろに、第2のセンサ層PL2及び関連する(第2の)シンチレータ層SL2を同様に有する第2の検出器の層が続く。図5、図6の構成において、2つのセンサ層PL1及びPL2は、センサ層PL1、PL2が背中合わせになるように、2つのシンチレータ層SL1及びSL2の間に挟まれる。あるいは、シンチレータ層SL1、2及びセンサ層PL1、2が入れ替わり、センサPL1の後ろに(第2の)シンチレータ層SL2が配され、結合されるようにしてもよい。この交互配置パターンは特に、上述したシンチレータ層の平坦な近位表面のおかげで容易になる。
それぞれのシンチレータ素子SE1及びSE2の斜め性は、挿入図5Aに示されている。この例では、z方向に沿った1Dアライメントが示されている。シンチレータ素子SE1、SE2のそれぞれの斜め性はα及びα+180°であり、それにより、2つのシンチレータ素子の2つの長手軸LAXに沿って2つのシンチレータ素子SE1、SE2を通る連続的な放射経路を形成する。言い換えると、2つの長手軸は、共通ラインに沿ってアラインする。ここでも、両方の層におけるシンチレータ素子の斜め性は、図5に示されるように、軸Zに沿って単一の次元においてのみ斜めになるようにしてもよい。あるいは、素子SE1、SE2が更に第2の方向に沿って傾斜するように、焦点FSとの2Dアライメントが存在してもよい。アライメントの第2の方向は、軸xに沿って図5の図面平面内に延びる。また、この2次元アライメント構成の実施形態では、2つのシンチレータ素子SE1,SE2が、共通ラインを形成するようにそれぞれの軸をアラインさせている。
図6Bは、図5A、Bに記載されたものと同様のデュアルレイヤ検出器によるデュアル/スペクトルイメージングのための湾曲した実施形態を示す。先に述べたように、湾曲した検出器層は、その湾曲軸が焦点FSを通って延び、図6Bの軸zに平行な仮想シリンダの部分的な横方向表面を形成する。挿入図6Cは、焦点FSから見たときの、曲率を斜視平面図(3次元)で概略的に示す。
挿入図6Aに更に示されるこの湾曲した実施形態において、検出器素子が好適には例えば、軸zに沿って(例示的に示されるように)又は軸xに沿って1次元でアラインされ、従って、他の次元x又はzに沿ってそれぞれ傾斜されていない。言い換えると、z方向の斜め性は、その方向に沿った焦点FSに対するアライメントに対処し、検出器の湾曲は、zに沿った湾曲軸を横切る第2の方向xに沿った焦点スポットに向けてのアライメントを実現する。この湾曲した実施形態において、湾曲軸に垂直なビュー(この例示的な場合では軸xに沿う)は、zに沿った斜め性が示されている図5A、Bによって与えられるビューに類似する(図5A)。挿入図6Bの小さな湾曲した矢印は、発散する光子を示す。
同様の湾曲構成は、図2のような単一の検出器層の実施形態についても想定される。
図9を参照すると、デュアル又はスペクトルイメージングの文脈での更なる実施形態と共に、上述したシンチレータ層の更なる形態を側断面図で示している。以下では、デュアルレイヤ検出器における2つのシンチレータ層SL1、SL2の使用について主に言及されているが、以下に記載されている特性と側面は、2つの画像(上と下)の足し合わせが従来の単一画像(改善されたDQE(検出量子効率)を有する)を与える従来の非デュアルイメージングアプリケーションにも適用可能であることが理解されるであろう。
本明細書で想定されるようなデュアルイメージングでは、検出器が少なくとも2つの異なるエネルギーで同時にX線を検出するように構成されるデュアルレイヤ検出器XDとして、図9に示されるように配置される。このようにして検出された2つの画像(1つは高エネルギー画像、もう1つは低エネルギー画像)は、R Alvarez and A Macovski, "Energy-selective reconstructions in X-ray computerized tomography", Phys. Med. Biol., vol 21(5), 1976, pp 733-744などに記載されるように、例えば、物質分解のための物質固有のコントラストを持つ画像、原子番号固有のコントラストを持つ画像、スペクトル画像等の、他の画像に生成するように画像処理されることができる。
図9は、デュアルレイヤ検出器の他の実施形態を示す。図9の実施形態において、デュアルレイヤ検出器XDは、2つのシンチレータ層SL1、SL2(上述のように)を有し、一方は近位側にあり、他方は遠位側にある。少なくとも2つの感光面LSS1、LSS2(ここでも、一方は近位側にあり、他方は遠位側にある)は、それぞれ、上述したような感光ピクセルPHのレイアウトを有する。いくつかの実施形態(必ずしもすべての実施形態においてないが)では、2つのシンチレータ層内のシンチレータ素子の数が等しく、好適には図9に示すように、近位側シンチレータ層SL1及び遠位側シンチレータ層SL2からの対応するシンチレータ素子は、それらの長手軸がアラインされる。
感光表面LSS1、LSS2は、単一の(基板)層BL上に配置されることができ、ピクセルは、遠位側及び近位側から受容可能であり、従って、図9のBに示すように、基板層BLの遠位側に2つの感光表面LSS、LSS’を有し、他方は近位側にある。基板は光の通過を可能にするために、箔又は他のものとして配置されることができる。同様のこのような「両面」単一センサ層PLは、本出願人の国際公開第2018/122213A1号パンフレットに記載されている。代替例として、2つの感光面が、単一の基板層上の遠位側及び近位側にそれぞれ配置される2つのセンサ層によって形成されてもよい。更なる代替例として、2つの感光面LSS1、LSS2は、図9のA、D、図5、図6に示されるように、互いに一緒にされた、すなわち「背中合わせ」に積層された、物理的に別々の層BL1、BL2上に配置され、この場合、感光面LSS1、LSS2は、反対方向を向いている。更に別の実施形態において、2つのセンサ層SL1、SL2は、図9のCのように、2つのシンチレータ層のうちの少なくとも1つの介在によって空間的に分離される。
本明細書で想定されるデュアルレイヤ検出器では、感光面LSS1、LSS2は両方とも、2つのシンチレータ層SL1、SL2の間に配置される。図9のCの2つの感光層は、X線源を向いて同じ向きに方向付けられる。
2つのシンチレータ層SL1、SL2は、感光面LSS1、LSS2のそれぞれの上に接着によって配置されるか、又は他の方法で貼り付けられる。図9のCの実施形態において、遠位シンチレータ層SL2の近位面は更に近位センサ層SL1に固定される。
図9によって与えられるビューは更に、シンチレータ素子SE1、SE1’、SE2、SE2’の間の空間IS、IS’を規定する隣接する側壁w1、w1’及びw2、w2’を示す。図9及び以下では、シンチレータ層SL2の1つ及び1対の隣接するシンチレータ素子SE2、SE2’について言及されるが、これは単に例示及び説明のためであり、以下のすべては、他のシンチレータ層SL1及び/又は他のシンチレータ素子SE1、SE1’に等しく適用される。2つの隣接するシンチレータ素子SE2、SE2’の隣接する側壁w2、w2’はそれらのそれぞれの面S1、S2とS1’、S2’との間に延在する(図9には示されていないが、図2を参照)。隣接するシンチレータ素子SE2、SE2’の互いに傾斜した(平行でない)隣接する側壁w2、w2’のため、それぞれの間隙ISは、テーパ状である。特に、隙間ISは、図9に示すように楔形であってもよい。前述したように、隙間ISは、図2に関して上述したように、全体的又は部分的に光反射充填材料LRSで充填される。フォーカスされる構成のため、2つのシンチレータ層SL1、SL2の対応する近位及び遠位シンチレータ素子SE1、SE2のそれぞれの長手軸は、近位シンチレータ層SL1の隙間IS’が遠位シンチレータ層SL2の隙間ISよりも狭く及び/又は小さくなるようにアラインされる。特に、近位シンチレータ層SL1の空間ISは、遠位シンチレータ層SL2の空間IS’よりも小さい楔型として形成される。図9に示すように、いくつかの実施形態において、近位シンチレータ層SL1及び遠位シンチレータ層SL2のシンチレータ素子からのそれぞれの側壁w1、w2及びw1’、w2’がアラインされる。
等距離ピクセルピッチレイアウトは、感光面LSS2、LSS1、特に図9のA、B及びDの実施形態において使用されることができる。ピクセルピッチは、各表面LSS、LSS’についてそれぞれ等距離であってもよいが、互いに異なっていてもよい。代替例として、等距離ピッチレイアウトが、2つのシンチレータ層SL1、SL2について同じである。等距離ピッチを有することは、画像処理を単純化することを可能にし、及び/又は特に、いくつかの実施形態において本明細書で想定されるような2つの同一の画像センサを使用する場合に、検出器をより効果的に製造することができる。更に、等距離イメージセンサは、使用においてより汎用的であり、システム内の線源-検出器距離とは無関係であり、従って、さまざまなシステム構成又は用途において使用されることができる。
ここでは任意の2つの隣接するシンチレータ素子SE’、SEが傾斜した隣接する壁を有する必要はないが、これはいくつかの実施形態では想定される。代替例として、シンチレータ層は、平行な隣接する壁を有するシンチレータ素子のランを有し、続いて、異なる傾斜の壁を有するシンチレータ素子の1又は複数のランを有する。2つの連続するランからのシンチレータ素子の隣接する壁は、上述したように、それらの隣接する壁を相対的に傾斜させてもよい。
なお、図9(d)に示すように、シンチレータ層SL1、SL2の一方又は両方におけるシンチレータ素子SE、SE’の高さhは、必ずしも等しくなくてもよく、高さ差Δによって示されるように異なっていてもよい。好適には、高さは、検出器XDの周囲に向かって中心から離れて位置するシンチレータ素子SEと比較して、より中央のシンチレータ素子SEのほうが低い。これは、取得画像の全領域にわたって(より均質な)ノイズ分布を得ることを可能にする。図9(d)に示すように、中心から周辺に向かって高さを単調に増加させる必要はない。代わりに、同じ高さを有する1つ又は複数のシンチレータ素子SEのランが存在し、その後に、それぞれ異なる、増加する高さを有するシンチレータ素子SEの1つ又は複数のランが続くことができる。図9のA)~C)又は図2、図5及び図6の実施形態のいずれにおいても、異なる高さのシンチレータ素子が使用されることができる。1D又は2Dアライメントは、図5、図6に関して上述したように、図9の実施形態のいずれかにおいて想定される。
図7を参照すると、先の図に関して上述したように、斜めの離散的なシンチレータ素子を有するシンチレータ装置の製造プロセスにおけるステップが示されている。
好適には、シンチレータ層SLが適切な材料から3Dプリンティングなどの付加造形によって形成される。適切な材料は、非シンチレーションバインダ材料の塊体に埋め込まれる結晶粒子を有する。
より従来のアプローチとは異なり、成長した結晶ニードル(CsI、ヨウ化セシウムなど)は本明細書では使用されないが、代わりに、シンチレータ層を形成するためPIB(particle-in-binder)法によるシンチレータ調製が想定される。PIB法によるシンチレータ材料の実施形態は、テルビウムドープされたオキシ硫化ガドリニウム(Gd2O2S:Tb)粒子、又はプラセオジミウムドープされたオキシ硫化ガドリニウム(Gd2O2S:Pr)粒子、又はY2O2Sなどの他のシンチレーション材料、又はガーネット粒子などを含む。シンチレーション材料は、樹脂などのバインダ材料、又はスラリを形成することができる他の材料中に混合される。
好適には、シンチレータ素子が製造されるPIBシンチレータ材料が、シンチレータ層の想定される全厚さより薄い複数のサブレイヤにそれ自体提供される。次いで、シンチレータ素子は以下の方法で、一実施形態によれば、これらのサブレイヤから徐々に構築される。
ステップS710において、上述のサブレイヤのうちの第1のサブレイヤが提供される。これは基板(例えば、ガラス又は他のもの)上に堆積されてもよいが、これは任意選択であり、下にある基礎基板が使用されない本明細書で想定される方法である。一実施形態においてシンチレータ層が検出器層PL自体上に構築され、その場合、検出器層PLは基板を形成する。基板は、図6の実施形態のように、比較的堅い湾曲したセンサプレートによって形成されてもよい。提案した方法は、従って、箔型の基板上への堆積を回避することを可能にする。このような箔ベースの基板は、前述の結晶ニードルから、湾曲した検出器用のシンチレータを構築するのを助けるために以前に使用されていた。
CsIシンチレータは、新たに提案するシンチレータ層SLによって完全に置き換えることができるが、代替の実施形態において、CsIは、新たに提案するシンチレータ層SLと組み合わせて使用されることもできる。例えば、図6のデュアルエネルギー/スペクトルイメージングの実施形態において、シンチレータ構成は、シンチレータ層SL1の代わりに最上層がCsIであってもよく、一方、SL2は本明細書で提案するようなものであり、又は逆に、CsIが代わりに下層SL2として使用され、最上層SL1は本明細書で提案するものであってもよい。
上記の実施形態の全てにおいて、各センサ層PLは単一のシンチレータ層SLのみを有するが、これは必ずしも全ての実施形態についてそうとは限らない。本明細書で具体的に想定される構成も、所与のセンサ層に対して少なくとも2つのシンチレータ層が存在するアレイである。より具体的には、いくつかの実施形態において、2つのシンチレータ層がそれぞれのセンサ層PLの対向する2つの面に配置される。この実施形態において、センサ層PLは、前記対向する2つの面からのシンチレータ光によって照明されることができる。この両面構成が、図5、図6のデュアルエネルギー/スペクトルイメージングの実施形態で使用される場合、2つの層PL1、PL2は、もはや背中合わせにならないことが理解されるであろう。代わりに、(4つの)シンチレータ層のうちの2つが背中合わせになる。
ステップS720において、シンチレータは、好適には選択的レーザ焼結(SLS)又はステレオリソグラフィ(SLA)のような3Dプリンティングのような適切な付加造形技術を使用することによって形成される。
シンチレータ素子のそれぞれの長手軸に沿った長さが等しくなるように形成されることができ、又は長さは、層の中心からの距離とともに変化してもよく、中心/光軸から離れるほど、シンチレータ素子はより長くなる。
レーザベースの技術が想定される。いくつかの実施形態において、第1のサブレイヤは、第1のサブレイヤ上の複数の個別の位置でレーザビームに曝露される。各ロケーションにおいて、サブレイヤは、局所的に融合され又は硬化されて(感光性バインダの場合)、構築されるべき所与のシンチレータ素子のサブレイヤの断面を規定する。このプロセスは、所望のシンチレータ素子アレイのレイアウトを規定するように、適切に離間されたロケーションに局所的に、サブレイヤの表面を横切って連続して又は平行に繰り返される。融合プロセスでは、PIBシンチレータ材料の分子構造は(非融合部分と比較して)変化するが、粒子のシンチレーション能力は維持される。
次に、ステップS720が、第1のサブレイヤの上に第2のサブレイヤを堆積させた後に、第2のサブレイヤ上で繰り返される。具体的には、第1のサブレイヤ上に堆積された第2のサブレイヤと、レーザによる上述の局所的融着/硬化とが、繰り返されるが、このとき、前のサブレイヤ内のロケーションと比較してわずかにシフトした位置である。シフトの量は、そのロケーションにおける所与のシンチレータ素子の所望の斜め性に対応する。シフト量は、記述された斜め性と現在のサブレイヤの与えられた高さに三角形的に関係している。シフトは、レーザ分配装置を動かすことによって、又はサブレイヤを動かすことによって達成されることができる。
次に、ステップS720は、すべてのサブレイヤが上述のように処理されるまで繰り返され、その都度、前述のサブレイヤと比較して、ロケーション(材料が融合/硬化される場補)がわずかにシフトされる。
製造のこの段階では、「予定」素子SEは、周囲のサブレイヤ材料に埋め込まれている。全てのシンチレータ素子の全ての断面が全てのサブレイヤにわたってレーザ定義されると、この多層アセンブリ(サブレイヤから構成される)は、最終的なシンチレータ層SLの所望の高さを有する。
次いで、多層アセンブリは、残りの過剰な材料を除去する。これは、局所的に融合された部分の間に残された非融合部分にのみ作用するエッチング物質(例えば、エッチング浴中)を適用して、残りの余分な材料を溶解するようにし、残りの余分な材料はその後洗い流さて、斜めのシンチレータ素子のみが露出したままになるようにし、離散した近位面がエンボス加工されることによって、行われることができる。シフトのため、シンチレータ素子の面S1、S2の間の接続エッジは、ある倍率スケールで、階段状のプロファイルを有することになることが理解されるであろう。
別のステップS730では、光反射充填材料LRSがシンチレータ素子間の空間内に充填される。光反射材料LRSはペーストとして提供されてもよく、その後、ペーストは空間内に入り込み、シンチレータ素子の近位面S1と同じ高さにされることができる。いくつかの実施形態において、これは光反射材料LRSを、場合によっては真空下で、間隙に充填/注入することによって行われる。
次いで、全体の構造を凝固させて、シンチレータ素子が一緒にイメージング装置IAの焦点とアラインされるように、斜め性の所望の分布及び分散を有するシンチレータレイアウトの生産を終了することができる。言及したように、中央のシンチレータ素子(つまり、光軸に沿って配置されたもの)は、まっすぐなままでよい。
中心からずれたシンチレータ素子の斜め性はすべて、理想的には、焦点FSとの最良のアライメントを達成するために、光軸OXからの距離と共に変化すべきである。すなわち、任意の2つの隣接するシンチレータ素子SEは、理想的には異なる斜め性を有するべきである。しかしながら、これは、必ずしも全ての実施形態においてそうとは限らない。例えば、隣接するシンチレータ素子の特定の「並び(runs)」又はグループは、同じ斜め性を有するように配置されることができる。これは、上述した製造工程を簡略化することができる。すなわち、3D製造装置の制御プログラムが簡略化されて、スループットを向上させることができる。具体的にはサブレイヤにわたるその反復を伴う形成ステップS820は、個々のシンチレータ素子を個別に特注の斜め性で製造するのではなく、同じ斜め性を有するシンチレータ素子のグループを形成するためにバッチで実行されることができるが、これもまた、代替的な実施形態が想定される。
本明細書で想定される他の付加造形の3Dプリンティング技術は、融合堆積モデリング、マルチジェットモデリング、インクジェット3Dプリンティング、又は他のものを含む。任意に、3Dプリンティング後、光反射材料LRSを適用する前に、構造全体が焼結炉において焼結されることによってセラミック化されてもよい。
3Dプリンティングの代替として、CNC加工も想定される。以上から理解されるように、処理の完了時、シンチレータ素子SEは、3Dプリンティングされた個別のシンチレータ構造として現れる。特に平面検出器の実施形態(図2、図5、図9)では、シンチレータ素子の固有の斜め性のために、シンチレータの近位及び/又は遠位表面による同じ高さの表面が達成されることも理解されるのであろう。同じ高さの表面は、遠位面及び近位面によってそれぞれ形成される。同じ高さの表面は特に、図5、図6、及び図7に示すように、2つ以上の検出器層が互いに重なって1つずつ積層される場合、一体的な機械的安定性を促進する。好適には、複数の近位表面が、同一平面内に位置し、同じ高さの平面を形成する。これは、遠位表面に当てはまるかもしれないし、当てはまらないかもしれない。特に、シンチレータ素子の(それぞれの長手軸LAXに沿った)長さが、層/光軸OXの中心から異なる距離にあるシンチレータ素子について等しい場合、遠位表面は必ずしも同じ表面に位置しなくてもよい。好適には、近位面及び遠位面の両方が、それぞれの同じ高さの平面を形成し、シンチレータ素子の長さが異なり、中心/光軸OXからさ離れるほど、シンチレータ素子SEはより長くなる。
シンチレータ層の全体の厚さは、シンチレータ素子の高さ(軸yに沿って垂直に測定される)に等しく、100~1000マイクロメートル(μm)の範囲、より具体的には100~600μmの範囲とすることができるが、他の厚さも想定される。
図7は、新たに提案するシンチレータ層SLの複数のシンチレータ素子SEを3Dプリンティングで製造する場合の概略的な作業フロー図を示す。
シンチレータ素子SEの所望の幾何学的形状に関する情報は、適切なCAD言語によって、使用される正確な3Dプリンティング技術に応じて、STL(「ステレオリソグラフィ」)、OBJ、PLY、又は他のものなどの適切なフォーマットで記述される。この情報は、コンピュータファイルFLに保持される。一実施形態において、これはCADファイルである。いくつかの実施形態において、幾何学的形状ファイルFL内のシンチレータ層SLの所望のジオメトリが、ファイルFL内に記憶された表面のコレクションに関して記述される。各表面は、頂点及びその法線を通る向きによって定義される。次いで、シンチレータ層SL/シンチレータ素子SEは、正しい向きのこれらの表面素子のコレクションから構築されることができる表面モデルとして定義される。
ファイルFLを記述するジオメトリは、コンピューティングユニットの永久メモリや、メモリスティック、CDメモリカードなどの移動可能なメモリ媒体などの適切なメモリMEMに記憶されることができる。
ラップトップ、デスクトップ・コンピュータ、タブレット、1つ又は複数のサーバ(クラウドアーキテクチャ有り又は無し)、又は他の適切な計算ユニットなどのデータ処理ユニットPUが、ジオメトリファイルFLからジオメトリ情報を読み取り、これを適切なインターフェースを介して3DプリンタMFDの動作を制御するのに適した関連コマンド及びスライスに変換する3Dスライサソフトウェアを実行する。具体的には、3Dスライサがジオメトリ情報を、Gコード及びCプログラム言語などの上述の制御プログラム又はコードに変換する。
3Dプリンティングは、特に必要な角度傾斜で所望の斜め性と方向を形成することを可能にする。
同様の作業フローは、例えば、材料形成装置MFDがCNCミリング装置である場合に適用される。
本発明の別の例示的な実施形態において、適切なシステム上で、前述の実施形態のうちの1つによる方法の方法ステップを実行するように適応されるコンピュータプログラム又はコンピュータプログラム素子が提供される。
従って、コンピュータプログラム素子は、本発明の実施形態の一部でありうるコンピュータユニットに記憶されることができる。この計算ユニットは、上述の方法のステップの実行を実現し又は誘導するように適応されることができる。更に、計算ユニットは、上記装置の各コンポーネントを動作させるように適応されることもできる。計算ユニットは、自動的に動作するように、及び/又はユーザの注文を実行するように適応されることができる。コンピュータプログラムは、データプロセッサの動作メモリにロードされることができる。従って、データプロセッサは、本発明の方法を実行するように装備されることができる。
本発明のこの例示的な実施形態は、最初から本発明を使用するコンピュータプログラムと、最新の手段によって既存のプログラムを本発明を使用するプログラムに変えるコンピュータプログラムとの両方を包含する。
更に、コンピュータプログラム素子は、上述の方法の例示的な実施形態のプロシージャを満たすために必要なすべてのステップを提供することができる。
本発明の更なる例示的な実施形態によれば、CD-ROMなどのコンピュータ可読媒体が提示され、コンピュータ可読媒体はその上に記憶されたコンピュータプログラム素子を有し、そのコンピュータプログラム素子は、前述のセクションによって説明された構成を有する。
コンピュータプログラムは、他のハードウェアと一緒に又はその一部として供給される光記憶媒体又はソリッドステート媒体などの適切な媒体(特に非一時的媒体であるが、必ずしも非一時的媒体である必要はない)上に記憶され及び/又は配布されることができるが、他の形態で、例えばインターネット又は他の有線もしくは無線電気通信システムなどを介して配布されることもできる。
しかしながら、コンピュータプログラムは、ワールドワイドウェブのようなネットワーク上で提示されることもでき、そのようなネットワークからデータプロセッサの作業メモリにダウンロードされることもできる。本発明の更なる例示的な実施形態によれば、コンピュータプログラム素子をダウンロードに利用可能にするための媒体が提供され、このコンピュータプログラム素子は、本発明の前述の実施形態のうちの1つによる方法を実行するように構成される。本発明の実施形態は、それぞれ異なる主題を参照して説明されていることに留意されたい。特に、いくつかの実施形態は方法タイプの請求項に関して説明され、他の実施形態は装置タイプの請求項に関して説明される。しかしながら、当業者は上記及び以下の説明から、別段の言及がない限り、1つのタイプの主題に属する複数の特徴の任意の組み合わせに加えて、それぞれ異なる主題に関する特徴間の任意の組み合わせも、本出願で開示されると考えられることを理解するであろう。しかしながら、全ての特徴が組み合わせられて、特徴の単純な合計よりも多くの相乗効果を提供することができる。
本発明は、図面及び前述の説明において詳細に図示され及び説明されてきたが、そのような図示及び説明は、説明的又は例示的であり、限定的ではないと考えられるべきである。本発明は、開示された実施形態に限定されない。開示された実施形態に対する他の変形は、図面、開示、及び従属請求項の検討から、請求項に記載の発明を実施する際に当業者によって理解され、達成されることができる。
請求項において、「有する、含む(comprising)」の語は他の構成要素又はステップを除外するものではなく、不定冠詞「a」又は「an」は、複数性を除外するものではない。単一のプロセッサ又は他のユニットは、特許請求の範囲において言及されるいくつかのアイテムの機能を果たすことができる。特定の手段が相互に異なる従属請求項において言及されているという単なる事実は、これらの手段の組み合わせが有利に使用されることができないことを示すものではない。請求項におけるいかなる参照符号も、請求項の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。
請求項において、「有する、含む(comprising)」の語は他の構成要素又はステップを除外するものではなく、不定冠詞「a」又は「an」は、複数性を除外するものではない。単一のプロセッサ又は他のユニットは、特許請求の範囲において言及されるいくつかのアイテムの機能を果たすことができる。特定の手段が相互に異なる従属請求項において言及されているという単なる事実は、これらの手段の組み合わせが有利に使用されることができないことを示すものではない。請求項におけるいかなる参照符号も、請求項の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。
以下、本願発明の形態に関して付記を示す。
(付記1)
X線イメージング用のデュアルレイヤ検出器であって、少なくとも2つの感光面と、X線を光に変換することができる少なくとも1つのシンチレータ素子を有する第1のシンチレータ層であって、X線を前記シンチレータ素子に受け入れる入射面と、前記入射面から遠位にある出射面との2つの面を有し、前記2つの面は互いにシフトされて配置され、それにより、前記シンチレータ素子の長手軸は、前記第1のシンチレータ層の法線に対し傾斜しており、前記シンチレータ素子は、前記2つの面の間に延在する側壁を有し、前記第1のシンチレータ層が更に、前記側壁を有する第2のシンチレータ素子を有し、前記第2のシンチレータ素子は、第1のシンチレータ素子に隣接し、前記第1のシンチレータ素子の前記側壁及び前記第2のシンチレータ素子の前記側壁は隣接しており、互いに対し傾斜している、第1のシンチレータ層と、第2のそのようなシンチレータ層と、を有し、前記感光面の少なくとも1つが2つのシンチレータ層の間に配置されている、デュアルレイヤ検出器。
(付記2)
前記少なくとも1つのシンチレータ素子のそれぞれが、斜めプリズム形状、又は斜め円錐形又はピラミッド形を有する、付記1に記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記3)
前記少なくとも1つのシンチレータ素子のそれぞれの断面が多角形である、付記1又は2に記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記4)
前記少なくとも1つのシンチレータ素子のそれぞれの断面が、その長手軸に沿って一定である、付記1乃至3のいずれか1つに記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記5)
前記2つの面が、少なくとも2つの異なる方向に沿ってシフトされて配置されている、付記1乃至4のいずれか1つに記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記6)
前記それぞれの少なくとも1つのシンチレータ素子は、付加造形によって成形されている、付記1乃至6のいずれか1つに記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記7)
各シンチレータ素子を少なくとも部分的に囲む光反射物質を更に有する、付記1乃至6のいずれか1つに記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記8)
個々の前記シンチレータ素子のそれぞれの長手軸は、前記2つの面のそれぞれを通過し、前記シンチレータ層の外側に位置する仮想空間点に焦点を合わせるようにアラインされる、付記1乃至7のいずれか1つに記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記9)
前記2つの感光面の少なくとも一方が、それぞれ等距離ピクセルレイアウトを有する、付記1乃至8のいずれか1つに記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記10)
前記2つの感光面が、前記2つのシンチレータ層の間に配置されている、付記1乃至9のいずれか1つに記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記11)
X線検出器と、焦点を有するX線源とを有するX線イメージング装置であって、前記X線検出器は、付記1乃至10のいずれか1つに記載の少なくとも1つのシンチレータ層を有し、前記少なくとも1つのシンチレータ素子が、前記焦点に関してアラインされたその長手軸を有する、X線イメージング装置。
(付記12)
少なくとも1つの処理ユニットによって実行されるとき、材料形成装置に、付記1乃至10のいずれか1つに記載のデュアルレイヤ検出器の2つのシンチレータ層の少なくとも一方の少なくとも一部を形成させるように適応されたコンピュータプログラム。
(付記13)
前記コンピュータプログラムは、3DプリンティングのためのCADファイルの少なくとも一部である、付記12に記載のコンピュータプログラム。
(付記14)
付記12又は13に記載のコンピュータプログラムを記憶したコンピュータ可読記憶媒体。
以下、本願発明の形態に関して付記を示す。
(付記1)
X線イメージング用のデュアルレイヤ検出器であって、少なくとも2つの感光面と、X線を光に変換することができる少なくとも1つのシンチレータ素子を有する第1のシンチレータ層であって、X線を前記シンチレータ素子に受け入れる入射面と、前記入射面から遠位にある出射面との2つの面を有し、前記2つの面は互いにシフトされて配置され、それにより、前記シンチレータ素子の長手軸は、前記第1のシンチレータ層の法線に対し傾斜しており、前記シンチレータ素子は、前記2つの面の間に延在する側壁を有し、前記第1のシンチレータ層が更に、前記側壁を有する第2のシンチレータ素子を有し、前記第2のシンチレータ素子は、第1のシンチレータ素子に隣接し、前記第1のシンチレータ素子の前記側壁及び前記第2のシンチレータ素子の前記側壁は隣接しており、互いに対し傾斜している、第1のシンチレータ層と、第2のそのようなシンチレータ層と、を有し、前記感光面の少なくとも1つが2つのシンチレータ層の間に配置されている、デュアルレイヤ検出器。
(付記2)
前記少なくとも1つのシンチレータ素子のそれぞれが、斜めプリズム形状、又は斜め円錐形又はピラミッド形を有する、付記1に記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記3)
前記少なくとも1つのシンチレータ素子のそれぞれの断面が多角形である、付記1又は2に記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記4)
前記少なくとも1つのシンチレータ素子のそれぞれの断面が、その長手軸に沿って一定である、付記1乃至3のいずれか1つに記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記5)
前記2つの面が、少なくとも2つの異なる方向に沿ってシフトされて配置されている、付記1乃至4のいずれか1つに記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記6)
前記それぞれの少なくとも1つのシンチレータ素子は、付加造形によって成形されている、付記1乃至6のいずれか1つに記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記7)
各シンチレータ素子を少なくとも部分的に囲む光反射物質を更に有する、付記1乃至6のいずれか1つに記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記8)
個々の前記シンチレータ素子のそれぞれの長手軸は、前記2つの面のそれぞれを通過し、前記シンチレータ層の外側に位置する仮想空間点に焦点を合わせるようにアラインされる、付記1乃至7のいずれか1つに記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記9)
前記2つの感光面の少なくとも一方が、それぞれ等距離ピクセルレイアウトを有する、付記1乃至8のいずれか1つに記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記10)
前記2つの感光面が、前記2つのシンチレータ層の間に配置されている、付記1乃至9のいずれか1つに記載のデュアルレイヤ検出器。
(付記11)
X線検出器と、焦点を有するX線源とを有するX線イメージング装置であって、前記X線検出器は、付記1乃至10のいずれか1つに記載の少なくとも1つのシンチレータ層を有し、前記少なくとも1つのシンチレータ素子が、前記焦点に関してアラインされたその長手軸を有する、X線イメージング装置。
(付記12)
少なくとも1つの処理ユニットによって実行されるとき、材料形成装置に、付記1乃至10のいずれか1つに記載のデュアルレイヤ検出器の2つのシンチレータ層の少なくとも一方の少なくとも一部を形成させるように適応されたコンピュータプログラム。
(付記13)
前記コンピュータプログラムは、3DプリンティングのためのCADファイルの少なくとも一部である、付記12に記載のコンピュータプログラム。
(付記14)
付記12又は13に記載のコンピュータプログラムを記憶したコンピュータ可読記憶媒体。
Claims (14)
- X線イメージング用のデュアルレイヤ検出器であって、少なくとも2つの感光面と、X線を光に変換することができる少なくとも1つのシンチレータ素子を有する第1のシンチレータ層であって、X線を前記シンチレータ素子に受け入れる入射面と、前記入射面から遠位にある出射面との2つの面を有し、前記2つの面は互いにシフトされて配置され、それにより、前記シンチレータ素子の長手軸は、前記第1のシンチレータ層の法線に対し傾斜しており、前記シンチレータ素子は、前記2つの面の間に延在する側壁を有し、前記第1のシンチレータ層が更に、前記側壁を有する第2のシンチレータ素子を有し、前記第2のシンチレータ素子は、第1のシンチレータ素子に隣接し、前記第1のシンチレータ素子の前記側壁及び前記第2のシンチレータ素子の前記側壁は隣接しており、互いに対し傾斜している、第1のシンチレータ層と、第2のそのようなシンチレータ層と、を有し、前記感光面の少なくとも1つが2つのシンチレータ層の間に配置されている、デュアルレイヤ検出器。
- 前記少なくとも1つのシンチレータ素子のそれぞれが、斜めプリズム形状、又は斜め円錐形又はピラミッド形を有する、請求項1に記載のデュアルレイヤ検出器。
- 前記少なくとも1つのシンチレータ素子のそれぞれの断面が多角形である、請求項1又は2に記載のデュアルレイヤ検出器。
- 前記少なくとも1つのシンチレータ素子のそれぞれの断面が、その長手軸に沿って一定である、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のデュアルレイヤ検出器。
- 前記2つの面が、少なくとも2つの異なる方向に沿ってシフトされて配置されている、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のデュアルレイヤ検出器。
- 前記それぞれの少なくとも1つのシンチレータ素子は、付加造形によって成形されている、請求項1乃至6のいずれか1項に記載のデュアルレイヤ検出器。
- 各シンチレータ素子を少なくとも部分的に囲む光反射物質を更に有する、請求項1乃至6のいずれか1項に記載のデュアルレイヤ検出器。
- 個々の前記シンチレータ素子のそれぞれの長手軸は、前記2つの面のそれぞれを通過し、前記シンチレータ層の外側に位置する仮想空間点に焦点を合わせるようにアラインされる、請求項1乃至7のいずれか1項に記載のデュアルレイヤ検出器。
- 前記2つの感光面の少なくとも一方が、それぞれ等距離ピクセルレイアウトを有する、請求項1乃至8のいずれか1項に記載のデュアルレイヤ検出器。
- 前記2つの感光面が、前記2つのシンチレータ層の間に配置されている、請求項1乃至9のいずれか1項に記載のデュアルレイヤ検出器。
- X線検出器と、焦点を有するX線源とを有するX線イメージング装置であって、前記X線検出器は、請求項1乃至10のいずれか1項に記載の少なくとも1つのシンチレータ層を有し、前記少なくとも1つのシンチレータ素子が、前記焦点に関してアラインされたその長手軸を有する、X線イメージング装置。
- 少なくとも1つの処理ユニットによって実行されるとき、材料形成装置に、請求項1乃至10のいずれか1項に記載のデュアルレイヤ検出器の2つのシンチレータ層の少なくとも一方の少なくとも一部を形成させるように適応されたコンピュータプログラム。
- 前記コンピュータプログラムは、3DプリンティングのためのCADファイルの少なくとも一部である、請求項12に記載のコンピュータプログラム。
- 請求項12又は13に記載のコンピュータプログラムを記憶したコンピュータ可読記憶媒体。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP18167073.8 | 2018-04-12 | ||
EP18167073.8A EP3553568A1 (en) | 2018-04-12 | 2018-04-12 | X-ray detector with focused scintillator structure for uniform imaging |
PCT/EP2019/058471 WO2019197263A1 (en) | 2018-04-12 | 2019-04-04 | X-ray detector with focused scintillator structure for uniform imaging |
JP2020555896A JP7442458B2 (ja) | 2018-04-12 | 2019-04-04 | 均一なイメージングのための集束型シンチレータ構造のx線検出器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020555896A Division JP7442458B2 (ja) | 2018-04-12 | 2019-04-04 | 均一なイメージングのための集束型シンチレータ構造のx線検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024026391A true JP2024026391A (ja) | 2024-02-28 |
Family
ID=61972381
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020555896A Active JP7442458B2 (ja) | 2018-04-12 | 2019-04-04 | 均一なイメージングのための集束型シンチレータ構造のx線検出器 |
JP2023212678A Withdrawn JP2024026391A (ja) | 2018-04-12 | 2023-12-18 | 均一なイメージングのための集束型シンチレータ構造のx線検出器 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020555896A Active JP7442458B2 (ja) | 2018-04-12 | 2019-04-04 | 均一なイメージングのための集束型シンチレータ構造のx線検出器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11614550B2 (ja) |
EP (2) | EP3553568A1 (ja) |
JP (2) | JP7442458B2 (ja) |
CN (1) | CN111971585A (ja) |
WO (1) | WO2019197263A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3908856A4 (en) | 2019-01-08 | 2022-08-17 | The Research Foundation for The State University of New York | PRISMATOID LIGHT GUIDE |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN110168406A (zh) | 2017-01-02 | 2019-08-23 | 皇家飞利浦有限公司 | X射线探测器和x射线成像装置 |
-
2018
- 2018-04-12 EP EP18167073.8A patent/EP3553568A1/en not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-04-04 EP EP19715097.2A patent/EP3776005A1/en active Pending
- 2019-04-04 WO PCT/EP2019/058471 patent/WO2019197263A1/en active Application Filing
- 2019-04-04 JP JP2020555896A patent/JP7442458B2/ja active Active
- 2019-04-04 CN CN201980025284.0A patent/CN111971585A/zh active Pending
- 2019-04-04 US US17/046,105 patent/US11614550B2/en active Active
-
2023
- 2023-12-18 JP JP2023212678A patent/JP2024026391A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021521444A (ja) | 2021-08-26 |
US11614550B2 (en) | 2023-03-28 |
EP3776005A1 (en) | 2021-02-17 |
EP3553568A1 (en) | 2019-10-16 |
US20210239860A1 (en) | 2021-08-05 |
WO2019197263A1 (en) | 2019-10-17 |
CN111971585A (zh) | 2020-11-20 |
JP7442458B2 (ja) | 2024-03-04 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
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